開關(guān)控制電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電子電路領(lǐng)域，特別是涉及一種開關(guān)控制電路。
【背景技術(shù)】
[0002]開關(guān)電源電路是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源。開關(guān)電源電路通常包括脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和作為開關(guān)管的MOS管。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新，使得開關(guān)電源電路技術(shù)也在不斷地創(chuàng)新。目前，開關(guān)電源電路以小型、輕量和高效率的特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用幾乎所有的電子設(shè)備，是當(dāng)今電子信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展不可缺少的一種電源方式。
[0003]然而，由于MOS管內(nèi)部的電阻、結(jié)電容等因素的影響，MOS管的開通和關(guān)斷需要一定的過渡時(shí)間，使得MOS管的發(fā)熱量增大，嚴(yán)重影響開關(guān)電源的使用壽命。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]基于此，有必要針對(duì)現(xiàn)有開關(guān)電源中開關(guān)管發(fā)熱量較大的問題，提供一種縮短開關(guān)管的開通和關(guān)斷的過渡時(shí)間以減少開關(guān)管發(fā)熱量的開關(guān)控制電路。
[0005]一種開關(guān)控制電路，包括:M0S管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一二極管和信號(hào)輸入端；
[0006]第一電阻分別與MOS管的柵極以及信號(hào)輸入端連接，第二電阻分別與MOS管的柵極以及第一二極管的正極連接，第一二極管的負(fù)極與信號(hào)輸入端連接，MOS管的柵極通過第三電阻接地。
[0007]在其中一個(gè)實(shí)施例中，MOS管為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括電壓輸入端、第二二極管、第四電阻和電容；
[0009]第四電阻和電容并聯(lián)，并分別與電壓輸入端以及第二二極管的負(fù)極連接，第二二極管的正極與MOS管的漏極連接。
[0010]上述開關(guān)控制電路中，MOS管通過第一電阻形成開通通路，以及通過第二電阻和第一二極管形成關(guān)斷通路，從而縮短了 MOS管的開通和關(guān)斷的過渡時(shí)間，減少了 MOS管的發(fā)熱量，延長(zhǎng)MOS管的使用壽命。
【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例開關(guān)控制電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2為流過圖1中所示MOS管的漏極和源極的電流隨信號(hào)輸入端接收的PWM信號(hào)變化曲線圖；
[0013]圖3為本實(shí)用新型另一實(shí)施例開關(guān)控制電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]如圖1所示，其為本實(shí)用新型一實(shí)施例開關(guān)控制電路10的電路結(jié)構(gòu)示意圖。開關(guān)控制電路10包括:MOS管110、第一電阻120、第二電阻130、第三電阻140、第一二極管150和信號(hào)輸入端160。
[0015]第一電阻120分別與MOS管110的柵極以及信號(hào)輸入端160連接，第二電阻130分別與MOS管110的柵極以及第一二極管150的正極連接，第一二極管150的負(fù)極與信號(hào)輸入端160連接，MOS管110的柵極通過第三電阻140接地。信號(hào)輸入端160用于接收PWM信號(hào)，以控制MOS管110的開通和關(guān)斷。
[0016]本實(shí)施例中，MOS管110為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，在其他實(shí)施例中，MOS管110也可以為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管。
[0017]如圖2所示，其為流過MOS管110的漏極和源極的電流iDS隨信號(hào)輸入端160接收的PWM信號(hào)變化曲線圖。當(dāng)加載在信號(hào)輸入端160上的PWM信號(hào)電壓由低變高，MOS管110由關(guān)斷狀態(tài)逐漸轉(zhuǎn)換為開通狀態(tài)過程中，PWM信號(hào)經(jīng)由第一電阻120到達(dá)MOS管110的柵極，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中電流iDS形成的上升沿曲線301，開關(guān)控制電路10中MOS管110所形成的上升沿曲線401更加陡峭，從而縮短了 MOS管110的開通時(shí)間，第一電阻120用來(lái)調(diào)節(jié)MOS管110內(nèi)部柵極和源極之間電容的充電速度，以控制MOS管110的開通的過渡時(shí)間，避免因MOS管110的開通的過渡時(shí)間過長(zhǎng)而造成發(fā)熱量過大，影響MOS管110的使用壽命。
