專利名稱：彈性表面波裝置以及應(yīng)用該裝置的電子部件和復(fù)合模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于通信機(jī)等的彈性表面波裝置以及應(yīng)用該裝置的電子部件。
背景技術(shù)：
彈性表面波裝置通過在片狀的壓電襯底的整面上蒸鍍形成金屬層，再在其上涂布抗蝕層，再經(jīng)過曝光、顯像之后通過干蝕刻形成所希望的電極圖形，切割成單片制成。
用這樣的方法形成的電極的剖面形狀是方形，其側(cè)面對(duì)壓電襯底幾乎垂直、外形急劇變化。這樣的電極端面徒峭，所發(fā)生的彈性表面波在電極端面被反射，難于得到理想的頻率特性。
在圖14中表示了針對(duì)該問題在特開平9-46168號(hào)公報(bào)上公布的現(xiàn)有的彈性表面波裝置140。即，通過和壓電襯底141垂直方向的剖面呈慢坡凸形狀的電極142抑制彈性表面波在電極端面的反射，并獲得理想的頻率特性。
一般地，彈性表面波裝置的傳播頻率取決于梳型電極的間隙、層厚等，而且，通過使用光刻法能提高梳型電極的電極間隔、層厚的精度。
在電極間隔一定時(shí)，層厚增厚或者電極材料的密度大則頻率有降低的趨勢(shì)。即，如果電極重量大則壓電襯底的振動(dòng)受抑制、振動(dòng)頻率降低。
具有和壓電襯底垂直的方向的剖面是慢坡凸?fàn)畹碾姌O的裝置可抑制彈性表面波在電極端面的反射，但是，規(guī)定電極的剖面形狀困難，電極的形狀、尺寸、質(zhì)量等容易偏差，因而，彈性表面波裝置的傳播頻率分散。
另外，在組裝和封裝時(shí)，如果在彈性表面波裝置的電極表面附著了導(dǎo)電性的雜質(zhì)，就會(huì)使彈性表面波裝置的特性惡化或者會(huì)發(fā)生短路。
圖15表示解決了該問題的在特開平9-153755號(hào)公報(bào)上公布的彈性表面波元件。即，在壓電襯底101上形成電極102，用絕緣層103覆蓋包括電極102的壓電襯底101的表面。即使在彈性表面波裝置的表面附著了導(dǎo)電性雜質(zhì)，絕緣層103也能防止其特性惡化或短路。
由于加熱周期的熱脹冷縮使絕緣層103反復(fù)伸長(zhǎng)收縮，于是絕緣層103變質(zhì)或者受到由應(yīng)力和周圍的材料的熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生的力。如果只用絕緣層103覆蓋包括現(xiàn)有的電極102的壓電襯底101的表面，就會(huì)造成絕緣層103和電極102以及壓電襯底101之間的緊密連接力下降、絕緣層103剝離，容易使特性惡化或造成短路。
再有，如果增加絕緣層103的厚度而提高強(qiáng)度就會(huì)增加彈性表面波裝置的損耗，如果絕緣層103的厚度薄雖然可以降低彈性表面波裝置的損耗但是絕緣層103容易剝離。

發(fā)明內(nèi)容
彈性表面波裝置具有壓電襯底和設(shè)在壓電襯底上的電極。電極具有第一金屬層，其具有設(shè)在壓電襯底的上方的梯形剖面；第二金屬層，其設(shè)在壓電襯底上方在與第一金屬層相同的位置上。
該彈性表面波裝置通過限制電極側(cè)面的形狀，減小傳播頻率的分散。


圖1是在本發(fā)明的實(shí)施例1的彈性表面波裝置的電極的剖面圖；圖2是在實(shí)施例1的電極的放大圖；圖3是在實(shí)施例1的電極的放大圖；圖4是在實(shí)施例1的另一電極的剖面圖；圖5是在實(shí)施例1的另一電極的剖面圖；圖6是在本發(fā)明的實(shí)施例2的彈性表面波裝置的電極的剖面圖；圖7是在實(shí)施例2的另一彈性表面波裝置的電極的剖面圖；圖8是在實(shí)施例1的電子部件的剖面圖；圖9是在本發(fā)明的實(shí)施例3的彈性表面波裝置的電極的剖面圖；圖10是在實(shí)施例3的電極的放大圖；圖11是在實(shí)施例3的電極的放大圖；圖12是在實(shí)施例3的電子部件的剖面圖；圖13是在本發(fā)明的實(shí)施例4的彈性表面波裝置的電極的剖面圖；圖14是現(xiàn)有的彈性表面波裝置的電極的剖面圖；
圖15是現(xiàn)有的彈性表面波裝置的電極的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
(實(shí)施例1)圖1是在本發(fā)明的實(shí)施例1的彈性表面波裝置的電極的剖面圖。
在圖1，在壓電襯底1上設(shè)Ti層2和Al層3。
就現(xiàn)有的彈性表面波裝置的電極而言，為了使傳播頻率和目標(biāo)值一致而控制層厚和電極的尺寸，而不管理電極側(cè)面的形狀。在電極間隔一定時(shí)，如果增加層厚或者電極材料的密度大就有降低頻率的傾向。即電極重量大時(shí)壓電襯底的振動(dòng)受抑制，而振動(dòng)頻率降低。因而，只是高精度地控制電極的間隔和層厚而電極的質(zhì)量偏差，結(jié)果傳播的頻率也偏差。
電極的重量除了由層厚、電極材料之外，由電極的形狀即電極側(cè)面的形狀和平坦性會(huì)使其不一致。因而，通過控制電極側(cè)面的形狀、平坦性，能管理電極重量，抑制頻率的偏差。
下面說明本實(shí)施例的彈性表面波裝置的制造工藝。
在由LiTaO3等形成的片狀的壓電襯底1上，通過濺射Ti等金屬形成規(guī)定厚度的Ti層2。
然后，在Ti層2上通過濺射Al等金屬形成規(guī)定厚度的Al層3，根據(jù)需要可以按規(guī)定次數(shù)返復(fù)上述的操作，交替積層Ti層2和Al層3，得到在最上層形成Ti層2的電極。
再有，Ti層2和Al層3的積層順序和層厚根據(jù)需要可以改變。
接著，在金屬層上涂布抗蝕層，按照規(guī)定的光掩膜，使用分檔器等裝置曝光、顯像，去掉不需要的抗蝕層、形成規(guī)定的圖形。
然后，例如用干蝕刻法在金屬層上形成梳型電極、反射器電極、襯墊電極等規(guī)定的電極圖形。在干蝕刻時(shí)，通過控制干蝕刻條件，形成電極的剖面形狀是下面比上面寬的梯形，電極的側(cè)面略呈直線，使電極側(cè)面表面的凹凸幾乎平坦。
