一種a型三相四線制漏電斷路器的制造方法
【專利摘要】本實用新型提供一種A型三相四線制漏電斷路器，其包括電子組件，所述電子組件包括三相整流電路、模擬漏電測試電路、漏電檢測電路和可控硅觸發(fā)電路，所述三相整流電路分別與模擬漏電測試電路、漏電檢測電路以及可控硅觸發(fā)電路連接，所述可控硅觸發(fā)電路為雙硅觸發(fā)電路，且所述雙硅觸發(fā)電路的第一觸發(fā)端與均壓電路連接，所述雙硅觸發(fā)電路的第二觸發(fā)端與觸發(fā)電路連接，所述三相整流電路與漏電芯片F(xiàn)M2147之間設(shè)置電源電路，所述電源電路包括與電源端并聯(lián)的濾波電容C1、抗高頻干擾電容C2以及穩(wěn)壓管VD，起穩(wěn)定電壓的作用，避免對漏電芯片F(xiàn)M2147的沖擊，使得漏電芯片的電源穩(wěn)定在理想狀態(tài)。
【專利說明】
一種A型三相四線制漏電斷路器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型漏電保護(hù)器領(lǐng)域，具體涉及一種A型三相四線制漏電斷路器。
【背景技術(shù)】
[0002]由于家用用電環(huán)境日益復(fù)雜，且新標(biāo)準(zhǔn)GB16917.1-2014規(guī)定剩余電流動作斷路器任意兩相之間取電都能可靠工作，也就是說當(dāng)某相甚至某兩相斷相時，線路中發(fā)生漏電異?，F(xiàn)象，漏電斷路器也能起保護(hù)作用。因此對漏電芯片電源的設(shè)計尤為重要，能夠?qū)€路中存在的干擾起到很好的屏蔽作用。
[0003]斷路器三相同時通電時，經(jīng)過全橋整流之后加在可控硅兩端的直流電壓超過500V，對單個可控硅的參數(shù)要求非常高，目前主流產(chǎn)品都是采用雙硅串聯(lián)的電路，以此降低單個可控硅兩端的直流電壓，提高可控硅觸發(fā)電路的可靠性和穩(wěn)定性?，F(xiàn)有技術(shù)采用的雙硅串聯(lián)電路如圖2所示，只是簡單的把兩個可控硅串聯(lián)起來，當(dāng)漏電IC芯片檢測到漏電信號達(dá)到跳閘閾值時，跳閘信號輸出引腳輸出高電平，可控硅SCR2觸發(fā)，繼而可控硅SCRl觸發(fā)，從而使得漏電斷路器線圈脫扣。從圖2可以看出，斷路器正常通電情況下，整流之后的直流電壓幾乎全部加在可控硅SCRl上，SCR2并沒有起到分擔(dān)電壓的作用。若可控硅SCRl性能參數(shù)不良被擊穿時，線路中的高直流電壓非常容易再次擊穿可控硅SCR2，導(dǎo)致漏電斷路器直跳異常現(xiàn)象的發(fā)生。這種線路對單個可控硅的參數(shù)性能要求依舊很高，并沒有充分利用雙硅串聯(lián)的可靠性。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]為了克服以上【背景技術(shù)】的不足，特提供一種A型三相四線制漏電斷路器。
[0005]本實用新型提供一種A型三相四線制漏電斷路器，其包括電子組件，所述電子組件包括三相整流電路、模擬漏電測試電路、漏電檢測電路和可控硅觸發(fā)電路，所述三相整流電路分別與模擬漏電測試電路、漏電檢測電路以及可控硅觸發(fā)電路連接，所述可控硅觸發(fā)電路為雙硅觸發(fā)電路，且所述雙硅觸發(fā)電路的第一觸發(fā)端與均壓電路連接，所述雙硅觸發(fā)電路的第二觸發(fā)端與觸發(fā)電路連接，所述三相整流電路與漏電芯片F(xiàn)M2147之間設(shè)置電源電路，所述電源電路包括與電源端并聯(lián)的濾波電容Cl、抗高頻干擾電容C2以及穩(wěn)壓管VD。
[0006]所述均壓電路包括與可控硅SCRl的G極與A極之間并聯(lián)串聯(lián)后的電阻R3和電阻R5，所述電阻R3和電阻R5之間接電阻R4后接地，可控硅SCRl的G極與K極之間分別并聯(lián)電阻R6和電容C3。
[0007]所述觸發(fā)電路包括與可控硅SCR2的G極與二極管的陰極串聯(lián)，所述可控硅SCR2的G極與二極管的陰極之間依次并聯(lián)電阻R7和電容C6接地。
[0008]所述三相整流電路與電源電路之間依次串聯(lián)脫扣線圈Trip和降壓電阻Rl和降壓電阻R2。
[0009 ]所述三相整流電路的輸出端之間并聯(lián)壓敏電阻RV4。
[0010]所述三相整流電路的三個輸入端A相、B相、C相分別與N相之間并聯(lián)壓敏電阻。
[0011]所述電阻R3和電阻R4的阻值相等。
