專利名稱：振蕩器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及振蕩器，特別涉及通信儀器等的高頻電路(RF電路)所使用的振蕩器。
背景技術(shù)：
在移動(dòng)體通信儀器和其他通信儀器中，使用了許多收發(fā)信號(hào)所必須的振蕩器，這樣的振蕩器伴隨近年來通信儀器的高頻化，有必要在3GHz以上的高頻和寬帶進(jìn)行振蕩。
在這類用途中，使用了電壓控制振蕩器。電壓控制振蕩器包含共振電路和反饋電路。反饋電路也被稱為振蕩電路。共振電路一般由并聯(lián)共振電路構(gòu)成，近年來，為了得到3GHz以上的高頻振蕩，考慮在共振電路中使用串聯(lián)共振電路。
本發(fā)明把實(shí)現(xiàn)使用串聯(lián)共振電路的，可以達(dá)到幾個(gè)GHz以上的高頻振蕩，而且能夠在廣范圍使振蕩頻率變化的振蕩器作為課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明如權(quán)利要求1中所記載的，在具有共振電路和與其連接的反饋電路的振蕩器中，其特征在于上述共振電路包含串聯(lián)共振電路，并且從上述振蕩器外部可以控制決定振蕩頻率的至少兩個(gè)參數(shù)。通過這樣的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)能夠在幾個(gè)GHz、例如3GHz以上的高頻產(chǎn)生振蕩，而且在廣范圍使振蕩頻率變化的振蕩器。
在上述振蕩器中，例如上述串聯(lián)共振電路包含第1可變電容二極管和第1電感器。上述共振電路進(jìn)而包含第2電感器、具有通過該第2電感器與上述第1可變電容二極管的正極連接的正極和與上述第1可變電容二極管的負(fù)極連接的負(fù)極的第2可變電容二極管。該第2可變電容二極管的正極與上述反饋電路電氣結(jié)合。通過這樣的結(jié)構(gòu)，可以拓寬振蕩的頻率頻帶。
在上述振蕩器中，例如上述共振電路進(jìn)而包含有選擇地將電感器成分與上述第1電感器并聯(lián)連接的開關(guān)。通過這樣的結(jié)構(gòu)，在能夠在寬頻率頻帶振蕩的同時(shí)，還能夠得到兩個(gè)獨(dú)立的振蕩頻率頻帶。
在上述振蕩器中，例如上述共振電路進(jìn)而包含將電感器成分并聯(lián)連接在上述第1電感器上的二極管、接受向該二極管施加的電壓的端子。由二極管構(gòu)成開關(guān)，由于向二極管施加電壓可以使開關(guān)處于ON/OFF狀態(tài)，因而通過簡單結(jié)構(gòu)就可以調(diào)整共振電路的電感性成分。
在上述振蕩器中，例如上述共振電路進(jìn)而包含第3電感器、有選擇地將上述第3電感器并連連接到上述第3電感器上的開關(guān)。這是通過第3電感器實(shí)現(xiàn)有選擇地連接電感器成分的例子。第3電感器可以是電路元件，也可以是寄生電感性成分。由于使用開關(guān)可以使第3電感器并聯(lián)并且有選擇地連接到第1電感器上，所以通過簡單的結(jié)構(gòu)就可以調(diào)整共振電路的電感性成分。在這種情況下，能夠廣范圍地調(diào)整振蕩頻率頻帶，還能夠構(gòu)成雙頻帶振蕩器。另外，還可以形成為包含通過電容器有選擇地將上述第3電感器并聯(lián)連接到上述第1電感器上的開關(guān)結(jié)構(gòu)。
在上述振蕩器中，例如上述至少兩個(gè)參數(shù)包含上述串聯(lián)共振電路的電容成分、上述串聯(lián)共振電路的電感成分。這是特定了參數(shù)的一個(gè)例子的情況。
