一種控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)驅(qū)動電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于電機(jī)控制領(lǐng)域，具體地涉及一種控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)驅(qū)動電路。
【背景技術(shù)】
[0002]電機(jī)是指依據(jù)電磁感應(yīng)定律實(shí)現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換或傳遞的一種電磁裝置。它的主要作用是產(chǎn)生驅(qū)動轉(zhuǎn)矩，作為用電器或各種機(jī)械的動力源。
[0003]隨著電機(jī)制造技術(shù)的日益成熟，操作簡單、控制便捷的直流電機(jī)被廣泛應(yīng)用于各行各業(yè)中，對直流電機(jī)驅(qū)動線路的設(shè)計受到了越來越多的關(guān)注。直流電機(jī)具有許多優(yōu)點(diǎn)，利用直流電機(jī)正反向轉(zhuǎn)動，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)控制的方法被大量加入到各種電器產(chǎn)品中。
[0004]目前市場上很多電機(jī)驅(qū)動正反轉(zhuǎn)的驅(qū)動電路，基本采用繼電器控制，但是，由于繼電器體積大不利于集成電路的小型化，并且繼電器采用觸點(diǎn)接通，其壽命會受到一些限制，且響應(yīng)速度慢，抗干擾能力差，安全性低，電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本實(shí)用新型目的在于為解決上述問題而提供一種結(jié)構(gòu)簡單，電路體積小，響應(yīng)速度快，抗干擾能力強(qiáng)，安全性和可靠性高，使用壽命長且成本低的電機(jī)正反轉(zhuǎn)驅(qū)動電路。
[0006]為此，本實(shí)用新型公開了一種控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)驅(qū)動電路，包括第一 N+P型MOS管、第二 N+P型MOS管、直流電機(jī)和第一電子開關(guān)，所述N+P型MOS管由N型MOS管和P型MOS組成，所述第一 N+P型MOS管中的N型MOS管的源極接地，漏極接直流電機(jī)的第一輸入端，柵極接第一控制信號端，所述第一 N+P型MOS管中的P型MOS管的源極接電源，漏極接直流電機(jī)的第一輸入端，柵極接第二控制信號端，所述第二 N+P型MOS管中的N型MOS管的源極接地，漏極接直流電機(jī)的第二輸入端，柵極接第二控制信號端，所述第二 N+P型MOS管中的P型MOS管的源極接電源，漏極接直流電機(jī)的第二輸入端，柵極接第一控制信號端，所述第一控制信號端串聯(lián)第一電子開關(guān)接地，所述第二控制信號端接第一電子的控制輸入端。
[0007]進(jìn)一步的，所述N+P型MOS管的型號為STC4614。
[0008]進(jìn)一步的，所述第一 N+P型MOS管中的P型MOS管的柵極通過第一同相驅(qū)動模塊接第二控制信號端。
[0009]進(jìn)一步的，所述第一同相驅(qū)動模塊包括第二電子開關(guān)，所述第二電子開關(guān)的輸入端串聯(lián)第一電阻和第二電阻接電源，所述第二電子開關(guān)的輸出端接地，所述第二電子開關(guān)的控制輸入端第二控制信號端，所述第一 N+P型MOS管中的P型MOS管的柵極接第一電阻和第二電阻之間的節(jié)點(diǎn)。
[0010]進(jìn)一步的，所述第二電子開關(guān)為NPN三極管。
[0011]進(jìn)一步的，所述第二 N+P型MOS管中的P型MOS管的柵極通過第二同相驅(qū)動模塊接第一控制信號端。
[0012]進(jìn)一步的，所述第二同相驅(qū)動模塊包括第三電子開關(guān)，所述第三電子開關(guān)的輸入端串聯(lián)第三電阻和第四電阻接電源，所述第三電子開關(guān)的輸出端接地，所述第三電子開關(guān)的控制輸入端接第一控制信號端，所述第二 N+P型MOS管中的P型MOS管的柵極接第三電阻和第四電阻之間的節(jié)點(diǎn)。
[0013]進(jìn)一步的，所述第三電子開關(guān)為NPN三極管。
[0014]進(jìn)一步的，所述第一 N+P型MOS管中的N型MOS管的柵極串聯(lián)第五電阻接地。
[0015]進(jìn)一步的，所述第二 N+P型MOS管中的N型MOS管的柵極串聯(lián)第六電阻接地。
[0016]本實(shí)用新型的有益技術(shù)效果:
[0017]本實(shí)用新型采用集成的N+P型MOS管實(shí)現(xiàn)電機(jī)正反轉(zhuǎn)控制，電路結(jié)構(gòu)簡單，體積小，利于產(chǎn)品便攜式和最小化設(shè)計，響應(yīng)速度快，抗干擾能力強(qiáng)，成本低，同時通過三極管防止兩路控制信號端同時有信號輸入而燒毀MOS管，電路使用壽命長，安全性和可靠性高。
