專利名稱：對(duì)輸入電容快速充電的射頻設(shè)備的制作方法
背景技術(shù)：
發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及射頻設(shè)備，更特別涉及具有看到一個(gè)電容的輸入晶體管的射頻設(shè)備，當(dāng)該射頻設(shè)備從關(guān)斷改變到接通，和/或到更高的增益模式時(shí)該電容需被充電。這種射頻設(shè)備可以是低噪聲放大器、混頻器、或任何其他適當(dāng)?shù)纳漕l設(shè)備。該射頻設(shè)備用于接收機(jī)、發(fā)射機(jī)或收發(fā)信機(jī)等等。
現(xiàn)有技術(shù)描述增益模式可轉(zhuǎn)換設(shè)備諸如低噪聲射頻放大器是已知的。這種設(shè)備具有至少兩個(gè)可轉(zhuǎn)換的增益通路、一個(gè)高增益通路和一個(gè)低增益通路。特別在諸如CDMA移動(dòng)無(wú)線電系統(tǒng)中，而且在馬來(lái)語(yǔ)的其他系統(tǒng)中，低噪聲射頻放大器應(yīng)該是高度線性的。表示線性的一個(gè)關(guān)鍵參量是所謂的放大器的輸入三階截獲點(diǎn)(IIP3)。這是放大器的三階節(jié)失真量度。該IIP3點(diǎn)被稱為放大器線性外延基頻特性截取該放大器三階特性的點(diǎn)，即，當(dāng)不同頻率的雙音施加到該輸入端即當(dāng)施加所謂的Δf調(diào)制時(shí)，在同樣的輸入功率時(shí)具有相同的輸出功率。在典型的CDMA應(yīng)用中，射頻是2GHz而此測(cè)試音調(diào)相差1MHz。諸如在美國(guó)，CDMA系統(tǒng)與所謂的AMPS系統(tǒng)共用其頻帶。在這種情況下，1IP3參量變成一個(gè)臨界射頻參量，因?yàn)楫?dāng)?shù)驮肼暦糯笃鞑怀浞值鼐€性時(shí)在希望的CDMA信號(hào)的附近的大AMPS信號(hào)作為阻塞信號(hào)工作。延長(zhǎng)低噪聲射頻放大器的線性范圍的一個(gè)措施是通過(guò)在晶體管的發(fā)射極和實(shí)施該射頻設(shè)備的集成電路的輸出管腳之間置入電阻和/或電感來(lái)惡化該低噪聲射頻放大器之輸入晶體管的發(fā)射極通路。該放大器的其他關(guān)鍵參量是其增益和噪聲系數(shù)。在這方面，良好的線性對(duì)噪聲系數(shù)的影響遞降使得進(jìn)行交替使用。為了改善該低噪聲射頻放大器的線性，此應(yīng)用中的大的接地電容最好連接到該輸入晶體管的輸入電極。諸如一個(gè)大的電容是通常在100pF到20nF范圍內(nèi)并在音頻調(diào)制時(shí)形成低阻抗。此輸入電極的輸入電極通常經(jīng)由隔直流電容器耦合到匹配網(wǎng)絡(luò)諸如50Ω匹配網(wǎng)絡(luò)。此外，寄生電容存在于此輸入晶體管的輸入電極。低噪聲射頻放大器可從輸入電極接近零伏特的低增益轉(zhuǎn)換到輸入電極受限制的電壓的高增益模式。低/高增益模式可以通過(guò)提供一個(gè)級(jí)聯(lián)晶體管設(shè)備實(shí)施，其中該輸入晶體管配置為共射放大器，在高增益模式接通而在低增益模式截止。在低增益模式時(shí)，會(huì)激活一個(gè)替換的低增益通路。輸入晶體管的適當(dāng)偏置導(dǎo)致該輸入晶體管截止。這種共射-共基放大器晶體管設(shè)備施加在SA2421類型的集成電路中。當(dāng)在類似于移動(dòng)無(wú)線電手機(jī)的便攜式收發(fā)信機(jī)中使用該射頻設(shè)備時(shí)這種模式開關(guān)是重要的，以致增加該收發(fā)信機(jī)的等候時(shí)間。為了不釋放數(shù)據(jù)，所謂的低噪聲射頻放大器從低增益轉(zhuǎn)換到高增益的翻轉(zhuǎn)時(shí)間較小是重要的。在輸入晶體管的輸入電極使用大的電容是力圖增加翻轉(zhuǎn)時(shí)間，因?yàn)榇箅娙莩潆姷狡湫枰慕油妷盒枰ㄙM(fèi)太長(zhǎng)時(shí)間，這種充電自然地通過(guò)偏置發(fā)生。
