所述可控電流源122和整流MOS管的漏極之間還具有二極管，當(dāng)MOS漏極電壓低于儲(chǔ)能電容電壓時(shí)，能阻斷儲(chǔ)能電容向MOS漏極漏電的通路。在其他實(shí)施例中，所述充電開(kāi)關(guān)Kl也可以為具有單向?qū)ǖ拈_(kāi)關(guān)，在MOS漏極電壓低于儲(chǔ)能電容電壓時(shí)，也能阻斷儲(chǔ)能電容向MOS漏極漏電的通路。
[0033]所述整流MOS管控制電路包括電壓檢測(cè)電路、電流檢測(cè)電路和MOS管驅(qū)動(dòng)電路，利用電壓檢測(cè)電路檢測(cè)到整流MOS管漏極電壓低于源極電壓一定值時(shí)，MOS管驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)通整流MOS管，并在MOS管開(kāi)通之后利用電流檢測(cè)電路檢測(cè)整流MOS管的電流；當(dāng)整流MOS管的電流低于一設(shè)定值時(shí)，MOS管驅(qū)動(dòng)電路關(guān)斷整流MOS管。
[0034]在本實(shí)施例中，所述整流MOS管控制電路請(qǐng)參考圖4，包括:第一電流比較器114、第三電壓比較器111、RS觸發(fā)器112、M0S驅(qū)動(dòng)模塊113，所述第一電流比較器114的一端連接基準(zhǔn)電流，所述第一電流比較器114的另一端對(duì)整流MOS管的電流進(jìn)行采樣，所述第一電流比較器114的輸出端與RS觸發(fā)器112的R輸入端相連接，所述第三電壓比較器111的第一輸入端與整流MOS管的漏極相連，所述第三電壓比較器111的第二輸入端與第二基準(zhǔn)電壓源115相連，所述第三電壓比較器111的輸出端與RS觸發(fā)器112的S輸入端相連接，所述RS觸發(fā)器112的輸出端通過(guò)MOS驅(qū)動(dòng)模塊113與整流MOS管的柵極相連，所述MOS驅(qū)動(dòng)模塊對(duì)RS觸發(fā)器112的輸出端信號(hào)進(jìn)行整形和放大，以適合施加在整流MOS管的柵極。在本實(shí)施例中，比較整流MOS管的漏極電壓和基準(zhǔn)電壓，當(dāng)整流MOS管的漏極電壓低于基準(zhǔn)電壓時(shí)，RS觸發(fā)器輸出1，整流MOS管打開(kāi)，并在MOS管開(kāi)通之后利用第一電流比較器114比較整流MOS管的電流和基準(zhǔn)電流，當(dāng)整流MOS管的電流低于基準(zhǔn)電流時(shí)，RS觸發(fā)器輸出0，整流MOS管關(guān)閉，使得整流MOS管通過(guò)二端整流器件內(nèi)部的整流MOS管控制電路控制，不需要通過(guò)原邊繞組一側(cè)的主開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)信號(hào)控制也可以進(jìn)行同步整流控制，電路穩(wěn)定，成本低。
[0035]在本實(shí)施例中，所述整流MOS管14、整流MOS管控制電路11、充電模塊12和儲(chǔ)能電容12集成在同一器件中。
[0036]在其他實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖3，由于儲(chǔ)能電容體積較大，所述整流MOS管14、整流MOS管控制電路11和充電模塊12集成在同一器件中，所述儲(chǔ)能電容13設(shè)置在器件外。
[0037]請(qǐng)參考圖5，為現(xiàn)有技術(shù)的同步整流電路，由于二極管導(dǎo)通壓降較高，輸出端整流管的損耗尤為突出，為此，本實(shí)用新型還提供了一種具有所述二端整流器件的同步整流電路，利用所述二端整流器件替代二極管，請(qǐng)參考圖6，包括變壓器16、二端整流器件10和濾波電容15，所述變壓器16包括原邊繞組和副邊繞組，副邊繞組的一端與二端整流器件10的一端相連，所述二端整流器件10的另一端與濾波電容15相連接。
