具交錯繞組的錯誤電流限制器的制造方法
【專利摘要】在一個(gè)實(shí)施例中，一種錯誤電流限制器包括具有交錯繞組的電流分路電抗器以在非錯誤條件期間減小所述錯誤電流限制器的插入阻抗。具有交錯繞組的所述電流分路電抗器可包含：第一繞組，所述第一繞組包含多個(gè)子繞組；以及第二繞組，所述第二繞組包含多個(gè)子繞組，所述第一繞組的所述子繞組和所述第二繞組的所述子繞組纏繞在所述核心上且交錯。
【專利說明】
具交錯繞組的錯誤電流限制器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明的實(shí)施例設(shè)及電流控制裝置，且更明確地說，設(shè)及錯誤電流限制裝置和系 統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002] 錯誤電流限制器（fault current limiter,簡稱：F化）用于例如在輸電網(wǎng)絡(luò)中提 供保護(hù)W防電流浪涌。在過去數(shù)十年，已開發(fā)各種類型的FCL，包含超導(dǎo)錯誤電流限制器 (superconducting fault current limiter,簡稱：SCF化）、固態(tài)錯誤電流限制器、電感性 錯誤電流限制器和此項(xiàng)技術(shù)中所熟知的其他各種錯誤電流限制器。其中實(shí)施了 FCL的電力 系統(tǒng)可包含發(fā)電、輸電和配電網(wǎng)路，所述網(wǎng)路產(chǎn)生電力且將電力遞送到各種工業(yè)、商業(yè)和/ 或住宅電負(fù)載。
[0003] 錯誤電流為電氣系統(tǒng)中的異常電流，其可從系統(tǒng)中的錯誤(例如，短路)產(chǎn)生。錯誤 電流可由于任何數(shù)量的事件或錯誤(例如，電力線或其他系統(tǒng)元件因惡劣天氣(例如，雷擊） 而損壞）而在系統(tǒng)中產(chǎn)生。當(dāng)發(fā)生運(yùn)種錯誤時(shí)，錯誤電流限制器用于保護(hù)系統(tǒng)免受錯誤電 流。然而，在正常操作期間，希望錯誤電流限制器將對正保護(hù)的系統(tǒng)產(chǎn)生盡可能小的影響。
[0004] 因此需要在正常操作期間在正保護(hù)的電路中具有低插入阻抗且導(dǎo)致可忽略的電 壓降和電力損耗但仍能夠防護(hù)錯誤電流的錯誤電流限制器。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 提供此
【發(fā)明內(nèi)容】
W按簡化形式介紹概念的選擇，下文在實(shí)施方式中進(jìn)一步描述所 述概念。此
【發(fā)明內(nèi)容】
不希望確定所主張標(biāo)的物的關(guān)鍵特征或基本特征，也不希望輔助確定 所主張標(biāo)的物的范圍。
[0006] 在一個(gè)實(shí)施例中，提供一種錯誤電流限制器。所述錯誤電流限制器包含具有交錯 繞組的電流分路電抗器，所述電流分路電抗器包括:核屯、;第一繞組，纏繞在所述核屯、上；W 及第二繞組，纏繞在所述核屯、上且與第一繞組交錯W減小所述錯誤電流限制器的插入阻 抗。
[0007] 在一個(gè)實(shí)施例中，提供一種錯誤電流限制器。所述錯誤電流限制器包含具有交錯 繞組的電流分路電抗器，所述電流分路電抗器包括:核屯、；第一繞組，所述第一繞組包含多 個(gè)子繞組；W及第二繞組，所述第二繞組包含多個(gè)子繞組，所述第一繞組的所述子繞組和所 述第二繞組的所述子繞組纏繞在所述核屯、上且交錯W減小所述錯誤電流限制器的插入阻 抗。
