專(zhuān)利名稱(chēng)：高線性度的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于轉(zhuǎn)導(dǎo)電路，特別是有關(guān)一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路(CMOS transconductor circuit)。
(2)背景技術(shù)轉(zhuǎn)導(dǎo)(transconductor)電路是轉(zhuǎn)導(dǎo)電容濾波器(transconductor-capacitorfilter，or Gm-C filter)中的最基本的構(gòu)成元件，其電路表現(xiàn)直接影響了轉(zhuǎn)導(dǎo)電容濾波器的電路表現(xiàn)，因此增進(jìn)轉(zhuǎn)導(dǎo)電路的電路表現(xiàn)是設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)導(dǎo)電路濾波器中最重要的事。由于轉(zhuǎn)導(dǎo)器一般均用于開(kāi)路電路(open loop circuit)中，因此無(wú)法有一般負(fù)反饋閉路電路(negative feedback closed loop circuit)可藉負(fù)反饋來(lái)增加電路的線性度的優(yōu)勢(shì)。
因此一般由轉(zhuǎn)導(dǎo)器所構(gòu)成的電路(例如Gm-C filter)的線性度均比由操作放大器所構(gòu)成的負(fù)反饋電路(例如active RC filter)來(lái)得差。不過(guò)由于開(kāi)路電路具有比閉路電路高速的優(yōu)點(diǎn)，因此由轉(zhuǎn)導(dǎo)器所構(gòu)成的轉(zhuǎn)導(dǎo)電容濾波器均用于高速(100MHz range)、對(duì)線性度(＜50dBc)要求不重要的濾波器的應(yīng)用中。
但是對(duì)于低速高線性度(1MHz range，＞65dBc)要求的濾波器則是以active RCfilter為主。然而在10MHz range且線性度要求在60dBc左右的濾波器而言，則是兩種實(shí)現(xiàn)架構(gòu)各有所長(zhǎng)、但又有所不足。對(duì)于使用轉(zhuǎn)導(dǎo)器所構(gòu)成的轉(zhuǎn)導(dǎo)電容濾波器而言，其轉(zhuǎn)導(dǎo)電路的線性度直接左右了其線性度的表現(xiàn)，因此增加轉(zhuǎn)導(dǎo)器的線性度表現(xiàn)便成為了當(dāng)務(wù)之急。此時(shí)若能有一個(gè)高速且高線性的轉(zhuǎn)導(dǎo)電路則可以滿(mǎn)足如此的需求。
圖1顯示一利用局部反饋的轉(zhuǎn)導(dǎo)電路(參考Z.Y.Chang，D.Haspeslagh，andJ.Verfaillie，″A highly linear CMOS Gm-C bandpass filter with on-chipfrequency tuning，″IEEE JSSC，Vol.32，No.3，pp.388-397，March 1997.)。如圖1所示，其中差動(dòng)放大器100與輸入P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管102所構(gòu)成的負(fù)反饋，藉以將Vxp利用負(fù)反饋鎖至VIP，同理Vxn亦鎖至VIN。因此電阻上便會(huì)流經(jīng)一電流。則PMOS晶體管102上便會(huì)流經(jīng)一電流I-ΔI，所以在輸出端便會(huì)流出一電流，在此轉(zhuǎn)導(dǎo)器的轉(zhuǎn)導(dǎo)(transonductance，Gm)為Gm＝1/R。由此可看出轉(zhuǎn)導(dǎo)器的轉(zhuǎn)導(dǎo)經(jīng)由負(fù)反饋的作用會(huì)與線性電阻相等，因此可以有相當(dāng)線性的轉(zhuǎn)導(dǎo)(transconductance)。
然而，圖1中由轉(zhuǎn)導(dǎo)電路所構(gòu)成的Gm-C積分器，由于積分電容并不在此轉(zhuǎn)導(dǎo)電路的負(fù)反饋路徑中也因此限制了其線性度。而且轉(zhuǎn)導(dǎo)電路的區(qū)域負(fù)反饋增益值亦受限于差動(dòng)放大器100，同時(shí)其輸入范圍亦受限于差動(dòng)放大器100的共模(common mode)輸入范圍，并且其所獲得的增異亦有限，所以需要將差動(dòng)放大器100以更高增益的放大器架構(gòu)來(lái)達(dá)成以提升轉(zhuǎn)導(dǎo)電路的線性度。
由于一般的轉(zhuǎn)導(dǎo)電路其線性度均比由操作放大器所構(gòu)成的負(fù)反饋電路來(lái)的差，但是具有適于高頻操作的特性，因此由一般轉(zhuǎn)導(dǎo)電路器所構(gòu)成的轉(zhuǎn)導(dǎo)電容濾波器均用于高頻但是對(duì)線性度要求不是很重要的應(yīng)用的中。
