專利名稱：噪聲濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可以降低由數(shù)字設(shè)備產(chǎn)生的不需要的輻射噪聲的分布常數(shù)型噪聲濾波器。
又，本發(fā)明涉及一種可以在1個積層體內(nèi)并設(shè)多個濾波器元件的多聯(lián)噪聲濾波器。
背景技術(shù)：
隨著近年來的電子設(shè)備的小型化，部件尺寸的小型、高密度化的這種市場要求更加嚴格。作為這樣的部件之一有噪聲濾波器。
一般的噪聲濾波器，在積層了多個電介質(zhì)層的電介質(zhì)內(nèi)、在各電介質(zhì)層的層間，分別形成傳遞信號的導(dǎo)體線圈(以下僅稱為信號側(cè)線圈)、和接地的導(dǎo)體線圈(以下僅稱為接地側(cè)線圈)。然后，在信號側(cè)線圈、接地側(cè)線圈之間，通過電介質(zhì)層產(chǎn)生電容。此外，稱為信號側(cè)線圈的線圈圖形之間的連接通過電介質(zhì)層內(nèi)的過孔進行，稱為接地側(cè)線圈的線圈圖形之間的連接也是通過電介質(zhì)層內(nèi)的過孔進行(特開2000-196392號公報)。
圖5表示現(xiàn)有技術(shù)的噪聲濾波器的線圈圖形的積層體的分解立體圖。此外，在圖中省略了端子電極。又，圖6(b)表示該分布常數(shù)型噪聲濾波器的等效電路圖。
在圖5中，電介質(zhì)本體，由成為上部邊界層的電介質(zhì)層51x，電介質(zhì)層51a～51f積層所構(gòu)成。
構(gòu)成信號側(cè)線圈的線圈圖形52a、52c、52e，分別配置在電介質(zhì)層51x和51a的層間、在電介質(zhì)層51b和51c的層間、在電介質(zhì)層51d和51e的層間。然后，各層間的信號側(cè)線圈圖形52a、52c、52e，通過分別配置在過孔導(dǎo)體以及電介質(zhì)層51a和51b的層間、在電介質(zhì)層51c和51d的層間、在電介質(zhì)層51e和51f的層間的上下層連接圖形54b、54d、54f相互連接，整體形成信號側(cè)線圈。
又，構(gòu)成接地側(cè)線圈的線圈圖形53b、53d、53f，分別配置在電介質(zhì)層51a和51b的層間、在電介質(zhì)層51c和51d的層間、在電介質(zhì)層51e和51f的層間。然后，各層間的接地側(cè)線圈圖形53b、53d、53f，通過分別配置在過孔導(dǎo)體以及電介質(zhì)層51x和51a的層間、在電介質(zhì)層51b和51c的層間、在電介質(zhì)層51d和51e的層間的上下層連接圖形55a、55c、54e相互連接，整體形成接地側(cè)線圈。
該噪聲濾波器的等效電路圖，如圖6(b)所示。信號側(cè)線圈由L1a～L1c表示，接地側(cè)線圈由L2a～L2c表示。接地側(cè)線圈L2a的一端接地，兩線圈通過電容成分C1a～C1c耦合。
這樣，可以制作成低通型噪聲濾波器。其衰減頻率，當(dāng)?shù)刃щ娙軨1a～C1c不變時，由信號側(cè)線圈的自感L1a～L1c以及接地側(cè)線圈的自感L2a～L2c、信號側(cè)線圈和接地側(cè)線圈之間的互感所確定，這樣，可以獲得能任意控制頻率特性的濾波器特性。
可是，以往的噪聲濾波器由于接地側(cè)線圈直接接地，在低頻波段電感不起作用，而是集合分布電容，起電容的作用。因此，由于使用降低所希望的頻率特性的電容，即使在低頻部分，也產(chǎn)生不必要的衰減。由此，存在高頻信號波形變?nèi)?、延遲變大、電路不工作的問題。
還有，要達到更加小型化，實現(xiàn)所要求的特性的截止頻率、衰減帶域的高頻化是非常困難的事情。
又，與上述部件尺寸的小型、高密度化的市場需求相關(guān)聯(lián)，在同一基板內(nèi)收納多個噪聲濾波器元件的多聯(lián)噪聲濾波器的市場需求也急劇增加。
這樣的多聯(lián)噪聲濾波器，在現(xiàn)有技術(shù)中，是將由LC濾波器構(gòu)成的噪聲濾波器元件在平面上并排一列設(shè)置所構(gòu)成(例如參見特開2001-60840號公報)。
但是，在上述結(jié)構(gòu)的多聯(lián)噪聲濾波器中，如果增加噪聲濾波器元件，將增大積層體的平面形狀，進而增大安裝面積，存在不能適應(yīng)近年來對多聯(lián)噪聲濾波器的小型化的要求的問題。
即，在許可1個噪聲濾波器元件的區(qū)域內(nèi)，要構(gòu)成能獲得給定L(電感)和C(電容)的線圈圖形，在實質(zhì)上是困難的。
又，如果讓各元件之間的間隔接近，存在在鄰近噪聲濾波器元件之間，具體地講，在構(gòu)成噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈圖形之間會增大串線干擾(信號泄漏)的問題。
本發(fā)明的目的在于提供一種可以使構(gòu)成濾波器的電感成分達到最大，降低分布電容值實現(xiàn)小型化并且使頻率特性高頻化的LC噪聲濾波器。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種即使小型化也可以保持穩(wěn)定的特性、并且有效抑制串線干擾的多聯(lián)噪聲濾波器。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的噪聲濾波器，包括積層了多個電介質(zhì)層的電介質(zhì)本體、設(shè)置在電介質(zhì)本體的外表面上的信號側(cè)輸入端子電極、信號側(cè)輸出端子電極、以及接地端子電極、一端部與信號側(cè)輸入端子電極連接而另一端部與信號側(cè)輸出端子電極連接的信號側(cè)線圈、在該信號側(cè)線圈之間形成電容成分，并且一端部通過接地電容成分與接地端子電極連接的接地側(cè)線圈。
依據(jù)該構(gòu)成，在接地側(cè)線圈的一端部和接地端子之間附加有接地電容成分。
然后，信號側(cè)線圈的線圈圖形和上述接地側(cè)線圈的線圈圖形，其一部分在厚度方向上通過介入電介質(zhì)層后相互重疊，相互電容耦合。這樣，由于構(gòu)成一個噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈和接地側(cè)線圈之間的耦合度可以通過重疊部分的面積進行控制，可以容易調(diào)整兩者的耦合度，即噪聲濾波器特性。
這樣，其基本等效電路為圖6(a)所示。和圖6(b)的等效電路相比較，通過選擇信號側(cè)線圈的自感和接地側(cè)線圈的自感，然后選擇接地側(cè)線圈和信號側(cè)線圈的互感，可以比較簡單獲得所希望的濾波器特性。
圖4(a)表示本發(fā)明的濾波器的代表特性。圖4(b)表示現(xiàn)有技術(shù)的濾波器特性。本發(fā)明的特性在現(xiàn)有濾波器的低頻部分通過接地電容成分Cg，抑制還流接地的電流，在低頻不衰減，被衰減的頻率是通過諧振電路，產(chǎn)生衰減的頻率，諧振電路是由信號側(cè)線圈的電感、接地側(cè)線圈的電感、信號側(cè)線圈和接地側(cè)線圈間的電容以及接地電容成分Cg形成的諧振電路。因此，可以將截止頻率擴展到高頻側(cè)。
其結(jié)果，可以將電感成分設(shè)定到最大限度，同時通過調(diào)整分散形成的電容的容量值，可以獲得高頻區(qū)域的良好的衰減特性。
因此，可以實現(xiàn)在通過區(qū)域以上的頻率信號急劇衰減、衰減帶域?qū)挼脑肼暈V波器。
又，上述接地端子電極和接地側(cè)線圈之間的接地電容成分，在設(shè)置在上述電介質(zhì)層間的上述接地導(dǎo)體膜、和與該接地導(dǎo)體膜通過介入上述電介質(zhì)層后對向的成為上述接地側(cè)線圈的線圈圖形之間形成。這樣，該接地導(dǎo)體膜，在內(nèi)部具有屏蔽板的作用。為此，在形成微計算機的總線那樣的多個布線圖形時，即使利用本發(fā)明的噪聲濾波器的下部區(qū)域，可以獲得信號泄漏少的良好的濾波器特性。
