模塊電容C-au-_i-i通過鉗位二極管并聯(lián);A相下橋臂第一個(gè)子模塊 電容C- aij旁路時(shí)，子模塊電容C_ai-_^過鉗位二極管、兩個(gè)橋臂電抗器Lo與子模塊電容 C-au-_N并聯(lián);A相下橋臂第i個(gè)子模塊電容C-ai_i旁路時(shí)，其中i的取值為2~N，子模塊電容 C-ai-_i與子模塊電容(:-^^通過鉗位二極管并聯(lián);輔助IGBT模塊T2閉合時(shí)，輔助電容C 2通過 鉗位二極管與子模塊電容C-al_N并聯(lián)。
[0019] 正常情況下，自均壓輔助回路中6N個(gè)輔助開關(guān)Kau_i2、Kal_i2、Kbu_i2、Kbl_i2、Kcu_i2、 Kcdj2、Tau」、Tai」、Tbu」、Tbi」、T?」、Ted」常閉，其中i的取值為1~K，j的取值為K+1~N，輔助 IGBT模塊T1閉合時(shí)，輔助電容C1與子模塊電容C-bu-j通過鉗位二極管并聯(lián);B相上橋臂第i個(gè) 子模塊電容C-bu-_i旁路時(shí)，其中i的取值為1~N-I，子模塊電容C-bu-_i與子模塊電容C-bu-_i+i 通過鉗位二極管并聯(lián);B相上橋臂第N個(gè)子模塊電容C-bu_N旁路時(shí)，子模塊電容C-bu-_ N通過鉗 位二極管、兩個(gè)橋臂電抗器Lo與子模塊電容C_bi-_i并聯(lián);B相下橋臂第i個(gè)子模塊電容C_bi_i 旁路時(shí)，其中i的取值為1~N-I，子模塊電容C-bi-_i與子模塊電容C_bi_i+i通過鉗位二極管并 聯(lián);B相下橋臂第N個(gè)子模塊電容C_bl_N旁路時(shí)，子模塊電容C_bl-_N與輔助電容C_2通過鉗位二 極管并聯(lián)。上述輔助IGBT模塊T 1的觸發(fā)信號與A、C相上橋臂第一個(gè)子模塊觸發(fā)信號的"邏輯 和" 一致;輔助IGBT模塊T2的觸發(fā)信號與B相下橋臂第N個(gè)子模塊的觸發(fā)信號一致。
[0020] 在直交流能量轉(zhuǎn)換的過程中，各個(gè)子模塊交替投入、旁路，輔助IGBT模塊ThT2交替 閉合、關(guān)斷，A、B相上下橋臂間電容電壓在鉗位二極管的作用下，滿足下列約束：
由此可知，在半橋/全橋混聯(lián)MMC在完成直交流能量轉(zhuǎn)換的動態(tài)過程中，滿足下面的約 束條件：
C、B相間的約束條件與A、B相間的約束條件一致。
[0021] 由上述具體說明可知，該半橋/全橋混聯(lián)MMC拓?fù)渚邆渥幽K電容電壓自均衡能 力。
[0022]最后應(yīng)當(dāng)說明的是:所描述的實(shí)施例僅是本申請一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí) 施例?；诒旧暾堉械膶?shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得 的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請保護(hù)的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 基于等式約束的輔助電容集中式半橋/全橋混聯(lián)MMC自均壓拓?fù)?，其特征在?包括 由A、B、C三相構(gòu)成的半橋/全橋混聯(lián)MMC模型，A、B、C三相每個(gè)橋臂分別由K個(gè)半橋子模塊、N-K個(gè)全橋子模塊及1個(gè)橋臂電抗器串聯(lián)而成；包括6N個(gè)輔助開關(guān)（6K個(gè)機(jī)械開關(guān)，6N-6K個(gè) IGBT模塊）、6N+5個(gè)箝位二極管、2個(gè)輔助電容及2個(gè)輔助IGBT模塊構(gòu)成自均壓輔助回路。2. 根據(jù)權(quán)利1所述的基于等式約束的輔助電容集中式半橋/全橋混聯(lián)MMC自均壓拓?fù)洌?