(3)發(fā)明內(nèi)容因此本發(fā)明的目的是為克服傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)導(dǎo)電路所產(chǎn)生的線性度的不足等諸多缺點(diǎn)而提出一互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路，用以同時(shí)提供高速與高線性度的特性。
本發(fā)明的另一目的是提供一種高線性的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路，可以穩(wěn)定工作于高頻、高線性的應(yīng)用中，用以達(dá)到習(xí)知的轉(zhuǎn)導(dǎo)電路所無(wú)法兼顧的高線性度及高頻率的要求。
根據(jù)以上所述的目的，本發(fā)明提供一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)轉(zhuǎn)導(dǎo)電路，包括輸出晶體管，此輸出晶體管的閘極用以接受第二電流源的輸入，而輸出晶體管的源極用以接受第一電流源的輸入，并且由輸出晶體管的汲極輸出電流；電阻，是連接輸出晶體管的源極；及區(qū)域負(fù)反饋電路，是將輸出晶體管的閘極負(fù)反饋連接至輸出晶體管的源極，并使得此互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路的轉(zhuǎn)導(dǎo)值為電阻值的倒數(shù)。
以上所述的區(qū)域負(fù)反饋電路包括第一晶體管，其源極連接至輸出晶體管的源極；第二晶體管，此第二晶體管的汲極用以連接輸出晶體管的閘極；及第三晶體管，此第三晶體管的源極接地且汲極連接至第二晶體管的源極，且第一晶體管的汲極亦同時(shí)連接第二晶體管的源極及第三晶體管的汲極。而且本發(fā)明還包括一第四晶體管，使得第一晶體管的汲極更改連接至第四晶體管的汲極，且第四晶體管的閘極與第三晶體管的閘極連接。
根據(jù)以上所述本發(fā)明的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路，它是利用一區(qū)域負(fù)反饋回路來(lái)取代使用操作放大器的一般轉(zhuǎn)導(dǎo)電路，用以兼顧高線性度與高頻特性，并使其可穩(wěn)定應(yīng)用其高線性及高頻的特性，尤其是應(yīng)用于設(shè)計(jì)一具高線性度與高頻的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電容濾波器上。
為進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的目的、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和效果，以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述。
(4)


圖1是顯示一習(xí)知轉(zhuǎn)導(dǎo)電路的電路結(jié)構(gòu)圖；圖2是說(shuō)明本發(fā)明的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路的一較佳實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)圖；及圖3是說(shuō)明本發(fā)明的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路的另一較佳實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)圖。
(5)具體實(shí)施方式
本發(fā)明的一些實(shí)施例會(huì)詳細(xì)描述如下。然而，除了詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以廣泛地施行在其他的實(shí)施例中，且本發(fā)明的范圍不受其限定，而是以權(quán)利要求書(shū)的專(zhuān)利范圍為準(zhǔn)。由于一般的轉(zhuǎn)導(dǎo)電路其線性度均比由操作放大器所構(gòu)成的負(fù)反饋電路來(lái)得差，但是具有高頻的特性，因此由一般轉(zhuǎn)導(dǎo)電路器所構(gòu)成的轉(zhuǎn)導(dǎo)電容濾波器均用于高頻但是對(duì)線性度要求不是很重要的應(yīng)用中。
本發(fā)明的高線性的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路，可以穩(wěn)定工作于高頻、高線性的應(yīng)用中，用以達(dá)到習(xí)知的轉(zhuǎn)導(dǎo)電路所無(wú)法兼顧的高線性度及高頻率的要求。因此，本發(fā)明的高線性的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路利用一區(qū)域負(fù)反饋回路來(lái)取代開(kāi)路操作的一般轉(zhuǎn)導(dǎo)電路，用以兼顧高線性度與高頻特性。