本發(fā)明的多聯(lián)噪聲濾波器，包括積層了多個電介質(zhì)層的電介質(zhì)本體、設(shè)置在電介質(zhì)本體的外表面上的信號側(cè)輸入端子電極、信號側(cè)輸出端子電極、以及接地端子電極、一端部與信號側(cè)輸入端子電極連接、另一端部與信號側(cè)輸出端子電極連接的信號側(cè)線圈、在該信號側(cè)線圈之間形成電容成分，并且一端部通過接地電容成分與接地端子電極連接的接地側(cè)線圈，上述信號側(cè)線圈至少分別在上述積層體的上下方向上配置的多聯(lián)噪聲濾波器，其特征是使上述配置在上部的噪聲濾波器的信號側(cè)線圈的線圈軸芯，與上述配置在下部的噪聲濾波器的信號側(cè)線圈的線圈軸芯相互錯位。
依據(jù)該構(gòu)成，積層體的上下方向上分別配置信號側(cè)線圈和接地側(cè)線圈相互電容耦合的噪聲濾波器元件。這樣，可以緩和噪聲濾波器元件的對圖形面積的制約，容易獲得給定值的電感和電容。又，對于多聯(lián)噪聲濾波器的安裝面積，也適應(yīng)小型化、能夠比較容易在通信設(shè)備和電子設(shè)備等布線基板上高密度安裝等。
進一步，由于構(gòu)成上述上部噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈的線圈軸芯，與構(gòu)成下部噪聲濾波器元件的線圈的線圈軸芯相互錯位，這2個信號側(cè)線圈的磁力線也會錯位，在噪聲特性上，可以有效抑制由于不需要的兩者之間的磁力線所引起的串線干擾。
依據(jù)該構(gòu)成，可以減少多聯(lián)噪聲濾波器的安裝面積，由此可以帶來多聯(lián)噪聲濾波器的小型化。
又，優(yōu)選上述配置在上部的噪聲濾波器和上述配置在下部的噪聲濾波器，通過接地電位的分隔導(dǎo)體膜進行分隔。這樣，由于可以防止位于上部側(cè)的上部噪聲濾波器和位于下部側(cè)的下部噪聲濾波器之間由于電場耦合引起的泄漏，各個噪聲濾波器元件的特性可以獲得按照設(shè)計的穩(wěn)定特性。
又，該上部噪聲濾波器元件的接地側(cè)線圈的一端以及下部噪聲濾波器元件的接地側(cè)線圈的一端，通過上述分隔導(dǎo)體膜與接地端子電極連接。為此，接地端子電極可以由上部噪聲濾波器元件和下部噪聲濾波器元件共用，上下積層的各噪聲濾波器元件，特別是構(gòu)成接地側(cè)線圈的接地線圈圖形的引線變得非常簡單。同時，在分隔導(dǎo)體膜上的接地電位的電平可以保持恒定，上部噪聲濾波器元件和下部噪聲濾波器元件的接地電位也比較穩(wěn)定，這樣，也可以實現(xiàn)特性的穩(wěn)定。
又，也可以使上述配置在上部的噪聲濾波器的信號側(cè)線圈的線圈軸芯和配置在下部的噪聲濾波器元件的接地側(cè)線圈的線圈軸芯實質(zhì)上同軸，并且使配置在上部的噪聲濾波器元件的接地側(cè)線圈的線圈軸芯和配置在下部的噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈的線圈軸芯實質(zhì)上同軸。即，在俯視時，由于構(gòu)成一方側(cè)的噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈、和構(gòu)成另一方側(cè)的噪聲濾波器元件的接地側(cè)線圈重疊，可以實現(xiàn)平面面積極小的多聯(lián)噪聲濾波器。
又，在由分隔導(dǎo)體膜分隔的上述積層體的上部側(cè)以及/或者下部側(cè)上，在上述積層體的橫方向上也可以并排設(shè)置多個噪聲濾波器元件。這樣，不僅是上下方向的2個元件，而且橫方向也可以利用，可以形成具有4元件、6元件、8元件等那樣的任意元件數(shù)的多聯(lián)噪聲濾波器。此外，在橫方向上并排設(shè)置多個噪聲濾波器元件時，在上下方向上至少配置2個噪聲濾波器元件，為此，多聯(lián)噪聲濾波器整體的噪聲濾波器元件的元件數(shù)也可以是3元件、5元件…等。
又，在橫方向上并排設(shè)置的多聯(lián)噪聲濾波器中，優(yōu)選上述積層體的橫方向上相鄰噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈的線圈軸芯之間，配置在上述相鄰噪聲濾波器元件的形成區(qū)域的大致對角線上。由于按照構(gòu)成各個噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈所形成的磁力線之間不耦合那樣進行配置，可以有效抑制各個噪聲濾波器元件之間的干擾，抑制多聯(lián)噪聲濾波器整體的串線干擾。
圖1(a)表示本發(fā)明的噪聲濾波器的立體圖，(b)表示本發(fā)明的噪聲濾波器的截面圖。
圖2表示構(gòu)成本發(fā)明的噪聲濾波器的積層體部分的分解立體圖。
圖3(a)表示成為信號側(cè)線圈的線圈圖形的變形例的概略平面圖，(b)表示成為接地側(cè)線圈的線圈圖形的變形例的概略平面圖。
圖4表示為將本發(fā)明的噪聲濾波器和現(xiàn)有技術(shù)的噪聲濾波器的特性進行比較的特性圖。(a)表示本發(fā)明的噪聲濾波器的特性，(b)表示現(xiàn)有技術(shù)的噪聲濾波器的特性。
圖5表示構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的噪聲濾波器的積層體部分的分解立體圖。
圖6表示噪聲濾波器的等效電路圖，(a)表示本發(fā)明的噪聲濾波器的等效電路圖，(b)表示現(xiàn)有的噪聲濾波器的等效電路圖。
圖7表示本發(fā)明中的多聯(lián)噪聲濾波器的外觀立體圖。
圖8表示構(gòu)成本發(fā)明中的多聯(lián)噪聲濾波器的積層體部分的分解立體圖。
圖9表示本發(fā)明中的多聯(lián)噪聲濾波器的等效電路圖。
圖10是表示上下配置的多聯(lián)噪聲濾波器中，噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈的軸芯錯位形成的濾波器特性圖。
圖11(a)～(d)積層體的采用在上下方向上配置的噪聲濾波器時的線圈圖形的平面圖。
圖12(a)～(d)是表示采用在積層體的橫方向上配置的噪聲濾波器元件時的線圈圖形的平面圖。
符號說明1—積層體；1x、1a～1e—各電介質(zhì)層；2—信號側(cè)線圈；3—接地側(cè)線圈；5—上下層連接圖形；6、7—信號側(cè)輸入輸出端子電極；8—接地側(cè)端子電極；9—接地導(dǎo)體膜；21a～21f、22a～22f、23k～23f、24k～24f—信號側(cè)線圈圖形；31b～31e、32b～32e、33j～33g、34j～34g—接地側(cè)線圈圖形；41f—分隔導(dǎo)體膜；51～54、61～64—信號側(cè)輸入輸出端子電極；8—接地端子電極；Ls1～Ls4—信號側(cè)線圈；Lg1～Lg6—接地側(cè)線圈；Cg—接地電容成分。
具體實施例方式
以下參照附圖詳細說明本發(fā)明的實施方式。
—第1實施方式—圖1(a)表示本發(fā)明的噪聲濾波器的外觀立體圖，圖1(b)表示本發(fā)明的噪聲濾波器的截面圖。圖2表示構(gòu)成本發(fā)明的噪聲濾波器的積層體結(jié)構(gòu)的分解立體圖。
在圖1(a)、(b)、圖2中，1表示積層了多個電介質(zhì)層1x、1a～1g、以及最上邊界層的積層體。6、7表示與信號側(cè)線圈連接的信號側(cè)輸入輸出端子電極，8表示與積層體內(nèi)的接地導(dǎo)體膜9連接的接地側(cè)端子電極。此外，在圖2中，最上邊界層沒有畫出。
積層體1，積層多個電介質(zhì)層1x、1a～1g構(gòu)成。各電介質(zhì)層1x、1a～1g，由鋁、BaTiO3、TiO2等陶瓷材料、或者磁性材料和結(jié)晶化玻璃材料的混合體所構(gòu)成。