[0008] 在一個(gè)實(shí)施例中，提供一種電力系統(tǒng)。所述電力系統(tǒng)包含：電源;負(fù)載，電連接到所 述電源；W及錯誤電流限制器，電禪接到所述電源和所述負(fù)載W在錯誤條件期間限制所述 電力系統(tǒng)中的電流的量，所述錯誤電流限制器包括具有交錯繞組的電流分路電抗器，所述 電流分路電抗器包括:核屯、;第一繞組，所述第一繞組包含多個(gè)子繞組；W及第二繞組，所述 第二繞組包含多個(gè)子繞組，所述第一繞組的所述子繞組和所述第二繞組的所述子繞組纏繞 在所述核屯、上且交錯w在正常操作條件期間減小所述錯誤電流限制器的插入阻抗。
【附圖說明】
[0009] 圖1描繪并有FCL裝置的系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例，所述F化裝置包含具有交錯繞組的電 流分路電抗器；
[0010] 圖2描繪FCL裝置的一個(gè)實(shí)施例，所述FCL裝置包含具有交錯繞組的電流分路電抗 器；
[0011] 圖3描繪具有交錯繞組的電流分路電抗器的一個(gè)實(shí)施例；
[0012] 圖4描繪圖3的具有交錯繞組的電流分路電抗器的示意圖；
[0013] 圖5描繪具有交錯繞組的電流分路電抗器的一個(gè)實(shí)施例；
[0014] 圖6描繪圖5的具有交錯繞組的電流分路電抗器的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015] 現(xiàn)將在下文中參考附圖更全面地描述本發(fā)明的實(shí)施例，附圖中示出了一些實(shí)施 例。然而，本掲示的標(biāo)的物可按許多不同形式體現(xiàn)且不應(yīng)視為限于本文中闡述的實(shí)施例。而 是，提供運(yùn)些實(shí)施例W使得本掲示將為詳盡且完整的，且將向所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員全面地 傳達(dá)標(biāo)的物的范圍。在附圖中，相同參考數(shù)位在全文中指相同元件。
[0016] 本文所述的各種實(shí)施例提供FCL，其包含具有交錯繞組的電流分路電抗器 (current splitting reactor,簡稱:CSR)。此外，所述電流分路電抗器可具有開放核屯、設(shè) 計(jì)。包含具有交錯繞組的CSR的F化有利地提供低插入阻抗。作為實(shí)例，本文所述的FCL可在 正常操作條件期間具有小于總系統(tǒng)阻抗的1 %的插入阻抗。
[0017] 此外，本文所述的實(shí)例FCL可經(jīng)實(shí)施W限制任何電氣系統(tǒng)(例如，輸電、配電和發(fā)電 系統(tǒng)）中的錯誤電流。此外，根據(jù)一些實(shí)施例，具有交錯繞組的CSR可實(shí)施在超導(dǎo)FCL、固態(tài) FCL、快速切換FCL或一般來說經(jīng)配置W保護(hù)系統(tǒng)免受錯誤電流的任何錯誤電流限制電路 中，其中在正常操作期間需要插入阻抗較低。在一些實(shí)例中，本文所述的FCL可并有飽和鐵 屯、或遮罩核屯、。在特定說明性實(shí)例中，可提供如本文所述包含具有交錯繞組的CSR的FCL裝 置W降低飽和鐵屯、rcL的插入阻抗，其中根據(jù)了解，飽和鐵屯、rcL通常具有高插入阻抗。
[0018] 此外，本文中所提供的各種實(shí)例可針對高頻系統(tǒng)與低頻系統(tǒng)兩個(gè)而實(shí)施在FCL裝 置中。
[0019]圖1說明實(shí)施在示范性系統(tǒng)1000中的FCL電路200少化200包含具有交錯繞組的電 '流分圧各電抗器（current splitting reactor having interleaved windin邑s，f奇稱： IWCSR)210(參看圖3到圖6而更詳細(xì)地描述）。電源101經(jīng)由介面電路103和斷路器105而供應(yīng) 電力。輸電線106通向輸電線106與具有變壓器109的變電站的介面107,其中，變壓器109經(jīng) 配置W將輸電線電壓逐步調(diào)節(jié)到與負(fù)載12U123相容的電壓。變壓器109的輸出可禪接到斷 路器111和FCL 200dF化200可經(jīng)由斷路器115和匹配電路117、119而禪接到負(fù)載121、123。 可提供額外負(fù)載和匹配電路?？赡艽嬖诙搪峰e誤125,且如果存在，那么短路錯誤125可通過 本文所述的各種實(shí)施例的操作來隔離。