在上述振蕩器中，例如上述至少兩個(gè)參數(shù)包含由于向上述串聯(lián)共振電路的一端施加控制電壓而變化的電容成分、上述串聯(lián)共振電路的電感成分。上述共振電路包含接受上述控制電壓的第1端子、接受控制上述電感器成分的電壓的第2端子。這是特定了兩個(gè)參數(shù)的一個(gè)例子和控制它們的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的情況。
在上述振蕩器中，例如上述振蕩器進(jìn)而具有把上述共振電路的輸出分壓并傳送給上述反饋電路的分壓電路。由于共振輸出被分壓后再施加，所以能夠相對于電路元件的誤差和從外部施加的電壓的變化等，使反饋電路穩(wěn)定工作，可以使振蕩穩(wěn)定化并改善C/N(載波-噪聲)比特性。
在上述振蕩器中，例如上述分壓電路包含串聯(lián)連接的多個(gè)電容器和電感器。這是特定了分壓電路的一個(gè)結(jié)構(gòu)例子的情況。
在上述振蕩器中，例如共振電路包含的電感器成分與上述振蕩電路內(nèi)的電感器成分共用。這樣減少了電路元件的個(gè)數(shù)，可以使振蕩器小型化。
本發(fā)明如權(quán)利要求13所記載的那樣，在具有共振電路和與它連接的反饋電路的振蕩器中，其特征是上述共振電路包含串聯(lián)共振電路、有選擇地將電感器成分連接到該串聯(lián)共振電路上的開關(guān)，上述振蕩器具有在上述電感器成分沒有被連接到上述串聯(lián)共振電路上的情況下得到的第1頻率頻帶、在上述電感器成分被連接到上述串聯(lián)共振電路上的情況下得到的第2頻率頻帶?？梢詫?shí)現(xiàn)不把共振電路和振蕩電路設(shè)計(jì)成獨(dú)立的兩部分，而在兩個(gè)頻率頻帶振蕩的振蕩器。
在上述振蕩器中，例如上述第1頻率頻帶和上述第2頻率頻帶是分開的。這種結(jié)構(gòu)的振蕩器是具有獨(dú)立的(分離的)頻率頻帶的雙頻帶振蕩器。
在上述振蕩器中，例如上述第1頻率頻帶和第2頻率頻帶一部分重疊。這種結(jié)構(gòu)是具有一個(gè)寬頻率頻帶的單頻帶振蕩器或具有相鄰頻率頻帶的雙頻帶振蕩器。
在上述振蕩器中，例如上述第1頻率頻帶和第2頻率頻帶有不同的頻帶寬度。這是特定了頻率頻帶的一個(gè)例子的情況。
在上述的結(jié)構(gòu)中，例如上述開關(guān)包含二極管，通過控制該二極管的端子之間的電壓來實(shí)現(xiàn)開/關(guān)。這是特定了開關(guān)的一個(gè)結(jié)構(gòu)例子的情況。
在上述的結(jié)構(gòu)中，例如上述電感成分是上述共振電路內(nèi)的寄生電感成分。這是特定了電感器的一個(gè)結(jié)構(gòu)例子的情況。上述電感成分也可以是包含與上述開關(guān)串聯(lián)連接的電感器的結(jié)構(gòu)。
在上述的結(jié)構(gòu)中，例如上述振蕩器進(jìn)而包含連接上述反饋電路的輸出的放大器。通過對振蕩輸出進(jìn)行放大，可以容易地取得與外部的接口。
在上述的結(jié)構(gòu)中，可以采用把上述共振電路和上述反饋電路容納在一個(gè)組件里的結(jié)構(gòu)。此外，上述振蕩器包含半導(dǎo)體芯片，可以是在上述半導(dǎo)體芯片上形成上述共振器和上述反饋電路中的至少一個(gè)的結(jié)構(gòu)。
附圖的簡要說明

圖1是本發(fā)明的實(shí)施例1的振蕩器的電路圖。
圖2是展示電感器的一個(gè)結(jié)構(gòu)例子的斜視圖。
圖3是展示實(shí)施例1的振蕩器的振蕩(共振)頻率的圖。
圖4是具有與圖1所示的共振電路不同的結(jié)構(gòu)的共振電路的振蕩器的電路圖。
圖5是具有與圖1所示的共振電路不同的結(jié)構(gòu)的共振電路的振蕩器的電路圖。
圖6是具有與圖1所示的反饋電路不同的結(jié)構(gòu)的反饋電路的振蕩器的電路圖。
圖7是展示本發(fā)明的實(shí)施例2的振蕩器的電路圖。
圖8是展示本發(fā)明的實(shí)施例1的振蕩器的變形例子的電路圖。
