專利名稱：電子部件的外部涂層基底及壓電諧振部件的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及用于例如壓電振蕩器等電子部件的外部涂層基底以及包括此外部涂層基底的壓電電子部件。尤其是，本發(fā)明涉及通過層疊各種材料層構(gòu)成的電子部件的外部涂層基底以及使用該外部涂層基底的壓電諧振部件。
在電子部件中，例如壓電振蕩器中，廣泛地使用由陶瓷制成的外部涂層基底來保護電子部件的元件。
例如，在4-4604號日本未審查專利申請公開中揭示了

圖10所示的壓電諧振器101。在壓電諧振器101中，把外部涂層基底103和104層疊在能陷型壓電諧振元件102的頂部和底部。外部涂層基底103和104由通過低溫煅燒獲得的氧化鋁制成。陶瓷例如氧化鋁的強度較佳。然而，因煅燒溫度高而使得制造成本變高。在4-4604號日本未審查專利申請公開中揭示了降低煅燒溫度來減少制造成本。
另一方面，在9-208261號日本未審查專利申請公開中揭示了圖11所示的晶體振蕩器。在此揭示中，把晶體振蕩器112密封在由底座部件113和蓋子部件114構(gòu)成的封裝中。底座部件113和蓋子部件114由玻璃-陶瓷復合材料制成，從而所述在約800℃到1000℃下的煅燒是可能的。
此外，在10-106880號日本未審查專利申請公開中揭示了圖12所示的復合層陶瓷部件。在此揭示中，設置低介電常數(shù)層121和124作為最外層，低介電常數(shù)層121和124由陶瓷粉末和非晶玻璃的混合材料制成。高介電常數(shù)層122和123安排在低介電常數(shù)層121和124之間。描述了通過高介電常數(shù)層122和123來提高電容器、諧振器和其它電子部件(包括導電層125和126)的特性。
可在相對低的溫度下煅燒4-4604號日本未審查專利申請公開中所述的壓電諧振器的外部涂層基底103和104。然而，煅燒期間的收縮率較大。因此，產(chǎn)生的問題是，外部涂層基底103和104的尺寸精度不夠。
另一方面，在9-208261號日本未審查專利申請公開以及10-106880號日本未審查專利申請公開中使用玻璃-陶瓷復合材料?？稍诘蜏叵蚂褵Ａ?陶瓷復合材料。然而，煅燒期間的收縮率也很大，基底尺寸的精度也不夠。
為了克服上述問題，本發(fā)明的較佳實施例提供了一種電子部件的外部涂層基底，該基底被設置成在低溫下煅燒并實現(xiàn)尺寸精度的大大提高。此外，本發(fā)明的較佳實施例提供了一種壓電諧振部件，該部件具有被設置成在低溫下煅燒且尺寸精度較佳同時成本低的外部涂層基底。
依據(jù)本發(fā)明的第一較佳實施例，電子部件的外部涂層基底包括多層基底，該多層基底具有層疊在一起的第一材料層和第二材料層，其中在液相中燒結(jié)第一材料層，不在第一材料層的燒結(jié)溫度下燒結(jié)第二材料層。
在本發(fā)明的一個較佳實施例中，第一材料層最好由玻璃或玻璃-陶瓷制成。
最好，第一材料層不包含在濕的電鍍液中溶解的成分。
此外，最好在基底的至少一個主表面上形成凹陷(concave)部分。
外部涂層基底最好具有設置成夾住第二材料層的至少一部分的至少一對電容電極，由這對電容電極來限定一電容器。
在本發(fā)明的另一個較佳實施例中，最好在外部涂層基底中設置電阻元件和電感元件，它們由電阻材料和磁性材料制成。
在本發(fā)明的再一個較佳實施例中，在基底中，把至少兩層第一材料層與第二材料層層疊。
依據(jù)本發(fā)明的還有一個較佳實施例，一種壓電諧振部件包括壓電諧振元件和層疊在該壓電諧振元件的頂部和底部的第一及第二外部涂層基底，其中第一和第二外部涂層基底中的至少一個包括多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)具有包括在液相中燒結(jié)的第一材料層和不在第一材料層的燒結(jié)溫度下燒結(jié)的第二材料層的層疊結(jié)構(gòu)。
在以上段落中上述的較佳實施例的一個特殊例子中，壓電諧振元件為能陷型壓電諧振元件，第一和第二外部涂層基底層疊在壓電諧振元件上，從而限定允許能陷型壓電諧振元件作自由的無阻礙振動的空間。
在本發(fā)明的又一個較佳實施例中，凹陷部分最好設置在第一和第二外部涂層基底中至少一個的一個表面上，從而限定允許能陷型壓電諧振元件作自由的無阻礙振動的空間。
最好，在本發(fā)明的本較佳實施例中，第一材料層由玻璃或玻璃-陶瓷制成。
此外，第一和第二外部涂層基底最好不包含在濕的電鍍液中溶解的成分。
在第一和第二外部涂層基底的至少一個中，把至少一對電容電極設置成夾住第一材料層的至少一部分，由這對電容電極來限定一電容器。
此外，在第一和第二外部涂層基底的至少一個中，最好設置電阻元件和電感元件，且它們分別包括電阻材料和磁性材料。
此外，第一和第二外部涂層基底中的至少一個最好具有多個第一材料層。
依據(jù)本發(fā)明的各較佳實施例，壓電諧振部件包括一封裝基底、固定在封裝基底上的壓電諧振元件以及把壓電諧振元件固定于封裝基底的接合部件，其中封裝基底的楊氏模量小于構(gòu)成壓電諧振元件的壓電材料的楊氏模量。
在本發(fā)明的這一較佳實施例中，封裝基底最好是具有至少兩層的多層封裝基底。
多層封裝基底最好包括楊氏模量大于壓電材料的楊氏模量的第一層以及楊氏模量小于壓電材料的楊氏模量的第二層。
楊氏模量較小的第二層最好是由非晶玻璃和陶瓷粉末的復合材料制成的，楊氏模量較大的第二層最好由Al2O3或MgTiO3制成。
壓電諧振元件最好是具有壓電板及部分設置在壓電板上的諧振部分的能陷型壓電諧振元件。
依據(jù)本發(fā)明各較佳實施例的壓電諧振部件可形成具有依據(jù)上述壓電諧振元件、封裝基底和接合部件的各種結(jié)構(gòu)的部件。
在本發(fā)明的一個較佳實施例中，封裝基底最好層疊在壓電諧振元件的兩側(cè)上，從而允許壓電諧振元件作自由的無阻礙振動。
此外，最好把一蓋子加到封裝基底，以便包圍固定在封裝基底上的壓電諧振元件。
封裝基底最好具有容納壓電諧振元件的凹陷部分，最好把一罩子部件固定于封裝基底，以封閉凹陷部分。
從以下對較佳實施例的詳細描述并參考附圖，將使本發(fā)明的其它特征、特性、元件和優(yōu)點變得更加明顯起來。