在該積層體1的內(nèi)部，包括信號側(cè)線圈2、接地側(cè)線圈3以及接地導(dǎo)體膜9。構(gòu)成該信號側(cè)線圈2的線圈圖形、構(gòu)成接地側(cè)線圈3的線圈圖形、接地導(dǎo)體膜9、過孔導(dǎo)體(后述)、上下層連接圖形(后述)，例如，由銀系材料和銅系材料形成。
以下參照圖2對信號側(cè)線圈2的構(gòu)成進行說明。信號側(cè)線圈2由在電介質(zhì)層1x上形成的端子連接圖形、配置在電介質(zhì)層1x和其下面的電介質(zhì)層1a之間的線圈圖形2a、配置在電介質(zhì)層1a和其下面的電介質(zhì)層1b之間的上下層連接圖形4b、配置在電介質(zhì)層1b和其下面的電介質(zhì)層1c之間的線圈圖形2c、配置在電介質(zhì)層1c和其下面的電介質(zhì)層1d之間的上下層連接圖形4d、配置在電介質(zhì)層1d和其下面的電介質(zhì)層1e之間的線圈圖形2e、配置在電介質(zhì)層1e和其下面的電介質(zhì)層1f之間的上下層連接圖形4f、配置在電介質(zhì)層1f和其下面的電介質(zhì)層1g之間的端子連接圖形所構(gòu)成。各線圈圖形以及上下層連接圖形，通過圖中虛線所示過孔導(dǎo)體相互連接。然后，端子連接圖形，與上述信號側(cè)輸入輸出端子電極6、7連接。
又，接地側(cè)線圈3，由配置在電介質(zhì)層1x和其下面的電介質(zhì)層1a之間的上下層連接圖形5a、配置在電介質(zhì)層1a和其下面的電介質(zhì)層1b之間的線圈圖形3b、配置在電介質(zhì)層1b和其下面的電介質(zhì)層1c之間的上下層連接圖形5c、配置在電介質(zhì)層1c和其下面的電介質(zhì)層1d之間的線圈圖形3d、配置在電介質(zhì)層1d和其下面的電介質(zhì)層1e之間的上下層連接圖形5e、配置在電介質(zhì)層1e和其下面的電介質(zhì)層1f之間的線圈圖形3f所構(gòu)成。這些線圈圖形以及上下層連接圖形，通過圖中虛線所示過孔導(dǎo)體相互連接。然后，在電介質(zhì)層1e和電介質(zhì)層1f之間的線圈圖形3f，與在電介質(zhì)層1f和電介質(zhì)層1g之間配置的接地導(dǎo)體膜9對向。這樣，接地側(cè)線圈3，形成接地電容成分。接地導(dǎo)體膜9，連接在接地側(cè)端子電極8上。
以上那樣構(gòu)成的結(jié)果，本發(fā)明的噪聲濾波器，如圖6(a)所示，在積層體1的內(nèi)部，形成由L1a～L1c構(gòu)成的信號側(cè)線圈2、和L2a～L2c構(gòu)成的接地側(cè)線圈3，并且其間形成C1a～C1c形成的電容成分，進一步，在接地側(cè)線圈3的一端和接地端子電極8之間，形成接地電容成分Cg。
此外，圖6(b)表示現(xiàn)有技術(shù)的噪聲濾波器的等效電路圖，接地側(cè)線圈3的一端接地。
以下，對構(gòu)成這樣的信號側(cè)線圈2、接地側(cè)線圈3的線圈圖形的形狀，參照圖2進行詳細說明。
首先注意搭載了構(gòu)成信號側(cè)線圈2的線圈圖形2c的電介質(zhì)層1c。線圈圖形2c，大致為矩形狀，由電容形成區(qū)域21、和從該電容形成區(qū)域21向一方端側(cè)(圖中為左側(cè))延伸的2個電感形成部分22、23所構(gòu)成。此外，從電容形成區(qū)域21向另一端側(cè)(圖中右側(cè))延伸的2個導(dǎo)體24、25成為電容形成區(qū)域的輔助部分。
然后注意搭載了構(gòu)成接地側(cè)線圈3的線圈圖形3b的電介質(zhì)層1b。線圈圖形3b，大致為矩形狀，由電容形成區(qū)域31、和從該電容形成區(qū)域31向一方端側(cè)(圖中為右側(cè))延伸的2個電感形成部分32、33所構(gòu)成。此外，從電容形成區(qū)域31向另一端側(cè)(圖中左側(cè))延伸的2個導(dǎo)體34、35成為電容形成區(qū)域的輔助部分。
這兩者的線圈圖形3b和2c，經(jīng)過電介質(zhì)層1b相互對向。即，線圈圖形2c的電容形成區(qū)域21和線圈圖形3b的電容形成區(qū)域31相互對向。又，線圈圖形2c的電感22、23和線圈圖形3b的導(dǎo)體34、35相互對向。線圈圖形3b的電感部32、33和線圈圖形2c的導(dǎo)體24、25相互對向。
這樣，在兩線圈圖形3b和2c之間形成給定電容成分。其結(jié)果，兩者為電容耦合。
此外，在相鄰電介質(zhì)層的層間形成的其它線圈圖形也相同。
又，接地側(cè)線圈3的上下層連接圖形5a、5c，與配置在中間電介質(zhì)層中的成為接地側(cè)線圈的線圈圖形3b的2個電感部32、33重疊，形成為帶狀。然后，上下層連接圖形5a的一端側(cè)，例如通過貫通位于下側(cè)的電介質(zhì)層1a的厚度的過孔導(dǎo)體(虛線所示)，與線圈圖形3b的一端側(cè)的電感部32連接。又，上下層連接圖形5c的一端側(cè)，例如通過貫通位于上側(cè)的電介質(zhì)層1b的厚度的過孔導(dǎo)體(虛線所示)，與線圈圖形3b的一端側(cè)的電感部33連接。
又，接地導(dǎo)體膜9，在不使信號側(cè)線圈2的端子連接圖形短路的情況下在電介質(zhì)層1g上的大致整個面上形成。該接地導(dǎo)體膜9和接地側(cè)線圈3的線圈圖形3f，通過電介質(zhì)層1f對向。這樣，在線圈圖形3f和接地導(dǎo)體膜9之間形成給定接地電容成分Cg(參見圖6(a))，兩者電容耦合。然后，接地導(dǎo)體膜9，與從其長邊的一部分延伸，在積層體1的外表面上形成的接地側(cè)端子電極8連接。
此外，圖2中的信號側(cè)線圈2，合計大致3圈，接地側(cè)線圈3也是大致3圈，圈數(shù)(自感)不應(yīng)有大的差別。
但是，為控制衰減頻率反而可以相差。這樣，當(dāng)?shù)刃щ娙莶蛔儠r，信號側(cè)線圈2和接地側(cè)線圈3的互感可以任意控制，可以獲得能任意控制噪聲濾波器的衰減頻率等的頻率特性的濾波器特性。
在本實施例的各線圈圖形2a、2c、2e、3b、3d、3f中形成的電感部22、23、32、33，在各自的端部側(cè)按相同長度延伸。又，在相互的中央部側(cè)形成電容成形區(qū)域。
各線圈的線圈圖形部分，從平面上觀察，分別為大致矩形狀，占電介質(zhì)的平面形狀的一半。這樣，符合信號側(cè)線圈2、接地側(cè)線圈3的平面形狀，實質(zhì)上可以近似于電介質(zhì)層的平面形狀。
其結(jié)果，可以使電介質(zhì)層1a～1e的線圈圖形2a、2c、2e、3b、3d、3f以及上下層連接圖形4b、4d、4f、5a、5c、5e所構(gòu)成的線圈的內(nèi)面積達到最大，使線圈周圍的無用區(qū)域到達最小。這樣，可以使線圈的電感成分最大，并且使電介質(zhì)層1a～1e的形狀小型化，這樣，可以實現(xiàn)小型積層體1。
上述結(jié)構(gòu)的積層體1按照以下的制造方法制作。
首先，成為積層體1的電介質(zhì)層1x、1a～1g的電介質(zhì)片，將至少包含電介質(zhì)材料的BaTiO3、TiO3的陶瓷粉末和有機載色劑均勻混合后，成形為給定厚度(20μm～100μm)的帶狀或者片狀，按給定大小裁斷。
然后，在該電介質(zhì)片的給定位置(成為上下層連接圖形4b～4f、5a～5e的任一端部的位置)上采用沖壓加工等形成成為過孔導(dǎo)體的貫通孔(孔徑50μm～200μm)。
然后，在上述貫通孔內(nèi)，填充Ag系(Ag單體、Ag-Pd那樣的Ag合金)，或者Cu系材料的金屬粉末、根據(jù)需要與低融點玻璃料和有機載色劑均勻混合獲得的導(dǎo)電性漿料。在該片的表面上通過上述導(dǎo)電性漿料的絲網(wǎng)印刷，分別形成厚度為1μm～20μm的成為信號側(cè)線圈的線圈圖形2a、2c、2e的導(dǎo)體膜，成為接地側(cè)線圈的線圈圖形3b、3d、3f的導(dǎo)體膜、成為上下層連接圖形5a、5c、5e、4b、4d、4f的導(dǎo)體膜。