干蝕刻法，例如，通過ICP(Inductively Coupled Plasma)等方法進(jìn)行，使用氯系列的酸根或BCl2+等質(zhì)量重的離子通過對(duì)壓電襯底加高頻偏壓，能有效地進(jìn)行襯底蝕刻。
為了使電極的剖面形狀形成下面比上面寬的梯形，就要使酸根和質(zhì)量重的離子的存在比率接近于1∶1并且加上大功率的高頻偏壓，例如100W。這樣，使暫時(shí)彈飛的金屬成分聚集在接近壓電襯底的部分上，就能得到下面比上面寬的梯形電極。
然后，去掉殘留的抗蝕層，用刻片裝置切割就獲得單片的彈性表面波裝置21。
然后，使用如此制成的彈性表面波裝置21組裝電子部件。
圖8是使用彈性表面波裝置21的電子部件的剖面圖。電子部件包括具有凹部的基座20；彈性表面波裝置21；凸塊22；設(shè)在彈性表面波裝置21上的襯墊電極23；設(shè)在基座20的凹部的引出電極24；設(shè)在基座20的外部表面的端子電極25；蓋26；設(shè)在蓋26的基座20側(cè)的面上的粘合材料27。
在彈性表面波裝置21的襯墊電極23上由金等良導(dǎo)體形成凸塊22。然后，在預(yù)設(shè)了引出電極24和端子電極25的基座20上配設(shè)彈性表面波裝置21，使機(jī)能面向下成表面向下狀態(tài)并使凸塊22接觸引出電極24。而且，用超聲波等在基座20上接合、裝配凸塊22。然后，使用密封裝置配設(shè)安裝了彈性表面波裝置21的基座20和預(yù)先粘貼上焊料等粘合材料27的蓋26，要使粘合材料27側(cè)對(duì)向基座20，并且，通過加熱接合、封住，制成電子部件。
再有，在制作電子部件的場(chǎng)合，除上述的方法、構(gòu)成以外，根據(jù)需要也可用另一方法，例如，用引線結(jié)合等安裝彈性表面波裝置21。也可以使用金或者含金的釬焊劑作為粘接材料18，或電鍍等方法。再有，為了連接外部端子和凸塊，在基座內(nèi)部也可以設(shè)置配線。
通過在電極的最下層使用Ti或Ta等金屬，能在壓電襯底1上形成配向性好的金屬層，通過使Ti或Ta等金屬和Al等金屬積層，能提高彈性表面波裝置21的耐電壓特性。
再有，通過在最上層使用Ti或Ta等金屬，能抑制在干蝕刻時(shí)發(fā)生的最上層的電極表面的損傷，通過使電極形狀和尺寸均等化，能降低電極質(zhì)量上的偏差，并能降低彈性表面波裝置21的傳播頻率的偏差。再有，因?yàn)樵O(shè)在最上層的Ti或Ta比配設(shè)在最上層之下的Al或者Al合金的化學(xué)特性穩(wěn)定，所以，能使裝置的環(huán)境特性穩(wěn)定，特別是耐濕性強(qiáng)。
通過使電極的剖面形狀是下面比上面寬的梯形并且使側(cè)面略成直線，使電極側(cè)面的凹凸幾乎平坦，即，抑制在干蝕刻時(shí)發(fā)生的邊緣腐蝕、使電極形狀和尺寸均等化，能減少電極重量的分散，能減少彈性表面波裝置21的傳播頻率的偏差。
為了制成這樣的電極形狀，要使幾種干蝕刻速率不同的金屬或合金組合作為電極材料。再有，在干蝕刻時(shí)，暫時(shí)氣化的或者被電荷粒子彈飛的金屬或者合金再聚集，而使多種成為固體的性能各異的金屬或合金組合，并且和已選擇的金屬或合金合在一起，通過控制干蝕刻條件也能得到那個(gè)形狀。
在本實(shí)施例1，作為容易干蝕刻的金屬使用了Al，此外也可使用諸如Al-Cu合金或者別的容易干蝕刻的金屬。再有，作為難以干蝕刻的金屬使用了Ti，此外也可使用諸如Ta或其他難于干蝕刻的金屬或合金。
這樣地控制電極材料、電極形狀、干蝕刻條件，能使電極側(cè)面略形成直線、能使電極側(cè)面的凹凸幾乎平坦。
圖2是圖1的電極側(cè)面的局部X的放大圖。彈性表面波裝置有Ti層2和Al層3。
關(guān)于電極側(cè)面的凹凸，以層間段差(h)規(guī)定Ti層2垂直于Al層3的表面方向的凹凸。在本實(shí)施例1，層間段差(h)是1nm，然而為了抑制彈性表面波裝置21的傳播頻率的分散，即使考慮到分散的因素，最好使層間段差(h)在5nm以下。同樣地電極側(cè)面表面凹凸和起伏最好在5nm以下。如果凹凸和起伏超過5nm，那么電極重量的偏差給予的影響就不能無視，使彈性表面波裝置21的傳播頻率產(chǎn)生偏差，該影響不能無視。這里所說的起伏不是象段差那樣的局部的凹凸，而是表面上的廣范圍緩坡狀的凹凸。
再有，在不同情況下層間段差(h)的大小不同時(shí)，規(guī)定只表示最大值。
再有，通過干蝕刻，壓電襯底1沒有電極的部分也被蝕刻。如果壓電襯底1的蝕刻量大，則看起來和電極增厚一樣地使彈性表面波裝置21的傳播頻率向低頻段偏移，同時(shí)也是造成傳播頻率產(chǎn)生偏差的原因。因而，最好使壓電襯底1的蝕刻小。
圖3是圖1的電極的側(cè)面的局部Y的放大圖。以完成干蝕刻的壓電襯底1上有電極的部分的壓電襯底1的表面為基準(zhǔn)到?jīng)]有電極的部分的壓電襯底1的表面的距離作為襯底的下刻量(d)，根據(jù)該下刻量(d)規(guī)定壓電襯底1的蝕刻量。進(jìn)而，以電極側(cè)面的傾斜角(θ)作為沒腐蝕的壓電襯底1的表面和連接在最下層的電極上而設(shè)置的電極的側(cè)面之間的夾角，根據(jù)該夾角規(guī)定蝕刻量。在本實(shí)施例1，襯底下刻量(d)是5nm，然而，即使考慮分散，最好使襯底下刻量(d)在10nm以下。再有如果襯底下刻量(d)超過10nm，那么實(shí)際上電極的厚度，即加上襯底的下刻距離的合計(jì)的厚度的作用看起來與比實(shí)際的電極厚的電極作用相同，則該影響不能無視，彈性表面波裝置21的波傳播頻率會(huì)向低頻段偏移，同時(shí)成為傳播頻率產(chǎn)生偏差的原因。
由于干蝕刻，電極的側(cè)面多少受到些損傷，然而，控制干蝕刻條件使電極的剖面形成下面比上面寬的梯形，這樣，能緩和對(duì)電極側(cè)面的損傷，使電極側(cè)面最上層的凹凸相對(duì)地成為最小，能使電極形狀和尺寸均等化，能減少電極重量的偏差，能減少彈性表面波裝置21的波傳播頻率的偏差。