圖1A和1B是依據(jù)本發(fā)明第一較佳實施例的壓電諧振部件的透視裝配圖以及外部涂層基底的透視裝配圖；圖2是依據(jù)本發(fā)明一個較佳實施例的壓電諧振部件的透視圖；圖3A到3D是代表依據(jù)本發(fā)明各較佳實施例的外部涂層基底中的第一和第二材料層的變化例子的剖面圖；圖4A和4B是依據(jù)本發(fā)明第二較佳實施例的壓電諧振部件的透視裝配圖以及外部涂層基底的透視裝配圖；圖5是依據(jù)本發(fā)明第三較佳實施例的壓電諧振部件的透視圖；圖6是在依據(jù)本發(fā)明第三較佳實施例的壓電諧振部件中所使用的外部涂層基底的透視裝配圖7是示出依據(jù)本發(fā)明各較佳實施例的外部涂層基底的變化例子的剖面圖；圖8是示出產(chǎn)生翹曲的外部涂層基底狀態(tài)的剖面圖；圖9是示出依據(jù)本發(fā)明各較佳實施例的外部涂層基底的另一個變化例子的剖面圖；圖10是常規(guī)的壓電諧振器的一個例子的剖面圖；圖11是常規(guī)的壓電諧振部件的另一個例子的剖面圖；圖12是常規(guī)的電子部件的另一個例子的剖面圖；圖13A和13B是依據(jù)本發(fā)明第四較佳實施例的壓電諧振部件的剖面圖和透視外觀；圖14是依據(jù)本發(fā)明第五較佳實施例的壓電諧振部件的剖面圖；圖15是依據(jù)本發(fā)明第六較佳實施例的壓電諧振部件的剖面圖；圖16是依據(jù)本發(fā)明第七較佳實施例的壓電諧振部件的剖面圖；圖17是依據(jù)本發(fā)明第八較佳實施例的壓電諧振部件的剖面圖；圖18是依據(jù)本發(fā)明第九較佳實施例的壓電諧振部件的剖面圖；以及圖19是依據(jù)本發(fā)明第十較佳實施例的壓電諧振部件的剖面圖。
圖2是依據(jù)本發(fā)明第一較佳實施例的壓電諧振部件的透視圖。壓電諧振部件1最好包括置于壓電諧振元件2的頂部和底部的第一和第二外部涂層基底5和6，該壓電諧振元件2插入粘合層3和4。
在壓電諧振部件1的外表面上設有外部電極7到9。在壓電諧振部件1中，把外部電極7到9分別設置成在一層疊體的外表面的一對側(cè)面、底面和頂面的一部分上延伸，其中層疊體層疊有上述壓電諧振元件2、粘合層3和4以及外部涂層基底5和6。換句話說，外部電極7到9設置成纏繞在上述層疊體的外圍(除了圖2所示層疊體頂面上被切斷的部分以外)。可省略在層疊體的頂面上延伸的外部電極的部分。
此較佳實施例包括外部涂層基底5和6的獨特設置。參考圖1A和1B來詳細描述上述壓電諧振部件。
圖1A是壓電諧振部件1的透視裝配圖，圖1B是下面的外部涂層基底4的透視裝配圖。
如圖1A所示，壓電諧振元件2最好包括具有基本上矩形形狀的壓電板10。壓電板10最好由例如鋯酸鈦酸鉛陶瓷等壓電陶瓷材料或例如晶體等壓電單晶制成。
激勵電極11置于壓電板10的頂面的近似中心。在壓電板10底部表面的近似中心也設有激勵電極(在圖1中未示出)，底面的激勵電極和激勵電極11設置成在夾住壓電板10的頂面和底面上相互面對。
在壓電板10的頂面上，激勵電極11連到沿末端邊緣10a設置的引出電極12。引出電極12設置成到達壓電板10的兩側(cè)邊緣。以下，側(cè)邊緣指沿垂直于末端邊緣10a的方向延伸的外部邊緣，它最終相應于層疊體的側(cè)面上所暴露的部分。即，在壓電諧振部件1中，引出電極12在上述層疊體的一對側(cè)面上暴露出來。
然后，引出電極12電氣連接到層疊體側(cè)面上的外部電極7。
類似地，置于底面上的激勵電極也連到一引出電極，該引出電極設置成到達壓電板10的底面上的兩側(cè)邊緣，該引出電極電氣連接到外部電極8。
上述壓電諧振元件2最好是能陷型壓電諧振元件，諧振部分最好包括具有設置成與底面上的激勵電極面對的激勵電極11的部分。粘合層3和4分別具有開口3a和3b，以限定允許諧振部分作自由的元阻礙振動的空間。即，粘合層3和4具有基本上為矩形的平面狀框架。
如圖1B所示，外部涂層基底6具有包括多個材料層13到17層疊插入內(nèi)部電極18到20的結(jié)構(gòu)。材料層14和16是第一材料層，它們最好由在液相中燒結(jié)的材料制成，材料層13、15和17是第二材料層，它們不在第一材料層14和16的燒結(jié)溫度下燒結(jié)。
即，在此較佳實施例中，把第一材料層14和16與第二材料層13、15和17交替層疊。然后，最好由第二材料層13和17來限定最外層。
作為構(gòu)成在液相中燒結(jié)的第一材料層14和16的材料，最好使用例如玻璃或玻璃-陶瓷復合材料。更具體來說，可使用晶體玻璃或各種非晶來構(gòu)成第一的材料層14，晶體玻璃例如鈣長石晶體玻璃、鎂橄欖石晶體玻璃、堇青石晶體玻璃、鋇長石晶體玻璃，非晶玻璃例如SiO2-MgO-Al2O3系列、SiO2-Al2O3系列、SiO2-Al2O3-CaO系列SiO2-Al2O3-BaO系列以及SiO2-CaO系列。
第二材料層13、15和17最好由不在第一材料層14和16(在液相中燒結(jié))的燒結(jié)溫度下燒結(jié)的材料構(gòu)成。作為這種材料，可使用具有高熔點的無機固體粉末，更具體來說，可使用Al2O3、BaTiO3、ZrO2、多鋁紅柱石和其它適當?shù)牟牧霞捌浠旌衔?。然而，?gòu)成第二材料層13、15和17的材料不限于如上所述的陶瓷材料而可使用玻璃材料，只要該玻璃材料的軟化點足夠高于構(gòu)成第一材料層14和16的材料且這種材料不在第一材料層的燒結(jié)期間燒結(jié)。
第一內(nèi)部電極18和第二及第三內(nèi)部電極19和20設置成在外部涂層基底6中限定一三端電容器。第一內(nèi)部電極18和第二及第三內(nèi)部電極19和20堆疊，從而夾住第二材料層15。第二內(nèi)部電極19具有在層疊體的側(cè)面上所暴露的引出部分19a，引出部分19a電氣連接到第一外部電極7。類似地，第三內(nèi)部電極20具有在層疊體的側(cè)面上暴露的引出部分20a，引出部分20a電氣連接到第二外部電極8。
此外，第一內(nèi)部電極18具有引出部分18a，該引出部分18a向外延伸到上述層疊體的側(cè)面的近似中心。引出部分18a電氣連接到第三外部電極9。
因此，該三端電容器連接在第一到第三外部電極7到9之間。尤其是，第一和第二外部電極7和8分別電氣連接到激勵電極11、底面、壓電諧振元件2底面上的激勵電極。因此，通過把第一和第二外部電極7和8連到輸入/輸出電極并把第三外部電極9接地，提供了一內(nèi)置式三端負載電容型壓電振蕩器。
在圖中未示出，但與下外部涂層基底6類似地設置上外部涂層基底5，在外部涂層基底5中，類似地提供了一三端電容器。
