一種無死區(qū)電壓的mos管電源開關(guān)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及開關(guān)電路，特別是涉及一種無死區(qū)電壓的MOS管電源開關(guān)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶屏檢測設(shè)備，通常會輸出多路電源，每路電源幅值獨立連續(xù)可調(diào)，電流最大可達幾安培。在啟動和關(guān)閉液晶屏顯示時，各個電源，必須嚴格按照規(guī)格書的時序要求，以毫秒為時間單位，依次進行上電和斷電，否則很可能會造成被測液晶屏損壞?，F(xiàn)有技術(shù)，通常采用繼電器來實現(xiàn)對各路電源的開關(guān)控制，回路簡單。但生產(chǎn)線上一個檢測工位，一天要檢測幾千片液晶屏，相當于繼電器執(zhí)行幾千次開關(guān)動作，對繼電器的觸點壽命，很有影響，需要定期拆開檢測設(shè)備，對內(nèi)部的繼電器進行更換。
[0003]針對繼電器觸點壽命受限問題，有人作了一定的改進，采用絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)進行電源開關(guān)控制，如圖1所示。但此回路，存在一定的不足:M0S管的Vgs電壓值等于輸入電源Vi，因此，電源輸入Vi既要小于MOS管柵極-源極最大允許電壓，否則MOS管損壞；同時，電源輸入Vi還必須大于MOS管最小開啟電壓Vth，否則MOS管無法導(dǎo)通，即電源輸AVi存在一定的死區(qū)電壓，電源輸入Vi在此范圍時，圖1回路無法實現(xiàn)對電源輸入Vi的開關(guān)控制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種無死區(qū)電壓的MOS管電源開關(guān)電路，以克服現(xiàn)有繼電器電源開關(guān)觸點壽命有限，而現(xiàn)有MOS管開關(guān)控制電路，電源電壓存在無法控制的死區(qū)電壓之不足。提供一種消除死區(qū)電壓的MOS管電源開關(guān)電路，此電路結(jié)構(gòu)簡單可靠、集成度高、壽命長。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案
[0006]—種無死區(qū)電壓的MOS管電源開關(guān)電路，該電路包括
[0007]轉(zhuǎn)換模塊，用于將接收到的高速數(shù)字信號的高電平轉(zhuǎn)換為正電壓，將高速數(shù)字信號的低電平轉(zhuǎn)換為負電壓；
[0008]電壓調(diào)整模塊，基于所述正電壓或負電壓，調(diào)整開關(guān)模塊的電壓值；
[0009]開關(guān)模塊，基于電壓調(diào)整模塊調(diào)整的電壓值，控制正電源或負電源的通斷輸出，其工作電壓為正電壓PV，負電壓NV。
[0010]優(yōu)選的，所述轉(zhuǎn)換模塊為高速寬電壓電平轉(zhuǎn)換芯片Ul。
[0011]優(yōu)選的，所述電壓調(diào)整模塊包括第一電阻R1、第二電阻R2和NPN型晶體管Ql ;
[0012]所述第一電阻Rl的一端與所述轉(zhuǎn)換模塊電連接，所述第一電阻Rl的另一端與NPN型晶體管Ql的基極連接，所述NPN型晶體管Ql的發(fā)射極與轉(zhuǎn)換模塊的工作負電壓NV電連接，所述第二電阻R2的一端連接在第一電阻Rl和NPN型晶體管Ql的基極之間，所述第二電阻R2的另一端與轉(zhuǎn)換模塊的工作負電壓NV電連接。
[0013]優(yōu)選的，所述電壓調(diào)整模塊包括第一電阻R1、第二電阻R2和PNP型晶體管Ql ;
[0014]所述第一電阻Rl的一端與所述轉(zhuǎn)換模塊電連接，所述第一電阻Rl的另一端與PNP型晶體管Ql的基極連接，所述PNP型晶體管Ql的發(fā)射極與轉(zhuǎn)換模塊的工作正電壓PV電連接，所述第二電阻R2的一端連接在第一電阻Rl和PNP型晶體管Ql的基極之間，所述第二電阻R2的另一端與轉(zhuǎn)換模塊的工作正電壓PV電連接。
[0015]優(yōu)選的，所述開關(guān)模塊包括第三電阻R3、第四電阻R4和P溝型MOS管Q2 ;
[0016]所述第三電阻R3和第四電阻R4依次連接在正電源輸入Vi和NPN型晶體管Ql的集電極之間，所述P溝型MOS管的柵極連接在第三電阻R3和第四電阻R4之間，所述P溝型MOS管的漏極與正電源輸入Vi連接，所述P溝型MOS管的源極與電源輸出Vo連接；
[0017]所述調(diào)整開關(guān)模塊的電壓值為調(diào)整P溝型MOS管的柵極-源極電壓Vgs。
