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一種半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路的制作方法

文檔序號(hào):10771705閱讀:2309來源:國知局
一種半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路,具有雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片U1、限流電阻R1、NMOS晶體管Q1、NMOS晶體管Q2,還具有自舉二極管D1、自舉電容C2、自舉二極管D1的正極接限流電阻R1的一端,自舉二極管D1的負(fù)極接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片U1的VDDA輸出腳,限流電阻R1的另一端接電源VDD2,自舉電容C2一端接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片U1的VDDA輸出腳,自舉電容C2另一端接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片U1的GNDA輸出腳。本實(shí)用新型的半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路只需一個(gè)電源VDD2即可使雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片U1為不共地的NMOS晶體管Q1與NMOS晶體管Q2提供驅(qū)動(dòng)。本實(shí)用新型有效精簡電路,增加電路應(yīng)用范圍。
【專利說明】
一種半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在DC電源系統(tǒng)中,半橋高低測驅(qū)動(dòng)通常使用半橋自舉驅(qū)動(dòng)器,與隔離芯片共用;或使用雙驅(qū)動(dòng)器,用多電源分別驅(qū)動(dòng),兩種電路皆比較復(fù)雜且應(yīng)用條件苛刻。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是:克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種精簡的半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路。
[0004]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路,具有雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul、限流電阻Rl、NM0S晶體管Ql、匪OS晶體管Q2,還具有自舉二極管Dl、自舉電容C2、所述自舉二極管Dl的正極接限流電阻Rl的一端,所述自舉二極管Dl的負(fù)極接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VDDA輸出腳,所述限流電阻Rl的另一端接電源VDD2,所述自舉電容C2—端接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VDDA輸出腳,所述自舉電容C2另一端接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的GNDA輸出腳。
[0005]進(jìn)一步地,所述半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路具有旁路濾波電容Cl,所述旁路濾波電容Cl一端接自舉二極管Dl的正極,所述旁路濾波電容Cl另一端接地。
[0006]進(jìn)一步地,所述半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路具有旁路濾波電容C3,所述旁路濾波電容C3—端接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VDDB輸出腳,所述旁路濾波電容C3另一端接地,所述雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VDDB輸出腳接電源VDD2。
[0007]進(jìn)一步地,所述半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路具有旁路濾波電容C4,所述旁路濾波電容C4一端接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VDDI輸出腳,所述旁路濾波電容C4另一端接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的GNDI輸出腳,所述雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VDDI輸出腳接電源VDD1。
[0008]進(jìn)一步地,所述NMOS晶體管Ql的G極接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VOA輸出腳,所述匪OS晶體管Ql的S極接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的GNDA輸出腳,所述NMOS晶體管Ql的D極接電源VIN。
[0009]進(jìn)一步地,所述半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路具有二極管D2,所述二極管D2的正極接所述NMOS晶體管Ql的S極,所述二極管D2的的負(fù)極接所述NMOS晶體管Ql的D極。
[0010]進(jìn)一步地,所述匪OS晶體管Q2的G極接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VOB輸出腳,所述匪OS晶體管Q2的S極接地,所述NMOS晶體管Q2的D極接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的GNDA輸出腳。
[0011]進(jìn)一步地,所述半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路具有二極管D3,所述二極管D3的正極接所述NMOS晶體管Q2的S極,所述二極管D3的負(fù)極接所述NMOS晶體管Q2的D極。
[0012]進(jìn)一步地,所述雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的型號(hào)為SI8235BD,所述雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的GNDB輸出腳接地,所述雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的GNDI輸出腳接地,所述雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VIA輸出腳接輸出OUTl,所述雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VIB輸出腳接輸出0UT2。
[0013]進(jìn)一步地,所述半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路具有電阻R2,電阻R2的一端接地,電阻R2的一端接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的DISABLE輸出腳。
[0014]本實(shí)用新型的有益效果是:當(dāng)NMOS晶體管Q2導(dǎo)通時(shí),自舉二極管Dl導(dǎo)通,電源VDD2為自舉電容C2充電,當(dāng)匪OS晶體管Q2截止時(shí),自舉二極管Dl截止,自舉電容C2將雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VDDA輸出腳電壓上抬至電源VDD2加上電源VIN的電壓,形成自舉為NMOS晶體管Ql提供驅(qū)動(dòng)電壓。
[0015]本實(shí)用新型的半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路只需一個(gè)電源VDD2即可使雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul為不共地的匪OS晶體管Ql與匪OS晶體管Q2提供驅(qū)動(dòng)。本實(shí)用新型有效精簡電路,增加電路應(yīng)用范圍。
【附圖說明】
[0016]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
[0017]圖1是本實(shí)用新型的電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]現(xiàn)在結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。這些附圖均為簡化的示意圖僅以示意方式說明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu),因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。
[0019]如圖1所示,一種半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路,具有雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片U1、限流電阻RUNMOS晶體管Ql、匪OS晶體管Q2,還具有自舉二極管Dl、自舉電容C2、所述自舉二極管DI的正極接限流電阻Rl的一端,所述自舉二極管Dl的負(fù)極接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VDDA輸出腳,所述限流電阻Rl的另一端接電源VDD2,所述自舉電容C2—端接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VDDA輸出腳,所述自舉電容C2另一端接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的GNDA輸出腳。
[0020]所述半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路具有旁路濾波電容Cl,所述旁路濾波電容Cl一端接自舉二極管Dl的正極,所述旁路濾波電容Cl另一端接地。