在本較佳實施例的壓電諧振元件1中，外部涂層基底6具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中第一材料層14和16與第二材料層13、15和17如上所述層疊。在此情況下，在由上述材料構(gòu)成時，在液相中燒結(jié)的第一材料層14和16的煅燒溫度(由其成份而變化)約為800℃到1000℃。即，在相對低的溫度下煅燒第一材料層14和16。在此情況下，構(gòu)成第二材料層13、15和17的材料不在第一材料層14和16(在液相中燒結(jié))的煅燒溫度下燒結(jié)。
因此，構(gòu)成第二材料層13、15和17的材料滲入液相燒結(jié)材料層，其后，煅燒在液相中燒結(jié)的第一材料層14和16，從而第一材料層14和16與第二材料層13、15和17混合并穩(wěn)固地結(jié)合起來。尤其是，第二材料層13、15和17限制了煅燒期間第一材料層14和16的收縮。然后，材料層13、15和17的限制效應防止了沿平行于第一材料層14和16主表面方向的收縮，從而可獲得具有高尺寸精度的外部涂層基底6。
類似地，在上外部涂層基底5中，由于類似于外部涂層基底6的設置，由起到限制材料層作用的第二材料層限制了煅燒期間第一材料層的收縮，則也可獲得具有非常高的尺寸精度的外部涂層基底5。
因此，依據(jù)本較佳實施例，由于大大提高了外部涂層基底5和6的尺寸精度，所以如上所述燒結(jié)溫度相對低，大大減少了外部涂層基底5和6的成本。在壓電諧振部件1中，由于使用如上所述尺寸精度高的外部涂層基底5和6，所以也有效地提高了壓電諧振部件1本身的外部尺寸精度。
此外，由于外部涂層基底5和6的尺寸精度大大提高，所以也明顯地提高了外部涂層基底5和6中所提供的三端電容器(作為電子部件的功能性元件)靜電容量的精度。
在本較佳實施例中，把第二材料層15設置在第一內(nèi)部電極18與第二和第三內(nèi)部電極19和20之間，以第二材料層15來取得靜電容量。然而，可把第一材料層設置在第一內(nèi)部電極18與第二和第三內(nèi)部電極19和20之間，以限定一靜電容量。
在本發(fā)明的各較佳實施例中，可設置第一材料層和第二材料層中的至少一層，可適當?shù)馗淖兠恳粚拥臄?shù)目、厚度和設置。例如，作為圖3A所示的外部涂層基底31，可在第一材料層32和33之間設置第二材料層34。相反，如圖3B所示，可在第二材料層35和36之間設置第一材料層37。如圖3C所示，可把第二材料層40和41層疊在由第一材料層38和39所限定的兩層的頂部和底部。
如圖3D所示，可把內(nèi)部電極43a到43c設置在第二材料層42的頂部和底部，以構(gòu)成一電容器，可把第一材料層44和45層疊在其頂層和底層上，可把第二材料層46和47層疊在最外層上。
在如上所述內(nèi)部電極位于外部涂層基底中的情況下，可通過印刷導電糊來形成內(nèi)部電極，其后，可與外部涂層基底同時煅燒內(nèi)部電極。在制備了構(gòu)成壓電諧振部件1的上述層疊體后，通過分開地涂敷導電糊并烘焙或通過例如汽相淀積等薄膜形成法來形成外部電極7到9。
可在煅燒外部涂層基底5和6前的階段制備上述層疊體，可給該層疊體涂敷導電糊，然后，可通過與外部涂層基底5和6的煅燒同時煅燒來完成外部電極7到9。
在第一較佳實施例中，最好通過如上所述的各種方法來形成外部電極7到9。此外，可通過外部電極表面上的濕式電鍍方法來形成鍍膜，以便提高可焊性和其它特性。在此情況下，最好使用不包含在濕式電鍍中的電鍍液溶解的成分(例如，Zr)的材料來構(gòu)成外部涂層基底5和6。即，作為第一和第二材料層，最好使用不包含在電鍍液中溶解的成分的上述材料，從而可形成具有較好抗鍍性的外部涂層基底5和6。
在本較佳實施例中，外部涂層基底5和6具有層疊了第一和第二材料層的結(jié)構(gòu)。然而，外部涂層基底之一可以是不依據(jù)本發(fā)明的較佳實施例構(gòu)成的外部涂層基底，例如可以是由從陶瓷、玻璃-陶瓷、玻璃或其它適當?shù)牟牧现羞x出的單種材料制成的基底。即，只要依據(jù)本發(fā)明各較佳實施例來構(gòu)成至少一個外部涂層基底，仍可大大提高依據(jù)本發(fā)明較佳實施例構(gòu)成的外部涂層基底的尺寸精度。因此，也可明顯地提高壓電諧振部件1的尺寸精度。
圖4A和4B是用于說明依據(jù)本發(fā)明第二較佳實施例的壓電諧振部件的透視裝配圖。在本較佳實施例中，把外部涂層基底51和52層疊在壓電諧振元件2的頂部和底部。在外部涂層基底52的頂面上設置一凹陷部分52a。在外部涂層基底51的底面上類似地形成一凹陷部分(在圖中未示出)。凹陷部分52a設置成限定允許壓電諧振元件的能陷型諧振部分作自由的無阻礙振動的空間。
圖4B是外部涂層基底52的透視裝配圖。在外部涂層基底52中，與依據(jù)第一較佳實施例的外部涂層基底6相類似的，在內(nèi)部設置第一到第三內(nèi)部電極18到20。
外部涂層基底52具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中上述內(nèi)部電極18到20與材料層53到60層疊在一起。其中，材料層53、55、56、58和60是第二材料層，材料層54、57和59是第一材料層。
構(gòu)成分別具有基本上為矩形的平面狀框架的材料層53到55具有基本上為矩形的開口53a到55a。開口53a到55a設置成限定上述凹陷部分52a。
至于其它方面，由于與第一較佳實施例相類似，省略有關相同的元件的說明，使用類似的標號來表示類似的元件。此外，在本較佳實施例中，與下外部涂層基底52相類似地設置上外部涂層基底51。然而，上外部涂層基底51可由不依據(jù)本發(fā)明較佳實施例構(gòu)成的外部涂層基底構(gòu)成。
在類似于第一較佳實施例的第二較佳實施例中，由于外部涂層基底52具有第一材料層54、57和59及第二材料層53、55、56、58和60層疊在一起的結(jié)構(gòu)，所以大大地提高了尺寸精度，且也可明顯提高三端電容器的靜電容量的精度。此外，可在低溫下煅燒外部涂層基底52。
因此，與第一較佳實施例相類似，在壓電諧振部件51中，可提高尺寸精度、減少成本并減少靜電容量的分散。
圖5和6是用于說明依據(jù)本發(fā)明第三較佳實施例的壓電諧振部件的透視裝配圖以及用于解釋外部涂層基底的透視裝配圖。
