專利名稱：倍頻布置和用于倍頻的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及倍頻布置，包括晶體管布置、電流(電壓)源、第一阻抗部件和用于取出包括輸入信號(hào)的倍頻諧波的輸出信號(hào)的輸出部件。本發(fā)明還涉及一種用于倍增、例如雙倍增輸入到布置中的信號(hào)的頻率的方法。
現(xiàn)有技術(shù)用于頻率發(fā)生的電路是通信系統(tǒng)、無線電系統(tǒng)或輻射計(jì)系統(tǒng)內(nèi)的基礎(chǔ)。頻率合成器是根據(jù)外部基準(zhǔn)頻率生成非常精確的、溫度穩(wěn)定的頻率的電路。大多數(shù)時(shí)間，頻率還必須相對(duì)于基準(zhǔn)信號(hào)具有恒定的相位差。例如，多標(biāo)準(zhǔn)頻率合成器必須能夠合成電信內(nèi)例如不同無線標(biāo)準(zhǔn)的不同頻帶。多頻帶頻率合成器往往需要能夠合成范圍廣的頻率，同時(shí)仍滿足嚴(yán)格的相位噪聲規(guī)范。單頻帶頻率合成器通常用于合成窄頻帶，而合成多個(gè)頻帶需要多頻帶頻率合成器。一般可以說有三種不同的頻率合成器，即表查詢合成器、直接合成器和間接或鎖相合成器。今天，目標(biāo)在于實(shí)現(xiàn)低成本且完全集成的頻率合成器，但是這是非常困難的，因?yàn)樯婕暗牟煌M件、如低通濾波器等常態(tài)因噪聲要求等的原因必須是外部的。移動(dòng)電信系統(tǒng)中使用的大多數(shù)合成器屬于鎖相環(huán)合成器類型，下文稱為PLL合成器。一般是低頻的基準(zhǔn)頻率按可變整數(shù)(有時(shí)是分?jǐn)?shù))倍增。這通過對(duì)對(duì)應(yīng)于該數(shù)的輸出頻率分頻并調(diào)整輸出頻率以使分頻的頻率將等于基準(zhǔn)頻率來實(shí)現(xiàn)。因此，由振蕩器生成的頻率常常需要按數(shù)值N倍增，以達(dá)到期望的頻率。
已知通過振蕩器執(zhí)行頻率發(fā)生功能和通過例如同時(shí)用作倍頻器的振蕩器的一個(gè)電路來執(zhí)行倍頻。但是，基準(zhǔn)頻率至如兩倍頻率的多倍頻率的轉(zhuǎn)換常常是低效的，因而一般需要許多放大電路，以及如上所述，提供集成電路可能是困難的。
已知當(dāng)跨過發(fā)射極取出輸出信號(hào)時(shí)使用兩個(gè)平衡晶體管來獲取雙倍頻率。在發(fā)射極節(jié)點(diǎn)，雙倍頻率時(shí)的電流是同相的，因此可以跨過外部負(fù)載或阻抗取出它們。但是，一般振幅低，而且多數(shù)情況需要放大。
US-A-4810976示出一種平衡的且其中的諧振阻抗網(wǎng)絡(luò)連接在兩個(gè)匹配的晶體管的控制端口之間的振蕩器。在晶體管的這兩個(gè)輸入的兩端并聯(lián)連接電容。晶體管的輸入分別連接到匹配的電流源。在公共節(jié)點(diǎn)將在晶體管輸出的信號(hào)相加在一起。振蕩器的每個(gè)臂中具有諧振頻率的信號(hào)幅度相等但相位相反。這意味著在諧振頻率的信號(hào)抵消，而在第二諧波頻率的信號(hào)以相長的方式相加，由此得以增強(qiáng)。該效應(yīng)將是凈雙倍頻。對(duì)于高頻操作，利用雙極型晶體管。但是該布置也遇到上述缺點(diǎn)。