[0018]優(yōu)選的，所述開關(guān)模塊包括第三電阻R3、第四電阻R4和N溝型MOS管Q2 ;
[0019]所述第三電阻R3和第四電阻R4依次連接在負電源輸入-Vi和PNP型晶體管Ql的集電極之間，所述N溝型MOS管的柵極連接在第三電阻R3和第四電阻R4之間，所述N溝型MOS管的漏極與負電源輸入-Vi連接，所述N溝型MOS管的源極與電源輸出Vo連接；
[0020]所述調(diào)整開關(guān)模塊的電壓值為調(diào)整N溝型MOS管的柵極-源極電壓Vgs。
[0021]本發(fā)明的有益效果如下:
[0022]本發(fā)明所述技術(shù)方案克服了現(xiàn)有繼電器電源開關(guān)觸點壽命有限，以及電源電壓存在無法控制的死區(qū)電壓的不足。本發(fā)明所述技術(shù)方案結(jié)構(gòu)簡單可靠、集成度高、壽命長。
【附圖說明】
[0023]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細的說明；
[0024]圖1示出現(xiàn)有技術(shù)中電源的開關(guān)控制的示意圖；
[0025]圖2示出本發(fā)明所述電源開關(guān)電路的正輸入控制的示意圖；
[0026]圖3示出本發(fā)明所述電源開關(guān)電路的負輸入控制的示意圖。
【具體實施方式】
[0027]為了更清楚地說明本發(fā)明，下面結(jié)合優(yōu)選實施例和附圖對本發(fā)明做進一步的說明。附圖中相似的部件以相同的附圖標記進行表示。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當理解，下面所具體描述的內(nèi)容是說明性的而非限制性的，不應(yīng)以此限制本發(fā)明的保護范圍。
[0028]如圖2所示，本發(fā)明公開了一種無死區(qū)電壓的MOS管電源開關(guān)電路，該電路包括用于將接收到的高速數(shù)字信號的高電平轉(zhuǎn)換為正電壓，將高速數(shù)字信號的低電平轉(zhuǎn)換為負電壓的轉(zhuǎn)換模塊、基于所述正電壓或負電壓，調(diào)整開關(guān)模塊的電壓值的電壓調(diào)整模塊和基于電壓調(diào)整模塊調(diào)整的電壓值，控制正電源或負電源的輸出的開關(guān)模塊。如圖2所示，所述轉(zhuǎn)換模塊為高速寬電壓電平轉(zhuǎn)換芯片Ul，工作正電壓PV，工作負電壓NV。
[0029]本方案可以對正電源輸入+Vi或負電源輸入-Vi的無死區(qū)開關(guān)輸出進行控制。
[0030]當對正電源輸入+Vi進行無死區(qū)開關(guān)輸出控制時，所述電壓調(diào)整模塊包括第一電阻R1、第二電阻R2和NPN型晶體管Ql ;所述第一電阻Rl的一端與所述轉(zhuǎn)換模塊電連接，所述第一電阻Rl的另一端與NPN型晶體管Ql的基極連接，所述NPN型晶體管Ql的發(fā)射極與轉(zhuǎn)換模塊的工作負電壓NV電連接，所述第二電阻R2的一端連接在第一電阻Rl和NPN型晶體管Ql的基極之間，所述第二電阻R2的另一端與轉(zhuǎn)換模塊的工作負電壓NV電連接。所述開關(guān)模塊包括第三電阻R3、第四電阻R4和P溝型MOS管Q2 ;所述第三電阻R3和第四電阻R4依次連接在正電源輸入Vi和NPN型晶體管Ql的集電極之間，所述P溝型MOS管的柵極連接在第三電阻R3和第四電阻R4之間，所述P溝型MOS管的漏極與正電源輸入Vi連接，所述P溝型MOS管的源極與電源輸出Vo連接。對于上述調(diào)整開關(guān)模塊的電壓值實質(zhì)是調(diào)整P溝型MOS管的柵極-源極電壓Vgs。
[0031]當對負電源輸入-Vi進行無死區(qū)開關(guān)輸出控制時，所述電壓調(diào)整模塊包括第一電阻R1、第二電阻R2和PNP型晶體管Ql ;所述第一電阻Rl的一端與所述轉(zhuǎn)換模塊電連接，所述第一電阻Rl的另一端與PNP型晶體管Ql的基極連接，所述PNP型晶體管Ql的發(fā)射極與轉(zhuǎn)換模塊的工作正電壓PV電連接，所述第二電阻R2的一端連接在第一電阻Rl和PNP型晶體管Ql的基極之間，所述第二電阻R2的另一端與轉(zhuǎn)換模塊的工作正電壓PV電連接。所述開關(guān)模塊包括第三電阻R3、第四電阻R4和N溝型MOS管Q2 ;所述第三電阻R3和第四電阻R4依次連接在負電源輸入-Vi和PNP型晶體管Ql的集電極之間，所述N溝型MOS管的柵極連接在第三電阻R3和第四電阻R4之間，所述N溝型MOS管的漏極與負電源輸入-Vi連接，所述N