一種全橋軟開關(guān)mos驅(qū)動電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及電力電子技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，軟開關(guān)技術(shù)迅速普及，大功率軟開關(guān)全橋電路被廣泛應(yīng)用，且功率器件的更新，MOS技術(shù)由于有較低的導(dǎo)通電阻很受市場歡迎，由于在橋式等有上下管存在的線路中，由于mosfet結(jié)電容的存在，經(jīng)常會由于嚴重的米勒效應(yīng)導(dǎo)致空載或者輕載炸機問題，另外，上下管在死區(qū)時間內(nèi)驅(qū)動電平不為零，驅(qū)動關(guān)斷的時候還會有一個2V左右的高電平，有較多的關(guān)斷損耗，而為了減少關(guān)斷損耗，在空載的時候MOS很難實現(xiàn)軟開關(guān)，但如果為了解決該問題而在MOS上去并聯(lián)一定容量的電容，則在空載的時候MOS的開關(guān)損耗比普通開通開關(guān)全橋損耗大很多，另加上本身MOS的屬性還會加大對MOS的驅(qū)動的干擾，還可能造成全橋軟開關(guān)變換器在空載的時候炸機。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明的一個目的是提供一種運行安全穩(wěn)定、成本低、結(jié)構(gòu)簡單且損耗少、抗干擾能力強的全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動電路。
[0004]本發(fā)明的上述技術(shù)目的是通過以下技術(shù)方案得以實現(xiàn)的:一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動電路，包括互補的驅(qū)動信號A和驅(qū)動信號B，驅(qū)動信號A和驅(qū)動信號B分別連接至一驅(qū)動加強芯片的兩個輸入端，所述驅(qū)動加強芯片的兩個與所述兩個輸入端分別相對應(yīng)的輸出端連接至一變壓器原邊處的繞組兩端，所述變壓器的副邊處具有兩個上下排列的繞組且各個繞組的兩端分別連接有上驅(qū)動輸出電路和下驅(qū)動輸出電路，所述上驅(qū)動輸出電路和下驅(qū)動輸出電路的電路結(jié)構(gòu)相同且均包括第一 MOS管和第二 MOS管，副邊處的繞組兩端分別與第一MOS管的源極和柵極相連，第一 MOS管的漏極和第二 MOS管的柵極相連，第二 MOS管的源極也同第一 MOS管的柵極相連，下驅(qū)動輸出電路的第二 MOS管的漏極與上驅(qū)動輸出電路的第二 MOS管的源極相連。
[0005]上述技術(shù)方案中，該電路結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定、可靠，適用于大功率的開關(guān)變換裝置，成本低、結(jié)構(gòu)簡單且損耗少、抗干擾能力強，散熱等其他物理性能均得到較大提升，驅(qū)動加強芯片可以采用現(xiàn)有的驅(qū)動芯片，對互補的輸入信號的驅(qū)動能力進行提升，第一 MOS管在導(dǎo)通的情況下即可實現(xiàn)驅(qū)動輸出電路的高電平驅(qū)動，而上驅(qū)動輸出電路和下驅(qū)動輸出電路由于連接結(jié)構(gòu)特點和互補的驅(qū)動信號，形成完美互鎖的驅(qū)動關(guān)系，當(dāng)上驅(qū)動輸出電路輸出低電平的時候，下驅(qū)動輸出電路才會有高電平驅(qū)動，當(dāng)下驅(qū)動輸出電路輸出低電平的時候，上驅(qū)動輸出電路才會有高電平驅(qū)動。
[0006]作為對本發(fā)明的優(yōu)選，第一 MOS管的柵極的支路上串接有一限流電阻。
[0007]作為對本發(fā)明的優(yōu)選，第二 MOS管的柵極和源極之間連接有雙向穩(wěn)壓二極管。
[0008]作為對本發(fā)明的優(yōu)選，第二 MOS管的柵極和源極之間連接有保護電阻。
[0009]作為對本發(fā)明的優(yōu)選，第二 MOS管的柵極和源極之間連接有三極管，所述三極管的發(fā)射極連接至第二 MOS管的柵極，所述三極管的集電極通過串接一肖特基二極管連接至第二 MOS管的源極，所述三極管的基極通過串接另一肖特基二極管連接至第一 MOS管的漏極。
[0010]作為對本發(fā)明的優(yōu)選，第一 MOS管的漏極和三極管的發(fā)射極之間也串接有保護電阻。