[0021]所述半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路具有旁路濾波電容C3,所述旁路濾波電容C3—端接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VDDB輸出腳,所述旁路濾波電容C3另一端接地,所述雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VDDB輸出腳接電源VDD2。
[0022]所述半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路具有旁路濾波電容C4,所述旁路濾波電容C4一端接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VDDI輸出腳,所述旁路濾波電容C4另一端接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的GNDI輸出腳,所述雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VDDI輸出腳接電源VDD1。
[0023]所述NMOS晶體管Ql的G極接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VOA輸出腳,所述NMOS晶體管Ql的S極接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的GNDA輸出腳,所述NMOS晶體管Ql的D極接電源VIN。
[0024]所述半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路具有二極管D2,所述二極管D2的正極接所述NMOS晶體管Ql的S極,所述二極管D2的的負(fù)極接所述NMOS晶體管Ql的D極。
[0025]所述NMOS晶體管Q2的G極接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VOB輸出腳,所述NMOS晶體管Q2的S極接地,所述NMOS晶體管Q2的D極接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的GNDA輸出腳。
[0026]所述半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路具有二極管D3,所述二極管D3的正極接所述NMOS晶體管Q2的S極,所述二極管D3的負(fù)極接所述NMOS晶體管Q2的D極。
[0027]所述雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的型號(hào)為SI8235BD,所述雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的GNDB輸出腳接地,所述雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的GNDI輸出腳接地,所述雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VIA輸出腳接輸出OUTl,所述雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VIB輸出腳接輸出0UT2。
[0028]所述半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路具有電阻R2,電阻R2的一端接地,電阻R2的一端接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的DISABLE輸出腳。
[0029]當(dāng)NMOS晶體管Q2導(dǎo)通時(shí),自舉二極管Dl導(dǎo)通,電源VDD2為自舉電容C2充電,當(dāng)NMOS晶體管Q2截止時(shí),自舉二極管Dl截止,自舉電容C2將雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VDDA輸出腳電壓上抬至電源VDD2加上電源VIN的電壓,形成自舉為NMOS晶體管Ql提供驅(qū)動(dòng)電壓。
[0030]本實(shí)用新型的半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路只需一個(gè)電源VDD2即可使雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul為不共地的匪OS晶體管Ql與匪OS晶體管Q2提供驅(qū)動(dòng)。本實(shí)用新型有效精簡電路,增加電路應(yīng)用范圍。
[0031]以上述依據(jù)本實(shí)用新型的理想實(shí)施例為啟示,通過上述的說明內(nèi)容,相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)實(shí)用新型技術(shù)思想的范圍內(nèi),進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)實(shí)用新型的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容,必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路,具有雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul、限流電阻Rl、匪OS晶體管Ql JMOS晶體管Q2,其特征在于:還具有自舉二極管Dl、自舉電容C2、所述自舉二極管Dl的正極接限流電阻Rl的一端,所述自舉二極管Dl的負(fù)極接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VDDA輸出腳,所述限流電阻Rl的另一端接電源VDD2,所述自舉電容C2—端接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VDDA輸出腳,所述自舉電容C2另一端接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的GNDA輸出腳。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于:具有旁路濾波電容Cl,所述旁路濾波電容Cl 一端接自舉二極管Dl的正極,所述旁路濾波電容Cl另一端接地。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于:具有旁路濾波電容C3,所述旁路濾波電容C3—端接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VDDB輸出腳,所述旁路濾波電容C3另一端接地,所述雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VDDB輸出腳接電源VDD2。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于:具有旁路濾波電容C4,所述旁路濾波電容C4 一端接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VDDI輸出腳,所述旁路濾波電容C4另一端接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的GNDI輸出腳,所述雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VDDI輸出腳接電源VDD1。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于:所述匪OS晶體管Ql的G極接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VOA輸出腳,所述NMOS晶體管Ql的S極接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的GNDA輸出腳,所述NMOS晶體管Ql的D極接電源VIN。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于:具有二極管D2,所述二極管D2的正極接所述NMOS晶體管Ql的S極,所述二極管D2的的負(fù)極接所述NMOS晶體管Ql的D極。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于:所述匪OS晶體管Q2的G極接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VOB輸出腳,所述NMOS晶體管Q2的S極接地,所述NMOS晶體管Q2的D極接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的GNDA輸出腳。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于:具有二極管D3,所述二極管D3的正極接所述匪OS晶體管Q2的S極,所述二極管D3的負(fù)極接所述匪OS晶體管Q2的D極。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于:所述雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的型號(hào)為SI8235BD,所述雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的GNDB輸出腳接地,所述雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的GNDI輸出腳接地,所述雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VIA輸出腳接輸出OUTl,所述雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的VIB輸出腳接輸出0UT2。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于:具有電阻R2,電阻R2的一端接地,電阻R2的一端接雙驅(qū)動(dòng)隔離芯片Ul的DISABLE輸出腳。
【文檔編號(hào)】H02M1/08GK205453477SQ201521105703
【公開日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2015年12月28日
【發(fā)明人】嚴(yán)為人, 景曉瑜
【申請(qǐng)人】張家港市華為電子有限公司
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