圖9是展示本發(fā)明的實(shí)施例1的振蕩器的另一個(gè)變形例子的電路圖。
圖10是展示本發(fā)明的實(shí)施例1的振蕩器的又一個(gè)變形例子的電路圖。
圖11是為了說明本發(fā)明的實(shí)施例1的振蕩器的安裝例子的圖。
圖12是展示本發(fā)明的實(shí)施例1的振蕩器的變形例子的圖。
具體實(shí)施例方式
以下參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例。
(實(shí)施例1)圖1是本發(fā)明的實(shí)施例1的振蕩器的電路圖。振蕩器具有共振電路100和反饋電路200。反饋電路200和共振電路100形成振蕩電路。在這樣的具有共振電路100和與它連接的反饋電路200的振蕩器中，其特征之一是共振電路100包含串聯(lián)共振電路，并且從振蕩器外部可以控制決定振蕩頻率的至少兩個(gè)參數(shù)。上述串聯(lián)共振電路具有電感器34和可變電容二極管41。此外，上述至少兩個(gè)參數(shù)是通過施加給端子2的第1控制電壓Vcont1而被調(diào)整的電容性成分、通過施加給端子3的第2控制電壓Vcont2而被調(diào)整的電感性成分。由于使用了上述串聯(lián)共振電路，所以可以使電容性成分變小，可以達(dá)到3GHz以上的高頻振蕩。此外，由于可以通過第2控制電壓Vcont2調(diào)整電感性成分，所以可以在廣范圍內(nèi)改變振蕩頻率。以下詳細(xì)敘述上述特征和其他特征。
共振電路100具有電感器34和可變電容二極管41的串聯(lián)共振電路，還具有可變電容二極管42和電感器32?？勺冸娙荻O管41、42主要形成決定共振頻率(振蕩頻率)的電容性成分?？勺冸娙荻O管42通過電感器32與可變電容二極管41并聯(lián)連接。即可變電容二極管42的負(fù)極與可變電容二極管41的負(fù)極連接，正極通過電感器32與可變電容二極管41的正極連接?？勺冸娙荻O管41、42的正極，通過電感器32共通化。這樣，當(dāng)單獨(dú)使用可變電容二極管41時(shí)共振電路的電容性成分變小，可以穩(wěn)定地輸出振蕩頻率在3GHz以上的高頻。作為控制振蕩頻率的電壓的第1控制電壓Vcont1，通過端子2以及電感器31被施加給可變電容二極管41、42的負(fù)極。這樣，相對于第1控制電壓Vcont1的變動(dòng)的電容性成分的變化量變大，可以產(chǎn)生寬頻率頻帶的振蕩。另外，電感器34被設(shè)置為與可變電容二極管41、42共通。即兩個(gè)可變電容二極管41和42的正極與地線之間設(shè)置了一個(gè)電感器34。這樣，相對于電感器34的電感性成分的變化的頻率變化量比單獨(dú)使用可變電容二極管41的情況要大，可以在廣頻率頻帶調(diào)整振蕩頻率。
例如電感器34由通過圖2所示的帶狀傳輸電路形成的可變電感器構(gòu)成。在Si3N4和環(huán)氧玻璃等電感體底板140的表面形成成為地線的電感體141，在相對方向的另一個(gè)面上形成電路134。電路134的第1部分1341是與可變電容二極管41的正極連接的電路部分。此外，電路134的第2部分1342是接地的電路部分。通過修整電路134的任意位置，第1部分1341和第2部分1342的電感值可以被改變。另外，代替帶狀傳輸電路，也可以使用帶狀電路。
