一種新型高壓igbt模塊的安裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種高壓電力電子器件安裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種新型高壓IGBT模塊的安裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]IGBT模塊具有開(kāi)關(guān)頻率高、導(dǎo)通功耗小及門(mén)極控制方便等優(yōu)點(diǎn)，在大功率變換系統(tǒng)中被廣泛使用。為了獲取高精度的控制效果，如法國(guó)ALSTOM公司開(kāi)發(fā)的四電平電容式整流逆變中壓變頻器VDM6000等一些中壓或者高壓變頻器中，其觸發(fā)系統(tǒng)設(shè)計(jì)采用了只有在低壓變頻器中才采用的IGBT觸發(fā)板與IGBT高壓驅(qū)動(dòng)模塊直接貼合安裝在一起，從而將觸發(fā)線路的分布電容降低到最低限度，以確保高頻觸發(fā)脈沖的高保真性，同時(shí)也大大減小了IGBT觸發(fā)板的體積，集成化程度高。然而該安裝結(jié)構(gòu)的變頻器在長(zhǎng)期使用中經(jīng)常因?yàn)镮GBT的高壓驅(qū)動(dòng)模塊的冷卻能力不足、IGBT觸發(fā)板上觸發(fā)電阻因靠近高發(fā)熱部位損壞、IGBT觸發(fā)板上功率電阻損壞導(dǎo)致電源輸出端擊穿等因素引起IGBT高壓驅(qū)動(dòng)模塊損壞，進(jìn)而引發(fā)IGBT觸發(fā)板的損壞，具有較高的故障率，影響了設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行，帶來(lái)了較大的經(jīng)濟(jì)損失。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)提供一種在保證高集成化程度的同時(shí)，能夠有效降低IGBT觸發(fā)板故障次數(shù)和故障時(shí)間的新型高壓IGBT模塊的安裝結(jié)構(gòu)。
[0004]本實(shí)用新型解決上述問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為:一種新型高壓IGBT模塊的安裝結(jié)構(gòu)，包括IGBT觸發(fā)板，其特征在于:所述IGBT觸發(fā)板上架空插接一芯片底座，所述芯片底座上固定連接一 IGBT高壓驅(qū)動(dòng)模塊。
[0005]為了合理完善布線工藝，減少局部溫度對(duì)IGBT觸發(fā)板參數(shù)的影響，所述IGBT觸發(fā)板上的功率電阻布局設(shè)置在IGBT觸發(fā)板上的低發(fā)熱位置。
[0006]為了提高電阻功率，降低電阻損壞率，所述IGBT觸發(fā)板上的觸發(fā)電阻選用高功率電子，即電阻的功率由1/4W改型為0.5W電阻。
[0007]優(yōu)選地，所述芯片底座的板面距離所述IGBT觸發(fā)板的高度為3mm。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:該新型高壓IGBT模塊的安裝結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單實(shí)用，通過(guò)芯片底座避免IGBT觸發(fā)板和IGBT高壓驅(qū)動(dòng)模塊直接接觸，在保證整體高集成化程度的同時(shí)，增加了 IGBT觸發(fā)板和IGBT高壓驅(qū)動(dòng)模塊間的空氣流通，提高了 IGBT高壓驅(qū)動(dòng)模塊的散熱能力，避免因IGBT高壓驅(qū)動(dòng)模塊過(guò)度發(fā)熱引起的IGBT觸發(fā)板損壞，從而大大降低了整個(gè)變頻器的故障次數(shù)和故障時(shí)間，使得設(shè)備能夠得以正常運(yùn)行，提高了生產(chǎn)效率。
【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例中新型高壓IGBT模塊的安裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]以下結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0011]如圖1所示，本實(shí)施例中的新型高壓IGBT模塊的安裝結(jié)構(gòu)，包括IGBT觸發(fā)板1、芯片底座2和IGBT高壓驅(qū)動(dòng)模塊3。