在圖1，電極最下寬度是(L)、電極間隔是(S)，在本實(shí)施例1，L/(L+S)是在0.59～0.61的范圍。通過限定L/(L+S)值在該規(guī)定范圍內(nèi)，能使電極形狀和尺寸均等化，減少電極重量上的偏差，能減少彈性表面波裝置21的傳播頻率的偏差。即使考慮分散，L/(L+S)在0.58～0.65的范圍也可以。再有，如果L/(L+S)不滿0.58或者超過0.65，那么電極側(cè)面表面的平坦性就會(huì)惡化或者發(fā)生凹凸不平，電極重量的偏差增大，彈性表面波裝置21的傳播頻率的偏差就會(huì)增大。
再有，在圖1，電極上寬度是(A)、最下寬度是(L)，在實(shí)施例1 A/L是在0.82～0.85的范圍，通過限定A/L值在該規(guī)定范圍內(nèi)，能使電極形狀和尺寸均等化，能減少電極重量的偏差，能減少彈性表面波裝置21的傳播頻率的偏差。具有下面比上面寬的梯形剖面的電極的A/L值可控制范圍是0.8～0.9，并且，最好A/L的中心值的偏差在±0.004的范圍內(nèi)。
再有，如果A/L不到0.8或者超過0.9，則電極側(cè)面表面的平坦性會(huì)惡化、形成凹凸，電極重量的偏差增大，彈性表面波裝置21的傳播頻率的偏差就會(huì)增大。
再有，在具有下面比上面窄的梯形剖面的電極情況，A/L在1.1～1.3的范圍內(nèi)，并且最好A/L的中心值的偏差在±0.004的范圍內(nèi)。
再有，通過使電極形狀左右對(duì)稱，能使傳播波的反射均等化，同時(shí)能提高電極形狀的精度。因而，能減少彈性表面波裝置21的波傳播頻率的偏差。
在圖3中，在本實(shí)施例電極側(cè)面的傾斜角(θ)是73～75°。通過限定傾斜角(θ)值在規(guī)定范圍內(nèi)，能使電極側(cè)面的形狀均等化，能減少電極重量的偏差，能減少彈性表面波裝置21的傳播頻率的偏差。即使考慮偏差，角度(θ)最好是在70～80度。再有，如果傾斜角(θ)小于70度或超過80度則電極側(cè)面表面的平坦性就會(huì)惡化、產(chǎn)生凹凸，電極重量的偏差增大，彈性表面波裝置21的波傳播頻率的偏差就會(huì)增大。
在本實(shí)施例1的電極，積層了多種干蝕刻速率不同的金屬。因此，難于腐蝕的層是方形，容易腐蝕的層的形狀是下面比上面寬的梯形。通過減小方形和梯形的段差并且使電極側(cè)面表面幾乎平坦，能使電極形狀和尺寸均等化，能減少電極重量的偏差，能減少彈性表面波裝置21的傳播頻率的偏差。
現(xiàn)有技術(shù)中，只是控制電極間隔和電極厚度，即使用諸如方形、梯形來處理電極形狀，也只是能控制傳播頻率的平均值，電極重量和傳播頻率仍然存在偏差。在本實(shí)施例，除了在電極重量層厚、電極材料的密度以外，還通過控制電極的形狀、即電極側(cè)面的形狀、平坦性來處理電極重量，能抑制彈性表面波裝置的傳播頻率的偏差。
再有，用作電極材料的金屬質(zhì)量大的電極形狀的偏差對(duì)電極重量的偏差影響就越大。因而，為了抑制電極重量的偏差盡量使用質(zhì)量小的金屬為好。
如圖4所示，電極的形狀也可以形成下面比上面窄的梯形。為了獲得該形狀，應(yīng)使干蝕刻用離子流中的酸根和BCl2+等的質(zhì)量重的離子比例大于1，即質(zhì)量重的離子存在比例要高，再有，減小對(duì)壓電襯底施加的高頻偏壓，例如加40W功率。這樣，因?yàn)槟艽龠M(jìn)由質(zhì)量重的離子對(duì)電極側(cè)面的邊緣側(cè)蝕刻，能得到下面的寬度比上面窄的梯形的電極。再有，也可以在這樣形成的電極、壓電襯底上如圖5所示地設(shè)置保護(hù)層。
再有，通過將這樣制成的彈性表面波裝置21和由PIN二極管或GaAs系半導(dǎo)體形成的切換開關(guān)和低通濾波器和內(nèi)裝配線的襯底或者組件組合裝配而構(gòu)成多個(gè)模塊等的電子部件，于是，能制成能切換發(fā)送、接收信號(hào)、只檢出特性頻率的具有復(fù)合機(jī)能的復(fù)合模塊電子部件。
(實(shí)施例2)圖6是在本發(fā)明的實(shí)施例2的彈性表面波裝置的電極的剖面圖。與在實(shí)施例1的圖1中已說明部分相同的部分，附加相同的序號(hào)，省略詳細(xì)說明。
該彈性表面波裝置具有壓電襯底1和設(shè)在壓電襯底1上的電極。電極30包括剖面為方形的第一金屬層63和設(shè)在第一金屬層63上面，比第一金屬層63寬的第二金屬層62。
第一和第二金屬層63、62的蝕刻速率不同，第一金屬層63比第二金屬層62蝕刻速率大。該蝕刻速率是干蝕刻速率。再有，第一和第二金屬層63、62氣化后的再凝聚性能也可以不同。第一金屬層63含有Al，第二金屬層62含有Ti和Ta中的一種。
第二金屬層62的側(cè)面的凹凸比第一金屬層63的側(cè)面的凹凸小，雙方的側(cè)面幾乎都是平坦的。具體講，由與實(shí)施例1相同的理由，側(cè)面表面最好具有5nm以下的凹凸。第一和第二金屬層63、62的側(cè)面的層間段差最好在5nm以下。
電極距壓電襯底遠(yuǎn)的上面的寬度是(A)、下面的寬度是(L)，A/L最好在0.98～1.01的范圍。
再有，和實(shí)施例1同樣，在壓電襯底的沒有電極的部分上也可以具有下刻量在10nm以下的部分。
再有，如圖7所示，彈性表面波裝置也可以具有覆蓋電極的SiO2等絕緣保護(hù)層64。
一般，在干蝕刻時(shí)，越往電極的下部越受周圍帶電等的影響而電荷粒子的行進(jìn)方向越容易彎曲，電極下部的側(cè)面越容易受蝕刻，即所謂容易發(fā)生邊緣腐蝕。但是通過控制干蝕刻條件，幾乎能使邊緣腐蝕不會(huì)發(fā)生，能抑制電極側(cè)面發(fā)生凹凸、提高電極側(cè)面的平坦性。
為了使電極30的剖面形狀形成方形，就要使干蝕刻的離子流中的氯系列的酸根和BCl2+等質(zhì)量重的離子的存在比率幾乎接近1∶1，并且加上比實(shí)施例1小的高頻偏置，例如60W。這樣，可以取得蝕刻彈飛的金屬成分的比例和在接近在電襯底的部分上再次聚集的金屬成分的比例的平衡，能形成電極的剖面為方形。