發(fā)明概述本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一個(gè)高度線性增益模式的可轉(zhuǎn)換的射頻設(shè)備，它當(dāng)從低增益轉(zhuǎn)換到高增益模式時(shí)具有短的轉(zhuǎn)換時(shí)間。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供單一增益模式的可轉(zhuǎn)換的射頻設(shè)備，它當(dāng)從截止轉(zhuǎn)換到接通模式時(shí)具有短的轉(zhuǎn)換時(shí)間。
本發(fā)明的另一目的是提供輸入噪聲系數(shù)幾乎不受影響的一個(gè)射頻設(shè)備。
本發(fā)明的又一目的是提供具有自動(dòng)輸入電容充電切斷機(jī)構(gòu)的一個(gè)射頻設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一個(gè)射頻設(shè)備，所述射頻設(shè)備包含一個(gè)輸入晶體管，含有輸入電極，從該輸入電極可以看到一個(gè)電容，所述輸入晶體管在接通模式和截止模式之間可轉(zhuǎn)換，和所述輸入電極接收射頻信號(hào)；和一個(gè)充電電路，當(dāng)所述輸入晶體管從所述模式轉(zhuǎn)換到所述接通模式時(shí)用于對(duì)所述電容充電。
在一個(gè)實(shí)施例中，該射頻設(shè)備進(jìn)一步包含增益模式轉(zhuǎn)換裝置，用于將所述射頻設(shè)備轉(zhuǎn)換為至少一個(gè)第一增益模式和一個(gè)第二增益模式，在所述第一增益模式中所述射頻設(shè)備具有比所述第二增益模式更低的增益，所述輸入晶體管耦合到所述增益模式轉(zhuǎn)換裝置，并且當(dāng)所述輸入晶體管從所述截止模式轉(zhuǎn)換到所述接通模式時(shí)，所述增益模式轉(zhuǎn)換裝置將所述射頻設(shè)備從所述第一增益模式轉(zhuǎn)換為所述第二增益模式。
該發(fā)明基于這種理解，即當(dāng)從截止轉(zhuǎn)換到接通時(shí)，和/或從低到高增益模式時(shí)，不依賴輸入晶體管獨(dú)自通過(guò)偏置自然充電，而是提供一個(gè)充電升壓以對(duì)從輸入晶體管看到的輸入電容充電，該轉(zhuǎn)換時(shí)間可以極大地降低。
在本發(fā)明的很有利的實(shí)施例中，定義該充電升壓機(jī)構(gòu)的斷開的數(shù)量或變量是不在該輸入晶體管輸入電極處測(cè)量的一個(gè)參量，而是在另一節(jié)點(diǎn)處測(cè)量的一個(gè)參量。由此，該射頻設(shè)備的輸入噪聲系數(shù)受到最低限度的影響。這種定量可以是一個(gè)經(jīng)由與接線串聯(lián)的諧振抑制電阻流過(guò)的電流，通過(guò)該接線向射頻設(shè)備提供直流電源。當(dāng)射頻設(shè)備轉(zhuǎn)到接通模式和/或高增益模式時(shí)，輸入電容已經(jīng)充電到足夠電平之后，輸入晶體管在射頻設(shè)備的輸出端執(zhí)行可檢測(cè)的一個(gè)電流。這種檢測(cè)用來(lái)自動(dòng)地切斷充電。
在本發(fā)明的一個(gè)有益實(shí)施例中，利用充電晶體管經(jīng)過(guò)電流放大獲得一個(gè)高的充電電流。為了使對(duì)輸入晶體管負(fù)荷的影響減到最小，一旦完成該電容的充電，該充電晶體管被完全關(guān)斷。由此，該充電過(guò)程對(duì)射頻設(shè)備的輸入噪聲系數(shù)施加最少的影響。
附圖簡(jiǎn)要描述

圖1是包含根據(jù)該發(fā)明的射頻設(shè)備的一個(gè)收發(fā)信機(jī)方框圖。
圖2示意地示出根據(jù)該發(fā)明的射頻設(shè)備之一個(gè)實(shí)施例的增益通路配置。
圖3示意地示出根據(jù)該發(fā)明的射頻設(shè)備之一個(gè)實(shí)施例的另一增益通路配置。
圖4示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施為低噪聲射頻放大器的一個(gè)射頻設(shè)備的詳細(xì)實(shí)施例。
圖5示出根據(jù)本發(fā)明的射頻設(shè)備中的電流反射鏡配置。