其特征在于:A相上橋臂的第1個(gè)子模塊，其子模塊電容C-au-j負(fù)極向下與A相上橋臂的第2個(gè) 子模塊IGBT模塊中點(diǎn)相連接，其子模塊IGBT模塊中點(diǎn)向上與直流母線正極相連接；A相上 橋臂的第i個(gè)子模塊，其中i的取值為2~K-1，其子模塊電容C-au-_i負(fù)極向下與A相上橋臂的 第i+Ι個(gè)子模塊IGBT模塊中點(diǎn)相連接，其子模塊IGBT模塊中點(diǎn)向上與A相上橋臂的第i-Ι個(gè) 子模塊電容C-au-_i-i負(fù)極相連接;A相上橋臂的第K個(gè)半橋子模塊，其子模塊電容C-au-_K負(fù)極向 下與A相上橋臂的第K+1個(gè)子模塊一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)相連接，其子模塊IGBT模塊中點(diǎn)向上與 A相上橋臂的第K-1個(gè)子模塊電容C-m-jw負(fù)極相連接;A相上橋臂的第j個(gè)子模塊，其中j的 取值為K+2~N-1，其子模塊一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)向下與A相上橋臂第j+Ι個(gè)子模塊一個(gè)IGBT模 塊中點(diǎn)相連接，另一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)向上與第A相上橋臂第j-Ι個(gè)子模塊一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn) 相連接;A相上橋臂第N個(gè)子模塊，其子模塊一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)向下經(jīng)兩個(gè)橋臂電抗器L〇與A 相下橋臂的第1個(gè)子模塊IGBT模塊中點(diǎn)相連接，另一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)向上與A相上橋臂的第 N-1個(gè)子模塊一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)相連接;A相下橋臂的第i個(gè)子模塊，其中i的取值為2~K-1， 其子模塊電容C_ai-_i負(fù)極向下與A相下橋臂第i+Ι個(gè)子模塊IGBT模塊中點(diǎn)相連接，其IGBT模 塊中點(diǎn)向上與A相下橋臂第i-Ι個(gè)子模塊電容負(fù)極相連接;A相下橋臂的第K個(gè)子模 塊，其子模塊電容C-ai_K負(fù)極向下與第A相下橋臂第K+1個(gè)子模塊一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)相連接， 其子模塊IGBT模塊中點(diǎn)向上與A相下橋臂第K-1個(gè)子模塊電容C-ai-_K-i負(fù)極相連接;A相下橋 臂第j個(gè)子模塊，其中j的取值為K+2~N-1，其子模塊一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)向下與A相下橋臂第 j+Ι個(gè)子模塊一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)相連接，另一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)向上與A相下橋臂第j-Ι個(gè)子 模塊一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)相連接;A相下橋臂第N個(gè)子模塊一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)向下與直流母線 負(fù)極相連接，另一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)向上與A相下橋臂的第N-1個(gè)子模塊一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)相 連接;B相上橋臂的第1個(gè)子模塊，其子模塊電容C-bu-j正極向上與直流母線正極相連接，其 子模塊IGBT模塊中點(diǎn)向下與B相上橋臂的第2個(gè)子模塊電容C-bu-_2正極相連接;B相上橋臂的 第i個(gè)子模塊，其中i的取值為2~K-1，其子模塊電容C-bu-_i正極向上與B相上橋臂的第i-Ι個(gè) 子模塊IGBT模塊中點(diǎn)相連接，其子模塊IGBT模塊中點(diǎn)向下與B相上橋臂的第i+Ι個(gè)子模塊電 容C_bu-_i+i正極相連接;B相上橋臂的第K個(gè)子模塊，其子模塊電容C-bu-j(正極向上與B相上橋 臂的第K-1個(gè)子模塊IGBT模塊中點(diǎn)相連接，其子模塊IGBT模塊中點(diǎn)向下與B相上橋臂第K+1 個(gè)子模塊一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)相連接;B相上橋臂的第j個(gè)子模塊，其中j的取值為K+2~N-1， 