二極管43作為開關(guān)發(fā)揮功能。以下稱二極管43為開關(guān)二極管。開關(guān)二極管43的開/關(guān)由施加在端子1b和端子3上的電壓來控制。向端子1b和端子1a一起施加電源電壓Vcc。向端子3施加第2控制電壓Vcont2。如果第2控制電壓Vcont2比電源電壓Vcc在開關(guān)二極管43的臨界值電壓以上，則開關(guān)二極管43打開。在除此之外的情況下，開關(guān)二極管43關(guān)閉。第2控制電壓Vcont2通過電阻23和電感器48被施加給開關(guān)二極管43的正極。電源電壓Vcc被施加在電阻24的一端，通過電阻24和25分壓得到的電壓被施加給開關(guān)二極管43的負(fù)極。即二極管43的負(fù)極被偏壓。當(dāng)開關(guān)二極管43打開時(shí)，通過電容器18、19將電感器48并聯(lián)連接到電感器34上。這樣，共振電路100的電感性成分的值變化并使共振頻率變化。這個(gè)共振頻率的變化依存于電感器48與電感34的并聯(lián)連接，還依存于開關(guān)二極管43的電容值或電容器18、19的電容值。
圖3(A)～(E)是實(shí)施例1的振蕩器的振蕩(共振)頻率的示意圖。各圖的橫軸是頻率，縱軸是振幅。在圖3(A)～(E)中，f1表示的頻率頻帶是二極管43關(guān)閉時(shí)的振蕩器的頻率頻帶，f2表示的頻率頻帶是二極管43打開時(shí)的振蕩器的頻率頻帶。振蕩器具有圖3(A)～(E)中的哪一個(gè)的振蕩模式主要依存于電感器48的電感值、開關(guān)二極管43的電容值以及電容器18和19的值。開關(guān)二極管43的電容值變大時(shí)，例如圖3(A)所表示的那樣，頻率頻帶f1和f2的頻率的差也比較大。即二極管43打開時(shí)頻率位移的幅度變大。同樣，電感器48的電感成分變大時(shí)，例如圖3(A)所表示的那樣，頻率頻帶f1和f2的頻率的差也比較大。
開關(guān)二極管43的電容值變小時(shí)，頻率頻帶f1和f2的頻率的差也變小，例如圖3(B)和圖3(C)那樣。圖3(B)表示頻率頻帶f1的高頻側(cè)的邊界與頻率頻帶f2的低頻側(cè)的邊界幾乎一致的情況。此外，圖3(D)表示頻率頻帶f1的高頻側(cè)與頻率頻帶f2的低頻側(cè)重合的情況。電感器48的電感成分變小時(shí)，如圖3(A)到圖3(B)和(C)那樣頻率位移幅度變窄。
通過適當(dāng)調(diào)整電容器18和19的值，可以改變各頻率頻帶f1、f2的頻帶寬度。圖3(D)表示頻率頻帶f1的頻帶寬度比頻率頻帶f2的頻帶寬度寬的情況，反過來，圖3(E)表示頻率頻帶f2的頻帶寬度比頻率頻帶f1的頻帶寬度寬的情況。
上述說明表明，通過能夠?qū)㈦姼衅?8并聯(lián)連接到構(gòu)成串聯(lián)共振電路的電感器34上的電路結(jié)構(gòu)，如圖3(A)和(B)所表示的那樣，可以實(shí)現(xiàn)雙頻帶振蕩器。此外，如圖3(C)～(E)中所表示的，可以實(shí)現(xiàn)頻帶寬度很寬的單頻帶振蕩器。在圖3(C)～(E)的情況下，可以實(shí)現(xiàn)超過600MHz寬度的連續(xù)頻帶寬度的振蕩。此外，在圖3(A)和(B)中，可以實(shí)現(xiàn)具有超過600MHz頻帶寬度的雙頻帶振蕩。
電感器48也可以是寄生在二極管43正極上的電感器，也可以是有意形成的電感器。此外，與電感器34并聯(lián)連接的電感器并不限定于電感器48。例如如圖4所示的共振電路100A那樣，開關(guān)二極管43的負(fù)極與電容器19的一端之間也可以具有電感器60。這時(shí)電感器60可以是寄生電感器，也可以是有意形成的電感器。
此外，如圖5所示的共振電路100B那樣，也可以是電容器18和電感器34的一端之間的電感器61以及/或者電容器19和電感器34的另一端之間的電感器62。這時(shí)，電感器61、62可以是寄生電感器，也可以是有意形成的電感器。
另外，由于布線中必須存在寄生電感器，所以存在圖3～圖5所示的電感器48、60、61和62。所以，如果這些寄生電感器的組合電感成分能夠充分達(dá)到期望的特性，就沒有必要有意地在電路內(nèi)形成電感器。相對于此，如果寄生電感器組合的電感器成分不能充分達(dá)到所期望的特性，就要有意地在圖3～圖5所示的位置形成電感器。
