一種磁耦合驅(qū)動電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于醫(yī)療器械技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]在醫(yī)療X光射線系統(tǒng)中，整機的干擾、地線的擾動、系統(tǒng)的電位差等一系列問題，對驅(qū)動高壓MOSFET管可靠性有了更加嚴格的要求，高壓MOSFET管關(guān)斷的不徹底導(dǎo)致器件損壞事件屢屢發(fā)生。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]發(fā)明目的:本方案采用磁耦合驅(qū)動，為在復(fù)雜的醫(yī)療X光射線系統(tǒng)環(huán)境下驅(qū)動高壓MOSFET管提供了一種新的思路。
[0004]本發(fā)明所采用的的技術(shù)方案:本電路由Ul光耦芯片、推挽電路、隔離變壓器、保護電路、高壓MOSFET管組成，其特征在于:驅(qū)動脈沖通過Ul光耦芯片隔離驅(qū)動Ql和Q2組成的推挽電路產(chǎn)生脈沖波形，脈沖波形經(jīng)過Tl隔離變壓器進行隔離驅(qū)動，經(jīng)過保護電路VDl和VD2驅(qū)動高壓MOSFET管Q3，實現(xiàn)驅(qū)動整個過程，從而實現(xiàn)全功能。
[0005]本方案的技術(shù)效果是:在復(fù)雜的醫(yī)療X光射線系統(tǒng)中能有效的提高驅(qū)動高壓MOSFET管可靠性、安全性，能滿足在復(fù)雜環(huán)境下對高壓MOSFET管驅(qū)動要求。
【附圖說明】
[0006]圖1為一種磁耦合驅(qū)動電路的原理圖。
【具體實施方式】
[0007]本電路由Ul光耦芯片(1)、推挽電路(2)、隔離變壓器(3)、保護電路(4)、高壓MOSFET管(5)組成，其特征在于:驅(qū)動脈沖通過Ul光耦芯片(I)隔離驅(qū)動Ql和Q2組成的推挽電路(2)產(chǎn)生脈沖波形，脈沖波形經(jīng)過Tl隔離變壓器(3)進行隔離驅(qū)動，經(jīng)過保護電路(4) VDl和VD2驅(qū)動高壓MOSFET管Q3 (5)，實現(xiàn)驅(qū)動整個過程，從而實現(xiàn)全功能。其優(yōu)點是:由于采用了隔離變壓器隔離高低壓，具有無延時、抗干擾等性能，推挽電路更具有反向鉗制作用，保證通斷徹底，電路可靠。
【主權(quán)項】
1.一種磁耦合驅(qū)動電路，由Ul光耦芯片(1)、推挽電路(2)、隔離變壓器(3)、保護電路(4)、高壓MOSFET管(5)組成，其特征在于:驅(qū)動脈沖通過Ul光耦芯片(I)隔離驅(qū)動Ql和Q2組成的推挽電路(2)產(chǎn)生脈沖波形，脈沖波形經(jīng)過Tl隔離變壓器(3)進行隔離驅(qū)動，經(jīng)過保護電路(4) VDl和VD2驅(qū)動高壓MOSFET管Q3 (5)，實現(xiàn)驅(qū)動整個過程，從而實現(xiàn)全功會K。
【專利摘要】一種磁耦合驅(qū)動電路，屬于醫(yī)療器械技術(shù)領(lǐng)域。該電路由U1光耦芯片（1）、推挽電路（2）、隔離變壓器（3）、保護電路（4）、高壓MOSFET管（5）組成，其特征在于：驅(qū)動脈沖通過U1光耦芯片（1）隔離驅(qū)動Q1和Q2組成的推挽電路（2）產(chǎn)生脈沖波形，脈沖波形經(jīng)過T1隔離變壓器（3）進行隔離驅(qū)動，經(jīng)過保護電路（4）VD1和VD2驅(qū)動高壓MOSFET管Q3（5），實現(xiàn)驅(qū)動整個過程，從而實現(xiàn)全功能。其優(yōu)點是：由于采用了隔離變壓器隔離高低壓，具有無延時、抗干擾等性能，推挽電路更具有反向鉗制作用，保證通斷徹底，電路可靠。
【IPC分類】H02M1-092, H02M1-08
【公開號】CN204538952
【申請?zhí)枴緾N201520309917
【發(fā)明人】劉金虎, 陳振華
【申請人】南京普愛射線影像設(shè)備有限公司
【公開日】2015年8月5日
【申請日】2015年5月14日