圖6示出根據(jù)本發(fā)明的射頻設(shè)備中的偏置電路。
圖7示出一個(gè)定時(shí)示意圖以說(shuō)明本發(fā)明的射頻設(shè)備從低增益模式轉(zhuǎn)換到高增益模式。
圖8示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施為混頻器的一個(gè)射頻設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例。
圖9示出根據(jù)本發(fā)明的射頻設(shè)備中的另一實(shí)施例。
圖10示出根據(jù)該發(fā)明的射頻設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例，其中該射頻設(shè)備是單一增益模式設(shè)備。
全部附圖中，同樣的部件使用同樣的參考數(shù)字。
詳細(xì)實(shí)施例的描述圖1是收發(fā)信機(jī)1的方框圖，包含一個(gè)低噪聲放大器2，在輸入側(cè)經(jīng)由接收/發(fā)送開關(guān)4耦合到天線3，并在輸出端耦合到下變頻器5。該收發(fā)信機(jī)進(jìn)一步包含一個(gè)微處理器6，用于控制增益模式轉(zhuǎn)換和/或低噪聲放大器2；一個(gè)發(fā)送混頻器7和一個(gè)發(fā)射功率放大器8。本發(fā)明實(shí)施在低噪聲放大器2中，但可以實(shí)施在任何其他適當(dāng)?shù)脑O(shè)頻設(shè)備諸如混頻器5中。
圖2示意地示出作為根據(jù)本發(fā)明的射頻設(shè)備之低噪聲放大器2的一個(gè)實(shí)施例的增益通路配置。該低噪聲放大器2包含三個(gè)隔離的增益通路、一個(gè)低增益通路20、一個(gè)中等增益通路21和一個(gè)高增益通路22。該增益通路20-22可通過(guò)一個(gè)可控開關(guān)23轉(zhuǎn)換。在其輸入端，從低噪聲放大器2看到一個(gè)電容，它可以是用于射頻的大的接地電容24，和/或耦合到阻抗匹配電路(未示出)的一個(gè)隔直流電容，和/或寄生電容。一個(gè)電感(未示出)可以是與大電容24串聯(lián)排列使得在射頻的匹配電路基本不受電容24的影響。大電容24可以包含在該匹配電路中。根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)受限制的電壓出現(xiàn)于低噪聲放大器2的輸入端時(shí)，由偏置定義，而且在開關(guān)27選通時(shí)，該高增益通路22接通并且在放大器輸入端看到的電容很快地通過(guò)除偏置外施加的一個(gè)充電電流源26進(jìn)行充電。在給定的實(shí)施例中，當(dāng)激活該低和中等增益通路20和21時(shí)，零電壓或浮動(dòng)信號(hào)出現(xiàn)在放大器的輸入端。
圖3示意地示出作為根據(jù)該發(fā)明的射頻設(shè)備之低噪聲放大器2的另一實(shí)施例的增益通路配置。此配置中，當(dāng)激活中等的和高增益通路時(shí)，一個(gè)有限的電壓出現(xiàn)在放大器的輸入端，并且接著通過(guò)相應(yīng)的開關(guān)33、34和35確定當(dāng)前激活該中等的和高增益通路31和32之一，接著放大器的輸入端充電電流源36很快地對(duì)電容37充電。
代替在附圖2和3示出的三個(gè)增益模式，低噪聲放大器2可以只具有兩個(gè)增益模式。
圖4示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施為低噪聲射頻放大器2的該射頻設(shè)備的詳細(xì)實(shí)施例。該放大器2包含一個(gè)輸入晶體管40，具有輸入電極41，耦合到射頻的大電容42和耦合到偏置電路43。該大電容42通常具有在100pF到20nF范圍內(nèi)的值?？刂戚斎?4確定該低噪聲射頻放大器2在定義為高增益模式的輸入電極41處是否具有有限的電壓，或在定義為低增益模式的輸入電極41處具有零或浮動(dòng)電壓。當(dāng)快速充電時(shí)在電容42上建立的有限電壓接通了輸入晶體管40。在低增益模式，輸入晶體管40截止。輸入晶體管40在共射-共基放大器晶體管配置中與另一個(gè)晶體管45接通。