[0020] 圖2說明根據(jù)本掲示的至少一些實(shí)施例而布置的示范性FCL 20〇DrcL 200包含具 有第一繞組212和第二繞組214的IWCSR 210,第一繞組212和第二繞組214相反纏繞且繞核 屯、216而交錯(參看圖3到圖6而更詳細(xì)地描述）dF化200包含輸入202和用于將FCL 200連接 到要保護(hù)的電路(例如，圖1所示的負(fù)載121、123)的輸出204。此外，F(xiàn)化200包含并聯(lián)連接的 壓控電抗器（voltage control led reactor，簡稱：VCR) 220和錯誤觸發(fā)電路（fault 化igger circuit,簡稱:FTC)230。第二繞組214串聯(lián)連接在輸入202與并聯(lián)連接的VCR 220 與FTC 230之間。此外，各種其他瞬態(tài)過電壓控制電路(未圖示)可連接到VCR 220W對電路 進(jìn)行抑制、分流或W其他方式進(jìn)行保護(hù)而免于由錯誤電流導(dǎo)致的瞬態(tài)過電壓。包含CSR的 F化和其操作可更全面地描述在共同擁有的第2012/0264613號美國專利申請公開案中，所 述美國專利申請公開案全文W引用方式并入本文中。重要的是注明，雖然圖2說明FCL 200 實(shí)施有VCR 220,但本掲示的各種實(shí)施例可未實(shí)施有VCR。舉例來說，rcL可根據(jù)本掲示來實(shí) 施而不具有VCR，在運(yùn)種狀況下，rcL控制其自身的電壓，且在發(fā)生錯誤的狀況下，電流流經(jīng) rcL的高阻抗電路。
[0021] 在正常操作（例如，未檢測到錯誤電流，例如，短路錯誤125)期間，F(xiàn)TC 230將閉合 且呈現(xiàn)極小阻抗。因此，總電流（"It")將經(jīng)由輸入202而流動到FCL 200中，且穿過第一繞組 212和第二繞組214。因?yàn)镕TC 230閉合，所WVCR 220將具有流經(jīng)其中的可忽略的電流。因 此，第一繞組212和第二繞組214將具有流經(jīng)其中的總電流It的部分，所述部分與其繞組的 應(yīng)數(shù)比成比例。因?yàn)榈谝焕@組212和第二繞組214相反纏繞，所W其磁場在核屯、216內(nèi)消除。 因此，F(xiàn)化200可在正常操作期間展現(xiàn)極低插入阻抗。在一些實(shí)例中，F(xiàn)化200可在正常操作 期間插入小于1%的系統(tǒng)阻抗或具有小于1%的電壓降。在一些實(shí)例(例如，其中CSR 210在 第一繞組212與第二繞組214之間具有3:1的電流比）中，VCR 220和FTC 230將僅見到總電流 It的化％?？赏ㄟ^改變繞組212與214之間的繞組應(yīng)數(shù)比來實(shí)現(xiàn)其他比。
[0022] 在錯誤電流條件期間，高于正常電流的錯誤電流經(jīng)由輸入202而流動到第一繞組 212與第二繞組214兩個(gè)中。當(dāng)錯誤電流超過預(yù)定義觸發(fā)電流時(shí)，F(xiàn)TC 230打開或插入極高阻 抗，且錯誤電流轉(zhuǎn)移到VCR 220和任何其他所連接的瞬態(tài)過電壓控制電路（transient overvoltage control circuits,簡稱:TOCCs)。此外，當(dāng)FTC打開或變?yōu)楦咦杩箷r(shí)，VCR 220 和任何其他所連接的TOCCs的阻抗變得足夠高而減小流經(jīng)繞組214的電流，運(yùn)使CSR 210失 去其磁場消除，且引入高電流限制電抗。換句話說，在錯誤條件期間，電流開始流經(jīng)VCR 220,運(yùn)使流經(jīng)第二繞組214的電流的量減小。因此，流經(jīng)第一繞組212和第二繞組214的安應(yīng) 的量不再相等且核屯、216內(nèi)的磁場將不再消除，進(jìn)而增大IWCSR 210的電抗。運(yùn)使FCL 200的 插入阻抗增大，如此轉(zhuǎn)而輔助限制錯誤電流。