【附圖說明】
[0018]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]現(xiàn)結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
[0020]如圖1所示，一種控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)驅(qū)動電路，包括兩個由N型MOS管和P型MOS組成的N+P型MOS管U2和U3、直流電機(jī)(插接在插座CN8上)和第一電子開關(guān)Q2 (本實(shí)施中優(yōu)選為NPN三極管，型號為2N3904)，本具體實(shí)施例中，N+P型MOS管U2和U3的型號為STC4614，SI端為N型MOS管的源極，Dl端為N型MOS管的漏極，Gl為N型MOS管的柵極，S2端為P型MOS管的源極，D2端為P型MOS管的漏極，G2為P型MOS管的柵極。
[0021]N+P型MOS管U2 (第一 N+P型MOS管)的SI端接地，S2端接+12V電源，Dl端和D2端接電機(jī)CN8的第一輸入端，Gl端接第一控制信號端Ctrll (輸出0/1信號)，同時串聯(lián)第五電阻Rl接地，G2端串聯(lián)第一電阻R5接+12V電源，同時串聯(lián)第二電阻R6和第二電子開關(guān)Ql (本實(shí)施例中優(yōu)選為NPN三極管，型號為2N3904)接地，NPN三極管Ql的基極(控制輸入端)接第二控制信號端Ctrl2 (輸出1/0信號)。電阻R5、電阻R6和NPN三極管Ql組成第一同相驅(qū)動模塊。本具體實(shí)施例中，N+P型MOS管U2的Gl端與第一控制信號端Ctrll還串聯(lián)有電阻R2和R7，用于限流保護(hù)作用，NPN三極管Ql的基極與第二控制信號端Ctrl2之間還串聯(lián)有電阻R4和R9用于限流保護(hù)作用，電阻R4和R9之間節(jié)點(diǎn)串聯(lián)電容C6接地，N+P型MOS管U2的Dl和D2端串聯(lián)有并聯(lián)的電容C15和二極管Dl接+12V電源。
[0022]N+P型MOS管U3 (第二 N+P型MOS管)的SI端接地，S2端接+12V電源，Dl端和D2端接電機(jī)CN8的第二輸入端，Gl端接第二控制信號端Ctrl2，同時串聯(lián)第六電阻RlO接地，G2端串聯(lián)第三電阻R12接+12V電源，同時串聯(lián)第四電阻R13和第三電子開關(guān)Q3 (本實(shí)施例中優(yōu)選為NPN三極管，型號為2N3904)接地，NPN三極管Q3的基極(控制輸入端)接第一控制信號端Ctrll。電阻R12、電阻R13和NPN三極管Q3組成第二同相驅(qū)動模塊。本具體實(shí)施例中，N+P型MOS管U3的Gl端與第二控制信號端Ctrl2還串聯(lián)有電阻Rll和R9，用于限流保護(hù)作用，NPN三極管Q3的基極與第一控制信號端Ctrll之間還串聯(lián)有電阻R14和R7用于限流保護(hù)作用，電阻R14和R7之間節(jié)點(diǎn)串聯(lián)電容C7接地，N+P型MOS管U3的Dl和D2端串聯(lián)有并聯(lián)的電容C16和二極管D2接+12V電源。
[0023]NPN三極管Q2的集電極接第一控制信號端Ctrll，發(fā)射極接地，基極串聯(lián)電阻R8接第二控制信號端Ctrl2，當(dāng)?shù)诙刂菩盘柖薈trl2輸入高電平時，NPN三極管Q2導(dǎo)通，此時無論第一控制信號端Ctrll輸入的是低電平還是高電平，都會被拉低，防止兩個輸入信號同時為高電平，N+P型MOS管U2和U3的兩個MOS管同時導(dǎo)通而損壞。
[0024]本實(shí)用新型的工作過程:
[0025]當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘柖薈trll為高電平，第二控制信號端Ctrl2為低電平時，N+P型MOS管U2的SI和Dl之間導(dǎo)通，S2和D2之間截止，N+P型MOS管U3的SI和Dl之間截止，S2和D2之間導(dǎo)通，直流電機(jī)CN8正轉(zhuǎn)(或反轉(zhuǎn))；當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘柖薈trll為低電平，第二控制信號端Ctrl2為高電平時，N+P型MOS管U2的SI和Dl之間截止，S2和D2之間導(dǎo)通，N+P型MOS管U3的SI和Dl之間導(dǎo)通，S2和D2之間截止，直流電機(jī)CN8反轉(zhuǎn)(或正轉(zhuǎn))。