該輸入晶體管40配置為共射放大器，接線電感46可能經(jīng)由一個(gè)較小電阻(未示出)在其發(fā)射極接地，從而提供一個(gè)退化效果，延長(zhǎng)了輸入晶體管的輸入輸出電壓特性的線性范圍。另一個(gè)晶體管45的輸出電極47經(jīng)由電容49和接線電感50耦合到輸出端管腳48和耦合到由電感51和電阻52并行布置形成的一個(gè)負(fù)載上。在另一端，負(fù)載經(jīng)由小的電阻54和接線電感55耦合到電源端子53，并經(jīng)由電容56和接線電感57的串聯(lián)耦合到地。串聯(lián)裝置在射頻頻率處諧振，從并聯(lián)于電容56和接線57的接線55能夠發(fā)生的諧振由較小電阻54進(jìn)行阻尼。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，在58和59，在啟動(dòng)電容42的快速充電之后在輸入電極41不同的另一節(jié)點(diǎn)處建立電壓之后，區(qū)別地感知該低噪聲放大器是否接通。當(dāng)在輸入電極41處建立接通電壓時(shí)，如果該接通電壓大于使輸入晶體管40變成導(dǎo)通的給定晶體管40的基極-發(fā)射極電壓，則輸入晶體管40接通。通常，如果接通電壓在0.8和0.9伏特之間，輸入晶體管40變成完全導(dǎo)通。接著，電流iLNA流過(guò)共射-共基放大器設(shè)備。該電流iLNA還流過(guò)電阻54。從而，在低噪聲射頻放大器從低增益模式轉(zhuǎn)換到高增益之后，電阻54感知輸入晶體管40是否變成導(dǎo)通。節(jié)點(diǎn)58和59分別經(jīng)由相應(yīng)的二極管64和65耦合到充電電路63的輸入端子60和61。當(dāng)?shù)驮肼暽漕l放大器從低增益模式轉(zhuǎn)換到高增益模式時(shí)，充電電路63對(duì)電容42快速充電。該充電電路63包含差動(dòng)的晶體管66和67對(duì)，在其上相應(yīng)的輸入電極被耦合到輸入端子61和60.一個(gè)電源68，它被可控開關(guān)69關(guān)斷以節(jié)省功率，耦合到晶體管66和67的發(fā)射極。在該晶體管66和67中的相應(yīng)的電流被成比率的電流反射鏡70和71反射。電流反射鏡70中的反射電流被反射到一個(gè)成比率的電流反射鏡72之內(nèi)。該電流反射鏡71的反射電流和該電流反射鏡71的反射電流用代數(shù)方法加在電流節(jié)點(diǎn)73上。用于對(duì)電容42充電的電流放大充電晶體管75的輸入電極74被耦合到電流節(jié)點(diǎn)73。提供一個(gè)MOS晶體管用于在確信電容被完全地或至少充分地充電的瞬間切斷充電晶體管75，使得充電電路63停止對(duì)電容42的充電?？焖俪潆婋娐?3的操作如下。當(dāng)開關(guān)69閉合而開關(guān)76開啟時(shí)，只要iLAN＝0，在端子61和62的相應(yīng)電壓V1和V2，因此晶體管67中的主電流i1和i2相等。接著，比率電流反射鏡70-72的的電流比為5∶1，基極電流ib＝0.8i2＝0.8i1流入該充電晶體管75?？梢赃\(yùn)用其他比率。充電晶體管75將基極電流ib放大電流放大系數(shù)β，從而提供對(duì)電容42快速充電的充電電流iCHARGE。在輸入電極41建立的接通電壓接通輸入晶體管40之后使得iLNA≠0，由于因此引起在電阻54的電壓降，則V1≠V2。這導(dǎo)致i1＞＞i2使得電流反射鏡72降低所有電流而ib＝0。由此iCHARGE＝0并且電容42的充電自動(dòng)地停止。為了減小充電電路63在該低噪聲射頻放大器2的負(fù)載作用，其后控制晶體管76完全斷開充電晶體管75并且開關(guān)69打開以降低功率。必要時(shí)，通過(guò)重新連接電源68和斷開晶體管76再啟動(dòng)充電電路63。該低噪聲射頻放大器2還包含在低增益模式激活的一個(gè)低增益通路78。
