專利名稱：電壓控制的振蕩器和具有該振蕩器的集成電路裝置的制作方法
背景技術：
發(fā)明領域本發(fā)明涉及根據(jù)控制電壓以一頻率振蕩的電壓控制的振蕩器，還涉及具有這種電壓控制的振蕩器的集成電路裝置。
現(xiàn)有技術描述衛(wèi)星廣播調(diào)諧器、有線電視調(diào)諧器等等結(jié)合了PLL(鎖相回路)合成器電路作為用于控制本地信號的頻率，并且其振蕩源通常使用根據(jù)控制電壓以一頻率振蕩的電壓控制振蕩器來實現(xiàn)。在需要在寬范圍內(nèi)改變本地信號的頻率的情況中，使用具有可轉(zhuǎn)接地彼此并聯(lián)的多個電壓控制振蕩電路的電壓控制振蕩器實現(xiàn)PLL合成器電路的振蕩源，每個電壓控制振蕩電路在不同的頻率范圍內(nèi)振蕩(參見日本特許公開No.S58-136142)。
事實上，使用以上所述的特許公開中所揭示的電壓控制振蕩器，有可能在寬范圍內(nèi)改變本地信號頻率而不必加寬每個電壓控制振蕩電路的可變振蕩頻率。這有助于使包含于每個電壓控制振蕩電路中的諧振電路的Q值降低得最小，并因此有助于實現(xiàn)理想的相位噪聲特性。
但是，如上所述配置的電壓控制振蕩器具有缺點，即當電壓控制振蕩電路的輸出電平彼此不同，造成具有信號的輸出電平根據(jù)頻率變化。在后續(xù)級(succeeding-stage)電路要求以恒定電平在整個頻率范圍內(nèi)提供本地信號的情況中，這可以引起問題。即使在只具有一個電壓控制振蕩電路的電壓控制振蕩器中，本地信號的輸出電平可以根據(jù)向其提供的控制電壓而變化。這可以產(chǎn)生如上所述的類似問題。
此外，在如上所述配置的電壓控制振蕩器中，配置相鄰電壓控制振蕩電路的可變振蕩頻率范圍以使在它們的末端重疊從而實現(xiàn)在作為整體的連續(xù)的頻率范圍內(nèi)振蕩。但是，尚沒有完整的研究表明如下事實，即單個電壓控制振蕩電路的可變振蕩頻率范圍由于各種因素(諸如電源電壓變化、工作溫度變化和制造偏差)而變化。結(jié)果，在如上所述配置的電壓控制振蕩器被結(jié)合入集成電路裝置的情況中，不可能唯一地確定選擇哪個電壓控制振蕩電路用于以給定頻率振蕩。
現(xiàn)在，將參考圖7更詳細地說明上述問題。圖7是示出常規(guī)電壓控制的振蕩器的可變振蕩頻率范圍的圖示。在圖中所示的電壓控制振蕩器中，其構成電壓控制振蕩電路VCO1和VCO2的可變振蕩頻率范圍是，當多數(shù)在低側(cè)上(低狀態(tài)中)偏離時，分別從90MHz到140MHz和從130MHz到180MHz，且，多數(shù)在高側(cè)上(高狀態(tài)中)偏離時，分別從110MHz到160MHz和從150MHz到200MHz。在這種方式中，在該常規(guī)電壓控制振蕩器中，設定電壓控制振蕩電路VCO1和VCO2的可變振蕩頻率范圍以使在每個狀態(tài)中它們的末端重疊，從而實現(xiàn)在連續(xù)頻率范圍內(nèi)整體振蕩。
事實上，使用如上所述配置的電壓控制振蕩器，就有可能在任何狀態(tài)中將振蕩頻率控制在從110MHz到180MHz的范圍內(nèi)。但是，當電壓控制振蕩電路VCO1和VCO2分別考慮時，它們不受變化影響的可變振蕩頻率范圍分別被限制到從110MHz到140MHz和從150MHz到180MHz。因此，對于在頻率范圍從140MHz到150MHz內(nèi)的振蕩，不能唯一確定在電壓控制振蕩電路VCO1和VCO2之間選擇哪個。結(jié)果，如上所述配置的電壓控制振蕩器需要用于檢測是否每個電壓控制振蕩電路VCO1和VCO2能以所需頻率振蕩的電路和用于當它們中的一個被發(fā)現(xiàn)不能以該頻率振蕩時選擇另一個的電路。這增加了電路規(guī)模和由電壓控制振蕩器產(chǎn)生的功率損耗。