[0012]實用新型的有益效果是:經(jīng)過全橋整流和降壓電阻Rl，R2之后，并聯(lián)濾波電容Cl和抗高頻干擾電容C2，其中當(dāng)線路中電壓波動較大的時候，濾波電容Cl起穩(wěn)定電壓的作用；當(dāng)線路中突現(xiàn)沖擊脈沖等高頻干擾時，通過容值很小的電容C2短路到地，避免對漏電芯片F(xiàn)M2147的沖擊；同時根據(jù)漏電芯片F(xiàn)M2147理想的電源電平，并聯(lián)一個5.1V穩(wěn)壓管VD，使得漏電芯片的電源穩(wěn)定在理想狀態(tài)。
【附圖說明】
[0013]圖1是本實用新型的電路原理圖。
[0014]圖2是現(xiàn)有的雙硅觸發(fā)電路的電路原理圖。
【具體實施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖對本實用新型實施例作進(jìn)一步說明:
[0016]一種A型三相四線制漏電斷路器，其包括電子組件，所述電子組件包括三相整流電路、模擬漏電測試電路、漏電檢測電路和可控硅觸發(fā)電路，所述三相整流電路分別與模擬漏電測試電路、漏電檢測電路以及可控硅觸發(fā)電路連接，所述可控硅觸發(fā)電路為雙硅觸發(fā)電路，且所述雙硅觸發(fā)電路的第一觸發(fā)端與均壓電路連接，所述雙硅觸發(fā)電路的第二觸發(fā)端與觸發(fā)電路連接，所述三相整流電路與漏電芯片F(xiàn)M2147之間設(shè)置電源電路，所述電源電路包括與電源端并聯(lián)的濾波電容Cl、抗高頻干擾電容C2以及穩(wěn)壓管VD。
[0017]經(jīng)過全橋整流和降壓電阻Rl，降壓電阻R2之后，并聯(lián)濾波電容Cl和抗高頻干擾電容C2，其中當(dāng)線路中電壓波動較大的時候，濾波電容Cl起穩(wěn)定電壓的作用；當(dāng)線路中突現(xiàn)沖擊脈沖等高頻干擾時，通過容值很小的電容C2短路到地，避免對漏電芯片F(xiàn)M2147的沖擊；同時根據(jù)漏電芯片F(xiàn)M2147理想的電源電平，并聯(lián)一個5.1V穩(wěn)壓管VD，使得漏電芯片的電源穩(wěn)定在理想狀態(tài)。
[0018]所述均壓電路包括與可控硅SCRl的G極與A極之間并聯(lián)串聯(lián)后的電阻R3和電阻R5，所述電阻R3和電阻R5之間接電阻R4后接地，可控硅SCRl的G極與K極之間分別并聯(lián)電阻R6和電容C3。
[0019]所述觸發(fā)電路包括與可控硅SCR2的G極與二極管的陰極串聯(lián)，所述可控硅SCR2的G極與二極管的陰極之間依次并聯(lián)電阻R7和電容C6接地，所述電阻R3和電阻R4的阻值相等。
[0020]其中電阻R3，電阻R4的阻值要選擇一樣，根據(jù)可控硅SCRl的具體參數(shù)選擇合適的電阻R5，電阻R6阻值，保證可控硅SCR2觸發(fā)時可控硅SCRl能被可靠觸發(fā)。當(dāng)斷路器正常通電時，經(jīng)過整流之后的直流電壓通過電阻R3和電阻R4構(gòu)成的均分分壓電路，可控硅SCR2視為阻值非常大的電阻，使得加在可控硅SCRl陰極上的電壓幾乎和觸發(fā)極一樣，同為陽極電壓的一半。此時可控硅SCR2的陽極電壓也就是可控硅SCRl陽極電壓的一半，實現(xiàn)兩個可控硅分擔(dān)均分電壓，即使單個可控硅的耐壓參數(shù)不高，也能可靠的工作。
[0021]當(dāng)漏電芯片檢測到漏電信號達(dá)到跳閘閾值時，跳閘信號輸出引腳輸出高電平，可控硅SCR2觸發(fā)，此時可控硅SCR2的陽極(也就是A極)電壓接近于0，可控硅SCRl陽極電壓經(jīng)過電阻R3，電阻R4，電阻R5，電阻R6構(gòu)成的分壓電路，以合適的電壓加在觸發(fā)極上，從而使得漏電斷路器線圈脫扣。
[0022]從圖1可以看出，當(dāng)線路中出現(xiàn)漏電信號時，漏電芯片F(xiàn)M2147跳閘信號觸發(fā)腳5腳觸發(fā)可控硅SCR2，繼而導(dǎo)致可控硅SCRl被觸發(fā)，起到斷開線路的保護(hù)作用。因此可控硅SCR2必須可靠且準(zhǔn)確的動作，否則漏電斷路器會出現(xiàn)誤動作或者不動作的異?，F(xiàn)象?；诖?，可控硅SCR2觸發(fā)極(也就是G極)與地之間并聯(lián)下拉電阻R7和抗干擾電容C6，斷路器正常通電時，可控硅SCR2觸發(fā)極電平通過電阻R7拉低;若線路中存在瞬時沖擊電流時，通過抗干擾電容C6吸收干擾信號，兩者的作用都是避免斷路器的誤動作。漏電芯片F(xiàn)M2147與可控硅SCR2觸發(fā)極之間的二極管4148，起到隔離強電和弱電的作用。即使可控硅被擊穿，由于二極管4148的單向?qū)ㄐ?，可控硅通路中的高壓大電流也不會波及到漏電芯片。加了二極管4148之后，可能會對漏電電流整定值的大小有影響，這需要實際生產(chǎn)時調(diào)試好漏電電阻R8的大小。