當(dāng)電極最上面的寬度是A、最下面的寬度是L時(shí)，用A/L表示邊緣腐蝕的程度，判定電極30的側(cè)面的平坦性。在實(shí)施例2，A/L是1.000～1.002，然而作為能控制的范圍0.98～1.01也可以。如果A/L超過1.01，邊緣腐蝕的影響就會(huì)出現(xiàn)，電極30的重量減少，同時(shí)重量的偏差增大，彈性表面波裝置的傳播頻率的偏差增大。
再有，當(dāng)A/L值對(duì)A/L的中心值的偏差在±0.004的范圍內(nèi)時(shí)，電極30的重量偏差減少，對(duì)于減少彈性表波裝置的傳播頻率的偏差有效。
因而，如果抑制在干蝕刻時(shí)發(fā)生的邊緣腐蝕，就能使電極形狀和尺寸均等化，就能減少電極重量的偏差，減少彈性表面波裝置21的傳播頻率的偏差。
形成電極30后，通過濺射或者CVD等方法在電極30以及壓電襯底1的表面上形成SiO2薄膜，形成保護(hù)層64。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，能形成方形狀電極30，能使電極的側(cè)面略呈直線，使表面的凹凸平坦。因而，能使電極30的形狀和尺寸以及側(cè)面的形狀均等化，能減少電極30重量的偏差，能減少彈性表面波裝置的傳播頻率的偏差。通過用絕緣保護(hù)層31覆蓋電極30和壓電襯底1上面，即使電極30上面附著導(dǎo)電性異物，例如金屬屑等也不會(huì)發(fā)生短路，因此能降低故障。
再有，在本實(shí)施例二，在電極30以及壓電襯底1的表面上覆蓋保護(hù)層64，但是只在電極30上覆蓋也行。再有，也可以使用SiO2以外的具有絕緣性的其他物質(zhì)作保護(hù)層。
通過使電極30的側(cè)面的凹凸平坦化而形成電極互相難以干涉的配置，即使形成電極側(cè)面幾乎垂直于壓電襯底，也能抑制在電極端面的反射，能得到理想的頻率特性。
(實(shí)施例三)圖9是在本發(fā)明的實(shí)施例三的彈性表面波裝置的電極的剖面圖。彈性表面波裝置是在由LiTaO3等形成的壓電襯底11上，將由難干蝕刻的Ti等形成的第一金屬層12和在其上面由易于干蝕刻的Al等形成的第二金屬層13交替地各積層兩層，進(jìn)而，在該積層上面再形成第一金屬層12，并且用光刻制版法形成理想的電極圖形14。然后，再用由碳化硅等絕緣物形成的保護(hù)層15覆蓋至少包括電極圖形14的壓電襯底11上。
電極14的在垂直壓電襯底11方向的剖面是第二金屬層13的上面比下面窄的梯形，在多個(gè)第一金屬層12之中除去位于電極圖形14的最上層和最下層的第一金屬層12，設(shè)在中間的第一金屬層16在電極14的側(cè)面部比第二金屬層13向外側(cè)突出。
電極14的側(cè)面的突出部17起固定作用，提高了保護(hù)層15和電極圖形14的貼合力，使保護(hù)層15難于剝離。
以下，說明電極14的制造工藝。
在由LiTaO3等形成的片狀的壓電襯底11上，例如，用濺射法形成規(guī)定厚度的由Ti等金屬形成的第一金屬層12。
然后，在第一金屬層12上通過濺射A1等金屬形成規(guī)定厚度的第二金屬層13，根據(jù)需要，按規(guī)定次數(shù)返復(fù)上述操作，交替積層第一金屬層12和第二金屬層13，在最上層形成第一金屬層12。
再有，也可以根據(jù)需要改變第一金屬層12和第二金屬層13的積層順序、厚度。
然后，在金屬層上涂布抗蝕層，按照規(guī)定的光掩膜，使用分檔器等裝置曝光、顯像，去掉不需要的抗蝕層，形成規(guī)定的圖形電極14。
然后，用干腐蝕等方法，在金屬層上形成梳型電極、反射器電極、襯墊電極等規(guī)定的電極14。在干蝕刻時(shí)，通過控制干蝕刻條件使電極的剖面形狀成為下面比上面寬的梯形，在電極的側(cè)面形成第二金屬層13的突出部17。
例如通過ICP(Inductively coupled plasma)等方法進(jìn)行干蝕刻，使用氯系列的酸根和質(zhì)量重的離子，通過對(duì)壓電襯底加高頻偏壓，能高效地蝕刻電極14。
為了使電極的剖面形成下面比上面寬的梯形，要使酸根和重量重的離子的存在比率接近于1∶1，并且加上高的高頻偏壓。這樣，暫時(shí)被彈飛的金屬成分再聚集在接近壓電襯底的部分上，能得到下面比上面寬的梯形電極。
然后，去掉殘留的抗蝕層，在包括電極14的壓電襯底11上用高頻濺射等方法形成由碳化硅等絕緣物等構(gòu)成的保護(hù)層15，再用刻片機(jī)切斷，就得到彈性表面波裝置41的單片。
然后，用這樣制成的彈性表面波裝置41組裝電子部件42。
圖12是使用彈性表面波裝置41的電子部件42的剖面圖。電子部件42是在由氧化鋁制的作為裝載部件的基座部件43的凹部44的底面上將金等重迭在鎢上形成引出電極45。引出電極45具有端子電極46，其在基座部件43的外周面在和引出電極45連接的鎢等之上重迭金等形成。在引出電極45上通過由金等形成的凸塊47連接襯墊電極48，該襯墊電極48和設(shè)在彈性表面波裝置41上的電極圖形14連接，彈性表面波裝置41表面向下安裝。而且，基座43通過由氧化鋁制成粘貼由金-錫形成的粘合材料49的蓋50熱壓基座43使粘合材料49熔化，氣密封住彈性表面波裝置41。
再有，電子部件除上述的方法構(gòu)成以外也能用以下的方法形成。即，根據(jù)需要也可以用別的方法，例如用引線結(jié)合等，表面向上安裝彈性表面波裝置41。并且，也可以使用銀或者含銀的釬焊材料作為粘合材料49，或使用電鍍、焊接、非鉛焊接。再有，為了連接外部端子和凸塊也可以在基座的內(nèi)部設(shè)置配線。
作為電極材料，通過在電極最下層使用Ti或者Ti合金或者Ta或者Ta合金等金屬，能在壓電襯底11上形成配向性好的金屬層，能提高彈性表面波裝置41的耐電壓特性。
再有，通過在最上層使用Ti或者Ti合金或者Ta或者Ta合金等金屬，能抑制在干蝕刻時(shí)發(fā)生的最上層的電極表面的損傷。這樣，通過使電極形狀和尺寸均等化，能減少電極重量的偏差，能減少彈性表面波裝置41的傳播頻率的偏差。
再有，設(shè)在最上層的第一金屬層比配設(shè)在其下面的Al或Al合金的化學(xué)特性穩(wěn)定，因此和保護(hù)層15的貼緊接合性良好、耐久性也優(yōu)良。
