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一種凈化器過壓過流保護(hù)電路的制作方法

文檔序號:8829478閱讀:687來源:國知局
一種凈化器過壓過流保護(hù)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電子電路領(lǐng)域,尤其涉及一種能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)過壓保護(hù)和過流保護(hù)的電路。
【背景技術(shù)】
[0002]空氣凈化器,是指對室內(nèi)空氣中固態(tài)污染物(如粉塵、花粉、帶菌顆粒等)、氣態(tài)污染物(異味、甲醛之類的裝修污染等)具有一定去除能力的家用電器。主要分為桌上型,地面式以及壁掛式、復(fù)合式等。最近幾年,隨著人們開始對空氣質(zhì)量及裝修后的氣體污染的重視,空氣凈化器在市場上開始逐漸熱銷。
[0003]然而市場上的凈化器在MCU(Microcontroller Unit,微控制單元),集成電路等芯片的供電設(shè)計(jì)方面存在以下缺點(diǎn):
[0004]I,目前凈化機(jī)在MCU、集成電路供電設(shè)計(jì)中多采用的是單個(gè)穩(wěn)壓管對電路單獨(dú)的進(jìn)行穩(wěn)壓,對于電路中出現(xiàn)超流的情況沒有相應(yīng)的保護(hù)措施,因而當(dāng)MCU、集成電路中出現(xiàn)異常,比如:因發(fā)熱產(chǎn)生高溫,此時(shí)電路基本處于失控的狀態(tài),整個(gè)電路將崩潰,面臨電路難以修復(fù),損失較大的危險(xiǎn);
[0005]2,當(dāng)電路出現(xiàn)異常,比如:器件老化致使出現(xiàn)電壓升高、負(fù)載短路等異常情況時(shí),造成MCU、集成電路受到?jīng)_擊而損壞,甚至出現(xiàn)因發(fā)熱產(chǎn)生高溫引起塑膠外殼熔化而引起明火的情況。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]針對上述問題,本實(shí)用新型提供了一種針對凈化器中的MCU、集成電路等待保護(hù)芯片的過壓過流保護(hù)電路,將其并聯(lián)在MCU、集成電路等待保護(hù)芯片的供電電源端和接地端,實(shí)現(xiàn)對凈化器中MCU、集成電路等待保護(hù)芯片的過壓過流保護(hù)。
[0007]本實(shí)用新型提供的過壓過流保護(hù)電路,其技術(shù)方案如下:
[0008]一種凈化器過壓過流保護(hù)電路,分別與所述凈化器中的待保護(hù)芯片和外接電源連接,至少包括:第一晶體三極管、第二晶體三極管、第三晶體三極管、穩(wěn)壓二極管、肖特基二極管、第一電位器、第二電位器、極性電容、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、以及第五電阻;其中,所述第一晶體三極管的發(fā)射極與所述外接電源連接,集電極與所述待保護(hù)芯片的供電電源連接;所述第一電阻并聯(lián)在所述第一晶體三極管的發(fā)射極和基極的兩端;所述第二電阻的一端與所述第一晶體三極管的基極連接,另一端與所述第二晶體三極管的集電極連接;所述第二晶體三極管的基極分別與所述第三電阻和第四電阻的一端連接,發(fā)射極接地;所述第三電阻的另一端接地;所述第四電阻的另一端與所述外接電源連接;所述第三晶體三極管的集電極與所述第二晶體三極管的基極連接,基極與所述穩(wěn)壓二極管的正極連接,發(fā)射極接地;所述穩(wěn)壓二極管的負(fù)極與所述第一電位器的一端連接;所述第一電位器的另一端與所述第五電阻連接;所述第五電阻的另一端與所述外接電源連接;所述極性電容的正極與所述外接電源連接,負(fù)極接地;所述肖特基二極管的負(fù)極與所述極性二極管的正極連接,負(fù)極與所述待保護(hù)芯片的接地端連接;所述第二電位器的一端接地,另一端與所述肖特基二極管的正極連接。
[0009]在本技術(shù)方案中,通過第一電位器和第二電位器中的電阻,分別實(shí)現(xiàn)對電路可承受電壓和可承受電流的調(diào)節(jié)。
[0010]優(yōu)選地,本實(shí)用新型提供的凈化器過壓過流保護(hù)電路中還包括:第一電容,第二電容,以及第三電容,其中,所述第一電容的一端與所述第一晶體三極管的集電極連接,另一端接地;所述第二電容并聯(lián)在所述第三電阻的兩端;所述第三電容并聯(lián)在所述第三晶體三極管的基極和發(fā)射極的兩端。
[0011]在本技術(shù)方案中,通過電容的設(shè)置,實(shí)現(xiàn)了濾波的作用,抗干擾。
[0012]優(yōu)選地,所述第一晶體三極管為PNP型晶體三極管,所述第二晶體三極管和所述第三晶體三極管為NPN型晶體三極管。
[0013]優(yōu)選地,所述第一電位器中的電刷與所述第四電阻的一端連接,所述第二電位器中的電刷與所述肖特基二極管的正極連接。
[0014]在本技術(shù)方案中,由于電位器中包括三個(gè)端口,其中包括一個(gè)用于調(diào)節(jié)阻值的電刷,在使用的過程中只接入兩個(gè)端口即可,當(dāng)接入的是除電刷的另外兩個(gè)接口,則相當(dāng)于接入了固定電阻;因而要通過電位器實(shí)現(xiàn)阻值的調(diào)節(jié),在連接的過程中選擇任意一端接入電刷端即可,另一端接入電位器剩下的兩端中的任意一端,這樣,通過電刷端調(diào)節(jié)電位器的電阻。