在依據(jù)本較佳實施例的壓電諧振部件中，把使用厚度滑動(thickness slip)模式的能陷型壓電諧振元件71儲藏在包括外部涂層基底72和73的封裝中。外部涂層基底72具有儲藏凹坑72a。儲藏凹坑72a在外部涂層基底72的頂面中開口，并構(gòu)成具有可儲藏壓電諧振元件71的尺寸。第一和第二外部電極7和8設置成從儲藏凹坑72a的底面向外部涂層基底72的側(cè)面延伸。第三外部電極9位于外部涂層基底72的側(cè)面的近似中心。第一到第三外部電極7到9不僅暴露在外部涂層基底72的側(cè)面上，而且也設置成經(jīng)由從側(cè)面經(jīng)由底面向相對的側(cè)面延伸。
另一方面，在壓電諧振元件71的頂面上形成第一激勵電極74。在底面上還形成一激勵電極，以面對位于壓電諧振元件71的近似中心的激勵電極74，其中這兩個電極位于頂面和底面上的相應位置。底面上的激勵電極向圖5中的右邊延伸，且經(jīng)由導電接合部件75電氣連接到儲藏凹坑72a中所暴露的外部電極8。激勵電極74置于壓電諧振元件71的頂面上，且在壓電諧振元件71的一端處從端面延伸到底面。底面上的激勵電極74的延伸部分經(jīng)由導電接合部件76電氣連接到儲藏凹坑72a中所暴露的外部電極7。壓電諧振元件71被儲藏在儲藏凹坑中夾住導電接合部件75和76并固定。
另一方面，壓電諧振元件71的諧振部分位于縱向的近似中心，在本較佳實施例中，由于上述導電接合部件75和76的厚度，所以在諧振部分下構(gòu)成了允許自由的無阻礙振動的空間。
蓋子形狀的外部涂層基底73具有向下的開口(在圖中未示出)，開口的外圍通過絕緣粘合劑(在圖中未示出)接合到外部涂層基底72。
本較佳實施例的特征在于，依據(jù)本發(fā)明的較佳實施例構(gòu)成外部涂層基底72。
未特別限制蓋子的材料，可使用例如氧化鋁等陶瓷、樹脂、金屬和其它適當?shù)牟牧稀＝饘龠m用于小型化且便于成形。未特別限金屬材料，可使用42Ni合金、鋁合金、鎳銀及其它適當?shù)慕饘佟?br> 如圖6所示，通過層疊材料層81到88來構(gòu)成外部涂層基底72，其中插入內(nèi)部電極18到20及外部電極7和8。在材料層81到88中，材料層82、85和87是第一材料層，材料層81、83、84和88是第二材料層。在材料層81到83中分別形成基本上為矩形的開口81a到83a，以限定上述凹坑72a。
通過涂敷和烘焙導電糊來形成插入材料層83和84之間的外部電極7和8的部分。與內(nèi)部電極18到20相類似，在煅燒外部涂層基底72時實行導電糊的烘焙。
與依據(jù)第一較佳實施例的內(nèi)部電極18到20相類似地構(gòu)成內(nèi)部電極18到20。
最好在材料層84到88的兩個側(cè)面中都形成槽口89，以導電糊填充槽口89。烘焙該糊，以構(gòu)成在外部涂層基底72的側(cè)面上暴露的外部電極7到9的部分。
在煅燒外部涂層基底72后，可通過任意方法來形成位于外部涂層基底72側(cè)面上的外部電極7和9的部分，例如可通過涂敷和烘焙導電糊或汽相淀積、電鍍或濺射等薄膜形成方法。
然而，如本較佳實施例中，由于在外部涂層基底72煅燒的同時，通過以導電糊填充槽口并在外部涂層基底72的煅燒期間，通過同時煅燒的方法形成位于側(cè)面上的外部電極7到9的部分、將在儲藏凹坑72a中暴露的部分以及將位于材料層88底面上的部分，所以實現(xiàn)了制造工藝的簡化。
在第三較佳實施例中，由于依據(jù)本發(fā)明的較佳實施例來構(gòu)成外部涂層基底72，所以大大提高了外部涂層基底72的尺寸精度，也明顯地減少了外部涂層基底72的成本。因此，也大大提高了壓電諧振部件的尺寸精度。此外，也大大減少了包含在外部涂層基底72中的三端電容器的靜電容量的分散。
在第一到第三較佳實施例中，僅參考一個壓電諧振部件的透況裝配圖來說明依據(jù)本發(fā)明的外部涂層基底和壓電諧振部件。然而，可在母基底的情況下制造依據(jù)本發(fā)明較佳實施例的外部涂層基底和壓電諧振部件，隨后在最后或煅燒前把母基底切割成各個外部涂層基底或壓電諧振部件單元。在使用常規(guī)外部涂層基底的情況下，由于煅燒期間的收縮，所以分散了上述凹坑72的尺寸精度，從而限制了可從母基底上切割下來的外部涂層基底的數(shù)目。此外，不得不在母基底中形成額外的空白區(qū)(margin area)，該空白區(qū)相應于每個壓電諧振部件和儲藏凹坑的凹坑部分的尺寸分散以及外部涂層基底的尺寸分散。因此，問題是最終獲得的壓電諧振部件的尺寸也變大了。
另一方面，如上所述，在使用依據(jù)本發(fā)明較佳實施例的外部涂層基底的情況下，由于尺寸精度大大提高，所以明顯地改善了凹坑部分或儲藏凹坑的尺寸精度，可增加從一母基底上切割下來的外部涂層基底或壓電諧振部件的數(shù)目，也可實現(xiàn)外部涂層基底和壓電諧振部件的小型化。
在依據(jù)本發(fā)明較佳實施例的外部涂層基底中，由改變第一和第二材料層的厚度及內(nèi)部電極的設置，可提供具有各種性能和特性的外部涂層基底。
例如，在圖7所示的外部涂層基底90中，堆疊內(nèi)部電極18到20，從而夾住具有高介電常數(shù)的第二材料層91，以構(gòu)成一三端電容器。因此，可構(gòu)成具有大的靜電容量的電容器。然后，把在液相中燒結(jié)的第一材料層92a和92b層疊在第二材料層91的頂部和底部。在第一材料層92a和92b的外部，層疊厚度小于第一材料層92a和92b的第二材料層93a和93b。在此情況下，位于中央的第二材料層91最好由例如鈦酸鋇介電陶瓷材料等高介電常數(shù)的材料構(gòu)成，以獲得大的靜電容量。即，如上所述，第二材料層91和第二材料層93a和93b的構(gòu)成材料可有所不同。
在圖8中所示的外部涂層基底中，把第二材料層95a和95b設在第一材料層94的頂部和底部，僅把電極96設置在其頂部。因此，在煅燒期間，存在由圖8所示的彎曲所引起的向下凸起的危險。在此情況下，如圖9所示，第一材料層94頂部的第二材料層95a可由熱膨脹系數(shù)與位于第一材料層94底部的第二材料層95b的熱膨脹系數(shù)不同的材料構(gòu)成。即，通過使第二材料層95a的熱膨脹系數(shù)小于第二材料層95b的熱膨脹系數(shù)，可防止外部涂層基底97的翹曲。
在第一到第三較佳實施例中，電容器位于外部涂層基底中。然而，可通過在內(nèi)部設置電阻材料或磁性材料來提供電阻元件或電感元件。即，可構(gòu)成各種電子部件的功能性元件，還可在外部涂層基底中內(nèi)置分散電學特性小的電子部件的功能性元件。
在第一和第二較佳實施例中，把第一和第二外部涂層基底層疊在一壓電諧振元件的頂部和底部。然而，可層疊多個壓電諧振元件，可把第一和第二外部涂層基底層疊在該層疊體的頂部和底部?？砂褍?nèi)部涂層基底插入多個壓電諧振元件之間。