其子模塊一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)向上與B相上橋臂第j-Ι個(gè)子模塊一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)相連接，另 一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)向下與B相上橋臂第j+Ι個(gè)子模塊一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)相連接;B相上橋臂 第N個(gè)子模塊，其一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)向上與B相上橋臂第N-1個(gè)子模塊一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)相 連接，另一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)向下經(jīng)兩個(gè)橋臂電抗器L〇與B相下橋臂的第1個(gè)子模塊電容 C-bi-_i正極相連接;B相下橋臂的第i個(gè)子模塊，其中i的取值為2~K-1，其子模塊電容C-bi_i正 極向上與B相下橋臂的第i-Ι個(gè)子模塊IGBT模塊中點(diǎn)相連接，其子模塊IGBT模塊中點(diǎn)向下與 B相下橋臂的第i+Ι個(gè)子模塊電容C_bi-_i+i正極相連接;B相下橋臂的第K個(gè)子模塊，其子模塊 電容C-bi_K正極向上與B相下橋臂第Κ-l個(gè)子模塊IGBT模塊中點(diǎn)相連接，其子模塊IGBT模塊中 點(diǎn)向下與B相下橋臂第K+1個(gè)子模塊一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)相連接;B相下橋臂第j個(gè)子模塊，其 中j的取值為K+2~N-1，其一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)向上與B相下橋臂第j-Ι個(gè)子模塊一個(gè)IGBT模 塊中點(diǎn)相連接，另一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)向下與B相下橋臂第j+Ι個(gè)子模塊IGBT-個(gè)IGBT模塊中 點(diǎn)相連接;B相下橋臂第N個(gè)子模塊，其子模塊一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)向上與B相下橋臂第N-1個(gè) 子模塊一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)相連接，另一個(gè)IGBT模塊中點(diǎn)向下與直流母線負(fù)極相連接;C相上 下橋臂子模塊的連接方式可以與A相一致，也可以與B相一致；由于全橋子模塊的存在，半橋 子模塊上下輸出線之間不必要配置晶閘管；故A、B、C相上下橋臂子模塊的上下輸出線之間 并聯(lián)有機(jī)械開關(guān)Kau-il、Kal-il、Kbu-il、Kbl-il、Kcu-il、Kcl-il、Kau-j、Kal-j、Kbu-j、Kbl-j、Kcu」、Kcl-j，其 中i的取值為1~K，j的取值為K+1~N;上述連接關(guān)系構(gòu)成的A、B、C三相地位一致，三相輪換 對稱之后的其他拓?fù)湓跈?quán)利范圍內(nèi)。3.根據(jù)權(quán)利1所述的基于等式約束的輔助電容集中式半橋/全橋混聯(lián)MMC自均壓拓?fù)洌?其特征在于：自均壓輔助回路中，輔助電容C!正極連接輔助IGBT模塊T!，負(fù)極連接鉗位二極 管并入直流母線正極;輔助電容&負(fù)極連接輔助IGBT模塊T2,正極連接鉗位二極管并入直流 母線負(fù)極;鉗位二極管，通過輔助開關(guān)KaU_12連接Α相上橋臂中第1個(gè)子模塊電容C-au-」與輔助 電容Cl正極;通過輔助開關(guān)1(￡11^2、1(￡111_〇+1)2連接八相上橋臂中第；[個(gè)子模塊電容(]11-_:1與第1 + 1 個(gè)子模塊電容C-au-_i+1的正極，其中i的取值為1~κ-1;通過輔助開關(guān)Kau _K2、Tau _κ+1連接A相上 橋臂中第K個(gè)子模塊電容C-au-J(與第K+1個(gè)子模塊電容C-au_K+l正極；通過輔助開關(guān)Tau_j、 Tau」+1連接A相上橋臂中第j個(gè)子模塊電容C-au-」與第j+1個(gè)子模塊電容C-au-」+1的正極，其中j 的取值為K+1~N-1;通過