本發(fā)明提供一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)轉(zhuǎn)導(dǎo)電路，包括輸出晶體管，此輸出晶體管的閘極用以接受第二電流源的輸入，而輸出晶體管的源極用以接受第一電流源的輸入，并且由輸出晶體管的汲極輸出電流；電阻，是連接輸出晶體管的源極；及區(qū)域負(fù)反饋電路，是將輸出晶體管的閘極負(fù)反饋連接至輸出晶體管的源極，并使得此互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路的轉(zhuǎn)導(dǎo)值為電阻值的倒數(shù)。
然而以上所述的區(qū)域負(fù)反饋電路包括第一晶體管，其源極連接至輸出晶體管的源極；第二晶體管，此第二晶體管的汲極用以連接輸出晶體管的閘極；及第三晶體管，此第三晶體管的源極接地且汲極連接至第二晶體管的源極，且第一晶體管的汲極亦同時(shí)連接第二晶體管的源極及第三晶體管的汲極。而且本發(fā)明更包括一第四晶體管，使得第一晶體管的汲極更改連接至第四晶體管的汲極，且第四晶體管的閘極與第三晶體管的閘極連接。
圖2用以說(shuō)明本發(fā)明的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路的一較佳實(shí)施例，而圖3則用以說(shuō)明本發(fā)明的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路的另一較佳實(shí)施例。
如圖2所示，其中第一晶體管201、第二晶體管202、第三晶體管203、第四晶體管204與第一電流源210構(gòu)成一區(qū)域負(fù)反饋放大器(local negativefeedback amplifier)，如此的區(qū)域負(fù)反饋放大器與輸出晶體管205構(gòu)成一區(qū)域負(fù)反饋回路(local negative feedback loop)。其中，第二晶體管202的汲極用以連接輸出晶體管205的閘極及第一電流源210，而第三晶體管203的源極接地且汲極連接至第二晶體管202的源極。第四晶體管204的源極接地、閘極與第三晶體管203的閘極連接、汲極則與第一晶體管201的汲極連接，并且第四晶體管204的汲極另有一跳線連接至閘極。第一晶體管201的源極則連接至輸出晶體管205的源極，所以整個(gè)連接結(jié)構(gòu)形成一區(qū)域負(fù)反饋回路。
于此一較佳實(shí)施例中，第一晶體管201與輸出晶體管205為P型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，而第二晶體管202、第三晶體管203及第四晶體管204則為N型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。然而于其他的實(shí)施例中當(dāng)?shù)谝痪w管201與輸出晶體管205以N型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管實(shí)施時(shí)，則第二晶體管202、第三晶體管203及第四晶體管204必須以P型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管來(lái)實(shí)施，但是其動(dòng)作原理不變。
如圖2所示，其中如輸入電壓VIP下降了ΔV，則第一晶體管201的電流將增加，則Vcp將會(huì)上升，因此第三晶體管203的電流將會(huì)增加因而造成Vfp下降，因此讓輸出晶體管205的電流增加因而讓Vxp下降，因此整個(gè)回路為區(qū)域負(fù)反饋回路。
并且第四晶體管204及第三晶體管203所構(gòu)成的電流鏡(current mirror)的比例為1∶1時(shí)，則平衡時(shí)第一晶體管201流過(guò)的電流應(yīng)為第一電流源210(因?yàn)槠胶鈺r(shí)流過(guò)第三晶體管203的電流應(yīng)該為I1，且流過(guò)第四晶體管204的電流與流經(jīng)第三晶體管203相同，而流過(guò)第一晶體管201的電流又會(huì)與流經(jīng)第四晶體管204的相同)，所以輸出晶體管205流經(jīng)的電流為I-ΔI，因此輸出電流應(yīng)為-ΔI，其中ΔI＝ΔV/R，因此轉(zhuǎn)導(dǎo)器的轉(zhuǎn)導(dǎo)應(yīng)為Gm＝1/R。
因此于圖2中，第一晶體管201、第二晶體管202、第三晶體管203、第四晶體管204及第一電流源210具有如同于習(xí)知的轉(zhuǎn)導(dǎo)電路中差動(dòng)放大器的功能。惟不同的是本發(fā)明的較佳實(shí)施例中的區(qū)域負(fù)反饋回路，可以輕易的實(shí)現(xiàn)較大的回路增益(loop gain)，因此可以也具有較佳的線性度。
然而本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例為如圖3所示，其中第二晶體管302的汲極用以連接輸出晶體管305的閘極及第一電流源310，而第三晶體管303的源極接地且第三晶體管303的汲極連接至第二晶體管302的源極。第一晶體管301的源極則連接至輸出晶體管305的源極，且第一晶體管301的汲極亦同時(shí)連接第二晶體管302的源極及第三晶體管303的汲極。