因而，能提高彈性表面波裝置41的耐環(huán)境特性，特別地能提高耐電壓特性和耐濕特性。
為了得到這樣的梯形的具有突出部17的電極14，要使幾種干蝕刻速率不同的金屬或合金組合作為電極材料。再有，在干蝕刻時(shí)，暫時(shí)氣化的或者被電荷粒子彈飛的金屬或者合金再聚集，而使多種成為固體的性能各異的金屬或合金組合，并且，和已選擇的金屬或合金合在一起，再通過控制干蝕刻條件也能得到電極14。
在本實(shí)施例三，作為容易被干蝕刻的第二金屬層的材料使用了Al，但是，此外也可以使用諸如Al-Cu合金或另一容易干蝕刻的金屬等。再有，作為難于被干蝕刻的金屬使用了Ti，但是，此外也可使用諸如Ta或其合金和另一難于干蝕刻金屬或合金。
再有，作為保護(hù)層15使用了碳化硅，此外，也可以使用氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鎂等。
圖10是圖9的電極14的局部X的放大圖。
在圖10中，以第一金屬層12垂直于電極圖形14側(cè)面的第二金屬層13的表面方向的突出程度為層間段差(h)，通過該層間段差(h)規(guī)定從電極圖形14的側(cè)面表面突出的突出部17。在實(shí)施例三層間段差(h)是13nm，然而，為了提高彈性表面波裝置41的保護(hù)層15的緊密貼合性，最好使層間段差(h)在7nm以上。
另外，為了抑制彈性表面波裝置41的傳播頻率的偏差，最好使電極圖形14的側(cè)面表面的起伏在5nm以下。
在此，所說的起伏不是像段差那樣的局部的凹凸，而是表面上的寬廣范圍的緩坡狀的凹凸。
再有，在不同情況下層間段差(h)的大小不同時(shí)，規(guī)定只表示最大值。
再有，通過干蝕刻，壓電襯底11沒有電極的部分也被蝕刻，如果壓電襯底11的蝕刻量大，則看起來和電極增厚一樣地使彈性表面波裝置41的傳播頻率向低頻段偏移，同時(shí)成為傳播頻率分散的原因，因而，最好使壓電襯底11的腐蝕小。
圖11是圖9的電極的側(cè)面的局部Y的放大圖。在壓電襯底11上有電極14的部分的表面為基準(zhǔn)到?jīng)]有電極14的部分的壓電襯底11的表面的距離作為基板下刻量(d)，根據(jù)該襯底下刻量(d)規(guī)定壓電襯底11的蝕刻量。進(jìn)而，以電極14側(cè)面的傾斜角(θ)作為沒腐蝕的壓電襯底11的表面和連接在最下層的電極上而設(shè)置的第二金屬層13之間的夾角(θ)，根據(jù)該夾角規(guī)定壓電襯底11的腐蝕量。在本實(shí)施例三襯底下刻量(d)是5nm，然而，即使考慮偏差，最好使襯底下刻量(d)在10nm以下。
再有，如果襯底下刻量(d)超過10nm，那么實(shí)際上電極厚度，即，加上襯底的下刻距離的合計(jì)的厚度的作用，看起來與比實(shí)際的電極14厚的電極的作用相同，其影響不能無視，彈性表面波裝置41的波傳播頻率會(huì)向低頻段偏移，同時(shí)成為傳播頻率偏差的原因。
由于干蝕刻，電極14的側(cè)面多少受到些損傷。但是，控制干蝕刻條件使電極14的剖面形成下面比上面寬的梯形，這樣，能緩和對(duì)電極14的側(cè)面的損傷。再有，通過使電極側(cè)面的最上層的凹凸最小，能使電極形狀和尺寸均等化，能減少電極重量的偏差，能減少彈性表面波裝置21的波傳播頻率的偏差。
再有，在圖11中，在本實(shí)施例三的電極圖形14的側(cè)面的傾斜角(θ)是73～75度。通過限定傾斜角(θ)在該規(guī)定的范圍內(nèi)，能使電極圖形14側(cè)面的形狀均等化，能減少電極重量的偏差，能減少彈性表面波裝置41的傳播頻率的偏差。即使考慮偏差，傾斜角(θ)在70～80度也可以。如果傾斜角(θ)小于70度或者超過80度，電極14側(cè)面表面的平坦性就會(huì)惡化、產(chǎn)生凹凸，電極重量的偏差增大，彈性表面波裝置21的波傳播頻率的偏差就會(huì)增大。
再有，在圖9電極14的最下寬度是(L)、間隔是(S)，在本實(shí)施例三，L/(L+S)是在0.59～0.61。通過限定L/(L+S)值在規(guī)定的范圍內(nèi)，能使電極尺寸和形狀均等化，進(jìn)而，能減少電極重量的偏差，減少彈性表面波裝置41的傳播頻率的偏差。即使考慮偏差，L/(L+S)是0.58～0.65也可以。
再有，如果L/(L+S)不到0.58或者超過0.65，電極圖形14側(cè)面的表面平坦性就會(huì)惡化或者發(fā)生凹凸，電極重量的偏差增大、彈性表面波裝置41的傳播頻率的偏差增大。
再有，在圖9，電極14的上寬度是(A)、最下寬度是(L)，在實(shí)施例三，A/L是0.82～0.85的范圍。通過限定A/L值在規(guī)定的范圍內(nèi)，能使電極形狀和尺寸均等化，能減少電極重量的偏差，能減少彈性表面波裝置41的傳播頻率的偏差。
在電極是下面比上面寬的梯形時(shí)，A/L的可控制范圍是0.8～0.9，并且最好A/L的中心值的偏差在±0.004范圍內(nèi)。
再有，如果A/L不到0.8或超過0.9，電極圖形14的側(cè)面表面的平坦性就會(huì)惡化，產(chǎn)生凹凸，重量的偏差就會(huì)增大，彈性表面波裝置41的傳播頻率的偏差就會(huì)增大。
再有，在電極是下面比上面窄的梯形情況下，A/L在1.1～1.3的范圍內(nèi)，并且，最好A/L的中心值的偏差在±0.004的范圍內(nèi)。
再有，通過使電極形狀形成左右對(duì)稱，能使傳播波的反射均等化，同時(shí)能提高電極形狀的精度，因此能減少彈性表面波裝置41的傳播頻率的偏差。
再有，通過使突出部17的層間段差(h)也形成左右對(duì)稱，而能使保護(hù)層15與第一金屬層12和第二金屬層13的緊密貼合性在電極圖形14的左右平衡，因此能提高它們的緊密貼合性。
再有，在本實(shí)施例3的電極14積層了多種干蝕刻速率不同的金屬。難于腐蝕的第一金屬層13是方形，容易受腐蝕的第二金屬層容易形成下面比上面寬的梯形，但是，通過減少這些側(cè)面表面的起伏，能使電極形狀和尺寸均等化，能減少電極重量的偏差，能減少彈性表面波裝置41的傳播頻率的偏差。