[0012]其中芯片底座2采用高度為3mm的標(biāo)準(zhǔn)芯片底座2，該標(biāo)準(zhǔn)芯片底座2即為國(guó)際通用的2.54±0.25mm技術(shù)規(guī)范，芯片底座2上具有多個(gè)針腳，芯片底座2通過(guò)針腳架空插接在IGBT觸發(fā)板I上，而IGBT高壓驅(qū)動(dòng)模塊3則固定連接在該芯片底座2上，并通過(guò)該芯片底座2與IGBT觸發(fā)板I實(shí)現(xiàn)連接。該安裝結(jié)構(gòu)避免了 IGBT觸發(fā)板I和IGBT高壓驅(qū)動(dòng)模塊3之間的直接接觸，在保證高集成化程度的基礎(chǔ)上，能夠?qū)崿F(xiàn)IGBT觸發(fā)板I和IGBT高壓驅(qū)動(dòng)模塊3間的良好通風(fēng)，同時(shí)芯片底座2上的針腳散熱性能相較于IGBT高壓驅(qū)動(dòng)模塊3的連接針腳散熱性能更好且接觸更加可靠。如此即大大降低了 IGBT高壓驅(qū)動(dòng)模塊3在工作過(guò)程中的溫度，從而有效降低了因IGBT高壓驅(qū)動(dòng)模塊3溫度過(guò)高引起的IGBT觸發(fā)板I損壞故障。
[0013]與此同時(shí)，IGBT觸發(fā)板I上的功率電阻11布局設(shè)置在IGBT觸發(fā)板I上的低發(fā)熱位置。避免功率電阻11集中在高發(fā)熱位置，從而合理完善IGBT觸發(fā)板I的布線工藝，避免功率電阻11發(fā)熱疊加其他器件發(fā)熱造成的局部溫度過(guò)高而損壞功率電阻11，有效保證了IGBT觸發(fā)板I的正常運(yùn)行。此外IGBT觸發(fā)板I上的觸發(fā)電阻12功率由1/4W改型為0.5W,提高電阻功率，降低電阻損壞率，從而控制因功率電阻11損壞導(dǎo)致IGBT觸發(fā)板I的電壓輸出端擊穿的現(xiàn)象。
[0014]該新型高壓IGBT模塊的安裝結(jié)構(gòu)適用于IGBT觸發(fā)板I與IGBT高壓驅(qū)動(dòng)模塊3直接連接的變頻器中，能夠大大降低了整個(gè)變頻器的故障次數(shù)和故障時(shí)間，使得設(shè)備能夠得以正常運(yùn)行，提高了生產(chǎn)效率。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種新型高壓IGBT模塊的安裝結(jié)構(gòu)，包括IGBT觸發(fā)板(I)，其特征在于:所述IGBT觸發(fā)板(I)上架空插接一芯片底座(2)，所述芯片底座(2)上固定連接一 IGBT高壓驅(qū)動(dòng)模塊⑶。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型高壓IGBT模塊的安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述IGBT觸發(fā)板(I)上的功率電阻(11)布局設(shè)置在IGBT觸發(fā)板(I)上的低發(fā)熱位置。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型高壓IGBT模塊的安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述IGBT觸發(fā)板(I)上的觸發(fā)電阻(12)改型為高功率電阻。4.根據(jù)權(quán)利要求1?3任一權(quán)利要求所述的新型高壓IGBT模塊的安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述芯片底座⑵的板面距離所述IGBT觸發(fā)板⑴的高度為3mm。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及一種新型高壓IGBT模塊的安裝結(jié)構(gòu)，包括IGBT觸發(fā)板，其特征在于：所述IGBT觸發(fā)板上架空插接一芯片底座，所述芯片底座上固定連接一IGBT高壓驅(qū)動(dòng)模塊。該新型高壓IGBT模塊的安裝結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單實(shí)用，通過(guò)芯片底座避免IGBT觸發(fā)板和IGBT高壓驅(qū)動(dòng)模塊直接接觸，在保證整體高集成化程度的同時(shí)，增加了IGBT觸發(fā)板和IGBT高壓驅(qū)動(dòng)模塊間的空氣流通，提高了IGBT高壓驅(qū)動(dòng)模塊的散熱能力，避免因IGBT高壓驅(qū)動(dòng)模塊過(guò)度發(fā)熱引起的IGBT觸發(fā)板損壞，從而大大降低了整個(gè)變頻器的故障次數(shù)和故障時(shí)間，使得設(shè)備能夠得以正常運(yùn)行，提高了生產(chǎn)效率。
【IPC分類(lèi)】H05K7/20, H02M1/00, H02M1/08
【公開(kāi)號(hào)】CN204681236
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520304082
【發(fā)明人】李實(shí) , 程金山, 錢(qián)華
【申請(qǐng)人】寧波寶新不銹鋼有限公司
【公開(kāi)日】2015年9月30日
【申請(qǐng)日】2015年5月11日