又，在成為最下層的電介質(zhì)片上同樣通過上述導(dǎo)電性漿料的絲網(wǎng)印刷，分別形成厚度為1μm～20μm的成為接地導(dǎo)體膜9的導(dǎo)體以及成為端子連接圖形的導(dǎo)體膜。此外，在成為電介質(zhì)層1x的電介質(zhì)片上同樣形成成為端子連接圖形的導(dǎo)體膜。
然后，按照圖2所示積層順序，選擇性積層各個電解質(zhì)片，通過熱壓一體化。然后，根據(jù)需要裁斷成考慮料燒結(jié)收縮后的最終尺寸，或者形成用于在最后工藝上進行分隔的分隔槽。
然后，對電介質(zhì)片構(gòu)成的積層體，在給定環(huán)境下，以給定溫度燒成。上述導(dǎo)電性漿料采用Ag系導(dǎo)電性漿料時在氧化環(huán)境下或者中性環(huán)境下，采用Cu系導(dǎo)電性漿料時在還原性環(huán)境下或者中性環(huán)境下進行處理。又，峰值溫度，按照電介質(zhì)片燒結(jié)反應(yīng)所需要的溫度進行處理。
在這樣燒成處理后的積層體1中，在積層體1的外表面上露出的過孔導(dǎo)體、導(dǎo)體的露出部分上通過導(dǎo)電性漿料的燒結(jié)形成成為各個端子電極6、7、8的導(dǎo)體膜，然后，在該導(dǎo)體膜的表面上實施電鍍處理。
圖3(a)、(b)，表示本發(fā)明的其它噪聲濾波器中使用的2種電介質(zhì)層1Y、1Z的平面圖。在電介質(zhì)層1Y中，形成構(gòu)成信號側(cè)線圈的線圈圖形2Y以及構(gòu)成接地側(cè)線圈的上下層連接圖形5Y。在電介質(zhì)層1Z中，形成構(gòu)成接地側(cè)線圈的線圈圖形3Z以及構(gòu)成信號側(cè)線圈的上下層連接圖形4Z。
在圖3中，沒有形成圖2所示線圈圖形的輔助電容形成區(qū)域的導(dǎo)體24、25、34、35。即，線圈圖形相對于在圖2中實質(zhì)上為“H”形狀，在圖3中實質(zhì)上為“C”形狀。這樣的線圈圖形，在不需要在兩線圈之間形成的電容成分或者少量即可的情況下采用。
如上所述，在本發(fā)明中在接地側(cè)線圈3和接地側(cè)端子8之間，在接地導(dǎo)體膜9和線圈圖形3f之間，形成了接地電容成分Cg(參見圖6(a))。這樣，通過附加接地電容成分Cg，可以改善低頻的濾波器特性。
<例子>
本發(fā)明人，對本發(fā)明的噪聲濾波器、和如圖5所示的具有線圈圈數(shù)、尺寸等相同的線圈圖形的現(xiàn)有技術(shù)的噪聲濾波器，測定了其特性。
圖4(a)表示本發(fā)明的噪聲濾波器的特性，圖4(b)表示現(xiàn)有技術(shù)的噪聲濾波器的特性。橫軸表示頻率(MHz)、縱軸表示衰減量(dB)。根據(jù)這些圖表明，本發(fā)明制品的特性，低頻區(qū)域、例如到500MHz左右的衰減并不太大，而在這之上的頻率急劇衰減，在較寬的頻帶可以獲得足夠的衰減量。
這表明，本發(fā)明制品，可以進一步任意設(shè)定現(xiàn)有技術(shù)的濾波器特性的自由度高的噪聲濾波器，可以顯著提高低頻段的衰減特性。
本發(fā)明的特性在現(xiàn)有濾波器的低頻部分通過接地電容成分Cg，抑制還流接地的電流，在低頻不衰減，被衰減的頻率是通過諧振電路，產(chǎn)生衰減的頻率，諧振電路是由信號側(cè)線圈的電感、接地側(cè)線圈的電感、信號側(cè)線圈和接地側(cè)線圈間的電容以及接地電容成分Cg形成的諧振電路。
本實施方式，作為噪聲濾波器的一例，該特性根據(jù)所采用的電路構(gòu)成可以適當(dāng)最優(yōu)化。圖6(a)表示的等效電路圖中，各個元件的值可以根據(jù)所要求的濾波器特性、形狀適當(dāng)選擇，并不限定于圖中的值以及這些值的組合。
—第2實施方式—以下，對本發(fā)明的多聯(lián)噪聲濾波器的結(jié)構(gòu)、特性進行說明。
在說明中，以在積層體內(nèi)部在上下方向上配置2個噪聲濾波器、進一步在橫方向上配置2個噪聲濾波器、合計具有4個噪聲濾波器元件的四聯(lián)噪聲濾波器為例進行說明。第1噪聲濾波器元件和第3噪聲濾波器元件配置在各個積層體內(nèi)的上下方向上，第2噪聲濾波器元件和第4噪聲濾波器元件配置在各個積層體內(nèi)的上下方向上，進一步，第1噪聲濾波器元件和第2噪聲濾波器元件配置積層體內(nèi)的橫方向上，第3噪聲濾波器元件和第4噪聲濾波器元件配置積層體內(nèi)的橫方向上。
圖7表示本發(fā)明的多聯(lián)噪聲濾波器的外觀立體圖，圖8表示多聯(lián)噪聲濾波器的積層結(jié)構(gòu)的分解立體圖。圖9表示多聯(lián)噪聲濾波器的等效電路圖。
多聯(lián)噪聲濾波器包括具備第1～第4噪聲濾波器元件的積層體1、在該積層體1的外表面上分別形成第1噪聲濾波器元件的信號側(cè)輸入輸出端子電極51、61；第2噪聲濾波器元件的信號側(cè)輸入輸出端子電極53、63；第3噪聲濾波器元件的信號側(cè)輸入輸出端子電極52、62；第4噪聲濾波器元件的信號側(cè)輸入輸出端子電極54、64；第1～第4噪聲濾波器元件共同的接地側(cè)端子電極8。
積層體1，由鈦酸鋇、鈦鈷酸鋇等電介質(zhì)材料構(gòu)成的電介質(zhì)層1a～1k、成為在圖8中未畫出的上下邊界層的電介質(zhì)層積層構(gòu)成。在電介質(zhì)層1a～1k上形成有線圈圖形和導(dǎo)體膜。
如果著眼于1個噪聲濾波器，信號側(cè)線圈和接地側(cè)線圈相互通過電容成分耦合構(gòu)成。然后，搭載4個這樣的噪聲濾波器元件。
4個多聯(lián)濾波器的等效電路，如圖9所示，構(gòu)成第1噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls1和接地側(cè)線圈Lg1通過電容成分C1耦合。對于第2噪聲濾波器元件也同樣，信號側(cè)線圈Ls2和接地側(cè)線圈Lg2通過電容成分C2耦合。同樣，對于第3、第4噪聲濾波器元件，信號側(cè)線圈Ls3、Ls4和接地側(cè)線圈Lg3、Lg4通過電容成分C3、C4分別耦合。
參見圖8，在電介質(zhì)層1a～1k的各層間，分別形成第1～第4噪聲濾波器元件的構(gòu)成信號側(cè)線圈Ls1～Ls4的信號側(cè)線圈圖形21a～21f、22a～22f、23f～23k、24f～24k、構(gòu)成接地側(cè)線圈Lg1～Lg4的接地側(cè)線圈圖形31a～31f、32a～32f、33j～33f、34i～34f。
具體地講，第1噪聲濾波器元件由在電介質(zhì)層1a～1f上形成的信號側(cè)線圈圖形21a～21f所構(gòu)成信號側(cè)線圈Ls1、和接地側(cè)線圈圖形31b～31e所構(gòu)成的接地側(cè)線圈Lg1所構(gòu)成。
又，第2噪聲濾波器元件由在電介質(zhì)層1a～1f上形成的信號側(cè)線圈圖形22a～22f所構(gòu)成信號側(cè)線圈Ls2、和接地側(cè)線圈圖形32b～32e所構(gòu)成的接地側(cè)線圈Lg2所構(gòu)成。
同樣，第3噪聲濾波器元件由在電介質(zhì)層1f～1k上形成的信號側(cè)線圈圖形23f～23k所構(gòu)成信號側(cè)線圈Ls3、和接地側(cè)線圈圖形33g～33j所構(gòu)成的接地側(cè)線圈Lg3所構(gòu)成。
第4噪聲濾波器元件由在電介質(zhì)層1f～1k上形成的信號側(cè)線圈圖形24f～24k所構(gòu)成信號側(cè)線圈Ls4、和接地側(cè)線圈圖形34g～34j所構(gòu)成的接地側(cè)線圈Lg4所構(gòu)成。