再有，通過使電極14形成下面比上面的寬度窄的梯形，能進(jìn)一步提高保護(hù)層15和電極圖形14的緊密貼合性。為了獲得該形狀，要使干蝕刻的離子流中的質(zhì)量重的離子的存在比率比酸根高，降低對(duì)壓電襯底加的高頻偏壓。這樣，能促進(jìn)質(zhì)量重的離子對(duì)電極側(cè)面的側(cè)腐蝕，因此，能使電極形狀成為下面的寬度比上面窄的梯形。
再有，將這樣制成的彈性表面波裝置41和由PIN二極管或GaAs系列半導(dǎo)體等形成的切換開關(guān)和低通濾波器和內(nèi)裝配線的襯底或者組件組合裝配，能構(gòu)成復(fù)合模塊等電子部件。由該電子部件能制成能切換發(fā)送、接收信號(hào)，只檢出特定頻率的具有用于發(fā)送接收兩方的復(fù)合機(jī)能的復(fù)合模塊。
(實(shí)施例四)圖13是本發(fā)明的實(shí)施例四中的彈性表面波裝置的電極的剖面圖。涉及和在實(shí)施例三的圖9已說明的部分相同的部分附加相同序號(hào)，省略詳細(xì)說明。
本實(shí)施例四和實(shí)施例三的不同點(diǎn)是電極51的剖面形狀和設(shè)在電極51的表面上的保護(hù)層52的材質(zhì)及其形成的范圍。涉及其他方面與實(shí)施例三進(jìn)行相同的操作制成彈性表面波裝置和電子部件以及復(fù)合模塊。
即，在實(shí)施例三，電極14的剖面形狀是下面比上面寬的梯形，設(shè)在電極14的中間的第一金屬層16從梯形的電極14的側(cè)面突出。使用碳化硅作為保護(hù)層15的材料，保護(hù)層15設(shè)置在包含電極14的壓電襯底11上。
在本實(shí)施例四，電極51的剖面的由容易進(jìn)行干蝕刻的金屬或者合金形成的第四金屬層53是方形狀，設(shè)在電極51的中間由難于干蝕刻的金屬或者合金形成的第三金屬層54從電極51的側(cè)面突出的突出部。使用氧化硅作為保護(hù)層52的材料，只覆蓋電極的上面和側(cè)面部分。
在本實(shí)施例四的層間段差(h)是10nm，然而，為了提高彈性表面波裝置41的保護(hù)層52的緊密貼合性，層間段差(h)也可以為7nm以上。突出部55起到固定作用，在提高保護(hù)層52和電極51的緊密貼合性的同時(shí)因?yàn)槟茉龃蟊Ｗo(hù)層52和電極圖形51的接觸面積，所以能進(jìn)一步增大緊密貼合性。
為了抑制彈性表面波裝置41的傳播頻率的偏差，最好使電極51的側(cè)面表面的起伏在5nm以下。
一般地，進(jìn)行干蝕刻時(shí)，越接近電極51的下部、即壓電襯底11，受周圍的帶電等的影響電荷粒子的行進(jìn)方向越容易彎曲，電極51的下部側(cè)面越容易被腐蝕，所謂容易發(fā)生邊緣腐蝕。但是，通過控制干蝕刻條件能使邊緣腐蝕幾乎不發(fā)生，能抑制電極51側(cè)面的發(fā)生起伏，能提高側(cè)面的平坦性。
為了使第四金屬層53的斷面形狀成為方形，要使電荷粒子的酸根和離子的存在比率大至接近于1∶1，并加上比實(shí)施例1小的高頻偏壓。這樣，在腐蝕時(shí)能取得使暫時(shí)彈飛的金屬成分向接近壓電襯底的部分再聚集的平衡，能使電極51的剖面形狀成為方形狀。
關(guān)于方形狀的電極51的側(cè)面的平坦性，電極最上面的寬度是(A)、最下面的幅度是(L)，在實(shí)施例四用A/L判定邊緣腐蝕的程度，那么A/L是1.000～1.002。A/L的可控制范圍最好在0.98～1.01。
在方形狀的電極51，如果A/L超過1.01就會(huì)出現(xiàn)邊緣腐蝕的影響，電極51的重量會(huì)減少同時(shí)偏差增大，彈性表面波裝置的傳播頻率的偏差增大。
再有，當(dāng)A/L在0.98～1.01的范圍，且其分散相對(duì)A/L的中心值在±0.004范圍內(nèi)時(shí)，重量的偏差減少，對(duì)減少彈性表面波裝置的傳播頻率的偏差有效。因而，如果抑制在干蝕刻時(shí)發(fā)生的邊緣腐蝕，就能使電極形狀和尺寸均等化，就能減少電極重量的偏差，能減少彈性表面波裝置41的傳播頻率的偏差。
形成電極51后，在電極51以外的區(qū)域作抗蝕層掩膜，用濺射或者CVD等方法在電極51的上面和側(cè)面形成氧化硅薄膜，從而形成保護(hù)層52。
這樣的構(gòu)成，通過使電極51形成方形狀并減小側(cè)面的起伏，容易控制形狀。因而減少電極51的尺寸和重量的偏差。設(shè)在電極51的中間的第三金屬層54從電極51的側(cè)面突出，用保護(hù)層52覆蓋電極51的上面和側(cè)面。這樣，即使在電極51上附著了導(dǎo)電性雜質(zhì)、例如金屬灰等也不會(huì)發(fā)生短路，可以減少彈性表面波裝置的特性不良。
使用這樣制成的彈性表面波裝置能制造電子部件和復(fù)合模塊。
再有，在本實(shí)施例四，只在電極51的上面和側(cè)面上覆蓋保護(hù)層52，然而也可以在包含電極51的壓電襯底11的表面上覆蓋。
再有，保護(hù)層52除氧化硅以外也可以使用氮化硅、碳化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鎂等以及其他具有絕緣性物質(zhì)。
再有，通過減少電極51側(cè)面的起伏使電極難于互相干涉地配置，即使形成電極51的側(cè)面幾乎垂直于壓電襯底，也能抑制彈性表面波在電極51端面的反射，也能獲得理想的頻率特性。
用實(shí)施例3、4的彈性表面波元件也能制成與實(shí)施例1相同的高頻模塊等電子部件。
產(chǎn)業(yè)上的利用的可能性根據(jù)本發(fā)明能夠獲得減少傳播頻率偏差的彈性表面波裝置和應(yīng)用該裝置的電子部件。
權(quán)利要求
1.一種彈性表面波裝置，其具有壓電襯底和電極，電極具有第一金屬層，其設(shè)在上述壓電襯底的上方，具有梯形剖面；第二金屬層，其設(shè)在上述壓電襯底的上方與上述第一金屬層相同的位置。
2.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述第一和第二金屬層的腐蝕速率不同。