如上所述，最好在壓電諧振部件中使用依據(jù)本發(fā)明較佳實施例的外部涂層基底。此外，對于壓電諧振部件以外的其它電子部件，可廣泛地使用外部涂層基底，則可提高電子部件的尺寸精度，減少成本并可在外部涂層基底中構(gòu)成電容器或電感的電路時使電學特性變得穩(wěn)定。
圖13A和13B是依據(jù)本發(fā)明第四較佳實施例的壓電諧振部件的剖面圖和透視外觀。
在壓電諧振部件101中，把第一和第二封裝基底103和104層疊在基本上為矩形的壓電諧振元件102的頂部和底部。
在壓電諧振部件101中，把第一和第二激勵電極106和107設置在壓電基底105的兩個主表面上。壓電基底105最好由例如鋯酸鈦酸鉛陶瓷等壓電陶瓷材料或例如晶體等壓電單晶來制成。這種壓電材料的楊氏模量通常約為5.0×1010到18×1010。在使用三次波(triple wave)的情況下，最好使用楊氏模量約為14.2×1010到16.2×1010的壓電材料。
把激勵電極106和107設置成在壓電板105的近似中心處的頂面和底面上相互面對，把激勵電極106和107設置成相互面對的部分構(gòu)成能陷型壓電諧振部件。激勵電極106引出到其中層疊有壓電諧振元件102、封裝基底103和104的結(jié)構(gòu)的一個端面，激勵電極107引出到其另一個端面。在所述層疊結(jié)構(gòu)的兩個端面上，分別設有外部電極108和109。
最好使用例如汽相淀積、電鍍或濺射等薄膜形成方法，通過放上例如Ag或Cu等導電材料來形成激勵電極106和107。
另一方面，最好通過類似的方法或通過涂敷和固化導電糊來形成外部電極108和109。
層疊在壓電諧振元件102上的封裝基底103和104的表面中具有凹陷部分103a和104a。把凹陷部分103a和104a設置成限定允許壓電諧振元件102的諧振部分作自由的無阻礙振動的空間。
在圖13未示出，通過最好由絕緣粘合劑制成的接合部件把所述封裝基底103和104固定在壓電諧振元件102上。
最好由楊氏模量低于壓電材料的楊氏模量的絕緣材料來制成所述封裝基底103和104。作為絕緣材料，可使用例如Al2O3和MgTiO3等絕緣陶瓷或非晶玻璃和陶瓷粉末的復合物或其它適當?shù)牟牧?。不特別限制封裝基底103和104的楊氏模量，只要它們低于壓電材料的楊氏模量，最好使用楊氏模量約為9.8×1010到11.8×1010的封裝基底。
因此，封裝基底的楊氏模量與壓電諧振元件102的楊氏模量之比最好在約0.60到約0.83的范圍內(nèi)。
在本較佳實施例中，經(jīng)由接合部件(在圖中未示出)把壓電諧振元件102中所產(chǎn)生的偽振動傳播到封裝基底103和104。然而，由于封裝基底103和104的楊氏模量相對小，所以偽振動被衰減。因此，可有效地抑制在諧振特性中出現(xiàn)亂真。
只要封裝基底的楊氏模量小于構(gòu)成壓電諧振元件102的壓電材料的楊氏模量，就可獲得上述亂真抑制效果。此外，當封裝基底103和104的楊氏模量在上述較佳范圍內(nèi)時，就可更有效地抑制亂真。
例如，在把鋯酸鈦酸鉛壓電陶瓷用作壓電材料的情況下，楊氏模量約為15.2×1010。在把如SiO2-MgO-Al2O3等非晶玻璃與Al2O3、BaTiO3或ZrO2等陶瓷粉末的復合物用作封裝基底103和104的情況下，楊氏模量約為10.8×1010，在使用純度為96％的Al2O3的情況下，由于純度的變化，使得楊氏模量為約32.0×1010。
圖14是依據(jù)本發(fā)明第五較佳實施例的壓電諧振部件的剖面圖。
在依據(jù)第五較佳實施例的壓電諧振部件111中，通過導電接合部件113和114把能陷型壓電諧振元件102結(jié)合到一基底上的封裝基底112上，并固定于封裝基底112。把激勵電極106設置在壓電板105的端面上并構(gòu)成延伸到底面，以導電接合部件113把壓電板105底面上的激勵電極106的一部分結(jié)合到封裝基底112上。
在封裝基底112的頂面上，設有延伸到其外部的端電極115和116。把端電極115和116結(jié)合到上述導電接合部件113和114。
此外，把蓋子117結(jié)合在封裝基底112上。蓋子117具有向下的開口，并通過絕緣粘合劑(在圖中未示出)結(jié)合在封裝基底112上，從而包圍壓電諧振元件102。
蓋子117最好由至少一個表面導電的材料(例如金屬)或通過以導電膜覆蓋絕緣材料的表面而制成的結(jié)構(gòu)來構(gòu)成。通過使用具有導電表面的這種蓋子117，可電磁屏蔽壓電諧振元件102。然而，蓋子可由絕緣材料或其它適當?shù)牟牧蠘?gòu)成。
此外，在本較佳實施例中，封裝基底112的楊氏模量最好小于構(gòu)成壓電諧振元件102的壓電板105的壓電材料的楊氏模量。因此，與第四較佳實施例相類似，在壓電諧振元件102中所產(chǎn)生的不想要的偽振動經(jīng)由導電接合部件113和114傳播到封裝基底112的情況下，由封裝基底112來衰減振動。因此，有效地抑制了諧振特性中不想要的亂真。
圖16是依據(jù)本發(fā)明第六較佳實施例的壓電諧振部件的剖面圖。在依據(jù)本較佳實施例的壓電諧振部件121中，封裝基底122具有凹陷部分122a，把壓電諧振元件102儲藏在凹陷部分122a中。即，封裝基底22具有向上開的開口，開口的內(nèi)部構(gòu)成凹陷部分122a。類似于第五較佳實施例，在凹陷部分122a中，通過導電接合部件113和114把壓電諧振元件102固定于封裝基底122。為了封閉凹陷部分122a，通過粘合劑(在圖中未示出)把一覆蓋部件123結(jié)合到封裝基底122的開口的端面上。
除了使用具有凹陷部分122a的封裝基底122而不用封裝基底112以及使用覆蓋部件123而非蓋子117以外，類似于第五較佳實施例來構(gòu)成本較佳實施例。即，封裝基底122的楊氏模量小于構(gòu)成壓電諧振元件102的壓電板105的壓電材料的楊氏模量。因此，類似于第五較佳實施，在封裝基底122中衰減了壓電諧振元件102中所產(chǎn)生的不想要的亂真，有效地抑制了諧振特性中出現(xiàn)亂真。
在上述第四到第六較佳實施例中，通過選擇壓電諧振元件和封裝基底的楊氏模量，如上所述有效地抑制了不想要的亂真。因此，容易制造依據(jù)第四到第六較佳實施例的壓電諧振部件，并可抑制不想要的亂真，而不增加壓電諧振部件的成本。
圖16是依據(jù)本發(fā)明第七較佳實施例的壓電諧振部件的剖面圖。