發(fā)明概述本發(fā)明的第一目的是提供能始終保持恒定的輸出電平而與振蕩頻率無關的電壓控制振蕩器，以及提供具有這種電壓控制振蕩器的集成電路裝置。本發(fā)明的第二目的是提供能唯一確定選擇哪個電壓控制振蕩電路用于以給定頻率振蕩的電壓控制振蕩器，以及提供具有這種電壓控制振蕩器的集成電路裝置。
為了實現(xiàn)以上第一個目的，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，電壓控制振蕩器具有根據(jù)控制電壓以一頻率振蕩的電壓控制的振蕩電路，和將電壓控制的振蕩器的輸出限制到預定電平的限制器電路。可供選擇地，根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，電壓控制振蕩器具有根據(jù)控制電壓以一頻率振蕩的多個電壓控制的振蕩電路；選擇一個電壓控制振蕩電路并使所選電壓控制的振蕩電路工作的選擇器電路；以及將所選電壓控制的振蕩電路限制到預定電平的限制器電路。
為了實現(xiàn)以上第二個目的，根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，電壓控制振蕩器具有根據(jù)控制電壓以一頻率振蕩的多個電壓控制的振蕩電路；和選擇一個電壓控制的振蕩電路并使所選電壓控制的振蕩電路工作的選擇器電路。這里，設定相鄰的電壓控制振蕩電路的可變振蕩頻率范圍以使在它們的末端重疊，且調(diào)整單個電壓控制的振蕩電路的可變振蕩頻率以使多數(shù)在低側(cè)上偏離時所觀察的第n(其中n≥1)個電壓控制振蕩電路的上端頻率比在多數(shù)在高側(cè)偏離時所觀察的第m個(其中m＝n+1)電壓控制振蕩電路的下端頻率高。
根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，集成電路裝置具有如上所述配置的電壓控制的振蕩器。
附圖概述由以下描述結(jié)合較佳實施例并參考附圖，將使本發(fā)明的這個和其他目的及特點變得清楚。


圖1A和1B是顯示本發(fā)明的電壓控制振蕩器的框圖；圖2是本發(fā)明的第一實施例的電壓控制振蕩器的電路圖；圖3是本發(fā)明的第二實施例的電壓控制振蕩器的電路圖；圖4A和4B是示出電壓控制振蕩電路VCO1和VCO2以及限制器電路LMT的設計實例的框圖。
圖5A和5B是示出到電壓控制振蕩電路和限制器電路的電源線設計實例的框圖；圖6是示出顯示本發(fā)明的電壓控制振蕩器的可變振蕩頻率范圍的圖示；以及圖7是示出常規(guī)電壓控制振蕩器的可變振蕩頻率范圍的圖示。
具體實施例方式
圖1A和1B是顯示本發(fā)明的電壓控制振蕩器的框圖。如圖1A所示，顯示本發(fā)明的電壓控制振蕩器1a由根據(jù)控制電壓以一頻率振蕩的電壓控制振蕩電路VCO和將電壓控制振蕩器電路VCO的輸出限制到預定電平的限制器電路LMT組成。在以這種方式配置的電壓控制振蕩器1a中，即使當電壓控制振蕩電路VCO的輸出電平隨其振蕩頻率根據(jù)控制電壓變化而變化，只要輸出電平保持比預定的電平高，則限制器電路LMT的輸出電平保持恒定。使用這種結(jié)構，有可能始終保持恒定輸出電平而與振蕩頻率無關。
在需要在寬范圍改變振蕩電平的情況中，如圖1B所示，顯示本發(fā)明的電壓控制振蕩器可以由根據(jù)控制電壓以一頻率振蕩的多個電壓控制振蕩電路VCO1到VCOn、選擇電壓控制振蕩電路VCO1到VCOn中的一個從而使其工作的選擇器電路SLT和將所選電壓控制振蕩電路限制于預定電平的限制器電路LMT組成。在以這種方式配置的電壓控制振蕩器1b中，即使當電壓控制振蕩電路VCO1到VCOn的輸出電平彼此不同時，只要所有的輸出電平保持超過預定電平，則限制器電路LMT的輸出電平保持恒定。使用這種結(jié)構，有可能始終保持恒定輸出電平而與振蕩電平無關。