然后，在第1～第4噪聲濾波器元件中構(gòu)成信號側(cè)線圈Ls1～Ls4的信號側(cè)線圈圖形21a～21f、22a～22f、23f～23k、24f～24k以及第1～第4噪聲濾波器元件的構(gòu)成接地側(cè)線圈Lg1～Lg4的接地側(cè)線圈圖形31a～31f、32a～32f、33g～33j、34g～34j，為構(gòu)成給定圈數(shù)的線圈，各線圈圖形的一端通過過孔導(dǎo)體與在厚度方向相鄰線圈圖形的另一端連接。
在此，在電介質(zhì)層1f上，各噪聲濾波器元件共同的接地電位上，形成分隔位于上下的噪聲濾波器元件、即第1噪聲濾波器元件和第3噪聲濾波器元件、同時第2噪聲濾波器元件和第4噪聲濾波器元件的分隔導(dǎo)體膜41f。
該分隔導(dǎo)體膜41f，通過電容成分Cg與構(gòu)成各噪聲濾波器元件的接地側(cè)線圈Lg1～Lg4連接。例如，構(gòu)成第1噪聲濾波器元件的接地側(cè)線圈Lg1的線圈圖形31e和分隔導(dǎo)體膜41f通過電介質(zhì)層1e、又，構(gòu)成第2噪聲濾波器元件的接地側(cè)線圈Lg2的線圈圖形32e和分隔導(dǎo)體膜41f通過電介質(zhì)層1e、又，構(gòu)成第3噪聲濾波器元件的接地側(cè)線圈Lg3的線圈圖形33g和分隔導(dǎo)體膜41f通過電介質(zhì)層1f、又，構(gòu)成第4噪聲濾波器元件的接地側(cè)線圈Lg4的線圈圖形34g和分隔導(dǎo)體膜41f通過電介質(zhì)層1f分別連接。
此外，在該實施例中，雖然分隔導(dǎo)體膜41f和各接地側(cè)線圈的線圈圖形31e、32e、33g、34g通過電容成分連接，在該實施例中，分隔導(dǎo)體膜41f和各接地側(cè)線圈的線圈圖形31e、32e、33g、34g的沒有形成過孔導(dǎo)體的端部，也可以通過過孔導(dǎo)體直接連接。
又，構(gòu)成第1噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls1，通過在電介質(zhì)層1a上形成的線圈圖形21a，例如與信號側(cè)輸入端子電極61連接，通過在電介質(zhì)層1f上形成的線圈圖形21f，例如與信號側(cè)輸出端子電極51連接。同樣，構(gòu)成第2噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls2，通過在電介質(zhì)層1a上形成的線圈圖形22a，例如與信號側(cè)輸入端子電極53連接，通過在電介質(zhì)層1f上形成的線圈圖形22f，例如與信號側(cè)輸出端子電極63連接。又，構(gòu)成第3噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls3，通過在電介質(zhì)層1k上形成的線圈圖形23k，例如與信號側(cè)輸入端子電極52連接，通過在電介質(zhì)層1f上形成的線圈圖形23f，例如與信號側(cè)輸出端子電極62連接。同樣，構(gòu)成第4噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls4，通過在電介質(zhì)層1k上形成的線圈圖形24k，例如與信號側(cè)輸入端子電極64連接，通過在電介質(zhì)層1f上形成的線圈圖形24f，例如與信號側(cè)輸出端子電極54連接。
在此，其特點是，在上下方向上配置的第1噪聲濾波器元件和第3噪聲濾波器元件通過分隔導(dǎo)體膜41f，同時在上下方向上配置的第2噪聲濾波器元件和第4噪聲濾波器元件通過分隔導(dǎo)體膜41f分隔。
參照圖8，如果對積層體1的內(nèi)部結(jié)構(gòu)更進一步詳細說明，則在電介質(zhì)層1a和電介質(zhì)層1b的層間，例如在電介質(zhì)層1b上配置成為約3/4圈的大致H字狀(或者コ子狀)的構(gòu)成第1以及第2噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls1、Ls2的線圈圖形21b、22b，成為約1/4圈的大致I字狀的構(gòu)成第1以及第2噪聲濾波器元件的接地側(cè)線圈Lg1、Lg2的線圈圖形31b、32b。
又，在電介質(zhì)層1b和電介質(zhì)層1c的層間，例如，在電介質(zhì)層1c上配置成為約1/4圈的大致I字狀的構(gòu)成第1以及第2噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls1、Ls2的線圈圖形21c、22c，成為約3/4圈的大致H字狀(或者コ子狀)的構(gòu)成第1以及第2噪聲濾波器元件的接地側(cè)線圈Lg1、Lg2的線圈圖形31c、32c。
然后，構(gòu)成第1噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls1的信號側(cè)線圈圖形21b的一端，通過過孔導(dǎo)體(虛線)與信號側(cè)線圈圖形21c的另一端連接，這樣，形成大約1圈的線圈。同樣，在接地側(cè)線圈Lg1中，接地側(cè)線圈圖形31b的一端，通過過孔導(dǎo)體(虛線)與接地側(cè)線圈圖形31c的另一端連接，這樣，形成大約1圈的線圈。對于第3噪聲濾波器元件也同樣。然后，這樣連接構(gòu)成的線圈圖形，對于在電介質(zhì)層1d、1e上形成的線圈圖形也相同。
即，第1噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls1，信號側(cè)線圈圖形21a的另一端例如與信號側(cè)輸入端子電極61連接，信號側(cè)線圈圖形21a的一端通過過孔導(dǎo)體與信號側(cè)線圈圖形21b的另一端連接，信號側(cè)線圈圖形21b的一端通過過孔導(dǎo)體與信號側(cè)線圈圖形21c的另一端連接，信號側(cè)線圈圖形21c的一端通過過孔導(dǎo)體與信號側(cè)線圈圖形21d的另一端連接，信號側(cè)線圈圖形21d的一端通過過孔導(dǎo)體與信號側(cè)線圈圖形21e的另一端連接，信號側(cè)線圈圖形21e的一端通過過孔導(dǎo)體與信號側(cè)線圈圖形21f的另一端連接，信號側(cè)線圈圖形21f的一端例如與信號側(cè)輸出端子電極51連接。又，第1噪聲濾波器元件的接地側(cè)線圈Lg1，以接地側(cè)線圈圖形31b作為始端，接地側(cè)線圈圖形31b的一端通過過孔導(dǎo)體與接地側(cè)線圈圖形31c的另一端連接，接地側(cè)線圈圖形31c的一端通過過孔導(dǎo)體與接地側(cè)線圈圖形31d的另一端連接，接地側(cè)線圈圖形31d的一端通過過孔導(dǎo)體與接地側(cè)線圈圖形31e的另一端連接，接地側(cè)線圈圖形31e相對于電介質(zhì)層1e通過電容成分Cg與成為接地電位的分隔導(dǎo)體膜41f耦合，與接地電位端子電極7、8連接。
其結(jié)果，配置分隔導(dǎo)體膜41f上部側(cè)的第1噪聲濾波器元件，由大約2圈(由于有與端子電極連接的線圈圖形，多少會增加一點圈數(shù))的信號側(cè)線圈Ls1、接地側(cè)線圈Lg1形成。然后，例如夾持電介質(zhì)層1b配置的信號側(cè)線圈的線圈圖形21b和接地側(cè)線圈的線圈圖形31c，其一部分對向，形成耦合電容Cg的一部分。同樣，在其它電介質(zhì)層1c～1e中也形成耦合電容Cg的一部分，合成這些電容成分，成為構(gòu)成第1噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls1和接地側(cè)線圈Lg1之間的耦合容量成分Cg。此外，對于第2噪聲濾波器元件也相同。
在此，如果觀察構(gòu)成第1噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls1的軸芯(纏繞線圈在縱方向的中心線)和接地側(cè)線圈Lg1的軸芯，信號側(cè)線圈Ls1的軸芯，向圖8的紙面深部側(cè)形成，接地側(cè)線圈Lg1的軸芯向圖8的紙面這邊一側(cè)形成，兩線圈Ls1、Lg1的軸芯重合配置。