在依據(jù)第七較佳實施例的壓電諧振部件131中，把第一和第二封裝基底132和133層疊在壓電諧振元件102的頂部和底部。第七較佳實施例與第四較佳實施例的不同之處在于，第一和第二封裝基底132和133最好包括其中層疊有多個材料層的多層封裝基底。至于其它方面，由于類似于第四較佳實施例，所以除了對類似的元件使用相同的標號以外，省略對第四較佳實施例的相同元件的詳細說明。
封裝基底132的結(jié)構(gòu)是把第一到第五材料層132a到132e層疊在一起。其中，第一、第三和第五材料層132a、132c和132e最好由SiO2-MgO-Al2O3制成，第二和第四材料層132b和132d最好由Al2O3制成。因此，構(gòu)成第一、第三和第五材料層132a、132c和132e的SiO2-MgO-Al2O3的楊氏模量約為8.01×1010，構(gòu)成第二和第四材料層132b和132d的Al2O3的楊氏模量約為32.0×1010。通過控制第一、第三和第五材料層132a、132c和132e的厚度以及第二和第四材料層132b和132d的厚度，在本較佳實施例中，整個第一封裝基底132的楊氏模量約為10.8×1010。類似地，封裝基底133也具有層疊了第一到第五材料層132a到132e的結(jié)構(gòu)，其整個楊氏模量約為10.8×1010。
另一方面，壓電諧振元件102的壓電板105包括鋯酸鈦酸鉛陶瓷，其楊氏模量約為15.2×1010。
即，封裝基底132和133的楊氏模量與壓電材料的楊氏模量之比約為0.71。因此，類似于第四較佳實施例的較佳例子，在通過圖中未示出的接合部件把壓電諧振元件102中所產(chǎn)生的偽振動傳播到封裝基底132和133的情況下，由封裝基底132和133來衰減偽振動，可有效地抑制諧振特性中出現(xiàn)不想要的亂真。
可通過層疊和煅燒主要由非晶玻璃和陶瓷粉末制成的材料所構(gòu)成的生片材(green sheet)以及Al2O3制成的生片材來容易地獲得上述封裝基底132和133。即，它們可使用陶瓷多層基底的制造方法來容易地獲得。因此，壓電諧振部件131的成本不增加。
圖17是依據(jù)本發(fā)明第八較佳實施例的壓電諧振部件的剖面圖。在壓電諧振部件141中，把第一和第二封裝基底142和143層疊在壓電諧振元件102的兩個主表面上。除了封裝基底142和143的結(jié)構(gòu)不同于第七較佳實施例以外，類似于第七較佳實施例來構(gòu)成第八較佳實施例。
即，第一和第二封裝基底142和143是多層封裝基底。然而，此多層結(jié)構(gòu)不同于圖16所示的封裝基底132和133。
把第一封裝基底142作為一個例子。第一封裝基底142具有允許壓電諧振元件102的諧振部分作自由的無阻礙振動的凹陷部分142a。封裝基底142具有第一到第三材料層142b到142d。材料層142b到142d中的每一層都被設置成包圍上述凹陷部分142a。換句話說，在圖17所示的剖面圖中，第一到第三材料層142b到142d中每一層的形狀都類似于符號“]”，其中端部構(gòu)成結(jié)合到壓電諧振元件102的部分。這在封裝基底143中是類似的。因而，當封裝基底142和143為多層結(jié)構(gòu)時，可以各種形式來構(gòu)成每一材料層。
在第八較佳實施例中，由于第一和第二封裝基底142和143整體的楊氏模量小于構(gòu)成壓電諧振元件102的壓電材料的楊氏模量，所以類似于第四到第七較佳實施例，在封裝基底142和143中衰減了偽振動，結(jié)果，有效地抑制了諧振特性中出現(xiàn)不想要的亂真。
圖18是依據(jù)本發(fā)明第九較佳實施例的壓電諧振部件的剖面圖。
壓電諧振部件151相應于第五較佳實施例的修改，其不同之處僅在于使用多層封裝基底152而非在第五較佳實施例中所使用的封裝基底112。
封裝基底152具有其中層疊了第一到第三材料層152a到152c的結(jié)構(gòu)。第一和第三材料層152a和152c最好由SiO2-MgO-Al2O3制成，第二材料層152b最好由Al2O3制成。在本較佳實施例中，通過控制材料層的厚度，整個封裝基底152的楊氏模量約為10.8×1010。則，封裝基底152的楊氏模量與壓電材料的楊氏模量之比約為0.71。
因此，類似于第四到第八較佳實施例，可在封裝基底152中衰減壓電諧振元件102中所產(chǎn)生的偽振動，結(jié)果，可有效地抑制諧振特性中出現(xiàn)的亂真。
圖19是依據(jù)本發(fā)明第十較佳實施例的壓電諧振部件的剖面圖。壓電諧振部件161相應于第六較佳實施例的修改，其不同之處僅在于使用多層封裝基底162而非封裝基底122。
多層封裝基底162具有其中層疊了第一到第五材料層162a到162e的結(jié)構(gòu)。第一、第三和第五材料層162a、162c和162e最好由SiO2-MgO-Al2O3制成，第二和第四材料層162b和162d最好由Al2O3制成。通過控制第一到第五材料層162a到162e的厚度，整個封裝基底162的楊氏模量約為10.8×1010。
因此，封裝基底的楊氏模量與壓電材料的楊氏模量之比約為0.71，類似于第四到第九較佳實施例，在封裝基底162中衰減了壓電諧振元件102中所產(chǎn)生的偽振動。則，可有效地抑制諧振特性中出現(xiàn)不想要的亂真。
在上述第四到第九較佳實施例中，把使用能陷型壓電諧振元件102的情況作為一個例子進行說明。然而，在本發(fā)明的較佳實施例中，可把構(gòu)成多個能陷型諧振部分的壓電濾波元件用作上述壓電諧振元件。
此外，可使電極形成壓電諧振元件的一部分，除了壓電諧振部分以外，還可構(gòu)成例如電容器部分等其它電子部件功能性部分。
在依據(jù)本發(fā)明較佳實施例的電子部件的外部涂層基底中，由于層疊在液相中燒結(jié)的第一材料層以及不在第一材料層的燒結(jié)溫度下燒結(jié)的第二材料層，且在第一材料層燒結(jié)的溫度下進行煅燒，所以低溫煅燒是可能的。因此，大大地減少了外部涂層基底的成本。
由于在液相中燒結(jié)的第一材料層的機械強度較佳且具有約200kg/cm2到約2500kg/cm2的抗撓強度，所以可構(gòu)成抗撓強度高于常規(guī)介電陶瓷的抗撓強度(約800kg/cm2到約1500kg/cm2)且機械強度較佳的外部陶瓷基底。
