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一種變頻器直流母排的引出排結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:10249347閱讀:742來源:國知局
一種變頻器直流母排的引出排結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本實用新型涉及一種變頻器直流母排的引出排結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]低壓交流變頻器通常采用交直交的方式,即通過三相整流電路將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姡偻ㄟ^逆變電路將直流電轉(zhuǎn)變?yōu)轭l率任意可調(diào)的交流電,實現(xiàn)調(diào)壓調(diào)頻的目的。為達到較好的平波效果,整流側(cè)還需要增加一組或多組電容。通常,整流電路功率器件采用二極管,逆變電路功率器件采用絕緣柵雙極型晶體管(簡稱IGBT),電容采用電解電容或薄膜電容。電路拓撲結(jié)構(gòu)如圖I所示。
[0003]為便于功率元器件之間的連接,變頻器往往采用直流母排(直流正排和直流負排)將上述功率器件順序連接起來。一般地,直流正排和直流負排分別由三段匯流排拼接而成。以直流正排為例,由整流側(cè)公共點引出排、逆變側(cè)公共點引出排和橋接排等三段匯流排構(gòu)成。
[0004]以逆變側(cè)的IGBT公共點引出排為例,所謂的公共點引出排的結(jié)構(gòu)通常如圖2所示,具有引出排本體I和并排成型于所述引出排本體一側(cè)的若干功率器件(IGBT)連接點2,引出排本體I頂部還設(shè)有橋接排連接點3,用于同橋接排相連接,橋接排再與整流側(cè)的二極管公共點引出排相連接。
[0005]當(dāng)上述三段母排與IGBT功率器件通過緊固螺母首尾連接后,存在以下顯著缺點:
[0006]IGBT功率器件與逆變側(cè)公共點引出排的連接位置,應(yīng)力集中系數(shù)較為顯著,產(chǎn)生較大的機械應(yīng)力,對IGBT功率器件產(chǎn)生不利影響。
[0007]同理,二極管與整流側(cè)的公共點引出排連接位置,其應(yīng)力集中系數(shù)也較為顯著,產(chǎn)生較大的機械應(yīng)力,會對二極管產(chǎn)生不利影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本實用新型目的是:針對【背景技術(shù)】中提到的問題,而提供一種改進的變頻器直流母排的引出排結(jié)構(gòu),它能夠減小與功率器件(整流側(cè)二極管或逆變側(cè)IGBT)連接位置的應(yīng)力集中系數(shù)和機械應(yīng)力,消除對于這些功率器件的不利影響,大大提高變頻器的工作可靠性。
[0009]本實用新型的技術(shù)方案是:一種變頻器直流母排的引出排結(jié)構(gòu),包括引出排本體和并排成型于所述引出排本體一側(cè)的若干功率器件連接點,其特征在于所述引出排本體上靠近所述功率器件連接點的位置設(shè)有一條用于降低區(qū)域應(yīng)力集中系數(shù)的功能槽。
[0010]進一步的,本實用新型中所述功能槽的走向與所述功率器件連接點的排列方向一致。
[0011]進一步的,本實用新型中所述功能槽為一端開口的開口槽。
[0012]更進一步的,本實用新型中所述開口槽為呈L形的開口槽。
[0013]進一步的,本實用新型中所述功能槽是通過削去引出排本體表面部分材料所形成的凹槽。
[0014]進一步的,本實用新型中所述引出排本體的上下任意一端成型有橋接排連接點。
[0015]需要說明,本實用新型中的引出排結(jié)構(gòu)既可以運用在變頻器的整流側(cè)作為公共點接入,也可以運用在逆變側(cè)作為公共點接入。事實上在現(xiàn)有技術(shù)中整流側(cè)和逆變側(cè)的引出排構(gòu)造也是相同的。具體實施時,同常規(guī)技術(shù)一樣,引出排本體一側(cè)的功率器件連接點位置均打有螺栓孔,用于同對應(yīng)的功率器件(整流側(cè)的二極管和逆變側(cè)的IGBT)連接固定。而引出排本體一端的橋接排連接點則打有U型槽用于同橋接排通過螺栓連接固定,橋接排再與另一側(cè)的引出排連接,形成三段匯流。
[0016]當(dāng)然本實用新型的引出排結(jié)構(gòu)無論其所屬的直流母排是正排還是負排都適用。
[0017]本實用新型中對于功能槽的寬度沒有特定要求,但需要滿足如下要求:
[0018]I.功能槽的設(shè)計中應(yīng)具有降低應(yīng)力集中因素的措施,比如禁止出現(xiàn)尖銳轉(zhuǎn)角等。
[0019]2.功能槽在整個長度方向?qū)挾缺M可能一致。
[°02°] 3.功能槽不得影響母排的載流能力。
[0021]本實用新型的優(yōu)點是:
[0022]本實用新型通過在引出排本體上靠近功率器件連接點的位置設(shè)置功能槽,減小了引出排本體與功率器件(整流側(cè)二極管或逆變側(cè)IGBT)這一連接區(qū)域的應(yīng)力集中系數(shù)和機械應(yīng)力,消除對于功率器件的不利影響,大大提高了整個變頻器的工作可靠性。