附圖5示出在根據(jù)本發(fā)明的射頻設(shè)備中該電流反射鏡70-72的一個(gè)電流反射鏡配置。電流反射鏡70由雙極晶體管80和81組成，電流反射鏡71由雙極晶體管82和83組成，電流反射鏡72由MOS晶體管84和85組成。可以運(yùn)用MOS和雙極晶體管的任何其他適當(dāng)?shù)呐渲谩?br> 圖6示出根據(jù)本發(fā)明的射頻設(shè)備中的偏置電路90。電路90包含耦合到偏置電流源92的電流反射鏡晶體管91。通過(guò)接通或斷開同樣耦合到偏置電流源92的MOS晶體管，偏置電流被引向MOS晶體管93或提供到輸入晶體管40。當(dāng)?shù)驮肼暽漕l放大器處于低增益模式時(shí)偏置電流被引向MOS晶體管。
圖7示出一個(gè)定時(shí)示意圖以說(shuō)明本發(fā)明的射頻設(shè)備從低增益模式轉(zhuǎn)換到高增益模式。當(dāng)?shù)驮肼暽漕l放大器從低增益模式轉(zhuǎn)換到高增益模式時(shí)，在t＝t0瞬間，一個(gè)選通信號(hào)ENA提供到MOS晶體管76和開關(guān)69因此能使電容42充電。在t＝t1瞬間，電容完全地或至少充分地進(jìn)行充電并且電容42的充電自動(dòng)地停止。在其后的瞬間，如虛線所示，MOS晶體管76和開關(guān)69被控制以便完全斷開充電晶體管75使得該充電電路在高增益模式對(duì)放大器2的輸入噪聲系數(shù)具有最少的影響。
模擬結(jié)果已經(jīng)顯示，與沒有本發(fā)明的快速充電電路的低噪聲放大器相比，該快速充電極大地降低了放大器2的接通時(shí)間。通常，從輸入晶體管40看到的電容總數(shù)約為200pF，接通時(shí)間從1400ns減少到184ns，這是很大的一個(gè)減小。
圖8示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施為混頻器100的一個(gè)射頻設(shè)備的實(shí)施例?；祛l器100包含晶體管101和102的一個(gè)差動(dòng)對(duì)，其輸入端區(qū)別地耦合到本機(jī)振蕩器(未顯示)，其輸出端耦合到中頻(IF)負(fù)載103?；祛l器100的輸入晶體管104使其發(fā)射極經(jīng)由接線電感105藕合到地和使其基極耦合到輸入節(jié)點(diǎn)106。從輸入晶體管104看到一個(gè)電容，在此例子中假定是電容107，并接地。最好如圖4所示類型的快速充電電路使其耦合到輸入節(jié)點(diǎn)106，并使其感應(yīng)輸入端耦合到泄漏電阻器109和110。串聯(lián)排列的泄漏電阻器109和110還耦合到混頻器100的節(jié)點(diǎn)111。當(dāng)使電容107充電時(shí)，并且由于混頻器還沒有接通，在感應(yīng)輸入端的電壓相等，則有充電電流流動(dòng)。一旦額定電流流過(guò)泄漏電阻器109和110，則充電自動(dòng)地停止。在混頻器100的正常操作期間，充電電路108由禁止信號(hào)DIS而禁止。
圖9示出根據(jù)本發(fā)明射頻設(shè)備中具有充電電路120的另一實(shí)施例。輸入節(jié)點(diǎn)41還耦合到一個(gè)阻抗匹配電路121。代替感應(yīng)不同于此輸入節(jié)點(diǎn)的一個(gè)節(jié)點(diǎn)，在此實(shí)施例中感應(yīng)輸入節(jié)點(diǎn)41。充電電路120可以類似于圖4所示的充電電路或任何其他適宜的快速充電電路。
圖10示出根據(jù)該發(fā)明的射頻設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例，其中該射頻設(shè)備是單一增益模式設(shè)備。該單一的增益模式設(shè)備包含通過(guò)可控開關(guān)131在接通和斷開模式轉(zhuǎn)換的單一增益通路130。當(dāng)接通時(shí)，該增益通路130在其輸入端看到一個(gè)大電容132。同時(shí)，經(jīng)由可控開關(guān)133，充電電流源134被轉(zhuǎn)到該大電容132以便對(duì)電容132快速充電。在單一增益模式射頻設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例中，電路基本上與圖4所示的電路相同，但沒有低增益通路78。