于此另一較佳實(shí)施例中，第一晶體管301與輸出晶體管305為P型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，而第二晶體管302、第三晶體管303則為N型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。然而當(dāng)?shù)谝痪w管301與輸出晶體管305以N型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管實(shí)施時(shí)，則第二晶體管302及第三晶體管303必須以P型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管實(shí)施，但是其動(dòng)作原理不變。
其中，當(dāng)輸入電壓VIP下降了ΔV，則第一晶體管301的電流將增加，則Vcp將會(huì)上升，因此第二晶體管302的電流將會(huì)減少因而造成Vfp下降造成輸出晶體管305的電流增加因而讓Vxp下降，因此整個(gè)回路仍然為區(qū)域負(fù)反饋回路。
當(dāng)圖3所示的電路于平衡狀態(tài)時(shí)，第一晶體管301流過(guò)的電流應(yīng)為第一電流源310所提供的電流值I1，所以輸出晶體管305流經(jīng)的電流為I-ΔI，因此輸出電流應(yīng)為-ΔI，其中ΔI＝ΔV/R，因此轉(zhuǎn)導(dǎo)器的轉(zhuǎn)導(dǎo)應(yīng)為Gm＝1/R。
因此于圖3中，第一晶體管301、第三晶體管303、第二晶體管302及第一電流源310具有如同于習(xí)知轉(zhuǎn)導(dǎo)電路中差動(dòng)放大器的功能。惟不同的是本發(fā)明的較佳實(shí)施例中的區(qū)域負(fù)反饋回路，可以輕易的實(shí)現(xiàn)較大的回路增益(loop gain)，因此可以也具有較佳的線性度。
根據(jù)以上所述本發(fā)明的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路利用一區(qū)域負(fù)反饋回路來(lái)取代使用操作放大器的一般轉(zhuǎn)導(dǎo)電路，用以兼顧高線性度與高頻特性。并使其可穩(wěn)定應(yīng)用其高線性及高頻的特性，尤其是應(yīng)用于設(shè)計(jì)一具高線性度與高頻的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電容濾波器上。
當(dāng)然，本技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，以上的實(shí)施例僅是用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明，而并非用作為對(duì)本發(fā)明的限定，只要在本發(fā)明的實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)，對(duì)以上所述實(shí)施例的變化、變型都將落在本發(fā)明權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路，其特征在于，包括一輸出晶體管，該輸出晶體管的閘極用以接受一第一電流源的輸入，而該輸出晶體管的源極用以接受一第二電流源的輸入，并且由該輸出晶體管的汲極輸出電流；一電阻，是連接該輸出晶體管的源極；及一區(qū)域負(fù)反饋電路，是將該輸出晶體管的閘極負(fù)反饋連接至該輸出晶體管的源極，并使得該互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路的轉(zhuǎn)導(dǎo)值為該電阻值的倒數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路，其特征在于，所述的輸出晶體管為一互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
3.如權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路，其特征在于，所述的區(qū)域負(fù)反饋電路包括一第一晶體管，該第一晶體管的源極連接至該輸出晶體管的源極；一第二晶體管，該第二晶體管的汲極用以連接該輸出晶體管的閘極；及一第三晶體管，該第三晶體管的源極接地且該第三晶體管的汲極連接至該第二晶體管的源極，且該第一晶體管的汲極亦同時(shí)連接該第二晶體管的源極及該第三晶體管的汲極。
4.如權(quán)利要求3所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路，其特征在于，所述的輸出晶體管為一P型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、第一晶體管為一P型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、第二晶體管為一N型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、第三晶體管為一N型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