如果觀察第2噪聲濾波器元件的各線圈的軸芯，信號側(cè)線圈Ls2的軸芯，向圖8的紙面這邊一側(cè)形成，接地側(cè)線圈Lg2的軸芯向圖8的紙面深部側(cè)形成，兩軸芯重合配置。
上述接地電位的分隔導(dǎo)體膜41f的形狀，為了使各接地號側(cè)線圈圖形31e、32e的自感一致，形成為β狀。
對于在形成了分隔導(dǎo)體膜41f的電介質(zhì)層1f的下部積層的電介質(zhì)層1g～1k，也和上述第1噪聲濾波器元件、第2噪聲濾波器元件同樣，第3噪聲濾波器元件，由大約2圈強的信號側(cè)線圈Ls3、和通過電容成分C3與該信號側(cè)線圈Ls3耦合的大約2圈的接地側(cè)線圈Lg3所構(gòu)成，第4噪聲濾波器元件，由大約2圈強的信號側(cè)線圈Ls4、和通過電容成分C4與該信號側(cè)線圈Ls4耦合的大約2圈的接地側(cè)線圈Lg4所構(gòu)成。
在此，在第3以及的4噪聲濾波器元件中，接地側(cè)線圈Lg3、Lg4與電介質(zhì)層1f的分隔導(dǎo)體膜41f電容耦合后，與接地電位的端子電極7、8連接。
又，第3以及第4信號側(cè)線圈Ls3、Ls4的一端，通過在電介質(zhì)層1k上形成的線圈圖形23k、24k例如與信號側(cè)輸入出端子電極53、64連接，第3以及第4信號側(cè)線圈Ls3、Ls4的另一端，通過在電介質(zhì)層1f上形成的線圈圖形23f、24f例如與信號側(cè)輸出端子電極63、54連接。
然后，如果觀察構(gòu)成第3噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls3的軸芯和接地側(cè)線圈Lg3的軸芯，信號側(cè)線圈Ls3的軸芯，向圖8的紙面這邊一側(cè)形成，接地側(cè)線圈Lg3的軸芯向圖8的紙面深部側(cè)形成，兩線圈Ls3、Lg3的軸芯重合配置。又，如果觀察第4噪聲濾波器元件的各線圈的軸芯，信號側(cè)線圈Ls4的軸芯，向圖8的紙面深部側(cè)形成，接地側(cè)線圈Lg2的軸芯向圖8的紙面這邊一側(cè)形成，兩軸芯重合配置。
此外，在各電介質(zhì)層1a～1k上形成的所有線圈圖形，電介質(zhì)層1a～1k的厚度方向上形成的過孔導(dǎo)體，由以Ag系(Ag單體或者Ag合金)或者Cu系(Cu單體或者Cu合金)為主成分的導(dǎo)體構(gòu)成。又，信號側(cè)輸入輸出端子51～54、61～64以及接地側(cè)端子電極7、8也可以在以Ag等為主成分的底部導(dǎo)體膜上在其表面形成Ni電鍍或者焊錫電鍍等的層。
在本發(fā)明中，在積層體1的上下配置的例如第1噪聲濾波器元件、和第3噪聲濾波器元件中，使構(gòu)成第1噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls1的軸芯、和構(gòu)成第3噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls3的軸芯錯位來對第1噪聲濾波器元件、第3噪聲濾波器元件進行配置。即構(gòu)成第1噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls1的軸芯向圖8的紙面深部側(cè)形成(接地側(cè)線圈Lg1的軸芯向圖8的紙面這邊一側(cè)形成)，構(gòu)成第3噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls3的軸芯向圖8的紙面這邊一側(cè)形成(接地側(cè)線圈Lg3的軸芯向圖8的紙面深部側(cè)形成)，構(gòu)成第1噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls1的軸芯、和構(gòu)成第3噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls3的軸芯實質(zhì)上不重合進行配置。
又，對于在積層體1的右側(cè)上下配置的第2噪聲濾波器元件、和第4噪聲濾波器元件也同樣。
這樣的多聯(lián)噪聲濾波器，在成為電介質(zhì)層1a～1k的印刷電路基板(Green sheet)的給定位置上形成成為過孔導(dǎo)體的貫通孔，在該貫通孔中填充導(dǎo)電性漿料，同時通過導(dǎo)電性漿料的印刷在印刷電路基板的表面上形成給定形狀的成為線圈圖形的導(dǎo)體膜、或者成為分隔導(dǎo)體膜的導(dǎo)體膜，然后，按照給定的積層順序?qū)⒃撚∷㈦娐坊逡约俺蔀樯舷逻吔鐚拥挠∷㈦娐坊宸e層壓接，裁斷未燒成的積層體，以800～1050℃進行燒成處理后形成積層體1。然后，在該積層體1的面上燒結(jié)形成成為端子電極51～54、61～64的導(dǎo)體膜，并實施電鍍處理。
如果只是著眼于這樣在上下方向配置的噪聲濾波器元件，各噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈以及接地側(cè)線圈的兩端部，根據(jù)與端子電極的連接結(jié)構(gòu)，可以采用若干不同形狀的如圖11(a)～(d)所示的線圈圖形。此外，在圖11中，白色線圈圖形例如表示信號側(cè)線圈的線圈圖形，黑色線圈圖形例如表示接地側(cè)線圈的線圈圖形。
即，由圖11(a)、(b)所示的線圈圖形構(gòu)成上部噪聲濾波器元件，由圖11(c)、(d)所示的線圈圖形構(gòu)成下部噪聲濾波器元件。
即，構(gòu)成上部噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈由線圈圖形S1、S1′構(gòu)成，接地側(cè)線圈由線圈圖形G1、G1′構(gòu)成。構(gòu)成下部噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈由線圈圖形S3、S3′構(gòu)成，接地側(cè)線圈由線圈圖形G3、G3′構(gòu)成，如上所述，可以使構(gòu)成上部噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls1的軸芯、和構(gòu)成下部噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls3的軸芯錯位。這樣，在圖11(a)～(d)中，構(gòu)成位于上部以及下部的噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈以及接地側(cè)線圈，在圖11的紙面上也可以是上下相反的圖形。任何一種情況下，由于都使構(gòu)成上部噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls1和構(gòu)成下部噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls3的軸芯錯位進行配置，例如通過構(gòu)成第1噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls1的軸芯的磁力線、對配置在構(gòu)成第1噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls1的下部的構(gòu)成第3噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls3的影響可以到達最小。