現(xiàn)在，將參考圖2更詳細地描述如上所述配置的電壓控制振蕩器的電路結(jié)構和操作的實例。圖2是本發(fā)明的第一實施例的電壓控制振蕩器的電路圖。如該圖所示，該實施例的電壓控制振蕩器由其振蕩頻率在不同范圍內(nèi)可變的兩個電壓控制振蕩電路VCO1和VCO2、選擇電壓控制振蕩電路VCO1和VCO2中的一個從而使其工作的選擇器電路SLT和將所選電壓控制振蕩電路限制于預定電平的限制器電路LMT組成。
電壓控制振蕩電路VCO1由PMOS晶體管P11和P12、NMOS晶體管N11到N14、電感器L11和L12以及變?nèi)荻O管C11和C12組成。同樣地，電壓控制振蕩電路VCO2由PMOS晶體管P21和P22、NMOS晶體管N21到N24、電感器L21和L22以及變?nèi)荻O管C21和C22組成。限制器電路LMT由NMOS晶體管N31到N34、負載電阻Rout1和Rout2以及恒流源I1組成。
晶體管P11和P12的源極連接在一起，且它們連接在一起的節(jié)點連接到選擇器電路SLT的一個輸出端。晶體管P11的漏極連接到晶體管P12的柵極，到電感器L11的一端，到變?nèi)荻O管C11的陰極，到晶體管N11的漏極以及到晶體管N12和N14的柵極。晶體管P12的漏極連接到晶體管P11的柵極，到電感器L12的一端、到變?nèi)荻O管C12的陰極、到晶體管N12的漏極以及到晶體管N11和N13的柵極。電感器L11和L12的另一端連接在一起。變?nèi)荻O管C11和C12的陽極連接在一起，且它們連接在一起的節(jié)點連接到控制電壓線。晶體管N11到N14的源極連接在一起，而它們連接在一起的節(jié)點被接地。
晶體管P21和P22的源極連接在一起，且它們連接在一起的節(jié)點連接到選擇器電路SLT的另一個輸出端。晶體管P21的漏極連接到晶體管P22的柵極、到電感器L21的一端、到變?nèi)荻O管C21的陰極、到晶體管N21的漏極以及到晶體管N22和N24的柵極。晶體管P22的漏極連接到晶體管P21的柵極、到電感器L22的一端、到變?nèi)荻O管C22的陰極、到晶體管N22的漏極以及到晶體管N21和N23的柵極。電感器L21和L22的另一端連接在一起。變?nèi)荻O管C21和C22的陽極連接在一起，且它們連接在一起的節(jié)點連接到控制電壓線。晶體管N21到N24的源極連接在一起，且它們連接在一起的節(jié)點被接地。
晶體管N13和N23的漏極連接在一起，且它們連接在一起的節(jié)點通過電壓轉(zhuǎn)換電阻器Rin1連接到電源線。晶體管N14和N24的漏極連接在一起，且它們連接在一起的節(jié)點通過電壓轉(zhuǎn)換電阻器Rin2連接到電源線。
電壓轉(zhuǎn)換電阻Rin1和Rin2的一端(即，端A和B)分別連接到用作限制器電路LMT的差分輸入端的晶體管N31和N32的柵極。用作限制器電路LMT的差分輸出端的N31和N32的漏極通過負載電阻器Rout1和Rout2連接在一起，且它們連接在一起的節(jié)點連接到電源線。晶體管N31和N32的源極連接在一起，且它們連接在一起的節(jié)點連接到晶體管N34的漏極。晶體管N33和N34的柵極連接在一起，且它們連接在一起的節(jié)點連接到晶體管N33的漏極。晶體管N33的漏極通過恒定電流源11連接到電源線。晶體管N33和N34的源極連接在一起，且它們連接在一起的節(jié)點是接地。在該實施例中，由晶體管N33和N34形成的電流反射鏡電路具有電流反射比1∶1。無需說明，電流反射鏡電流可以具有任何有別于1∶1的比率，例如1∶a(其中a是正整數(shù))。