此外，把第二材料層層疊在第一材料層上，由于第二材料層在第一材料層煅燒期間起到限制材料層的作用，所以限制了第一材料層在煅燒期間的收縮，則極大地提高了基底精度。因此，提供了具有極佳尺寸精度的外部涂層基底，實現(xiàn)了外部涂層基底以及使用該外部涂層基底的電子部件的薄型和小型化。
在第一材料層由玻璃或玻璃-陶瓷構(gòu)成的情況下，可在約800℃到1000℃的相對低的溫度下進行煅燒，可有效地減少外部涂層基底的成本。
在外部涂層基底不包含溶解于濕電鍍液的成分的情況下，由于通過例如在外部涂層基底的外表面上形成外部電極以及形成鍍膜來提高外部涂層基底的抗鍍性，所以大大增加了外部涂層基底及外部涂層基底的可靠性。
在外部涂層基底的至少一個主表面上設有凹陷部分的情況下，使用該凹陷部分可儲藏電子部件的元件(例如，壓電諧振元件)或形成允許能陷型壓電諧振元件的諧振部分作自由的無阻礙振動的空間。
在提供了夾住第一或第二材料層的至少一部分的至少一對電容電極且由這對電容電極來限定一電容器的情況下，由于提高了外部涂層基底的尺寸精度，所以也提高了電容器的靜電容量。尤其是，在提供了被設置成相互面對且夾住第二材料層的至少一部分的一對電容電極的情況下，可把具有高介電常數(shù)的陶瓷用作第二材料層，則可實現(xiàn)大的靜電容量。
在由電阻材料和磁性材料在外部涂層基底中構(gòu)成電阻元件和電感元件的情況下，通過提高基底的尺寸精度，可構(gòu)成具有極佳電阻和電感精度的電阻元件和電感元件。
在層疊至少兩層第一材料層的情況下，由于多個第一材料層而有效地提高了外部涂層基底的機械強度，也實現(xiàn)了外部涂層基底的薄型化。
在依據(jù)本發(fā)明較佳實施例的壓電諧振部件中，由于第一和第二外部涂層基底中的至少一個包括依據(jù)本發(fā)明較佳實施例的用于電子部件的外部涂層基底，所以大大提高了外部涂層基底的機械強度和尺寸精度。因此，提高了整個壓電諧振部件的尺寸精度和機械強度，由于可在低溫下煅燒外部涂層基底，所以減少了壓電諧振部件的成本。
此外，由于外部涂層基底的尺寸精度的提高，所以也減少了壓電諧振部件的特性分散。
依據(jù)本發(fā)明的較佳實施例，在壓電諧振元件是能陷型壓電諧振元件且把第一和第二外部涂層基底層疊在該壓電諧振元件上而限定允許能陷型壓電諧振元件的諧振部分作自由的無阻礙振動的空間的情況下，可提供尺寸精度極佳、機械強度高且能便宜制備的能陷型壓電諧振部件。
在把凹陷部分設在一表面上并層疊在壓電諧振元件上的情況下，在第一和第二外部涂層基底中的至少一個中，由凹陷部分來限定允許自由的無阻礙振動的空間。
在依據(jù)本發(fā)明較佳實施例的壓電諧振部件中，在第一材料層由玻璃或玻璃-陶瓷構(gòu)成的情況下，可在約800℃到約1000℃的相對低的溫度下進行煅燒，并可有效地減少外部涂層基底的成本。
在依據(jù)本發(fā)明較佳實施例的壓電諧振部件中，在第一和第二外部涂層基底不包含溶解于濕的電鍍液的成分的情況下，由于通過例如在外部涂層基底上形成外部電極以及形成鍍膜來提高外部涂層基底的抗鍍性，所以可大大增加外部涂層基底及電子部件的可靠性。
在提供了本發(fā)明較佳實施例的壓電諧振部件的第一和第二外部涂層基底中的至少一個以及設置成夾住第一材料層的至少一部分的至少一對電容電極的情況下，由這對電容電極來限定一電容器。則，由于外部涂層基底的尺寸精度的提高減少了電容器的靜電容量的分散。因此，提供了電容器的靜電容量分散小的內(nèi)置電容器型壓電諧振部件。
在依據(jù)本發(fā)明較佳實施例的壓電諧振部件中，在由電阻材料和磁性材料構(gòu)成外部涂層基底中電阻元件和電感元件的情況下，用提高基底的尺寸精度，可構(gòu)成電阻和電感精度較佳的電阻元件和電感元件。
在本發(fā)明較佳實施例的壓電諧振部件的第一和第二外部涂層基底中的至少一個具有多個第一材料層的情況下，因多個第一材料層而有效地提高了外部涂層基底的機械強度，也實現(xiàn)了外部涂層基底的薄型化。
在依據(jù)本發(fā)明較佳實施例的壓電諧振部件中，由于封裝基底的楊氏模量小于構(gòu)成壓電諧振元件的壓電材料的楊氏模量，所以在通過接合部件把壓電諧振元件中所產(chǎn)生的偽振動傳播到封裝基底的情況下，在封裝基底中衰減了該偽振動。因此，可有效地抑制諧振特性和濾波特性中出現(xiàn)不想要的亂真。
在本發(fā)明中，如上所述，由于可通過控制構(gòu)成封裝基底和壓電諧振元件的壓電材料的楊氏模量來有效地抑制不想要的亂真，所以大大簡化了制造工藝，也防止了壓電諧振部件成本的增加。
因此，可容易而便宜地提供不產(chǎn)生不想要的亂真且具有較佳特性的壓電諧振部件。
在上述封裝基底包括具有至少兩層的多層封裝基底的情況下，通過控制層數(shù)、厚度和構(gòu)成每一層的材料的其它特性，可容易地構(gòu)成楊氏模量小于壓電材料且能有效地抑制不想要的亂真的封裝基底。
在多層封裝基底具有楊氏模量大于壓電材料的楊氏模量的一層以及楊氏模量小于壓電材料的楊氏模量的一層的情況下，只要把整體的楊氏模量規(guī)定在小于壓電材料的楊氏模量的值，多層封裝基底就可由各種材料構(gòu)成。例如，通過層疊由楊氏模量較大但極佳耐熱性且尺寸穩(wěn)定的材料制成的層，可大大改善壓電諧振部件的尺寸穩(wěn)定性、耐熱性和其它特性。
可在例如由非晶玻璃和陶瓷粉末的復合物來制成楊氏模量較小的層時獲得這樣的結(jié)構(gòu)，且楊氏模量較大的層使用Al2O3或MgTiO3。
在壓電諧振元件為具有能量陷落諧振部分的能陷型壓電諧振元件的情況下，依據(jù)本發(fā)明的較佳實施例，可提供不想要的亂真最少且廉價的能陷型壓電諧振部件。
在把封裝基底層疊在壓電諧振元件的兩個表面上的情況下，可有效地抑制壓電諧振元件兩個表面上的不想要的亂真。
在把壓電諧振元件固定在一封裝基底上且把一蓋子部件結(jié)合到該封裝基底從而包圍壓電諧振元件的情況下，可通過封裝基底抑制不想要的亂真，并可通過蓋子部件把壓電諧振元件安全地密封在由封裝基底和蓋子構(gòu)成的封裝結(jié)構(gòu)中。
類似地，在封裝基底具有儲藏壓電諧振元件的凹陷部分且把一罩子部件固定于封裝部件的情況下，可通過封裝基底來抑制不想要的亂真，并可把壓電諧振元件安全地密封在由封裝基底和覆蓋部件構(gòu)成的封裝結(jié)構(gòu)中。
雖然參考較佳實施例描述了本發(fā)明，但根據(jù)以上揭示可對本發(fā)明進行許多修改和變化。因此，可理解，在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)，可實施本發(fā)明而不是如這里特別所述。
權(quán)利要求