[0038]在本實(shí)施例中，所述二端整流器件10連接于副邊繞組的異名端。在其他實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖7，所述二端整流器件連接于副邊繞組的同名端。
[0039]本實(shí)用新型還提供了一種具有所述二端整流器件的降壓式變換(Buck)電路，請(qǐng)參考圖8，包括:第二開(kāi)關(guān)管26、二端整流器件20、第二電感27、第二電容25，第二開(kāi)關(guān)管26的源極、漏極其中一極分別于與二端整流器件20的一端、第二電感27的一端相連，所述第二電感27的另一端與第二電容25的一端相連，所述第二電容25的另一端與二端整流器件20的另一端相連，且所述第二開(kāi)關(guān)管26的源極、漏極中的另一極、第二電容25的另一端與電壓輸入端相連。
[0040]本實(shí)用新型還提供了一種具有所述二端整流器件的開(kāi)關(guān)直流升壓(Boost)電路，請(qǐng)參考圖9，包括:第三開(kāi)關(guān)管36、二端整流器件30、第三電感37、第三電容35，第三開(kāi)關(guān)管36的源極、漏極其中一極分別與所述第三電感37的一端、二端整流器件30的一端相連，所述二端整流器件30的另一端與第三電容35的一端相連，所述第三電容35的一端與第三開(kāi)關(guān)管36的源極、漏極的另一極相連，所述第三電感37的另一端、第三電容35的另一端與電壓輸入端相連。
[0041]本實(shí)用新型雖然已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本實(shí)用新型，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種二端整流器件，其特征在于，包括:整流MOS管、整流MOS管控制電路、充電電路，所述整流MOS管的源極和漏極作為二端整流器件的一端和另一端，所述整流MOS管控制電路分別與整流MOS管的源極、漏極和柵極相連，控制整流MOS管的開(kāi)啟或關(guān)閉；所述充電電路的第一端與二端整流器件的一端相連，所述充電電路的第二端與二端整流器件的另一端相連，利用所述充電電路為整流MOS管控制電路供電。
2.如權(quán)利要求1所述的二端整流器件，其特征在于，所述充電電路包括充電模塊和儲(chǔ)能電容，所述充電模塊具有可控電流源，當(dāng)儲(chǔ)能電容上的電壓低于第一基準(zhǔn)電壓，且當(dāng)整流MOS管的漏極電壓高于儲(chǔ)能電容電壓時(shí)，可控電流源開(kāi)通對(duì)儲(chǔ)能電容進(jìn)行充電；當(dāng)儲(chǔ)能電容上的電壓高于預(yù)設(shè)電壓，或整流MOS管漏極電壓低于儲(chǔ)能電容電壓時(shí)，可控電流源斷開(kāi)。
3.如權(quán)利要求1所述的二端整流器件，其特征在于，所述充電電路包括可控電流源、第一電壓比較器、第二電壓比較器、與門、充電開(kāi)關(guān)、基準(zhǔn)電壓源、儲(chǔ)能電容，所述可控電流源的一端與整流MOS管的漏極相連，所述可控電流源的另一端與充電開(kāi)關(guān)的一端相連，所述充電開(kāi)關(guān)的另一端與儲(chǔ)能電容的第一端相連，所述儲(chǔ)能電容的第二端與整流MOS管的源極相連，所述第一電壓比較器、第二電壓比較器的第一輸入端相連且與儲(chǔ)能電容的第一端相連，所述第一電壓比較器的第二輸入端與整流MOS管的漏極相連，所述第二電壓比較器的第二輸入端通過(guò)第一基準(zhǔn)電壓源相連，所述第一電壓比較器、第二電壓比較器的輸出端通過(guò)一與門與充電開(kāi)關(guān)的控制端相連。
4.如權(quán)利要求1所述的二端整流器件，其特征在于，所述整流MOS管控制電路包括:電壓檢測(cè)電路、電流檢測(cè)電路和MOS管驅(qū)動(dòng)電路，利用電壓檢測(cè)電路檢測(cè)到整流MOS管漏極電壓低于源極電壓一定值時(shí)，MOS管驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)通整流MOS管，并在MOS管開(kāi)通之后利用電流檢測(cè)電路檢測(cè)整流MOS管的電流；當(dāng)整流MOS管的電流低于一設(shè)定值時(shí)，MOS管驅(qū)動(dòng)電路關(guān)斷整流MOS管。