3.如權(quán)利要求2所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述第一金屬層的腐蝕速率比上述第二金屬層大。
4.如權(quán)利要求2所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述腐蝕速率是干蝕刻的腐蝕速率。
5.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述第一和第二金屬層的氣化后再聚集性能不同。
6.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述的第一金屬層含有Al，上述第二金屬層含有Ti和Ta中的一種。
7.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述第二金屬層位于上述壓電襯底和上述第一金屬層之間。
8.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述第二金屬層位于上述第一金屬層之上。
9.如權(quán)利要求8所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述的第二金屬層是上述電極的最上層。
10.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述第二金屬層的側(cè)面的凹凸比上述第一金屬層的側(cè)面的凹凸小。
11.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述電極的側(cè)面幾乎是平坦的。
12.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述電極的側(cè)面表面有5nm以下的凹凸。
13.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述壓電襯底在沒有上述電極的部分具有下刻量是10nm以下的部分。
14.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述第一和第二金屬層的側(cè)面的層間段差是5nm以下。
15.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于，還具有設(shè)置在上述壓電襯底上的另一電極，上述電極的下面寬度是(L)、上述電極和上述另一電極之間間隔是(S)，L/(L+S)是0.58～0.65的范圍。
16.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述電極距離上述壓電襯底遠(yuǎn)的上面的寬度是(A)、近的下面的寬度是(L)，A/L是在0.8～0.9的范圍。
17.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述電極距離上述壓電襯底遠(yuǎn)的上面的寬度是(A)、近的下面的寬度是(L)，A/L是1.1～1.3的范圍。
18.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述電極的上述剖面左右對(duì)稱。
19.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述電極的側(cè)面的傾斜角度是70～80度。
20.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于，還具有至少覆蓋上述電極的保護(hù)層。
21.如權(quán)利要求2所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述保護(hù)層具有絕緣性。
22.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于，電極形狀是方形，當(dāng)上述電極的上面寬度是A、電極最下面的寬度是L時(shí)，A/L是0.98～1.01。
23.一種彈性表面波裝置，其具有壓電襯底和電極，電極具有第一金屬層，其設(shè)在上述壓電襯底的上方，具有方形的剖面；第二金屬層，其設(shè)在上述第一金屬的上方，比上述第一金屬層幅度寬。
24.如權(quán)利要求23所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述第一和第二金屬層的腐蝕速率不同。
25.如權(quán)利要求24所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述第一金屬層的腐蝕速率比上述第二金屬層大。
26.如權(quán)利要求24所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述的腐蝕速率是干蝕刻的腐蝕速率。
27.如權(quán)利要求23所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述第一和第二金屬層的氣化后的再聚集性能不同。
28.如權(quán)利要求23所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述第一金屬層含有Al，上述第二金屬層含有Ti和Ta中的一種。
29.如權(quán)利要求23所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述第二金屬層的側(cè)面的凹凸比上述第一金屬層的側(cè)面的凹凸小。
30.如權(quán)利要求23所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述電極的側(cè)面幾乎是平坦的。
31.如權(quán)利要求23所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述電極的側(cè)面表面具有5nm以下的凹凸。