圖1示出一種用作雙倍頻器的現(xiàn)有技術(shù)平衡放大器。這兩個(gè)晶體管以反相方式工作，并在晶體管的發(fā)射極取出負(fù)載。對(duì)于這種電路，在雙倍頻率取出的電壓的振幅將是非常低，因?yàn)樵O(shè)在晶體管的發(fā)射極之后的電容器將使更高頻率短路，這是不利的。
圖2是現(xiàn)有技術(shù)的附圖，示出通常所說的科耳皮茲振蕩器，它說明以反相方式工作的兩個(gè)晶體管。在晶體管的集電極中之一取出負(fù)載。這也將導(dǎo)致在雙倍頻率取出的電壓的振幅相當(dāng)?shù)?，因?yàn)橹C振電路將使諧波短路。
發(fā)明概述因此所需要的是開始提到的一種倍頻布置，對(duì)于該倍頻布置，基準(zhǔn)頻率至多倍頻率或具體而言至雙倍頻率的轉(zhuǎn)換是有效的，具體而言以使盡可能高的程度上或甚至更具體而言完全避免放大電路。再者，需要一種可以制造為小尺寸集成電路的布置，具體而言制造為單片微波集成電路(MMIC)。具體而言，需要一種通過其可實(shí)現(xiàn)上述目的中的一個(gè)或更多個(gè)的振蕩器。具體而言，需要一種通過其可實(shí)現(xiàn)上述目的中的一個(gè)或更多個(gè)的放大器。進(jìn)而還需要一種通過其可使用不同類型的晶體管同時(shí)仍使提供上文涉及的目的能夠?qū)崿F(xiàn)的布置。
因此還需要一種通過其可實(shí)現(xiàn)上述目的中的一個(gè)或更多個(gè)的用于倍頻的方法。
因此提供一種具有權(quán)利要求1的特性化特征的布置。還提供一種具有權(quán)利要求20的特性化特征的方法。有利或優(yōu)選實(shí)施例由所附從屬權(quán)利要求給出。
根據(jù)本發(fā)明，從而提供一種倍頻布置，包括具有第一和第二晶體管的晶體管布置、電壓源、用于取出包括輸入信號(hào)的倍增輸出頻率諧波的輸出信號(hào)的輸出部件以及阻抗部件，第一和第二晶體管各具有發(fā)射極、基極和集電極。阻抗部件包括連接到相應(yīng)晶體管的集電極的第一阻抗部件，晶體管以反相方式工作。每個(gè)晶體管的電流波形是半波形狀的，以使晶體管僅導(dǎo)通每個(gè)周期的一半，以及在第一阻抗部件與晶體管的集電極之間取出輸出信號(hào)。
在一個(gè)實(shí)施例中，第一阻抗部件包括電感器。在另一個(gè)實(shí)施例中，第一阻抗部件包括電阻器。具體而言，這兩個(gè)晶體管的集電極互連。
有利地，通過晶體管的電流波形是正弦削波，例如半正弦/余弦形狀。正弦/余弦形狀包括平方正弦/余弦形狀。具體而言，跨過所述第一阻抗作為電壓降取出輸出信號(hào)。在有利實(shí)施中，第一和第二晶體管的基波集電極電流彼此之間有相位差180°，以及對(duì)于偶次諧波，來自相應(yīng)第一和第二晶體管的信號(hào)是同相的。晶體管可以是雙極型晶體管?；蛘?，晶體管是FET。阻抗部件還可以包括第二阻抗部件，所述第一阻抗與所述第二阻抗部件串聯(lián)連接。
甚至更具體而言，所述第二阻抗部件包括各分別連接到相應(yīng)晶體管的集電極的第一電感器和第二電感器，例如在第一阻抗部件與第二阻抗部件之間的連接節(jié)點(diǎn)取出輸出信號(hào)。再者，第二阻抗部件可以包括集電極電路，集電極電路包括變壓器，變壓器包括所述兩個(gè)電感器，在所述電感器之間即在變壓器的中間輸出取出輸出信號(hào)。
所述中間輸出具體而言充當(dāng)奇頻率的虛短路，并例如跨過第一阻抗部件、例如電感器和電阻器作為電壓降在中點(diǎn)取出輸出。
布置可以包括平衡倍頻放大器，例如雙倍頻放大器。布置還可以包括振蕩器。具體而言，振蕩器包括科耳皮茲振蕩器。在優(yōu)選實(shí)施例中，布置實(shí)施為MMIC(單片微波集成電路)。