在如上所述配置的電壓控制振蕩器1c中，選擇器電路SLT所選的電壓控制振蕩器電路VCO1和VCO2中的那一個被提供電源電壓，從而使其能振蕩。這里，電壓控制振蕩電路VCO1和VCO2分別以以下公式(1)給出的振蕩頻率f1和f2振蕩。在公式(1)中，變量L1表示電感器L11和L12的電感，變量L2表示電感器L21和L22的電感，變量C1表示變?nèi)荻O管C11和C12的電容而變量C2表示變?nèi)荻O管C21和C22的電容。
f1=12πL1·C1,f2=12πL2·C2---(1)]]>變量C1和C2根據(jù)控制電壓變化，這使得能夠通過改變控制電壓來改變振蕩頻率f1和f2。此外，通過適當?shù)卣{(diào)整變量L1、L2、C1和C2，有可能使電壓控制振蕩電路VCO1和VCO2能夠在不同的頻率范圍內(nèi)振蕩。
電壓控制振蕩電路VCO1和VCO2的電流輸出被加在一起，且隨后它們的和通過電壓轉(zhuǎn)換電阻Rin1和Rin2被轉(zhuǎn)換為電壓。在電壓控制振蕩電路VCO1和VCO2的電流輸出很低的情況中，使電壓轉(zhuǎn)換電阻Rin1和Rin2具有高電阻使得可能得到更高的電壓。因此，轉(zhuǎn)換為電壓的振蕩輸出隨后被提供到包含于限制器電路LMT中的差分放大器電路。這里，如果輸入電壓足夠高以至于超出差分放大器電路的動態(tài)范圍，則差分放大器電路以飽和狀態(tài)工作，且因此產(chǎn)生恒定的輸出電平。
現(xiàn)在，將更詳細地描述限制器電路LMT的工作。當包含于限制器電路中的差分放大器電路接收超出其動態(tài)范圍的電壓時，晶體管N31和N32中的一個打開而另一個關閉。例如，當端A處的電壓很高而端B處的電壓很低時，晶體管N31打開而晶體管N32關閉。另一方面，當端A處的電壓很低而端B處的電壓很高時，晶體管N31關閉而晶體管N32打開。
這里假定電源電壓是VDD，差分放大器電路的負載電阻器Rout1和Rout2的電阻是Rout，且流過晶體管N34的尾電流(即差分放大器電路的工作電流)是I。隨后，在差分放大器電路工作在飽和狀態(tài)時在輸出端OUT1和OUT2處得到的電壓分別或者是VDD或者是VDD-(Rout×I)。因此，差分輸出幅度(即，限制器電路LMT的輸出電平)是2×Rout×I。因此，通過適當?shù)卦O定差分放大器電路的負載電阻Rout和尾電流I，就有可能得到所需的輸出電平。
接著，將參考圖3詳細地描述本發(fā)明的第二實施例。圖3是本發(fā)明的第二實施例的電壓控制振蕩器的電路圖。配置該實施例的電壓控制振蕩器1d從而，當形成于集成電路中時，即使晶體管、電阻器和其他元件的特性和常數(shù)存在制造上的偏差，它的輸出電平受到最小的變化。如圖3所示，該實施例的電壓控制振蕩器具有大量和第一實施例(參見圖2)相同的結(jié)構。因此，在該實施例的以下描述中，也能在第一實施例中找到的相同電路元件具有相同的標號，且它們的說明將不再重復，而是將重點放在對該實施例獨特的特點上(特別是，包括在限制器電路LMT中的恒流源I1的電路結(jié)構)。