鑒于上述，對(duì)所屬技術(shù)領(lǐng)域的專業(yè)人員來(lái)說(shuō)，顯然在本發(fā)明的范圍和精神之內(nèi)可以進(jìn)行各種修改，正如在下文中所附權(quán)利要求定義的，從而本發(fā)明不限于所提供的例子。單詞″包含″不排除不同于列在權(quán)利要求中的元件或步驟情況。
權(quán)利要求
1.一個(gè)射頻設(shè)備(2)包含一個(gè)輸入晶體管(40)，含有輸入電極(41)，從該輸入電極可以看到一個(gè)電容(42)，所述輸入晶體管(40)在接通模式和截止模式之間可轉(zhuǎn)換，和所述輸入電極(41)接收射頻信號(hào)；和一個(gè)充電電路(63)，當(dāng)所述輸入晶體管(40)從所述截止模式轉(zhuǎn)換到所述接通模式時(shí)用于對(duì)所述電容(42)充電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻設(shè)備(2)，還包含增益模式轉(zhuǎn)換裝置(23，44)，用于將所述射頻設(shè)備(2)轉(zhuǎn)換為至少一個(gè)第一增益模式(20)和一個(gè)第二增益模式(22)，在所述第一增益模式中所述射頻設(shè)備(2)具有比所述第二增益模式更低的增益，所述輸入晶體管(41)耦合到所述增益模式轉(zhuǎn)換裝置，并且當(dāng)所述輸入晶體管(41)從所述截止模式轉(zhuǎn)換到所述接通模式時(shí)，所述增益模式轉(zhuǎn)換裝置將所述射頻設(shè)備(2)從所述第一增益模式轉(zhuǎn)換為所述第二增益模式。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻(2)，其中所述充電電路(63)包含用于啟動(dòng)所述充電電路(63)的一個(gè)啟動(dòng)輸入(69，76)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻設(shè)備(2)，其中所述充電電路(63)包含檢測(cè)裝置(54，64，65)，用于檢測(cè)所述電容(42)是否被充電，如果所述電容(42)被充電了，所述檢測(cè)裝置使所述充電停止。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的射頻設(shè)備(2)，其中所述檢測(cè)裝置(54，64，65)被配置為在不同于由所述輸入電極(41)形成的節(jié)點(diǎn)的一個(gè)節(jié)點(diǎn)(58，59)處檢測(cè)所述射頻設(shè)備(2)的參量，并且當(dāng)所述電容(42)被充足電時(shí)出現(xiàn)所述第二值，如果所述參量從第一值變到第二值則自動(dòng)地停止所述充電。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的射頻設(shè)備(2)，其中所述檢測(cè)裝置包含用于感測(cè)所述參量的一個(gè)測(cè)流電阻器(54)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的射頻設(shè)備(2)，其中所述檢測(cè)裝置包含一個(gè)差動(dòng)放大器(66，67)，具有差動(dòng)輸入(60，61)以便檢測(cè)所述參量，第一電流反射鏡(70)用于在所述差動(dòng)放大器的輸出端反射第一輸出電流，一個(gè)第二電流反射鏡(71)用于反射所述差動(dòng)放大器的第二電流，和第三電流反射鏡(72)，耦合到所述第一和第二電流反射鏡(70，71)，當(dāng)開始所述充電時(shí)所述第二電流反射鏡(71)提供一個(gè)充電電流(ib)，并且如果所述參量采用所述第二值時(shí)所述第三反射鏡(72)完全地降低所述充電電流。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的射頻設(shè)備(2)，其中所述充電電路包含一個(gè)充電晶體管(75)，其一個(gè)輸入電極(74)接收所述充電電流(ib)，一個(gè)輸出電極提供放大的充電電流(iCHARGE)，所述放大的充電電流的電流對(duì)所述電容(42)充電。