32.如權(quán)利要求23所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述壓電襯底在沒有上述電極的部分具有下刻量是10nm以下的部分。
33.如權(quán)利要求23所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述第一和第二金屬層的側(cè)面的層間段差是5nm以下。
34.如權(quán)利要求23所述的彈性表面波裝置，其特征在于，還具有設(shè)在上述壓電襯底上的另一電極，上述電極下面的寬度是(L)、上述電極和上述另一電極之間的間隔是(S)，L/(L+S)是0.58～0.65的范圍。
35.如權(quán)利要求23所述的彈性表面波裝置，其特征在于，還具有至少覆蓋上述電極的保護(hù)層。
36.如權(quán)利要求35所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述保護(hù)層具有絕緣性。
37.如權(quán)利要求23所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述電極距離上述壓電襯底遠(yuǎn)的上面的寬度是(A)、遠(yuǎn)的下面的寬度是(L)，A/L是0.98～1.01的范圍。
38.一種彈性表面波裝置，其具有壓電襯底；電極，其設(shè)在上述壓電襯底上，在側(cè)面具有突出部；保護(hù)層，其至少覆蓋上述電極的上面和上述側(cè)面。
39.如權(quán)利要求38所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述電極具有第一金屬層和在上述第一金屬層上的第二金屬層。
40.如權(quán)利要求39所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述第一和第二金屬層的腐蝕速率不同。
41.如權(quán)利要求40所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述第一金屬層的腐蝕速率比第二金屬層大。
42.如權(quán)利要求39所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述第二金屬層的側(cè)面比上述第一金屬層的側(cè)面突出，形成上述突出部。
43.如權(quán)利要求39所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述第一金屬層含有Al。
44.如權(quán)利要求39所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述第二金屬層含有Ti和Ta中的任意一種。
45.如權(quán)利要求39所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述第一金屬層具有梯形的剖面。
46.如權(quán)利要求39所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述第二金屬層具有方形狀的剖面。
47.如權(quán)利要求39所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述第二金屬層是上述電極的最上層。
48.如權(quán)利要求39所述的彈性表面波裝置，其特征在于，還具有第三金屬層，其設(shè)置在上述第一金屬層和上述壓電襯底之間。
49.如權(quán)利要求48所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述第三金屬層是上述電極的最下層，含有Ti和Ta中的一種。
50.如權(quán)利要求38所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述的保護(hù)層具有絕緣性。
51.如權(quán)利要求50所述的彈性表面波裝置，其特征在于，上述的保護(hù)層是氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化鋁、氧化鋁、氧化鎂之中的任意一種。
52.一種電子部件，其包括在權(quán)利要求1、23、38中的任意一項(xiàng)所述的彈性表面波裝置；裝載部件，其安裝上述彈性表面波裝置；連接部，其設(shè)在上述彈性表面波裝置上，在上述裝載部件上電氣連接上述彈性表面波裝置。
53.如權(quán)利要求52所述的電子部件，其特征在于，上述連接部包括設(shè)在上述彈性表面波裝置上的凸塊。
54.如權(quán)利要求52所述的電子部件，其特征在于，上述連接部包括設(shè)在上述裝載部件和上述彈性表面波元件之間的金屬絲。
55.如權(quán)利要求52所述的電子部件，其特征在于，上述裝載部件是襯底或組件。
56.一種復(fù)合模塊，其包括在權(quán)利要求1、23、38中的任意一項(xiàng)所述的彈性表面波裝置；回路，其連接上述彈性表面波元件；裝載部件，其內(nèi)部有上述回路并裝載上述彈性表面波元件。
57.如權(quán)利要求56所述的復(fù)合模塊，其特征在于，上述裝載部件包括襯底。
全文摘要
一種彈性表面波裝置。其具有壓電襯底和設(shè)置在其上面的電極。電極具有第一金屬層，其設(shè)在壓電襯底上方，且有梯形剖面；第二金屬層，其設(shè)在壓電襯底上方與第一金屬層相同的位置上。該彈性表面波裝置通過限制電極的側(cè)面的形狀減小傳播頻率的偏差。
文檔編號(hào)H03H9/10GK1491481SQ02804499
公開日2004年4月21日 申請(qǐng)日期2002年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月28日
發(fā)明者古川光弘, 山下清春, 黑竹弘至, 關(guān)口大好, 好, 春, 至 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社