如圖3所示，在該實施例的電壓控制振蕩器1d中，包含于限制器電路LMT中的恒流源I1由PMOS晶體管P31和P32以及電流產(chǎn)生電阻器(current producingresistor)Rbias組成。晶體管P31和P32的源極連接在一起，且它們連接在一起的節(jié)點連接到電源線。晶體管P31和P32的柵極連接在一起，且它們連接在一起的節(jié)點連接到晶體管P31的漏極。晶體管P31的漏極連接到偏壓線，且還通過電流產(chǎn)生電阻器Rbias接地。晶體管P32的漏極連接到晶體管N33的漏極。在該實施例中，由晶體管P31和P32形成的電流反射鏡電路具有電流反射比1∶1。無需說明，電流反射鏡電流可以具有任何有別于1∶1的比率，例如1∶b(其中b是正整數(shù))。
在將偏壓Vbias施加到如上所述配置的恒流源I1時，差分放大器電路的尾電流I是Vbias/Rbias，且因此限制器電路LMT的差分輸出幅度是2×Rout×I＝2×Rout×(Vbias/Rbias)。由于這種結(jié)構，其中差分放大器電路的尾電流I不完全固定而是根據(jù)電流產(chǎn)生電阻Rbias的變化而變化，當電壓控制振蕩器1d形成于集成電路時，即使限制器電路LMT的負載電阻Rout變化，可以用電流產(chǎn)生電阻Rbias對消其影響。這幫助降低輸出電平的變化。
特別地，通過將電流產(chǎn)生電阻器Rbias用作和負載電阻器Rout1及Rout2同樣類型的裝置并將前者置于靠近后者，則有可能使它們的制造偏差的傾向相似且由此使輸出電平的變化最小。
建議將帶隙電壓用作施加到如上所述配置的恒流源I1的偏壓Vbias。由于這種結(jié)構，有可能保持恒定的輸出電平不僅不受制造偏差影響還不受電源電壓的變化和工作溫度變化的影響。
接著，將參考圖4A和4B描述排列電壓控制振蕩電路VCO1和VCO2以及限制器電路LMT的設計。圖4A和4B是示出電壓控制振蕩電流VCO1和VCO2以及限制器電路LMT的設計實例的框圖。
在體現(xiàn)本發(fā)明的電壓控制振蕩器中，建議以這種方式放置限制器電路LMT，即從電壓控制振蕩電路VCO1和VCO2到它的導線一樣長。在圖4A中，限制器電路LMT被置于離電壓控制振蕩電路VCO1和VCO2相等距離的位置。由于這種結(jié)構，不存在由布線電容在電壓控制振蕩電路VCO1和VCO2的輸出中產(chǎn)生的衰減程度的不同。這確保了對于電壓控制振蕩電路VCO1和VCO2兩者，限制器電路LMT以同樣的方式工作。
在不能采納以上設計的情況中，或在優(yōu)先確保限制器電路LMT飽和工作的充足容限(ample margin)的情況中，建議以這種方式放置限制器電路LMT，即從單個電壓控制振蕩電路到它的導線長度以其輸出電平降低的順序逐漸變短。圖4B中，限制器電路LMT被置于靠近產(chǎn)生較低輸出的電壓控制振蕩電路(特別是，這里，電壓控制振蕩電路VCO1)。由于這種結(jié)構，有可能是由布線電容在電壓控制振蕩電路的輸出中產(chǎn)生的衰減程度以其輸出電平降低的順序逐漸降低。這使得更易于保持限制器電路LMT以飽和狀態(tài)工作所需的預定輸入電平，并使確保限制器電路LMT飽和工作的充足容限成為可能。
接著，將參考圖5A和5B描述到電壓控制振蕩電路和限制器電路LMT的電源線設計。圖5A和5B是示出到電壓控制振蕩電路和限制器電路LMT的電源線設計實例的框圖。圖5A示出顯示本發(fā)明的電壓控制振蕩器的電路結(jié)構，其中到電壓控制振蕩電路VCO的電源線和到限制器電路LMT的電源線彼此分開。相對的，作為比較，圖5B示出一電路結(jié)構，其中電壓控制振蕩電路VCO和限制器電路LMT之間共享同一電源線。圖5A和5B中，電源線的導線電阻由Ra到Rd表示。