[0018]當(dāng)加載在信號(hào)輸入端160上的PWM信號(hào)電壓由高變低，MOS管110由開通狀態(tài)逐漸轉(zhuǎn)換為關(guān)斷狀態(tài)過程中，MOS管110內(nèi)部柵極和源極之間電容存儲(chǔ)的電荷通過第二電阻130和第一二極管150進(jìn)行釋放，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中電流iDS形成的下降沿曲線302，開關(guān)控制電路10中MOS管110所形成的下降沿曲線402更加陡峭，實(shí)現(xiàn)MOS管110的快速關(guān)斷，第二電阻130用來(lái)調(diào)節(jié)MOS管110中存儲(chǔ)的電荷的釋放速度，避免因MOS管110的關(guān)斷的過渡時(shí)間過長(zhǎng)而造成發(fā)熱量過大，影響MOS管110的使用壽命。第三電阻140能夠形成電荷的有效釋放通路，防止積累在MOS管110柵極的電荷擊穿MOS管110的柵極和源極。
[0019]如圖3所示，其為本實(shí)用新型另一實(shí)施例開關(guān)控制電路20的電路結(jié)構(gòu)示意圖。開關(guān)控制電路20包括:開關(guān)控制電路10、第四電阻210、電容220、電壓輸入端230和第二二極管240。第四電阻210和電容220并聯(lián)，并分別與電壓輸入端230以及第二二極管240的負(fù)極連接，第二二極管240的正極與MOS管110的漏極連接。電壓輸入端230用于接收直流電壓信號(hào)。第二二極管240能夠防止加載在電壓輸入端230的上的尖端脈沖信號(hào)損壞MOS管110，另外，第四電阻210和電容220形成對(duì)加載在MOS管110漏極的尖端脈沖信號(hào)的釋放回路。
[0020]上述開關(guān)控制電路10中，MOS管110通過第一電阻120形成開通通路，以及通過第二電阻130和第一二極管150形成關(guān)斷通路，從而縮短了 MOS管110的開通和關(guān)斷的過渡時(shí)間，減少了 MOS管110的發(fā)熱量，延長(zhǎng)MOS管110的使用壽命。
[0021]以上實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡(jiǎn)潔，未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說(shuō)明書記載的范圍。
[0022]以上實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種開關(guān)控制電路，其特征在于，包括:MOS管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一二極管和信號(hào)輸入端； 第一電阻分別與MOS管的柵極以及信號(hào)輸入端連接，第二電阻分別與MOS管的柵極以及第一二極管的正極連接，第一二極管的負(fù)極與信號(hào)輸入端連接，MOS管的柵極通過第三電阻接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的開關(guān)控制電路，其特征在于，MOS管為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的開關(guān)控制電路，其特征在于，還包括電壓輸入端、第二二極管、第四電阻和電容； 第四電阻和電容并聯(lián)，并分別與電壓輸入端以及第二二極管的負(fù)極連接，第二二極管的正極與MOS管的漏極連接。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種開關(guān)控制電路，包括：MOS管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一二極管和信號(hào)輸入端；第一電阻分別與MOS管的柵極以及信號(hào)輸入端連接，第二電阻分別與MOS管的柵極以及第一二極管的正極連接，第一二極管的負(fù)極與信號(hào)輸入端連接，MOS管的柵極通過第三電阻接地。上述開關(guān)控制電路中，MOS管通過第一電阻形成開通通路，以及通過第二電阻和第一二極管形成關(guān)斷通路，從而縮短了MOS管的開通和關(guān)斷的過渡時(shí)間，減少了MOS管的發(fā)熱量，延長(zhǎng)MOS管的使用壽命。
【IPC分類】H02M1-08
【公開號(hào)】CN204425178
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520087290
【發(fā)明人】盛黎明
【申請(qǐng)人】深圳市新港源技術(shù)有限公司
【公開日】2015年6月24日
【申請(qǐng)日】2015年2月6日