[0026]盡管結(jié)合優(yōu)選實(shí)施方案具體展示和介紹了本實(shí)用新型，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，在形式上和細(xì)節(jié)上可以對本實(shí)用新型做出各種變化，均為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)驅(qū)動電路，其特征在于:包括第一N+P型MOS管、第二N+P型MOS管、直流電機(jī)和第一電子開關(guān)，所述N+P型MOS管由N型MOS管和P型MOS組成，所述第一N+P型MOS管中的N型MOS管的源極接地，漏極接直流電機(jī)的第一輸入端，柵極接第一控制信號端，所述第一 N+P型MOS管中的P型MOS管的源極接電源，漏極接直流電機(jī)的第一輸入端，柵極接第二控制信號端，所述第二 N+P型MOS管中的N型MOS管的源極接地，漏極接直流電機(jī)的第二輸入端，柵極接第二控制信號端，所述第二 N+P型MOS管中的P型MOS管的源極接電源，漏極接直流電機(jī)的第二輸入端，柵極接第一控制信號端，所述第一控制信號端串聯(lián)第一電子開關(guān)接地，所述第二控制信號端接第一電子的控制輸入端。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)驅(qū)動電路，其特征在于:所述N+P型MOS管的型號為STC4614。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)驅(qū)動電路，其特征在于:所述第一N+P型MOS管中的P型MOS管的柵極通過第一同相驅(qū)動模塊接第二控制信號端。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)驅(qū)動電路，其特征在于:所述第一同相驅(qū)動模塊包括第二電子開關(guān)，所述第二電子開關(guān)的輸入端串聯(lián)第一電阻和第二電阻接電源，所述第二電子開關(guān)的輸出端接地，所述第二電子開關(guān)的控制輸入端第二控制信號端，所述第一 N+P型MOS管中的P型MOS管的柵極接第一電阻和第二電阻之間的節(jié)點(diǎn)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)驅(qū)動電路，其特征在于:所述第二電子開關(guān)為NPN三極管。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)驅(qū)動電路，其特征在于:所述第二N+P型MOS管中的P型MOS管的柵極通過第二同相驅(qū)動模塊接第一控制信號端。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)驅(qū)動電路，其特征在于:所述第二同相驅(qū)動模塊包括第三電子開關(guān)，所述第三電子開關(guān)的輸入端串聯(lián)第三電阻和第四電阻接電源，所述第三電子開關(guān)的輸出端接地，所述第三電子開關(guān)的控制輸入端接第一控制信號端，所述第二 N+P型MOS管中的P型MOS管的柵極接第三電阻和第四電阻之間的節(jié)點(diǎn)。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)驅(qū)動電路，其特征在于:所述第三電子開關(guān)為NPN三極管。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)驅(qū)動電路，其特征在于:所述第一N+P型MOS管中的N型MOS管的柵極串聯(lián)第五電阻接地。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)驅(qū)動電路，其特征在于:所述第二N+P型MOS管中的N型MOS管的柵極串聯(lián)第六電阻接地。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)驅(qū)動電路，包括第一N+P型MOS管、第二N+P型MOS管、直流電機(jī)和第一電子開關(guān)，所述N+P型MOS管由N型MOS管和P型MOS組成，所述第一N+P型MOS管中的兩個源極分別接電源和地，兩個漏極接直流電機(jī)的第一輸入端，兩個柵極分別接第一和第二控制信號端，所述第二N+P型MOS管中的兩個源極分別接電源和地，兩個漏極接直流電機(jī)的第二輸入端，兩個柵極分別接第二和第一控制信號端，所述第一控制信號端串聯(lián)第一電子開關(guān)接地，所述第二控制信號端接第一電子的控制輸入端。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，電路體積小，響應(yīng)速度快，抗干擾能力強(qiáng)，安全性和可靠性高，使用壽命長且成本低。
【IPC分類】H02P1/22
【公開號】CN204886748
【申請?zhí)枴緾N201520540137
【發(fā)明人】章進(jìn)武, 涂建遠(yuǎn), 邱育賢
【申請人】廈門炬研電子科技有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年7月24日