[0011]作為對本發(fā)明的優(yōu)選，第一 MOS管為PNP型管，第二 MOS管為NPN型管，三極管為PNP型管。
[0012]作為對本發(fā)明的優(yōu)選，驅(qū)動加強芯片的兩個輸入端均通過串接一保護電阻后接地。
[0013]作為對本發(fā)明的優(yōu)選，驅(qū)動加強芯片的兩個輸出端均通過有依次串接一保護電阻和一二極管后接地。
[0014]作為對本發(fā)明的優(yōu)選，驅(qū)動加強芯片的其中一個輸出端的支路上連接有兩個相互并聯(lián)設(shè)置的電容。
[0015]本發(fā)明的有益效果:該電路結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定、可靠，適用于大功率的開關(guān)變換裝置，成本低、結(jié)構(gòu)簡單且損耗少、抗干擾能力強，散熱等其他物理性能均得到較大提升，解決了空載或者輕載容易炸機的問題。
【附圖說明】
[0016]圖1是本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖中:1、驅(qū)動信號A，2、驅(qū)動信號B，3、驅(qū)動加強芯片，4、變壓器，5、第一 MOS管，6、第二 MOS管，7、限流電阻，71、雙向穩(wěn)壓二極管，72、保護電阻，8、三極管，73、二極管，74、電容，88、肖特基二極管。
【具體實施方式】
[0018]以下具體實施例僅僅是對本發(fā)明的解釋，其并不是對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀完本說明書后可以根據(jù)需要對本實施例做出沒有創(chuàng)造性貢獻的修改，但只要在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)都受到專利法的保護。
[0019]實施例，如圖1所示，一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動電路，包括互補的驅(qū)動信號Al和驅(qū)動信號B2，驅(qū)動信號Al和驅(qū)動信號B2分別連接至一驅(qū)動加強芯片3的兩個輸入端，所述驅(qū)動加強芯片3的兩個與所述兩個輸入端分別相對應(yīng)的輸出端連接至一變壓器4原邊處的繞組兩端，所述變壓器4的副邊處具有兩個上下排列的繞組且各個繞組的兩端分別連接有上驅(qū)動輸出電路和下驅(qū)動輸出電路，所述上驅(qū)動輸出電路和下驅(qū)動輸出電路的電路結(jié)構(gòu)相同且均包括第一 MOS管5和第二 MOS管6，副邊處的繞組兩端分別與第一 MOS管5的源極和柵極相連，第一 MOS管5的漏極和第二 MOS管6的柵極相連，第二 MOS管6的源極也同第一MOS管5的柵極相連，下驅(qū)動輸出電路的第二 MOS管6的漏極與上驅(qū)動輸出電路的第二 MOS管6的源極相連。
[0020]第一 MOS管5的柵極的支路上串接有一限流電阻7。第二 MOS管6的柵極和源極之間連接有雙向穩(wěn)壓二極管71。第二 MOS管6的柵極和源極之間連接有保護電阻72。第二 MOS管6的柵極和源極之間連接有三極管8，所述三極管8的發(fā)射極連接至第二 MOS管6的柵極，所述三極管8的集電極通過串接一肖特基二極管88連接至第二 MOS管6的源極，所述三極管8的基極通過串接另一肖特基二極管88連接至第一 MOS管5的漏極。第一 MOS管5的漏極和三極管8的發(fā)射極之間也串接有保護電阻72。第一 MOS管5為PNP型管，第二MOS管6為NPN型管，三極管8為PNP型管。驅(qū)動加強芯片3的兩個輸入端均通過串接一保護電阻72后接地。驅(qū)動加強芯片3的兩個輸出端均通過有依次串接一保護電阻72和一二極管73后接地。驅(qū)動加強芯片3的其中一個輸出端的支路上連接有兩個相互并聯(lián)設(shè)置的電容74。
【主權(quán)項】
