一種具有防反接保護(hù)集成電路的esd的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路，具體涉及一種具有防反接保護(hù)集成電路的ESD。
【背景技術(shù)】
[0002]在充電管理類集成電路中，由于輸出端有鋰電池，因此應(yīng)用工程師都要求這類芯片能實(shí)現(xiàn)兩個(gè)保護(hù):電池反接保護(hù)和輸入輸出防反灌保護(hù)。電池防反接保護(hù)是要求當(dāng)電池的正負(fù)極與芯片的輸出端反接時(shí)，芯片端口不會(huì)被燒壞，同時(shí)電池不會(huì)被抽走大量電荷。輸入輸出防反灌保護(hù)是在電池接入充電管理芯片端口后，輸入端口撤掉，保證電流不會(huì)向芯片的輸入端流入。輸入輸出反灌保護(hù)很好實(shí)現(xiàn)，但電池反接保護(hù)由于ESD 二極管的存在，很難實(shí)現(xiàn)。因此目前市場(chǎng)上的充電管理1C都沒(méi)有考慮電池反接保護(hù)?？蛻粜枰龇唇颖Ｗo(hù)的話，都需要通過(guò)增加外圍電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種具有防反接保護(hù)集成電路的ESD。
[0004]本發(fā)明是通過(guò)以下的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:一種具有防反接保護(hù)集成電路的ESD，包括比較器2，二極管D2，電阻R3及內(nèi)部本身就具有的輸入輸出防反灌電路的部分。
[0005]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明降低了成本，輕松實(shí)現(xiàn)電池防反接保護(hù)及ESD保護(hù)同時(shí)提供芯片的可靠性保障。在客戶大批量生產(chǎn)，特別是人工焊接電池時(shí)，大大降低了芯片的損壞概率，提高了整機(jī)的生產(chǎn)效率。
【附圖說(shuō)明】
[0006]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0007]圖2為本發(fā)明ESD等效回路。
【具體實(shí)施方式】
[0008]下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。
[0009]如圖1、圖2所示，一種具有防反接保護(hù)集成電路的ESD，包括比較器2，二極管D2，電阻R3及內(nèi)部本身就具有的輸入輸出防反灌電路的部分。
[0010]當(dāng)電池在BAT與GND之間反接時(shí)，通過(guò)比較器2進(jìn)行負(fù)壓檢測(cè)，檢測(cè)電池的極性。比較器控制功率PM0S的柵，關(guān)閉充電回路。同時(shí)由于ESD 二極管是通過(guò)防反灌電路的開(kāi)關(guān)計(jì)入VBAT端口，在電池反接時(shí)的等效電路:串聯(lián)了一個(gè)背靠背的寄生體二極管，徹底阻值ESD 二極管的漏電。電路在ESD防護(hù)的性能沒(méi)有受到影響，當(dāng)VBAT對(duì)GND打高壓時(shí)，寄生二極管的壓降為0.7V，相當(dāng)于在以前的高壓基礎(chǔ)上提高0.7V，做到正向保護(hù)。當(dāng)VBAT對(duì)GND打負(fù)壓時(shí)，同樣的原理，ESD 二極管的正向壓降為0.7V，通過(guò)寄生的體二極管，起到反向保護(hù)作用。以上所述僅為體現(xiàn)本發(fā)明原理的較佳實(shí)施例，并不因此而限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡是依本發(fā)明所作的均等變化與修飾皆在本發(fā)明涵蓋的專利范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種具有防反接保護(hù)集成電路的ESD，其特征在于:包括比較器2，二極管D2，電阻R3及內(nèi)部本身就具有的輸入輸出防反灌電路的部分。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種具有防反接保護(hù)集成電路的ESD，包括比較器2，二極管D2，電阻R3及內(nèi)部本身就具有的輸入輸出防反灌電路的部分。實(shí)現(xiàn)電池防反接保護(hù)及ESD保護(hù)同時(shí)提供芯片的可靠性保障。
【IPC分類】H02J7/00, H02H7/18
【公開(kāi)號(hào)】CN105305540
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510670650
【發(fā)明人】常小燕
【申請(qǐng)人】重慶澤青巨科技發(fā)展有限公司
【公開(kāi)日】2016年2月3日
【申請(qǐng)日】2015年10月13日