此外，如上所述，第1噪聲濾波器元件、和位于第1噪聲濾波器元件的下部的第3噪聲濾波器元件，實質(zhì)上通過在電介質(zhì)層1f上形成的接地電位的分隔導(dǎo)體膜41f，也可以遮斷電場，由于在降低上述磁場影響的同時，也會降低電場的影響，第1噪聲濾波器元件、第3噪聲濾波器元件均可以保持按照設(shè)計的所希望的特性，不僅可以保持特性的穩(wěn)定性，而且在1個元件形成區(qū)域中能配置2個噪聲濾波器元件的安裝面積也可以縮小。
圖10表示在這樣構(gòu)成的本發(fā)明的多聯(lián)噪聲濾波器中，在同一積層體1內(nèi)的上下(厚度)方向上配置的2個噪聲濾波器元件的串線干擾對頻率衰減特性的改變的特性圖。在圖10中，實線表示的T2，是在同一積層體1內(nèi)的上下方向上配置的噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈按照實質(zhì)上成同一軸芯進行配置的多聯(lián)濾波器的特性，虛線所示的T1，是向本發(fā)明的第1噪聲濾波器元件、第3噪聲濾波器元件(或者第2噪聲濾波器元件、第4噪聲濾波器元件)那樣的噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈的軸芯相互錯位后的特性。
圖10表明，當(dāng)使構(gòu)成噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈之間的軸芯錯位時，特別是在頻率500MHz以上的頻帶中可以改善由串線干擾引起的衰減特性的劣化。
此外，為了提高多聯(lián)噪聲濾波器的高頻特性，線圈圖形以及分隔導(dǎo)體膜41f、端子電極51～54、61～64由Cu系材料構(gòu)成，電介質(zhì)層1a～1k的材料也可以采用以鈦酸鈷酸鈣為主要成分的氧化物的非還原性電介質(zhì)材料。在該復(fù)合氧化物中也可以添加可以低溫?zé)傻牟ＡР牧系容o助材料。
在上述圖8以及圖11中，對積層體1內(nèi)的配置在上部側(cè)的噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈的線圈圖形、接地側(cè)線圈的線圈圖形、和配置在該噪聲濾波器的下部的噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈的線圈圖形、接地側(cè)線圈的線圈圖形之間的關(guān)系以及分隔導(dǎo)體膜的作用進行了說明。
又，如圖8所示，在4元件的噪聲濾波器元件中，在電介質(zhì)層的同一平面上，形成了不同噪聲濾波器元件的線圈圖形。這時，例如，在電介質(zhì)層1b上形成的2個噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈以及/或接地側(cè)線圈的線圈圖形，可以舉出圖12(a)～(d)所示4種圖形。此外，在圖12(a)～圖12(d)中，白色線圈圖形例如表示信號側(cè)線圈的線圈圖形，黑色線圈圖形例如表示接地側(cè)線圈的線圈圖形。又，在圖中，S0表示信號線圈的軸芯部分。
圖12(a)表示圖8所示線圈圖形的情況。這時，并排設(shè)置的2個噪聲濾波器元件，例如第1噪聲濾波器元件、第2噪聲濾波器元件，使信號側(cè)線圈Ls1、Ls2的軸芯相互處在矩形狀的電介質(zhì)層1b的對角線上那樣形成線圈圖形S1、S2、G1、G2。此外，該電介質(zhì)層1b上的3/4圖形的線圈圖形，是信號側(cè)線圈的線圈圖形S1、S2的情況。
在圖12(b)中，并排設(shè)置的2個噪聲濾波器元件，例如第1噪聲濾波器元件、第2噪聲濾波器元件，使信號側(cè)線圈Ls1、Ls2的軸芯相互并排處在矩形狀的電介質(zhì)層1b中那樣形成線圈圖形S1、S2、G1、G2。此外，該電介質(zhì)層1b上的3/4圖形的線圈圖形，是信號側(cè)線圈的線圈圖形S1、和接地側(cè)線圈的線圈圖形G2混合的情況。
在圖12(c)中，并排設(shè)置的2個噪聲濾波器元件，例如第1噪聲濾波器元件、第2噪聲濾波器元件，使信號側(cè)線圈Ls1、Ls2的軸芯相互并排處在矩形狀的電介質(zhì)層1b中那樣形成線圈圖形S1、S2、G1、G2。此外，該電介質(zhì)層1b上的3/4圖形的線圈圖形，是信號側(cè)線圈的線圈圖形S1、S2的情況。
在圖12(d)中，并排設(shè)置的2個噪聲濾波器元件，例如第1噪聲濾波器元件、第2噪聲濾波器元件，使信號側(cè)線圈Ls1、Ls2的軸芯相互處在矩形狀的電介質(zhì)層1b的對角線上那樣形成線圈圖形S1、S2、G1、G2。此外，該電介質(zhì)層1b上的3/4圖形的線圈圖形，是信號側(cè)線圈的線圈圖形S1、和接地側(cè)線圈的線圈圖形G2混合的情況。
此外，在圖12中，雖然只表示了電介質(zhì)層1b，在電介質(zhì)層1c的線圈圖形中，3/4圖形的線圈圖形變成1/4圖形的線圈圖形。
這樣，在圖12中，為了不使通過第1噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls1的軸芯和第2噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls2的軸芯的磁力線相互影響，優(yōu)選使信號側(cè)線圈的軸芯SO相互處在對角線上。例如，優(yōu)選圖12(a)的圖形、和圖12(d)的圖形。此外，在圖12(b)、(c)中，第1噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls1的軸芯和第2噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈Ls2的軸芯雖然并排設(shè)置，這時，只要使通過信號側(cè)線圈的軸芯的磁力線相互不影響的程度，拉開噪聲濾波器元件之間的間隔即可。
本發(fā)明的實施，并不限定于上述方式。在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以實施各種變更。例如，在上述實施例中，積層體內(nèi)，雖然是在上下配置2段噪聲濾波器的例子，也可以積層3段以上的噪聲濾波器元件。這時，使奇數(shù)段的噪聲濾波器元件之間的例如信號側(cè)線圈的軸芯相同，而與偶數(shù)段的噪聲濾波器元件的如信號側(cè)線圈的軸芯不同即可。
又，在第2實施方式中，第1～第4噪聲濾波器的接地側(cè)線圈Lg1～Lg4，通過接地電容成分Cg接地。但是，并不限定于該方式，接地側(cè)線圈Lg1～Lg4，也可以通過貫通電介質(zhì)層的過孔導(dǎo)體，與分隔導(dǎo)體膜41f等接地電位直接進行接地。在該結(jié)構(gòu)中，通過使上下的信號側(cè)線圈的磁力線錯位，在噪聲特性上，就可以有效抑制不需要的兩者之間的磁力線的串線干擾，可以實現(xiàn)本發(fā)明的效果。
權(quán)利要求