通過可變電容二極管42的正極得到的共振輸出通過由串聯(lián)連接的電容器12和13形成的分壓電路，被施加給反饋電路200的輸入端子。由于把共振輸出分壓并施加給反饋電路200，所以相對于電路元件的誤差和從外部施加的電壓的變化等，可以使反饋電路200穩(wěn)定工作。并使其結(jié)果振蕩穩(wěn)定化，改善了C/N比特性。
反饋電路200具有反饋(振蕩)晶體管44、電容器10、11、15、電阻20、21、22和電感器33。電容器10和11是反饋用電容性元件，電容器10被連接在晶體管44的基極和發(fā)射極之間，電容器11被連接在發(fā)射極和地線之間。電阻20～22是偏壓電阻。電阻20和21電阻分壓電源電壓Vcc，并把偏壓電壓施加給晶體管44的基極。電阻22以直流方式連接在晶體管44的發(fā)射極上，使發(fā)射極偏壓。電感器33是抗流圈，可以設(shè)置在電阻22和地線之間。晶體管44的發(fā)射極連接在輸出端子4上。通過輸出端子4，得到反饋電路200的輸出信號(hào)Vosc，即振蕩器的輸出信號(hào)Vosc。輸出端子4構(gòu)成外部連接端子。此外，如圖6所示的反饋電路200A那樣，在晶體管44的發(fā)射極和輸出端子4之間，也可以設(shè)置緩沖放大器50。
如以上說明的那樣，通過本發(fā)明的實(shí)施例1的振蕩器，可以穩(wěn)定地得到3GHz以上的高振蕩頻率，而且可以在超過600MHz的廣頻率范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)整。此外，可以實(shí)現(xiàn)使共振電路和振蕩電路共通化了的雙頻帶振蕩器。
(實(shí)施例2)圖7是本發(fā)明的實(shí)施例2的振蕩器的電路圖。圖中，對與上述構(gòu)成的要素相同的要素賦予了相同的參照編號(hào)。圖7所示的電路結(jié)構(gòu)的特征之一是，共振電路100C的電感器34兼作連接在反饋電路200B的晶體管44的發(fā)射極上的電感器。即是由電感器34來實(shí)現(xiàn)圖1所示的電感器33的結(jié)構(gòu)。電阻22的一端連接在電感器34的適當(dāng)位置。在通過圖2所示的帶狀傳輸電路來實(shí)現(xiàn)電感器34的情況下，電阻22的一端連接在電路134上的適當(dāng)位置。
這樣，由于是電感器34兼作反饋電路200B的電感器的結(jié)構(gòu)，所以可以減少零件的個(gè)數(shù)，使電路小型化。另外把圖4～圖6的電路結(jié)構(gòu)變形，可以成為和圖7相同的結(jié)構(gòu)。
(其他實(shí)施例)圖8是把圖1所示的電路結(jié)構(gòu)變形的例子，共振電路100D是向圖1所示的共振電路100A中附加了電容器14的構(gòu)成。電容器14的一端與可變電容二極管42的正極連接，另一端接地。由于設(shè)置了電容器14，可以使電路的工作更加穩(wěn)定。另外，電容器14還可以適用于圖1、圖4～圖7所示的電路中。
圖9是圖1所示的電路結(jié)構(gòu)的另一個(gè)變形例子。共振電路100E具有電感器112和113。由于電感器112、113是圖1所示的共振電路的電感器12、13的替換物，所以構(gòu)成了分壓電路。即共振輸出由電感器112和113分壓并被輸出到反饋電路200。
圖10是圖1所示的電路結(jié)構(gòu)的又一個(gè)變形例子。共振電路100F是從圖1所示的共振電路100中把電感器13去掉的結(jié)構(gòu)。在共振電路100F中，對共振輸出不進(jìn)行分壓而輸出到反饋電路200。