【附圖說明】
[0023]下面結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述:
[0024]圖I為常規(guī)的變頻器直流母排的引出排結(jié)構(gòu)示意圖;
[0025]圖2為本實用新型引出排結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0026]其中:I、引出排本體;Ia、開口槽;2、功率器件連接點;2a、螺栓孔;3、橋接排連接點;3a、U型槽。
【具體實施方式】
[0027]實施例:具體如圖2所示,本實例舉出的這種引出排結(jié)構(gòu)運用于低壓交流變頻器直流母排(正排)中的逆變側(cè)公共點位置,作用是同逆變側(cè)的IGBT功率器件通過螺栓進行連接固定。
[0028]如圖2所述,其具有引出排本體1、并排成型于所述引出排本體I一側(cè)的三個功率器件連接點2以及成型于引出排本體I頂部的橋接排連接點3。其主要改進在于:所述引出排本體I上靠近所述功率器件連接點2的位置設(shè)有一條用于降低區(qū)域應(yīng)力集中系數(shù)的功能槽。本例中該功能槽為一端開口并且呈L形的開口槽la,該開口槽Ia的走向與所述功率器件連接點2的排列方向一致。并且開口槽I a沿長度方向的寬度保持一致。
[0029]具體實施時,同常規(guī)技術(shù)一樣,引出排本體I一側(cè)的功率器件連接點2位置均打有螺栓孔2a,用于同逆變側(cè)的IGBT功率器件通過螺栓連接固定。而引出排本體I頂部的橋接排連接點3上打有U型槽3a用于同橋接排通過螺栓連接固定,橋接排再與整流側(cè)的引出排連接,形成三段匯流。當(dāng)然整流側(cè)的引出排結(jié)構(gòu)與本例相同,可參見本例的結(jié)構(gòu)及其描述。
[0030]當(dāng)然上述實施例只為說明本實用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點,其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人能夠了解本實用新型的內(nèi)容并據(jù)以實施,并不能以此限制本實用新型的保護范圍。凡根據(jù)本實用新型主要技術(shù)方案的精神實質(zhì)所做的修飾,都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種變頻器直流母排的引出排結(jié)構(gòu),包括引出排本體(I)和并排成型于所述引出排本體(I) 一側(cè)的若干功率器件連接點(2),其特征在于所述引出排本體(I)上靠近所述功率器件連接點(2)的位置設(shè)有一條用于降低區(qū)域應(yīng)力集中系數(shù)的功能槽。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種變頻器直流母排的引出排結(jié)構(gòu),其特征在于所述功能槽的走向與所述功率器件連接點(2 )的排列方向一致。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種變頻器直流母排的引出排結(jié)構(gòu),其特征在于所述功能槽的寬度一致。4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的一種變頻器直流母排的引出排結(jié)構(gòu),其特征在于所述功能槽為一端開口的開口槽(la)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種變頻器直流母排的引出排結(jié)構(gòu),其特征在于所述開口槽(Ia)為呈L形的開口槽(la)。6.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的一種變頻器直流母排的引出排結(jié)構(gòu),其特征在于所述功能槽是通過削去引出排本體(I)表面部分材料所形成的凹槽。7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種變頻器直流母排的引出排結(jié)構(gòu),其特征在于所述引出排本體(I)的上下任意一端成型有橋接排連接點(3 )。
【專利摘要】<b>本實用新型公開了一種變頻器直流母排的引出排結(jié)構(gòu),包括引出排本體和并排成型于所述引出排本體一側(cè)的若干功率器件連接點,其特征在于所述引出排本體上靠近所述功率器件連接點的位置設(shè)有一條用于降低區(qū)域應(yīng)力集中系數(shù)的功能槽。本實用新型能夠減小與功率器件(整流側(cè)二極管或逆變側(cè)</b><b>IGBT</b><b>)連接位置的應(yīng)力集中系數(shù)和機械應(yīng)力,消除對于這些功率器件的不利影響,大大提高變頻器的工作可靠性。</b>
【IPC分類】H02M5/458, H02M1/00
【公開號】CN205160380
【申請?zhí)枴緾N201521004861
【發(fā)明人】徐雄炳
【申請人】上海華欣民福電氣科技有限公司
【公開日】2016年4月13日
【申請日】2015年12月4日
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