1.一種噪聲濾波器，其特征在于包括積層了多個電介質(zhì)層的電介質(zhì)本體、設(shè)置在電介質(zhì)本體的外表面上的信號側(cè)輸入端子電極、信號側(cè)輸出端子電極、以及接地端子電極、一端部與信號側(cè)輸入端子電極連接、另一端部與信號側(cè)輸出端子電極連接的信號側(cè)線圈、在該信號側(cè)線圈之間形成電容成分，并且一端部通過接地電容成分與接地端子電極連接的接地側(cè)線圈。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噪聲濾波器，其特征在于所述信號側(cè)線圈以及所述接地側(cè)線圈由在所述多個電介質(zhì)層間形成線圈圖形所構(gòu)成，所述信號側(cè)線圈以及接地側(cè)線圈之間的電容成分，在夾持所述電介質(zhì)層所配置的成為所述信號側(cè)線圈的線圈圖形以及成為所述接地側(cè)線圈的線圈圖形之間形成，所述接地端子電極和接地側(cè)線圈之間的接地電容成分，在設(shè)置在所述電介質(zhì)層間的所述接地導(dǎo)體膜、和與該接地導(dǎo)體膜通過所述電介質(zhì)層后對向的成為所述接地側(cè)線圈的線圈圖形之間形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的噪聲濾波器，其特征在于在形成了成為所述信號側(cè)線圈的線圈圖形的絕緣體層上，形成有構(gòu)成成為所述接地側(cè)線圈的線圈圖形的一部分的上下層連接圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的噪聲濾波器，其特征在于在形成了成為所述接地側(cè)線圈的線圈圖形的絕緣體層上，形成有構(gòu)成成為所述信號側(cè)線圈的線圈圖形的一部分的上下層連接圖形。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的噪聲濾波器，其特征在于所述線圈圖形和所述上下層連接圖形，通過絕緣體層中的過孔導(dǎo)體連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一權(quán)利要求所述的噪聲濾波器，其特征在于所述線圈圖形大致成矩形狀，由電容形成區(qū)域、和從該電容形成區(qū)域延伸的電感形成部分所構(gòu)成。
7.一種多聯(lián)噪聲濾波器，是將構(gòu)成所述權(quán)利要求1所述的噪聲濾波器的信號側(cè)線圈至少分別在所述積層體的上下方向上配置所構(gòu)成的多聯(lián)噪聲濾波器，其特征在于包括使所述配置在上部的噪聲濾波器的信號側(cè)線圈的線圈軸芯，與所述配置在下部的噪聲濾波器的信號側(cè)線圈的線圈軸芯相互錯位。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多聯(lián)噪聲濾波器，其特征在于所述信號側(cè)線圈圖形和所述接地側(cè)線圈圖形，其一部分在厚度方向上通過電介質(zhì)層后相互重疊，相互電容耦合。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的多聯(lián)噪聲濾波器，其特征在于所述配置在上部的噪聲濾波器和所述配置在下部的噪聲濾波器，通過接地電位的分隔導(dǎo)體膜進行分隔。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多聯(lián)噪聲濾波器，其特征在于所述配置在上部的噪聲濾波器的接地側(cè)線圈的一端以及配置在下部的噪聲濾波器的接地側(cè)線圈的一端，通過所述分隔導(dǎo)體膜與接地端子電極連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求7～10中任一權(quán)利要求所述的多聯(lián)噪聲濾波器，其特征在于所述配置在上部的噪聲濾波器的信號側(cè)線圈的線圈軸芯和配置在下部的噪聲濾波器的接地側(cè)線圈的線圈軸芯實質(zhì)上同軸，并且配置在上部的噪聲濾波器的接地側(cè)線圈的線圈軸芯和配置在下部的噪聲濾波器的信號側(cè)線圈的線圈軸芯實質(zhì)上同軸。
12.根據(jù)權(quán)利要求7～11中任一權(quán)利要求所述的多聯(lián)噪聲濾波器，其特征在于在由分隔導(dǎo)體膜分隔的所述積層體的上部側(cè)以及/或者下部側(cè)上，在所述積層體的橫方向上并排設(shè)置多個噪聲濾波器元件。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多聯(lián)噪聲濾波器，其特征在于在所述積層體的橫方向上相鄰噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈的線圈軸芯之間，配置在所述相鄰噪聲濾波器元件的形成區(qū)域的大致對角線上。
14.一種多聯(lián)噪聲濾波器，其特征在于包括積層了多個電介質(zhì)層的電介質(zhì)本體、設(shè)置在電介質(zhì)本體的外表面上的信號側(cè)輸入端子電極、信號側(cè)輸出端子電極、以及接地端子電極、一端部與信號側(cè)輸入端子電極連接、另一端部與信號側(cè)輸出端子電極連接的信號側(cè)線圈、在該信號側(cè)線圈之間形成電容成分，并且一端部與接地端子電極連接的接地側(cè)線圈，所述信號側(cè)線圈至少分別在所述積層體的上下方向上配置的多聯(lián)噪聲濾波器；使所述配置在上部的噪聲濾波器的信號側(cè)線圈的線圈軸芯，與所述配置在下部的噪聲濾波器的信號側(cè)線圈的線圈軸芯相互錯位。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的多聯(lián)噪聲濾波器，其特征在于所述信號側(cè)線圈圖形和所述接地側(cè)線圈圖形，其一部分在厚度方向上通過電介質(zhì)層后相互重疊，相互電容耦合。
16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的多聯(lián)噪聲濾波器，其特征在于所述配置在上部的噪聲濾波器和所述配置在下部的噪聲濾波器，通過接地電位的分隔導(dǎo)體膜進行分隔。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的多聯(lián)噪聲濾波器，其特征在于所述配置在上部的噪聲濾波器的接地側(cè)線圈的一端以及配置在下部的噪聲濾波器的接地側(cè)線圈的一端，通過所述分隔導(dǎo)體膜與接地端子電極連接。
18.根據(jù)權(quán)利要求14～17中任一權(quán)利要求所述的多聯(lián)噪聲濾波器，其特征在于配置在所述上部的噪聲濾波器的信號側(cè)線圈的線圈軸芯和配置在下部的噪聲濾波器的接地側(cè)線圈的線圈軸芯實質(zhì)上同軸，并且配置在上部的噪聲濾波器的接地側(cè)線圈的線圈軸芯和配置在下部的噪聲濾波器的信號側(cè)線圈的線圈軸芯實質(zhì)上同軸。
19.根據(jù)權(quán)利要求14～18中任一權(quán)利要求所述的多聯(lián)噪聲濾波器，其特征在于在由分隔導(dǎo)體膜分隔的所述積層體的上部側(cè)以及/或者下部側(cè)上，在所述積層體的橫方向上并排設(shè)置多個噪聲濾波器元件。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的多聯(lián)噪聲濾波器，其特征在于在所述積層體的橫方向上相鄰噪聲濾波器元件的信號側(cè)線圈的線圈軸芯之間，配置在所述相鄰噪聲濾波器元件的形成區(qū)域的大致對角線上。
21.根據(jù)權(quán)利要求14～20中任一權(quán)利要求所述的多聯(lián)噪聲濾波器，其特征在于所述接地側(cè)線圈，直接與所述接地端子電極連接。
22.根據(jù)權(quán)利要求14～20中任一權(quán)利要求所述的多聯(lián)噪聲濾波器，其特征在于所述接地側(cè)線圈，通過電容與所述接地端子電極連接。
全文摘要
本發(fā)明提供一種噪聲濾波器。在積層了多個電介質(zhì)層(1x、1a～1g)的電介質(zhì)本體(1)中，配置其一端部與信號側(cè)輸入端子(6)連接、另一端部與信號側(cè)輸出端子(7)連接的信號側(cè)線圈(2)、與該信號側(cè)線圈(2)之間形成電容成分、并且其一端部通過接地電容成分(Cg)與接地端子(8)連接的接地側(cè)線圈(3)。濾波器特性的控制以及制造方法容易，可以提供串線干擾少的低域頻帶特性好的噪聲濾波器。
文檔編號H03H7/075GK1497841SQ03159900
公開日2004年5月19日 申請日期2003年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月27日
發(fā)明者野木貴文, 巖下晃 申請人:京瓷株式會社