圖11是把圖1所示的電路結(jié)構(gòu)容納在一個(gè)組件300中的結(jié)構(gòu)例子的示意圖。在相同的布線基板上形成的共振電路100和反饋電路200被容納在一個(gè)組件300內(nèi)。在與共振電路100和反饋電路200不同的基板上形成的部件也可以容納在一個(gè)組件里，也可以將一部分電路部件安裝在外面。另外，也可以將共振電路100與反饋電路200形成在一個(gè)芯片上。在這種情況下，參照編號(hào)300表示芯片。這個(gè)芯片也可以是容納在組件里的結(jié)構(gòu)。另外，參照圖11說明的上述結(jié)構(gòu)也適用于其他實(shí)施例。
圖12是圖1所示的振蕩器的又一個(gè)變形例子的示意圖。表示把圖1所示的共振電路簡略化了的振蕩器。這個(gè)振蕩器具有被簡化的結(jié)構(gòu)的共振電路100G。共振電路100G是從圖1所示的共振電路中除去電阻24、25，電容器19和端子1b的結(jié)構(gòu)。由此，二極管43的負(fù)極接地。通過向端子3施加第2控制電壓Vcont2使二極管43打開，可以使電感器成分48并聯(lián)連接在電感器34上。這樣，圖12所示的振蕩器就具有了與圖1所示的振蕩器同樣的作用和效果。
另外，在上述其他實(shí)施例和變形例子中，與圖12同樣，也可以成為簡化了共振電路的結(jié)構(gòu)。
以上，說明了本發(fā)明的實(shí)施例。本發(fā)明不僅限于上述實(shí)施例，也包含其他實(shí)施例和變形例子。
如以上說明的那樣，通過本發(fā)明，實(shí)現(xiàn)了可以在幾個(gè)GHz以上的高頻產(chǎn)生振蕩，而且可以在廣范圍改變振蕩頻率的振蕩器。
權(quán)利要求
1.一種振蕩器，是具有共振電路和與其相連接的反饋電路的振蕩器，其特征在于上述共振電路包含串聯(lián)共振電路，并且可以從上述振蕩器外部控制決定振蕩頻率的至少兩個(gè)參數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1記載的振蕩器，其特征在于上述串聯(lián)共振電路包含第1可變電容二極管和第1電感器，上述共振電路進(jìn)而包含第2電感器、具有通過該第2電感器與上述第1可變電容二極管的正極連接的正極和與上述第1可變電容二極管的負(fù)極連接的負(fù)極的第2可變電容二極管，該第2可變電容二極管的正極與上述反饋電路電氣結(jié)合。
3.根據(jù)權(quán)利要求2記載的振蕩器，其特征在于上述共振電路進(jìn)而包含有選擇地將電感成分并聯(lián)連接到上述第1電感器上的開關(guān)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2記載的振蕩器，其特征在于上述共振電路進(jìn)而包含將電感成分并聯(lián)連接到上述第1電感器上的二極管、接受施加在該二極管上的電壓的端子。
5.根據(jù)權(quán)利要求2記載的振蕩器，其特征在于上述共振電路進(jìn)而包含第3電感器、有選擇地將上述第3電感器并聯(lián)連接到上述第1電感器上的開關(guān)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2記載的振蕩器，其特征在于上述共振電路進(jìn)而包含第3電感器、通過電容器有選擇地將上述第3電感器并聯(lián)連接到上述第1電感器上的開關(guān)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1記載的振蕩器，其特征在于上述至少兩個(gè)參數(shù)包含上述串聯(lián)共振電路的電容成分、上述串聯(lián)共振電路的電感成分。
8.根據(jù)權(quán)利要求1記載的振蕩器，其特征在于上述至少兩個(gè)參數(shù)包含通過施加在上述串聯(lián)共振電路的一端的控制電壓而變化的電容成分和上述串聯(lián)共振電路的電感成分，上述共振電路包含接受上述控制電壓的第1端子和接受控制上述電感成分的電壓的第2端子。
9.根據(jù)權(quán)利要求1到9的任意一項(xiàng)記載的振蕩器，其特征在于上述振蕩器進(jìn)而具有把上述共振電路的輸出分壓并傳送給反饋電路的分壓電路。