[0023] 因此，rcL 200在正常操作期間提供低插入阻抗，但在錯誤條件期間提供高插入阻 抗，其中高插入阻抗操作W限制錯誤電流。如將了解，當(dāng)系統(tǒng)電壓增大時(shí)，限制錯誤電流所 需的阻抗也增大。增大電流限制阻抗需要第一繞組212和第二繞組214的自電抗增大。正常 操作期間的FCL 200的等效電抗rXeq")可由W下方程式來描述，其中Xwl為第一繞組212的 自電抗，Xw2為第二繞組214的自電抗，且k為第一繞組212與第二繞組214之間的磁禪合。此 夕h因?yàn)樵谡２僮鳁l件期間，F(xiàn)TC 230閉合，所WFTC 230的阻抗（"Zftc")為零。
[0024]
[0025] 錯誤電流操作期間的FCL 200的等效電抗Xeq可由W下方程式來描述，其中XvcR為 VCR 220的電抗。
[0026]
[0027] 根據(jù)一些實(shí)施例，希望設(shè)計(jì)FCL 200W使得磁禪合k約等于1。因此，錯誤電流操作 期間的FCL 200的等效電抗Xeq可由W下方程式來表達(dá)，其中假設(shè)k=l。
[002引
[0029] 此外，給定應(yīng)數(shù)比n = N2/Nl，其中N2為第二繞組214中的應(yīng)數(shù)且N1為第一繞組212 中的應(yīng)數(shù)，且其中Xw2 = n2*Xwl，則F化200的等效電抗可由W下方程式來表達(dá)。
[0030]
[00川其中XvcR>>Xwl*(l+n)2，F(xiàn)化200的等效電抗Xeq約等于第一繞組212的電抗。換 句話說，Xeq約等于Xwl。
[0032] 如將從上文方程式了解，尤其針對大的FCL裝置，可難W實(shí)現(xiàn)低插入阻抗(例如，小 于1%的系統(tǒng)阻抗）。換句話說，因?yàn)榈谝焕@組212和第二繞組214的磁禪合傾向于隨著第一 繞組212和第二繞組214的大小的增大而增大，所W可難W使磁場在正常操作期間實(shí)質(zhì)上消 除。
[0033] 然而，本掲示提供第一繞組212和第二繞組214交錯W在正常操作期間減小插入阻 抗的IWCSR 210。一般來說，IWCSR 210通過將第一繞組212和第二繞組214分為子繞組且繞 核屯、216交錯子繞組來增大第一繞組212和第二繞組214的禪合。圖3到圖6說明可實(shí)施為 IWCSR 210的IWCSR的實(shí)例。明確地說，圖3到圖4說明子繞組串聯(lián)連接的實(shí)例IWCSR，而圖5到 圖6說明子繞組并聯(lián)連接的實(shí)例IWCSR。
[0034] 更特定地參看圖3,說明具有纏繞在核屯、316上的第一繞組312和第二繞組314的 IWCSR 310。如可見的，第一繞組312包含子繞組312-1到312-4,且第二繞組314包含子繞組 314-1到314-4。應(yīng)注意，圖3說明IWCSR 310的剖視側(cè)視圖。應(yīng)了解，第一繞組312和第二繞組 314纏繞在核屯、316上。因此，子繞組(例如，子繞組312-1到312-4和314-巧lj314-4)中的每一 個(gè)被展示兩次，在核屯、316的每一側(cè)上一次，對應(yīng)于將在剖視圖中可見的部分。此外，子繞組 為相反纏繞的。更明確地說，第一繞組312的子繞組312-1到312-4在第一方向上纏繞，而第 二繞組314的子繞組314-1到314-4在相反方向上纏繞。運(yùn)可在圖3中W圓圈內(nèi)具有正號的符 號來指示。