5.如權(quán)利要求3所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路，其特征在于，所述的輸出晶體管為一N型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、第一晶體管為一N型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、第二晶體管為一P型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、第三晶體管為一P型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
6.如權(quán)利要求3所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路，其特征在于，還包括一第四晶體管，使得該第一晶體管的汲極更改連接至該第四晶體管的汲極，且該第四晶體管的閘極與該第三晶體管的閘極連接。
7.一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路，其特征在于，包括一輸出晶體管，該輸出晶體管的閘極用以接受一第一電流源的輸入，而該輸出晶體管的源極用以接受一第二電流源的輸入，并且由該輸出晶體管的汲極輸出電流；一電阻，是連接該輸出晶體管的源極；一第一晶體管，該第一晶體管的源極連接至該輸出晶體管的源極；一第二晶體管，該第二晶體管的汲極用以連接該輸出晶體管的閘極；及一第三晶體管，該第三晶體管的源極接地且該第三晶體管的汲極連接至該第二晶體管的源極，且該第一晶體管的汲極亦同時(shí)連接該第二晶體管的源極及該第三晶體管的汲極。
8.如權(quán)利要求7所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路，其特征在于，還包括一第四晶體管，使得該第一晶體管的汲極更改連接至該第四晶體管的汲極，且該第四晶體管的閘極與該第三晶體管的閘極連接。
9.如權(quán)利要求8所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路，其特征在于，還包括一跳線由該第四晶體管的汲極短路至該第四晶體管的閘極。
10.如權(quán)利要求9所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路，其特征在于，所述的輸出晶體管為一P型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、第一晶體管為一P型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、第二晶體管為一N型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、第三晶體管為一N型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、第四晶體管為一N型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
11.如權(quán)利要求9所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路，其特征在于，所述的輸出晶體管為一N型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、第一晶體管為一N型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、第二晶體管為一P型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、第三晶體管為一P型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、第四晶體管為一P型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
全文摘要
本發(fā)明提出一互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)轉(zhuǎn)導(dǎo)電路，用以同時(shí)提供高速與高線性度的特性，其包含一輸出晶體管，此輸出晶體管的源極用以接受電流源的輸入，而輸出晶體管的閘極用以接受另一電流源的輸入，并且由輸出晶體管的汲極輸出電流；一電阻，是連接輸出晶體管的源極；及一區(qū)域負(fù)反饋電路，是將輸出晶體管的閘極負(fù)反饋連接至輸出晶體管的源極，并使得此互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)導(dǎo)電路的轉(zhuǎn)導(dǎo)值為電阻值的倒數(shù)。
文檔編號(hào)H03F1/34GK1459924SQ02120450
公開(kāi)日2003年12月3日 申請(qǐng)日期2002年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月23日
發(fā)明者樓志宏 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院