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的射頻設(shè)備(2)，其中所述充電電路(63)包含一個(gè)晶體管開關(guān)(76)，耦合到所述充電晶體管(75)的所述輸入電極(74)，控制所述晶體管開關(guān)(76)在所述電容(42)充足電時(shí)斷開所述充電晶體管(75)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻設(shè)備(2)，所述射頻(2)是低噪聲放大器，所述射頻設(shè)備還包含一個(gè)級(jí)聯(lián)晶體管(45)，它與所述輸入晶體管(41)構(gòu)成一個(gè)級(jí)聯(lián)電路。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻設(shè)備(2)，所述射頻設(shè)備(2)是一個(gè)混頻器，所述射頻設(shè)備還包含一個(gè)差動(dòng)對(duì)(101，102)，對(duì)其輸入端提供本機(jī)振蕩器信號(hào)，所述差動(dòng)對(duì)的主電流通路配置在中頻負(fù)載(103)和所述輸入晶體管(104)的一個(gè)輸出電極之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的射頻設(shè)備(2)，其中所述充電電路(63)配置為在由所述差動(dòng)對(duì)(101，102)和所述輸入晶體管(104)形成的節(jié)點(diǎn)(111)處感測(cè)一個(gè)參量。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的射頻設(shè)備(2)，其中所述射頻設(shè)備包含耦合到所述節(jié)點(diǎn)(111)的一個(gè)測(cè)流電阻器(109，110)。
14.具有射頻設(shè)備(2)的一個(gè)射頻接收機(jī)(1)，所述射頻設(shè)備(2)包含一個(gè)輸入晶體管(40)，含有輸入電極(41)，從該輸入電極中可以看到一個(gè)電容(42)，所述輸入晶體管(40)在接通模式和截止模式之間可轉(zhuǎn)換，和所述輸入電極(41)接收射頻信號(hào)；和一個(gè)充電電路(63)，當(dāng)所述輸入晶體管(41)從所述截止模式轉(zhuǎn)換到所述接通模式時(shí)用于對(duì)所述電容(42)充電。
15.一種用于對(duì)從射頻設(shè)備(2)的輸入晶體管(40)看的一個(gè)電容(42)進(jìn)行充電的方法，所述輸入晶體管(40)在接通模式和斷開模式之間轉(zhuǎn)換，所述方法包含在所述輸入晶體管(40)的一個(gè)輸入電極(41)處接收射頻信號(hào)；和當(dāng)所述輸入晶體管(40)從所述斷開模式轉(zhuǎn)換到所述接通模式時(shí)，對(duì)所述電容(42)充電。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包含為在不同于由所述輸入電極(41)形成的節(jié)點(diǎn)的一個(gè)節(jié)點(diǎn)(58，59)處檢測(cè)所述射頻設(shè)備(2)的參量，并且當(dāng)所述電容(42)被充足電時(shí)出現(xiàn)所述第二值，如果所述參量從第一值變到第二值則使自動(dòng)地停止所述充電。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述參量是電流。
全文摘要
設(shè)頻設(shè)備具有一個(gè)輸入晶體管，從該輸入晶體管可以看到一個(gè)電容，快速充電電路對(duì)該電容充電。輸入晶體管接收射頻信號(hào)。當(dāng)設(shè)備從截止模式轉(zhuǎn)變到接通模式或從低增益模式轉(zhuǎn)化到高增益模式時(shí)該電容被快速充電，由此降低了該設(shè)備的接通時(shí)間。
文檔編號(hào)H03F3/72GK1430808SQ01802279
公開日2003年7月16日 申請(qǐng)日期2001年5月29日 優(yōu)先權(quán)日2000年6月6日
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