如上所述，在體現(xiàn)本發(fā)明的電壓控制振蕩器中，到電壓控制振蕩電路VCO的電源線和到限制器電路LMT的電源線彼此分開。通過除去電源線上電壓控制振蕩電路VCO和限制器電路LMT之間以這種方式共享的共用負載，就可能防止一個電路影響另一個電路。特別地，在圖5B所示的電路結(jié)構中，在電壓控制振蕩電路VCO中產(chǎn)生(Ra+Rb)×(Ia+Ib)的電壓降，在圖5A所示的電路結(jié)構中，電壓降是(Ra+Rb)×Ia，獲得在電壓降內(nèi)的(Ra+Rb)×Ib的減少。因此，由于這種結(jié)構，有可能避免由限制器電路LMT的附加設置(additional provision)產(chǎn)生的電壓控制振蕩電路VCO的相位噪聲特性的惡化。
接著，將參考圖6描述單個電壓控制振蕩電路的可變振蕩頻率范圍。圖6是示出實現(xiàn)本發(fā)明的電壓控制振蕩器的可變振蕩頻率范圍的圖示。在圖中所示的電壓控制振蕩器中，其部分電壓控制振蕩電路VCO1到VCO3的可變振蕩頻率范圍是，當多數(shù)在低側(cè)上(低狀態(tài)中)偏離時，分別從90MHz到140MHz、從110MHz到160MHz和從130MHz到180MHz，且，多數(shù)在高側(cè)上(高狀態(tài)中)偏離時，分別從110MHz到160MHz、從130MHz到180MHz和從150MHz到200MHz。在這種方式中，在體現(xiàn)本發(fā)明的該電壓控制振蕩器中，不但是單個電壓控制振蕩電路VCO1到VCO3的可變振蕩頻率范圍被設置以便在任何狀態(tài)時如常規(guī)實施那樣在其末端重疊，而且單個電壓控制振蕩電路VCO1到VCO3的可變振蕩頻率范圍的那些部分，即不受變化(特別地，分別從110MHz到140MHz、從130MHz到160MHz和從150MHz到180MHz)的部分，被設置以便在它們的末端重疊。也就是說，在體現(xiàn)本發(fā)明的該電壓控制振蕩器中，單個電壓控制振蕩電路的可變振蕩頻率范圍被調(diào)整以使在低狀態(tài)中觀察的第n(其中n≥1)個電壓控制振蕩電路的高側(cè)頻率比在高狀態(tài)中觀察的第m(其中m＝n+1)個電壓控制振蕩電路的低側(cè)頻率高。
使用如上所述配置的電壓控制振蕩器，在任何狀態(tài)中，不僅可能在從110MHz到180MHz的范圍內(nèi)改變振蕩頻率，而且還可能唯一地決定在給定頻率處選擇哪個電壓控制振蕩電路用于振蕩。當它們中的任何一個被發(fā)現(xiàn)不能以該頻率振蕩時，這消除了對用于檢測電壓控制振蕩電路VCO1到VCO3中的每一個是否可以以所需頻率振蕩的需要和對用于選擇的電路的需要。這有助于降低由電壓控制振蕩器產(chǎn)生的功率消耗和電路規(guī)模。
如上所述，使用根據(jù)本發(fā)明的電壓控制振蕩器和使用具有該電壓控制振蕩器的集成電路裝置，有可能始終保持恒定的輸出電平而與振蕩頻率無關。此外，使用根據(jù)本發(fā)明的電壓控制振蕩器和使用具有該電壓控制振蕩器的集成電路裝置，有可能唯一確定為在給定頻率振蕩所選的電壓控制振蕩電路。
權利要求
1.電壓控制的振蕩器，其特征在于，包括電壓控制的振蕩電路，它根據(jù)控制電壓以一頻率振蕩；以及限制器電路，它將電壓控制的振蕩器的輸出限制在預定電平。
2.如權利要求1所述的電壓控制的振蕩器，其特征在于，所述限制器電路包括差分放大器電路，它接收電壓控制的振蕩電路的輸出并在飽和狀態(tài)工作。
3.如權利要求2所述的電壓控制的振蕩器，其特征在于，所述差分放大器電路以由恒流源通過將預定電壓施加到電流產(chǎn)生電阻器而產(chǎn)生的工作電流工作。
4.如權利要求3所述的電壓控制的振蕩器，其特征在于，所述電流產(chǎn)生電阻器是和差分放大器的負載電阻器相同類型的裝置，且它被置于靠近所述負載電阻。
5.如權利要求3所述的電壓控制的振蕩器，其特征在于，所述預定電壓由帶隙電路產(chǎn)生。