[00巧]在一些實(shí)例中，第一繞組312的子繞組312-1到312-4串聯(lián)電連接，且第二繞組314 的子繞組314-1到314-4串聯(lián)電連接。此外，子繞組(例如，312和314) W間隙340分開。更具體 來說，間隙340-巧lj340-7分開子繞組312-巧lj312-4和314-巧lj314-4。在一些實(shí)例中，間隙 340-1到340-7可介于2毫米與3厘米之間，且可經(jīng)提供W促進(jìn)冷卻和高電壓絕緣。
[0036] 圖4說明圖3所示的IWCSR 310的示意圖。如從此圖可見，子繞組312-巧lj312-4串聯(lián) 電連接W形成第一繞組312,且子繞組314-1到314-4也串聯(lián)電連接W形成第二繞組314。此 夕h展示了核屯、316。在一些實(shí)例中，rcL裝置可實(shí)施有IWCSR 310W由于串聯(lián)連接的子繞組 而提供提高的電壓承載能力。
[0037] 更特定地參看圖5,說明具有纏繞在核屯、516上的第一繞組512和第二繞組514的 IWCSR 510。如可見的，第一繞組512包含子繞組512-1到512-4,且第二繞組514包含子繞組 514-1到514-4。應(yīng)注意，圖5說明IWCSR 510的剖視側(cè)視圖。應(yīng)了解，第一繞組512和第二繞組 514纏繞在核屯、516上。因此，子繞組(例如，子繞組512-巧化12-4和514-巧化14-4)中的每一 個(gè)被展示兩次，在核屯、516的每一側(cè)上一次，對應(yīng)于將在剖視圖中可見的部分。此外，子繞組 為相反纏繞的。更明確地說，第一繞組512的子繞組512-1至化12-4在第一方向上纏繞，而第 二繞組514的子繞組514-1至化14-4在相反方向上纏繞。運(yùn)可在圖5中W圓圈內(nèi)具有正號的符 號來指示。
[0038] 在一些實(shí)例中，第一繞組512的子繞組512-1到512-4并聯(lián)電連接，且第二繞組514 的子繞組514-巧化14-4并聯(lián)電連接。此外，子繞組(例如，512和514) W間隙540分開。更具體 來說，間隙540-巧化40-7分開子繞組512-巧化12-4和514-巧化14-4。在一些實(shí)例中，間隙 340-1到340-7可介于2毫米與3厘米之間，且可經(jīng)提供W促進(jìn)冷卻和高電壓絕緣。
[0039] 圖6說明圖5所示的IWCSR510的示意圖。如從此圖可見，子繞組512-1到512-4并聯(lián) 電連接W形成第一繞組512,且子繞組514-1到514-4也并聯(lián)電連接W形成第二繞組514。此 夕h展示了核屯、516。在一些實(shí)例中，rcL裝置可實(shí)施有IWCSR 510W由于并聯(lián)連接的子繞組 而提供提高的電流承載能力。
[0040] 如所描述的，子繞組W數(shù)個(gè)間隙（例如，在IWCSR 310的狀況下為間隙340或在 IWCSR 510的狀況下為間隙540)分開?？苫诜珠_子繞組的間隙的數(shù)量來表示IWCSR 310或 510的等效電抗。舉例來說，W下方程式可用于表示等效電抗，其中P等于子繞組之間的間隙 的數(shù)量，且Xfull等于第一繞組和第二繞組的全電抗。
[0041]
[0042] 使用圖3或圖5所示的實(shí)例IWCSR，可如下確定等效電抗Xeq:間隙的數(shù)量P等于7,因 此等效電抗Xeq減小為Xeq = XFuii/(72)=XFuii/49 = 0.02XFuii。換句話說，并有IWCSR 310或 IWCSR 510的FCL裝置的插入阻抗可為FCL裝置的全電抗的約2%。
