電源切換電路及半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專利摘要】提供避免消耗電流的增大的電源切換電路。電源切換電路在各個(gè)電源輸入端子與輸出端子之間，具備彼此柵極連接并且彼此背柵極連接的、串聯(lián)連接的MOS晶體管。
【專利說明】
電源切換電路及半導(dǎo)體裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及從主電源和副電源接受電源供給的半導(dǎo)體裝置中的、當(dāng)停止從主電源的電源供給時(shí)將電源供給從主電源切換到副電源的電源切換電路。
【背景技術(shù)】
[0002]圖3是示出現(xiàn)有的電源切換電路的電路圖。
[0003 ]現(xiàn)有的電源切換電路具備:被供給主電源的電壓VO的主電源輸入端子200 ；被供給副電源的電壓Vl的副電源輸入端子201;PN結(jié)元件202及203;以及輸出電壓Vout的輸出端子204。
[0004]圖4是現(xiàn)有的電源切換電路的PN結(jié)元件的截面結(jié)構(gòu)圖。
[0005]PN結(jié)元件以設(shè)在襯底的P型區(qū)域209中的N型區(qū)域208為負(fù)極端子206、以設(shè)在N型區(qū)域208中的P型區(qū)域207為正極端子205而實(shí)現(xiàn)。此外，為了避免在襯底的P型區(qū)域209與鄰接的N型區(qū)域之間流過多余的正向偏置電流，襯底的P型區(qū)域209被供給最低的電壓(VSS)。
[0006]現(xiàn)有的電源切換電路，在來自主電源的電源停止的后備動(dòng)作狀態(tài)中，通過從副電源供給電源，謀求電源向半導(dǎo)體裝置的穩(wěn)定供給。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2003 — 87994號(hào)公報(bào)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明要解決的課題然而，現(xiàn)有的電源切換電路供給電源時(shí)在供給電源的路徑上具有正向偏置的PN結(jié)元件，所以在寄生PNP型雙極元件中會(huì)流過集電極電流，因此存在會(huì)增大消耗電流這一課題。
[0009]本發(fā)明是為了解決以上那樣的問題而構(gòu)思的發(fā)明，提供消耗電流少的電源切換電路。
[0010]用于解決課題的方案
為了解決現(xiàn)有的問題，本發(fā)明的電源切換電路設(shè)為以下的結(jié)構(gòu)。
[0011]在切換從多個(gè)電源輸入端子接受電源供給的半導(dǎo)體裝置的電源并向輸出端子輸出的電源切換電路中，在各個(gè)電源輸入端子與輸出端子之間，具備彼此柵極連接并且彼此背柵極連接的、串聯(lián)連接的MOS晶體管。
[0012]發(fā)明效果
依據(jù)本發(fā)明的電源切換電路，能提供消耗電流少的電源切換電路。
【附圖說明】
[0013][圖1]是示出本實(shí)施方式的電源切換電路的電路圖。
[0014][圖2]是示出本實(shí)施方式的電源切換電路的其他示例的電路圖。
[0015][圖3]是示出現(xiàn)有的電源切換電路的電路圖。
[0016][圖4]是現(xiàn)有的電源切換電路的PN結(jié)元件的截面結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]以下，參照附圖，對(duì)本實(shí)施方式的電源切換電路進(jìn)行說明。
[0018]圖1是示出本實(shí)施方式的電源切換電路的電路圖。
[0019]本實(shí)施方式的電源切換電路具備:被供給主電源的電壓VO的主電源輸入端子200;被供給副電源的電壓VI的副電源輸入端子201; MOS晶體管100、11、110、111;以及輸出電壓Vout的輸出端子204。
[0020]MOS晶體管100的漏極與主電源輸入端子200連接，源極和背柵極連接。MOS晶體管101的柵極和漏極與MOS晶體管100的柵極及輸出端子204連接，源極和背柵極與MOS晶體管100的源極和背柵極連接。MOS晶體管110的漏極與副電源輸入端子201連接，源極和背柵極連接。MOS晶體管111的柵極和漏極與MOS晶體管110的柵極及輸出端子204連接，源極和背柵極與MOS晶體管110的源極和背柵極連接。
[0021 ]接著，對(duì)本實(shí)施方式的電源切換電路的動(dòng)作進(jìn)行說明。