6.如權利要求1所述的電壓控制振蕩器，其特征在于，到電壓控制振蕩電路的電源線和到限制器電路的電源線彼此分開。
7.電壓控制的振蕩器，其特征在于，包括多個電壓控制的振蕩電路，它們根據(jù)控制電壓以一頻率振蕩；選擇器電路，它選擇一個電壓控制的振蕩電路并使所選電壓控制的振蕩電路工作；以及限制器電路，它將所選電壓控制的振蕩電路的輸出限定到預定電平。
8.如權利要求7所述的電壓控制振蕩器，其特征在于，所述限制器電路包括接收電壓控制是振蕩電路的輸出并以飽和狀態(tài)工作的差分放大器電路。
9.如權利要求8所述的電壓控制的振蕩器，其特征在于，所述差分放大器電路以由恒流源通過將預定電壓施加到電流產(chǎn)生電阻器而產(chǎn)生的工作電流工作。
10.如權利要求9所述的電壓控制的振蕩器，其特征在于，所述電流產(chǎn)生電阻器是和差分放大器的負載電阻器相同類型的裝置，且它被置于靠近所述負載電阻。
11.如權利要求9所述的電壓控制的振蕩器，其特征在于，所述預定電壓由帶隙電路產(chǎn)生。
12.如權利要求7所述的電壓控制的振蕩器，其特征在于，放置限制器電路從而從單個電壓控制振蕩電路到它的導線一樣長。
13.如權利要求7所述的電壓控制的振蕩器，其特征在于，放置限制器電路從而從單個電壓控制的振蕩電路到它的導線以來自電壓控制的振蕩電路的輸出電平降低的順序逐漸變短。
14.如權利要求7所述的電壓控制的振蕩器，其特征在于，到電壓控制的振蕩電路的電源線和到限制器電路的電源線彼此分開。
15.電壓控制的振蕩器，其特征在于，包括多個電壓控制的振蕩電路，它們根據(jù)控制電壓以一頻率振蕩；以及選擇器電路，它選擇一個電壓控制的振蕩電路并使所選電壓控制的振蕩電路工作；其中，設定相鄰的電壓控制的振蕩電路的可變振蕩頻率范圍以使它們的末端重疊，且調(diào)整單個電壓控制的振蕩電路的可變振蕩頻率范圍以使多數(shù)在低側(cè)上偏離時所觀察的第n(其中n≥1)個電壓控制振蕩電路的上端頻率比在多數(shù)在高側(cè)偏離時所觀察的第m(其中m＝n+1)個電壓控制振蕩電路的下端頻率高。
16.集成電路裝置，其特征在于，包括包括根據(jù)控制電壓以一頻率振蕩的電壓控制的振蕩電路的電壓控制的振蕩器以及將電壓控制的振蕩器的輸出限制在預定電平的限制器電路。
17.集成電路裝置，其特征在于，包括包括多個根據(jù)控制電壓以一頻率振蕩的電壓控制的振蕩電路的電壓控制的振蕩器、選擇一個電壓控制的振蕩電路并使所選電壓控制的振蕩電路工作的選擇器電路以及將所選電壓控制的振蕩電路的輸出限制在預定電平的限制器電路。
18.集成電路裝置，其特征在于，包括包括多個根據(jù)控制電壓以一頻率振蕩的電壓控制的振蕩電路的電壓控制的振蕩器和選擇一個電壓控制的振蕩電路并使所選電壓控制的振蕩電路工作的選擇器電路，其中，設定相鄰的電壓控制的振蕩電路的可變振蕩頻率范圍以使它們的末端重疊，且調(diào)整單個電壓控制的振蕩電路的可變振蕩頻率范圍以使多數(shù)在低側(cè)上偏離時所觀察的第n(其中n≥1)個電壓控制的振蕩電路的上端頻率比多數(shù)在高側(cè)偏離時所觀察的第m(其中m＝n+1)個電壓控制的振蕩電路的下端頻率高。
全文摘要
電壓控制振蕩器具有根據(jù)控制電壓以一頻率振蕩的電壓控制振蕩電路和將電壓控制振蕩器的輸出限制在預定電平的限制器電路。該結(jié)構使保持恒定輸出電平而與振蕩頻率無關成為可能。
文檔編號H03B1/00GK1499728SQ200310104638
公開日2004年5月26日 申請日期2003年10月31日 優(yōu)先權日2002年11月1日
發(fā)明者濱口睦, 山之上雅文, 雅文 申請人:夏普株式會社