[0043] 應(yīng)了解，子繞組的數(shù)量可大于或小于本文所呈現(xiàn)的實(shí)例中所描繪的數(shù)量。舉例來 說，第一繞組和第二繞組可各自包含少達(dá)2個(gè)子繞組。作為另一實(shí)例，第一繞組和第二繞組 可包含超過4個(gè)子繞組。在一些實(shí)例中，第一繞組和第二繞組可各自包含2到7個(gè)子繞組。此 夕h如所描述的，第一繞組與第二繞組之間的應(yīng)數(shù)比可變化。舉例來說，較高電流應(yīng)用需要 較高應(yīng)數(shù)比。
[0044] 除具有交錯的第一繞組和第二繞組外，上文所述的IWCSR(例如，IWCSR210、310或 510)可具有開放核屯、或閉合核屯、。此外，核屯、可由空氣、塑膠、鐵材料形成。在一些實(shí)例中， 鐵屯呵用于W較小IWCSR設(shè)計(jì)提供較高電流限制阻抗。在核屯、閉合的狀況下，核屯、（例如，核 屯、216、316或516)可完全封閉第一繞組和第二繞組。換句話說，閉合核屯、可提供磁場的回 路。舉例來說，對于鐵屯、，將提供鐵回路。在核屯、開放的狀況下，核屯、（例如，核屯、216、316或 516)可不完全封閉第一繞組和第二繞組(例如，參看圖3和圖5)。換句話說，開放核屯、可不提 供磁場的回路。在一些實(shí)例中，開放核屯、可用于在錯誤條件期間實(shí)現(xiàn)軟飽和與電流限制阻 抗的損失的減小。此外，在一些實(shí)例中，使用鐵材料的開放核屯、可提供3到5倍于空屯、(air core)的電抗。
[0045] 因此，可提供在正常操作條件期間具有低插入阻抗但在錯誤電流條件期間具有高 插入阻抗的FCL。明確地說，F(xiàn)化包含具有交錯繞組的CSR，其提供FCL裝置的插入阻抗的顯著 減小。
[0046]本掲示在范圍上不受本文中描述的具體實(shí)施例限制。實(shí)際上，除本文中描述的實(shí) 施例之外，根據(jù)上述描述和附圖，本掲示的其他各種實(shí)施例和修改對于所屬領(lǐng)域的技術(shù)人 員來說將為明顯的。因此，運(yùn)些其他實(shí)施例和修改希望落入本掲示的范圍內(nèi)。此外，盡管本 文中已在特定實(shí)施方案的上下文中在特定環(huán)境中針對特定目的描述了本掲示，但所屬領(lǐng)域 的技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識到，其用處不限于此且本掲示可有益地在任何數(shù)量的環(huán)境中針對任何數(shù) 量的目的而實(shí)施。因此，本文闡述的權(quán)利要求書應(yīng)鑒于如本文所述的本掲示的全寬度和精 神來解釋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種錯誤電流限制器，包括： 具有交錯繞組的電流分路電抗器，所述電流分路電抗器包括： 核心； 第一繞組，纏繞在所述核心上；以及 第二繞組，纏繞在所述核心上且與所述第一繞組交錯以減小所述錯誤電流限制器的插 入阻抗。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的錯誤電流限制器，還包括壓控電抗器，其電連接到所述第二繞 組以在錯誤條件期間改變所述第二繞組的阻抗。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的錯誤電流限制器，還包括錯誤觸發(fā)電路，其并聯(lián)電連接到所述 壓控電抗器，所述錯誤觸發(fā)電路經(jīng)配置以在錯誤條件期間打開，以使流經(jīng)連接到所述錯誤 觸發(fā)電路的所述繞組的電流減小。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的錯誤電流限制器，還包括錯誤觸發(fā)電路，其并聯(lián)電連接到所述 壓控電抗器，所述錯誤觸發(fā)電路經(jīng)配置以在錯誤條件期間插入高阻抗，以使流經(jīng)連接到所 述錯誤觸發(fā)電路的所述繞組的電流減小。