[0015]優(yōu)選地,所述穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓范圍為1.2V-50V。
[0016]在本技術(shù)方案中,可以根據(jù)需要保護(hù)的電路的實(shí)際情況對穩(wěn)壓二極管的工作電壓進(jìn)行選擇。
[0017]優(yōu)選地,所述第一電位器的量程為1kQ (千歐姆),所述第二電位器的量程為5 Ω (歐姆),
[0018]優(yōu)選地,所述穩(wěn)壓二極管的型號為1N4733。
[0019]本實(shí)用新型至少能帶來以下有益效果:
[0020]1.在本實(shí)用新型中利用穩(wěn)壓二極管的擊穿特性,三極管的飽和導(dǎo)通特性,以及電位器對電阻的調(diào)節(jié)功能,不僅實(shí)現(xiàn)了對凈化器中的MCU、集成芯片等待保護(hù)芯片的過壓保護(hù),同時(shí)通過電位器的調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)對過壓保護(hù)過程中根據(jù)實(shí)際情況對需要保護(hù)的電壓的范圍進(jìn)行調(diào)節(jié),即如果需要保護(hù)的芯片的可承受電壓較大,則可通過相應(yīng)的調(diào)整穩(wěn)壓二極管的型號以調(diào)整其擊穿電壓、及通過調(diào)整電位器中的電阻以調(diào)整其分壓來實(shí)現(xiàn);
[0021]2.在本實(shí)用新型中利用晶體三極管的飽和導(dǎo)通特性和截止特性,通過設(shè)置的三個(gè)晶體三極管之間的相互配合,實(shí)現(xiàn)當(dāng)需要保護(hù)的芯片中出現(xiàn)過壓或過流時(shí)完成自斷保護(hù);
[0022]3.在本實(shí)用新型中,通過電位器實(shí)現(xiàn)電流取樣到電壓的轉(zhuǎn)換,同時(shí)通過三個(gè)晶體三極管之間的相互配合,實(shí)現(xiàn)對電路中出現(xiàn)過電流的保護(hù)。
【附圖說明】
[0023]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明:
[0024]圖1為本實(shí)用新型中凈化器過壓過流保護(hù)電路第一實(shí)施例電路圖;
[0025]圖2為本實(shí)用新型中凈化器過壓過流保護(hù)電路第二實(shí)施例電路圖。
[0026]附圖標(biāo)記說明:
[0027]Ql-第一晶體三極管,Q2-第二晶體三極管,Q3-第三晶體三極管,Dl-穩(wěn)壓二極管,D2-肖特基二極管,RPl-第一電位器,RP2-第二電位器,Rl-第一電阻,R2-第二電阻,R3-第三電阻,R4-第四電阻,R5-第五電阻,Cl-第一電容,C2-第二電容,C3-第三電容,C4-極性電容,VCCin-外接電源,VCCout-過壓過流保護(hù)電路的輸出端,GND-接地端
【具體實(shí)施方式】
[0028]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行具體的描述。下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例。對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]作為本實(shí)用新型的第一種【具體實(shí)施方式】,如圖1所示,整個(gè)保護(hù)電路通過一外接電源VCCin供電,輸出端VCCout和接地端GND分別與凈化器中待保護(hù)芯片的供電電源VCC和節(jié)點(diǎn)端GND連接。具體這里VCCin提供的具體電壓可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行選擇,如3V、5V、12V等,對此不作具體限定,只要其能實(shí)現(xiàn)對整個(gè)過壓過流保護(hù)電路的供電,都包括在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0030]在本實(shí)施例中,考慮到凈化機(jī)的電路的可靠性,避免由于電壓飄逸上升、電流超大引起的各種不良現(xiàn)象帶來的損失,利用穩(wěn)壓二極管的擊穿特性,三極管(即晶體三極管)的飽和導(dǎo)通特性,同時(shí)考慮到取樣電路的靈敏性,提供的過壓過流保護(hù)電路中的電子元器件具體來說包括:第一晶體三極管Q1、第二晶體三極管Q2、第三晶體三極管Q3、穩(wěn)壓二極管DU肖特基二極管D2、第一電位器RP1、第二電位器RP2、極性電容C4、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、以及第五電阻R5。從圖中看出,這些電子元器件相互之間的連接關(guān)系為:第一晶體三極管Ql的發(fā)射極與外接電源連接,集電極與待保護(hù)芯片的供電電源連接;第一電阻Rl并聯(lián)在第一晶體三極管Ql的發(fā)射極和基極的兩端;第二電阻R2的一端與第一晶體三極管Ql的基極連接,另一端與第二晶體三極管Q2的集電極連接;第二晶體三極管Q2的基極分別與第三電阻R3和第四電阻R4的一端連接,發(fā)射極接地;第三電阻R3的另一端接地;第四電阻R4的另一端與外接電源連接;第三晶體三極管Q3的集電極與第二晶體三極管Q2的基極連接,基極與穩(wěn)壓二
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