[0023]所述三相整流電路與電源電路之間依次串聯(lián)脫扣線圈Trip和降壓電阻Rl和降壓電阻R2，用于整流并進(jìn)行降壓，確保漏電芯片的正常工作。其中三相整流電路包括8個二極管D1-D8構(gòu)成的整流橋，實現(xiàn)交直流轉(zhuǎn)換。
[0024]所述三相整流電路的輸出端之間并聯(lián)壓敏電阻RV4，所述三相整流電路的三個輸入端A相、B相、C相分別與N相之間并聯(lián)壓敏電阻RV1、壓敏電阻RV2、壓敏電阻RV3，起到保護(hù)線路的作用。
[0025]所述模擬漏電測試電路包括與A相連接的電阻R11，所述電阻Rll的另一端穿過互感線圈后與試驗按鈕Test連接，起到模擬漏電的作用。
[0026]所述漏電檢測電路則與互感線圈連。其兩個檢測端分別串聯(lián)電阻R9和電阻RlO后與漏電芯片的3腳和2腳連，兩個檢測端之間依次并聯(lián)電阻R8、雙向二極管BAV99以及電容C7，所述漏電芯片的2腳通過電容C9接地。
[0027]實施例不應(yīng)視為對本實用新型的限制，任何基于本實用新型的精神所作的改進(jìn)，都應(yīng)在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種A型三相四線制漏電斷路器，其包括電子組件，其特征在于:所述電子組件包括三相整流電路、模擬漏電測試電路、漏電檢測電路和可控硅觸發(fā)電路，所述三相整流電路分別與模擬漏電測試電路、漏電檢測電路以及可控硅觸發(fā)電路連接，所述可控硅觸發(fā)電路為雙硅觸發(fā)電路，且所述雙硅觸發(fā)電路的第一觸發(fā)端與均壓電路連接，所述雙硅觸發(fā)電路的第二觸發(fā)端與觸發(fā)電路連接，所述三相整流電路與漏電芯片F(xiàn)M2147之間設(shè)置電源電路，所述電源電路包括與電源端并聯(lián)的濾波電容Cl、抗高頻干擾電容C2以及穩(wěn)壓管VD。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種A型三相四線制漏電斷路器，其特征在于:所述均壓電路包括與可控硅SCRl的G極與A極之間并聯(lián)串聯(lián)后的電阻R3和電阻R5，所述電阻R3和電阻R5之間接電阻R4后接地，可控硅SCRl的G極與K極之間分別并聯(lián)電阻R6和電容C3。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種A型三相四線制漏電斷路器，其特征在于:所述觸發(fā)電路包括與可控硅SCR2的G極與二極管的陰極串聯(lián)，所述可控硅SCR2的G極與二極管的陰極之間依次并聯(lián)電阻R7和電容C6接地。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種A型三相四線制漏電斷路器，其特征在于:所述三相整流電路與電源電路之間依次串聯(lián)脫扣線圈Trip和降壓電阻Rl和降壓電阻R2。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種A型三相四線制漏電斷路器，其特征在于:所述三相整流電路的輸出端之間并聯(lián)壓敏電阻RV4。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種A型三相四線制漏電斷路器，其特征在于:所述三相整流電路的三個輸入端A相、B相、C相分別與N相之間并聯(lián)壓敏電阻。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種A型三相四線制漏電斷路器，其特征在于:所述電阻R3和電阻R4的阻值相等。
【文檔編號】H02H9/04GK205666605SQ201620496742
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年5月27日
【發(fā)明人】趙策, 洪傳生, 陳闖, 范奇文
【申請人】浙江天正電氣股份有限公司