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的錯誤電流限制器，所述第一繞組和所述第二繞組各自包含多 個(gè)子繞組，其中所述第一繞組的所述子繞組與所述第二繞組的所述子繞組交錯。6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的錯誤電流限制器，其中所述核心的各其他繞組對應(yīng)于所述第 一繞組的子繞組。7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的錯誤電流限制器，其中所述第一繞組的所述子繞組一起串聯(lián) 或并聯(lián)電連接，且所述第二繞組的所述子繞組一起串聯(lián)或并聯(lián)電連接，其中所述核心開放 以移除磁通量回路且避免所述鐵心的硬飽和。8. -種錯誤電流限制器，包括： 具有交錯繞組的電流分路電抗器，所述電流分路電抗器包括： 核心； 第一繞組，所述第一繞組包含多個(gè)子繞組；以及 第二繞組，所述第二繞組包含多個(gè)子繞組，所述第一繞組的所述子繞組和所述第二繞 組的所述子繞組纏繞在所述核心上且交錯以減小所述錯誤電流限制器的插入阻抗。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的錯誤電流限制器，其中所述第一繞組的所述子繞組一起串聯(lián) 或并聯(lián)電連接，且所述第二繞組的所述子繞組一起串聯(lián)或并聯(lián)電連接，且其中所述第一繞 組和所述第二繞組各自包含2到7個(gè)子繞組。10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的錯誤電流限制器，其中所述錯誤電流限制器在非錯誤條件期 間具有小于1 %的系統(tǒng)阻抗的插入阻抗。11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的錯誤電流限制器，其中所述第一繞組的所述子繞組以多個(gè)間 隙與所述第二繞組的所述子繞組分開。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的錯誤電流限制器，其中具有交錯繞組的所述電流分路電抗 器的等效電抗為具有交錯繞組的所述電流分路電抗器的自電抗與所述多個(gè)間隙的數(shù)量的 平方的比，其中所述核心開放以移除磁通量回路。13. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的錯誤電流限制器，還包括壓控電抗器，其電連接到所述第二 繞組以在錯誤條件期間控制所述錯誤觸發(fā)電路上的電壓。14. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的錯誤電流限制器，還包括錯誤觸發(fā)電路，其并聯(lián)電連接到壓 控電抗器，所述錯誤觸發(fā)電路經(jīng)配置以在錯誤條件期間打開，以使電流流經(jīng)所述壓控電抗 器。15. -種電力系統(tǒng)，包括： 電源； 負(fù)載，電連接到所述電源；以及 錯誤電流限制器，電耦接到所述電源和所述負(fù)載以在錯誤條件期間限制所述電力系統(tǒng) 中的電流的量，所述錯誤電流限制器包括： 具有交錯繞組的電流分路電抗器，所述電流分路電抗器包括： 核心； 第一繞組，所述第一繞組包含多個(gè)子繞組；以及 第二繞組，所述第二繞組包含多個(gè)子繞組，所述第一繞組的所述子繞組和所述第二繞 組的所述子繞組纏繞在所述核心上且交錯以在正常操作條件期間減小所述錯誤電流限制 器的插入阻抗。
【文檔編號】H02H9/02GK105874672SQ201480071590
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2014年11月20日
【發(fā)明人】卡森·D·泰克雷特薩迪克
【申請人】瓦里安半導(dǎo)體設(shè)備公司