本發(fā)明還提供一種通過一種布置倍增、例如雙倍倍增基準(zhǔn)頻率的方法，布置包括具有第一和第二晶體管的晶體管布置以及電流(電壓)源，第一和第二晶體管各具有發(fā)射極、基極和集電極。它包括如下步驟向第一和第二晶體管饋送信號(hào)，第一和第二晶體管的集電極彼此之間有相位差180°；將異相信號(hào)添加在外部電路中；跨過連接到晶體管的集電極或與連接到集電極的第二阻抗部件串聯(lián)連接的第一阻抗部件取出輸入信號(hào)的多倍、例如雙倍諧波。第一阻抗部件可以包括電感器或電阻器。具體而言，第二阻抗部件包括各連接到相應(yīng)晶體管的集電極的兩個(gè)電感器，在第一和第二阻抗部件之間的連接處取出輸出信號(hào)。
附圖簡要說明下文將參考附圖以非限制性的方式更透徹地描述本發(fā)明，圖中圖1示出用作雙倍頻器的現(xiàn)有技術(shù)平衡放大器，圖2示出用作雙倍頻器的現(xiàn)有技術(shù)的科耳皮茲振蕩器，圖3以簡化方式示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施的用于提供多倍(雙倍)頻率的電路，圖4以簡化方式示出根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施的用于提供多倍(雙倍)頻率的電路，圖5以簡化方式示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施的用于提供多倍(雙倍)頻率的電路，圖6示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施的用作倍頻器的平衡放大器，圖7示出根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的用于倍頻的振蕩器(科耳皮茲振蕩器)，圖8某種程度地更詳細(xì)示出關(guān)于與例如圖3的電路相似的根據(jù)本發(fā)明的電路的例子，圖9A示出如圖8中第一晶體管的集電極電壓波形，圖9B示出如圖8中第二晶體管的集電極電壓波形，圖9C示出如圖8中第一晶體管的集電極電流波形，圖9D示出如圖8中第二晶體管的集電極電流波形，圖10A示出如圖8的布置中晶體管的發(fā)射極電壓波形，圖10B示出如圖8中晶體管的基極電壓波形，以及圖10C示出如圖8中布置的取出的輸出電壓波形。
發(fā)明的詳細(xì)說明圖1示出一種已知的平衡放大器，此處用作雙倍頻器。兩個(gè)晶體管T0、T0′以反相方式工作，即施加到晶體管的基極上的信號(hào)保持反相。在發(fā)射極取出輸出信號(hào)。利用該電路，所取出的輸出電壓在尤其雙倍頻率(2×f0)得到低振幅，因?yàn)橄鄳?yīng)晶體管的發(fā)射極之后的電容器C0′充當(dāng)較高頻率的短路，這是明顯的缺點(diǎn)。
圖2示出已知的科耳皮茲振蕩器。此類振蕩器中的這兩個(gè)晶體管(此處也以T0、T0′表示)以反相方式工作。在晶體管之一的集電極取出輸出信號(hào)。輸出(取出的)電壓的振幅在輸入(基準(zhǔn))頻率的兩倍(2×f0)將相對(duì)低，因?yàn)橹C振電路將充當(dāng)諧波的短路。