[0022]在電壓VO比電壓Vl高的通常動(dòng)作狀態(tài)下，由于MOS晶體管100成為導(dǎo)通狀態(tài)，所以漏極電壓VA成為與電壓VO大致相等。MOS晶體管101因源極電壓(電壓VA)與電壓VO大致相等而成為導(dǎo)通狀態(tài)，輸出端子204被供給主電源的電壓V0。
[0023]在此，由于VO? VA，所以不會(huì)對(duì)MOS晶體管100的漏極與背柵極間的PN結(jié)元件施加正向偏置電壓。因而，以MOS晶體管100的漏極與背柵極間的PN結(jié)元件為發(fā)射極及基極、以襯底的P區(qū)域209為集電極的PNP型雙極元件不會(huì)導(dǎo)通，因此不會(huì)流過集電極電流。因而，不會(huì)發(fā)生電源切換電路的消耗電流增大的情況。
[0024]另一方面，在副電源的路徑中，由于MOS晶體管110的柵極電壓明顯比源極電壓高，另外由于漏極與背柵極間的PN結(jié)元件明顯反向偏置，所以MOS晶體管110中不會(huì)流過電流。因而，對(duì)副電源輸入端子201、即副電源的流入電流會(huì)得到抑制。
[0025]在電壓VO比電壓Vl低的后備動(dòng)作狀態(tài)下，由于MOS晶體管110成為導(dǎo)通狀態(tài)，所以漏極電壓VB會(huì)成為與電壓Vl大致相等。MOS晶體管111因源極電壓(電壓VB)與電壓Vl大致相等而成為導(dǎo)通狀態(tài)，輸出端子204被供給副電源的電壓VI。
[0026]在此，由于VO? VA，所以不會(huì)對(duì)MOS晶體管110的漏極與背柵極間的PN結(jié)元件施加正向偏置電壓。因而，以MOS晶體管110的漏極與背柵極間的PN結(jié)元件為發(fā)射極及基極、以襯底的P區(qū)域209為集電極的PNP型雙極元件不會(huì)導(dǎo)通，因此不會(huì)流過集電極電流。因而，不會(huì)發(fā)生電源切換電路的消耗電流增大的情況。
[0027]另一方面，在主電源的路徑中，由于MOS晶體管100的柵極電壓明顯比源極電壓高，另外由于漏極與背柵極間的PN結(jié)元件明顯反向偏置，所以MOS晶體管100中不會(huì)流過電流。因此，對(duì)主電源輸入端子200、即主電源的流入電流會(huì)得到抑制。
[0028]如以上說明的那樣，依據(jù)本實(shí)施方式的電源切換電路，能提供消耗電流少的電源切換電路。進(jìn)而，成為還考慮到了對(duì)各電源的流入電流的抑制的電源切換電路。
[0029]此外，在上述舉出圖1的電路為例，以是主電源和副電源的電源切換電路為前提進(jìn)行了說明，但是對(duì)于3個(gè)以上的電源，也同樣能得到效果。例如，對(duì)于主電源同樣具備MOS晶體管100及101、對(duì)于其他電源同樣具備晶體管即可。
[0030]另外，說明了各晶體管的柵極電壓通過電源切換電路的輸出端子204供給，但也可以供給電源的路徑的晶體管的柵極被供給比電源切換電路的輸出低的電壓，不供給電源的路徑的晶體管的柵極被供給比電源切換電路的輸出高的電壓。例如，如圖4所示，晶體管的柵極也可以與另一個(gè)輸入端子連接。
[0031]標(biāo)號(hào)說明
200主電源輸入端子;201副電源輸入端子；100、101、110、111 MOS晶體管；204輸出端子。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電源切換電路，設(shè)置于在多個(gè)電源輸入端子接受不同的電壓的電源供給的半導(dǎo)體裝置，所述電源切換電路切換所述電壓并向輸出端子輸出，其特征在于， 在各個(gè)電源輸入端子與所述輸出端子之間，具備彼此柵極連接并且彼此背柵極連接的、串聯(lián)連接的MOS晶體管。2.如權(quán)利要求1所述的電源切換電路，其特征在于， 所述MOS晶體管的柵極與所述輸出端子連接。3.如權(quán)利要求1所述的電源切換電路，其特征在于， 所述MOS晶體管的柵極與另一個(gè)所述電源輸入端子連接。4.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備: 權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)所述的電源切換電路。
【文檔編號(hào)】H02J9/06GK105871049SQ201610078681
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年2月4日
【發(fā)明人】杉浦正, 杉浦正一
【申請(qǐng)人】精工半導(dǎo)體有限公司