1．一種電子部件的外部涂層基底，其特征在于包括由第一材料層和第二材料層層疊在一起的多層基底；其中第一材料層能在液相中燒結(jié)，第二材料層不能在第一材料層的燒結(jié)溫度下燒結(jié)。
2．如權(quán)利要求1所述的電子部件的外部涂層基底，其特征在于所述第一材料層由玻璃和玻璃-陶瓷之一制成。
3．如權(quán)利要求1所述的電子部件的外部涂層基底，其特征在于所述基底不包含能溶解于濕的電鍍液的成分。
4．如權(quán)利要求1所述的電子部件的外部涂層基底，其特征在于在所述基底的至少一個主表面上設有凹陷部分。
5．如權(quán)利要求1所述的電子部件的外部涂層基底，其特征在于所述基底具有至少一對電容電極，所述電容電極設置成相互面對并夾住所述第二材料層的至少一部分，由所述電容電極對來限定一電容器。
6．如權(quán)利要求1所述的電子部件的外部涂層基底，其特征在于在所述基底中設有電阻元件和電感元件，所述電阻元件和電感元件由電阻材料和磁性材料構(gòu)成。
7．如權(quán)利要求1所述的電子部件的外部涂層基底，其特征在于把至少兩層所述第一材料層與所述第二材料層層疊在一起。
8．一種壓電諧振部件，其特征在于包括壓電諧振元件；層疊在所述壓電諧振元件的頂部和底部的第一和第二外部涂層基底；其中所述第一和第二外部涂層基底中的至少一個包括多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)具有由第一材料層和第二材料層所限定的層疊體結(jié)構(gòu)，第一材料層能在液相中燒結(jié)，第二材料層不能在第一材料層的燒結(jié)溫度下燒結(jié)。
9．如權(quán)利要求8所述的壓電諧振部件，其特征在于所述壓電諧振元件是能陷型壓電諧振元件，所述第一和第二外部涂層基底被層疊在所述壓電諧振元件上，從而限定允許所述能陷型壓電諧振元件的諧振部分作自由的無阻礙振動的空間。
10．如權(quán)利要求9所述的壓電諧振部件，其特征在于在所述第一和第二外部涂層基底中至少一個的一個表面上設有凹陷部分，由所述凹陷部分來限定所述空間。
11．如權(quán)利要求8所述的壓電諧振部件，其特征在于所述第一材料層由玻璃和玻璃-陶瓷之一制成。
12．如權(quán)利要求8所述的壓電諧振部件，其特征在于所述第一和第二外部涂層基底不包含能溶解于濕的電鍍液的成分。
13．如權(quán)利要求8所述的壓電諧振部件，其特征在于在所述第一和第二外部涂層基底的至少一個中，至少一對電容電極設置成相互面對并夾住所述第一材料層的至少一部分，由所述電容電極對來限定一電容器。
14．如權(quán)利要求8所述的壓電諧振部件，其特征在于在所述第一和第二外部涂層基底的至少一個中設有電阻元件和電感元件，所述電阻元件和電感元件分別由電阻材料和磁性材料構(gòu)成。
15．如權(quán)利要求8所述的壓電諧振部件，其特征在于所述第一和第二外部涂層基底中的至少一個具有多個所述第一材料層。
16．一種壓電諧振部件，其特征在于包括外部涂層基底；置于所述外部涂層基底上的壓電諧振元件；置于所述外部涂層基底上覆蓋所述壓電諧振元件的蓋子；其中所述外部涂層基底包括多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)具有由第一材料層和第二材料層所限定的層疊體結(jié)構(gòu)，第一材料層能在液相中燒結(jié)，第二材料層不能在第一材料層的燒結(jié)溫度下燒結(jié)。
17．如權(quán)利要求16所述的壓電諧振部件，其特征在于所述壓電諧振元件是能陷型壓電諧振元件，在所述蓋子和所述外部涂層基底之間設有允許所述能陷型壓電諧振元件作自由的無阻礙振動的空間。
18．如權(quán)利要求17所述的壓電諧振部件，其特征在于在所述外部涂層基底的一個表面上設有凹陷部分，由所述凹陷部分來限定所述空間。
19．如權(quán)利要求16所述的壓電諧振部件，其特征在于所述第一材料層由玻璃和玻璃-陶瓷之一制成。
20．如權(quán)利要求16所述的壓電諧振部件，其特征在于所述外部涂層基底不包含能溶解于濕的電鍍液的成分。
21．如權(quán)利要求16所述的壓電諧振部件，其特征在于在所述外部涂層基底中設有至少一對電容電極，所述電容電極被設置成相互面對并夾住所述第一材料層的至少一部分，由所述電容電極對來限定一電容器。
22．如權(quán)利要求16所述的壓電諧振部件，其特征在于在所述外部涂層基底中設有電阻元件和電感元件，所述電阻元件和電感元件分別由電阻材料和磁性材料構(gòu)成。
23．如權(quán)利要求16所述的壓電諧振部件，其特征在于所述外部涂層基底具有多個所述第一材料層。
24．如權(quán)利要求16所述的壓電諧振部件，其特征在于所述外部涂層基底的楊氏模量小于構(gòu)成所述壓電諧振元件的壓電材料的楊氏模量。
25．如權(quán)利要求24所述的壓電諧振部件，其特征在于所述外部涂層基底是具有至少兩層的多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)具有楊氏模量大于壓電材料的楊氏模量的第一層以及楊氏模量小于壓電材料的楊氏模量的第二層。
26．如權(quán)利要求25所述的壓電諧振部件，其特征在于楊氏模量較小的所述層由非晶玻璃和陶瓷粉末的復合物制成，楊氏模量較大的所述層由Al2O3和MgTiO3之一制成。
27．如權(quán)利要求24所述的壓電諧振部件，其特征在于把一蓋子置于所述外部涂層基底上，所述蓋子被設置成包圍固定于所述外部涂層基底上的所述壓電諧振元件。
28．如權(quán)利要求24所述的壓電諧振部件，其特征在于所述外部涂層基底具有儲藏所述壓電諧振元件的凹陷部分，把固定于所述外部涂層基底的罩子部件設置成封閉所述凹坑。
全文摘要
一種電子部件的外部涂層基底,該基底構(gòu)成在低溫下煅燒,其成本大大降低同時也提高了基底的尺寸精度。電子部件的外部涂層基底包括多層結(jié)構(gòu),該多層結(jié)構(gòu)包括在液相中燒結(jié)的第一材料層以及在第一材料層的燒結(jié)溫度下不燒結(jié)的第二材料層。層疊第一和第二材料層,并在第一材料層的煅燒溫度下進行煅燒。
文檔編號H03H9/17GK1303172SQ0013747
公開日2001年7月11日 申請日期2000年12月20日 優(yōu)先權(quán)日1999年12月20日
發(fā)明者輪島正哉, 天野常男, 小谷謙一, 坂井健一 申請人:株式會社村田制作所