10.根據(jù)權(quán)利要求9記載的振蕩器，其特征在于上述分壓電路包含串聯(lián)連接的多個(gè)電容器。
11.根據(jù)權(quán)利要求9記載的振蕩器，其特征在于上述分壓電路包含串聯(lián)連接的多個(gè)電感器。
12.根據(jù)權(quán)利要求1記載的振蕩器，其特征在于在上述共振電路和上述反饋電路之間設(shè)置了串聯(lián)連接的電容器。
13.根據(jù)權(quán)利要求1記載的振蕩器，其特征在于上述共振電路所包含的電感成分與上述振蕩電路內(nèi)的電感成分共用。
14.一種振蕩器，是具有共振電路和與其連接的反饋電路的振蕩器，其特征在于上述共振電路包含串聯(lián)共振電路、將電感成分有選擇地連接到該共振電路上的開關(guān)，上述振蕩器具有在上述電感成分沒有與上述串聯(lián)共振電路連接的情況下得到的第1頻率頻帶、在上述電感成分與上述串聯(lián)共振電路連接的情況下得到的第2頻率頻帶。
15.根據(jù)權(quán)利要求14記載的振蕩器，其特征在于上述第1頻率頻帶和上述第2頻率頻帶是分離的。
16.根據(jù)權(quán)利要求13記載的振蕩器，其特征在于上述第1頻率頻帶和上述第2頻率頻帶一部分重合。
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16記載的振蕩器，其特征在于上述第1頻率頻帶和上述第2頻率頻帶有不同的頻帶寬度。
18.根據(jù)權(quán)利要求14到17的任意一項(xiàng)記載的振蕩器，其特征在于上述開關(guān)包含二極管，并通過控制該二極管的端子之間的電壓來開/關(guān)。
19.根據(jù)權(quán)利要求14到18的任意一項(xiàng)記載的振蕩器，其特征在于上述電感成分是上述共振電路內(nèi)的寄生電感成分。
20.根據(jù)權(quán)利要求14到18的任意一項(xiàng)記載的振蕩器，其特征在于上述電感器成分包含串聯(lián)連接在上述開關(guān)上的電感器。
21.根據(jù)權(quán)利要求1到20的任意一項(xiàng)記載的振蕩器，其特征在于上述振蕩器進(jìn)而包含與上述反饋電路的輸出連接的放大器。
22.根據(jù)權(quán)利要求1到21的任意一項(xiàng)記載的振蕩器，其特征在于上述共振電路和上述反饋電路被容納在一個(gè)組件內(nèi)。
23.根據(jù)權(quán)利要求1到22的任意一項(xiàng)記載的振蕩器，其特征在于上述振蕩器包含半導(dǎo)體芯片，上述共振器和上述反饋電路中的至少一個(gè)形成在上述半導(dǎo)體芯片上。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)現(xiàn)可以在幾個(gè)GHz以上的高頻產(chǎn)生振蕩而且可以在廣范圍改變振蕩頻率的振蕩器。在具有共振電路(100)和與它連接的反饋電路(200)的振蕩器中，上述共振電路包含串聯(lián)共振電路(34、41)，并且是可以從上述振蕩器外部控制決定振蕩頻率的至少兩個(gè)參數(shù)(Vcont1、Vcont2)的結(jié)構(gòu)。通過這樣的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)能夠在幾個(gè)GHz，例如3GHz以上的高頻產(chǎn)生振蕩，而且可以在廣范圍內(nèi)使振蕩頻率變化的振蕩器。
文檔編號(hào)H03B5/00GK1484375SQ03154309
公開日2004年3月24日 申請日期2003年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月14日
發(fā)明者松尾信昭 申請人:富士通媒體器件株式會(huì)社