5.如權(quán)利要求1所述的二端整流器件，其特征在于，所述整流MOS管控制電路包括:第一電流比較器、第三電壓比較器、RS觸發(fā)器、MOS管驅(qū)動(dòng)模塊，所述第一電流比較器的一端連接基準(zhǔn)電流，所述第一電流比較器的另一端對(duì)整流MOS管的電流進(jìn)行采樣，所述第一電流比較器的輸出端與RS觸發(fā)器的R輸入端相連接，所述第三電壓比較器的第一輸入端與整流MOS管的漏極相連，所述第三電壓比較器的第二輸入端與第二基準(zhǔn)電壓源相連，所述第三電壓比較器的輸出端與RS觸發(fā)器的S輸入端相連接，所述RS觸發(fā)器的輸出端通過(guò)MOS管驅(qū)動(dòng)模塊與整流MOS管的柵極相連。
6.如權(quán)利要求1所述的二端整流器件，其特征在于，所述整流MOS管、整流MOS管控制電路、充電電路集成在同一器件中。
7.如權(quán)利要求2或3所述的二端整流器件，其特征在于，所述整流MOS管、整流MOS管控制電路和充電電路集成在同一器件中，但充電電路中的儲(chǔ)能電容設(shè)置在器件外。
8.一種具有如權(quán)利要求1所述的二端整流器件的同步整流電路，其特征在于，包括變壓器、二端整流器件和濾波電路，所述變壓器包括原邊繞組和副邊繞組，副邊繞組的一端與二端整流器件的一端相連，所述二端整流器件的另一端與濾波電容相連接。
9.一種具有如權(quán)利要求1所述的二端整流器件的降壓式變換電路，其特征在于，包括:第二開(kāi)關(guān)管、二端整流器件、第二電感、第二電容，第二開(kāi)關(guān)管的源極、漏極其中一極分別于與二端整流器件的一端、第二電感的一端相連，所述第二電感的另一端與第二電容的一端相連，所述第二電容的另一端與二端整流器件的另一端相連，且所述第二開(kāi)關(guān)管的源極、漏極中的另一極、第二電容的另一端與電壓輸入端相連。
10.一種具有如權(quán)利要求1所述的二端整流器件的開(kāi)關(guān)直流升壓電路，其特征在于，包括:第三開(kāi)關(guān)管、二端整流器件、第三電感、第三電容，第三開(kāi)關(guān)管的源極、漏極其中一極分別與所述第三電感的一端、二端整流器件的一端相連，所述二端整流器件的另一端與第三電容的一端相連，所述第三電容的一端與第三開(kāi)關(guān)管的源極、漏極的另一極相連，所述第三電感的另一端、第三電容的另一端與電壓輸入端相連。
【專利摘要】一種二端整流器件及具有二端整流器件的電路，二端整流器件包括：整流MOS管、整流MOS管控制電路、充電電路，所述整流MOS管的源極和漏極作為二端整流器件的一端和另一端，所述整流MOS管控制電路分別與整流MOS管的源極、漏極和柵極相連，以提供整流MOS管所需的驅(qū)動(dòng)電壓，控制整流MOS管的開(kāi)啟或關(guān)閉；所述充電電路的第一端與二端整流器件的一端相連，所述充電電路的第二端與二端整流器件的另一端相連，利用所述充電電路為整流MOS管控制電路供電。在不需要原邊主開(kāi)關(guān)管開(kāi)關(guān)信號(hào)的情況下，也可以進(jìn)行同步整流，控制電路的供電由內(nèi)部充電，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便。
【IPC分類】H02M7-537, H02J15-00
【公開(kāi)號(hào)】CN204334375
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520028031
【發(fā)明人】黃必亮, 任遠(yuǎn)程, 周遜偉
【申請(qǐng)人】杰華特微電子（杭州）有限公司
【公開(kāi)日】2015年5月13日
【申請(qǐng)日】2015年1月15日