1.一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動電路，其特征在于:包括互補的驅(qū)動信號A (I)和驅(qū)動信號B (2)，驅(qū)動信號A (I)和驅(qū)動信號B (2)分別連接至一驅(qū)動加強芯片(3)的兩個輸入端，所述驅(qū)動加強芯片(3)的兩個與所述兩個輸入端分別相對應(yīng)的輸出端連接至一變壓器(4)原邊處的繞組兩端，所述變壓器(4)的副邊處具有兩個上下排列的繞組且各個繞組的兩端分別連接有上驅(qū)動輸出電路和下驅(qū)動輸出電路，所述上驅(qū)動輸出電路和下驅(qū)動輸出電路的電路結(jié)構(gòu)相同且均包括第一 MOS管(5)和第二 MOS管(6)，副邊處的繞組兩端分別與第一MOS管(5)的源極和柵極相連，第一 MOS管(5)的漏極和第二 MOS管(6)的柵極相連，第二MOS管(6)的源極也同第一 MOS管(5)的柵極相連，下驅(qū)動輸出電路的第二 MOS管(6)的漏極與上驅(qū)動輸出電路的第二 MOS管(6)的源極相連。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動電路，其特征在于:第一MOS管(5)的柵極的支路上串接有一限流電阻(7 )。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動電路，其特征在于:第二MOS管(6)的柵極和源極之間連接有雙向穩(wěn)壓二極管(71)。4.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動電路，其特征在于:第二MOS管(6)的柵極和源極之間連接有保護電阻(72 )。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動電路，其特征在于:第二MOS管(6)的柵極和源極之間連接有三極管(8)，所述三極管(8)的發(fā)射極連接至第二 MOS管(6)的柵極，所述三極管(8 )的集電極通過串接一肖特基二極管(88 )連接至第二 MOS管(6 )的源極，所述三極管(8)的基極通過串接另一肖特基二極管(88)連接至第一 MOS管(5)的漏極。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動電路，其特征在于:第一MOS管(5)的漏極和三極管(8)的發(fā)射極之間也串接有保護電阻(72)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動電路，其特征在于:第一MOS管(5)為PNP型管，第二 MOS管(6)為NPN型管，三極管(8)為PNP型管。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動電路，其特征在于:驅(qū)動加強芯片(3)的兩個輸入端均通過串接一保護電阻(72)后接地。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動電路，其特征在于:驅(qū)動加強芯片(3)的兩個輸出端均通過有依次串接一保護電阻(72)和一二極管(73)后接地。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動電路，其特征在于:驅(qū)動加強芯片(3)的其中一個輸出端的支路上連接有兩個相互并聯(lián)設(shè)置的電容(74)。
【專利摘要】<b>本發(fā)明涉及電力電子技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種全橋軟開關(guān)</b><b>MOS</b><b>驅(qū)動電路，包括互補的驅(qū)動信號</b><b>A</b><b>和驅(qū)動信號</b><b>B</b><b>并分別連接至一驅(qū)動加強芯片的兩個輸入端，驅(qū)動加強芯片的兩個輸出端連接至一變壓器原邊處的繞組兩端，變壓器的副邊處具有兩個上下排列的繞組且各個繞組的兩端分別連接有上驅(qū)動輸出電路和下驅(qū)動輸出電路且均包括第一</b><b>MOS</b><b>管和第二</b><b>MOS</b><b>管，副邊處的繞組兩端分別與第一</b><b>MOS</b><b>管的源極和柵極相連，第一</b><b>MOS</b><b>管的漏極和第二</b><b>MOS</b><b>管的柵極相連，第二</b><b>MOS</b><b>管的源極也同第一</b><b>MOS</b><b>管的柵極相連，下驅(qū)動輸出電路的第二</b><b>MOS</b><b>管的漏極與上驅(qū)動輸出電路的第二</b><b>MOS</b><b>管的源極相連，</b><b>運行安全穩(wěn)定、成本低、結(jié)構(gòu)簡單且損耗少、抗干擾能力強。</b>
【IPC分類】H02M1/088, H02M1/08
【公開號】CN105024530
【申請?zhí)枴緾N201510479658
【發(fā)明人】姚曉武, 張昌運
【申請人】姚曉武
【公開日】2015年11月4日
【申請日】2015年8月7日