圖3是說明本發(fā)明概念的一個(gè)實(shí)施的簡化電路圖。圖3的電路示出布置10，包括第一晶體管T1和第二晶體管T2。將輸入電壓V1in(0°)提供到T1，而將輸入電壓V2in(180°)提供到T2，其中V1in和V2in是相似的，但是彼此在相位上差180°。T1和T2各包括基極b、發(fā)射極e和集電極c。此處假定設(shè)有第二阻抗部件，包括兩個(gè)連接的電感器L11、L22，此處是具有中間取出點(diǎn)P的變壓器。中間取出點(diǎn)P在此處將充當(dāng)奇頻率的短路，因?yàn)樵诩姌Oc(T1)和c(T2)之間有奇模式的激發(fā)，即它們有相位差180°。對(duì)于偶次諧波，獲取偶模式，即信號(hào)為同相的，并將偶次諧波相加。基頻分量將基本抵消。在中點(diǎn)，在偶頻率將有電流，增強(qiáng)偶次諧波，如上所述，在此處跨過第一阻抗部件3作為電壓降Vout(nf)(其中例如n＝2，即在雙倍頻率)取出它們，此處第一阻抗部件3包括電感器Lc3。輸出電壓Vout的振幅遠(yuǎn)高于在發(fā)射極兩端取出的電壓(如現(xiàn)有技術(shù)所進(jìn)行的)。
使用電流發(fā)生器4來設(shè)置晶體管T1、T2的工作電流，以及使用電容器C3 5來將發(fā)射極接地(用于提供例如半余弦形狀的脈沖)。因?yàn)殡娏魇钱愊嗟?，所以在基頻將沒有電流。
圖4示出本發(fā)明概念的另一個(gè)實(shí)施，采取放大和倍增布置20的形式。該電路圖與圖3的電路圖相似，所不同的是使用電阻器Rc31作為第一阻抗部件。在其他方面，功能是相似的，對(duì)于對(duì)應(yīng)的元件使用設(shè)有索引號(hào)1的相似引用號(hào)。
圖5示出本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例。它涉及具有兩個(gè)晶體管T12、T22的放大和倍增布置30，其中分別至T12和T22的Vin有相位差180°。此處所不同的是T12和T22的集電極分別直接彼此連接，而且沒有第二阻抗部件，但是跨過第一阻抗部件在連接這兩個(gè)集電極的連接處取出輸出電壓Vout，此處第一阻抗部件為電感器Lc32。
對(duì)與圖3、圖4的元件相似的元件賦予具有索引號(hào)2的相同引用號(hào)。
圖6某種程度地詳細(xì)示出基本與圖3公開的放大器相似的放大器40的實(shí)施例。對(duì)相似的元件賦予具有索引號(hào)3的相似引用號(hào)。使用電壓源提供輸入電壓Vin，以及使用音調(diào)發(fā)生器(0°、180°)以將相位上差180°的輸入電壓提供到兩個(gè)晶體管T13、T23。使用電阻器R1-R4以常規(guī)方式偏置晶體管T13、T23。使用電容器C3 53將晶體管的發(fā)射極接地，以便可以提供具有許多(增強(qiáng)的)諧波、具體為偶次諧波的半余弦脈沖形狀的波形。第一阻抗部件Lc′33包括與連接到相應(yīng)晶體管T13、T23的集電極的第二阻抗部件L1′13、L2′23串聯(lián)連接的電感器?？邕^第一阻抗部件L0′33、即在第二阻抗部件L1′13、L2′23之前、例如在第一33和第二13、23阻抗部件之間的連接節(jié)點(diǎn)P取出輸出信號(hào)Vout(例如V(2fref))。在其他方面中，功能與上述的功能相似。
圖7示出本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施，包括具有倍頻功能的振蕩器50，其中兩個(gè)晶體管T14、T24以反相方式工作。該振蕩器包括通常所說的科耳皮茲振蕩器。使用電容器C31、C31將晶體管T14、T24的發(fā)射極接地，而使用電容器C41、C41將晶體管T14、T24的基極接地。電容器C61構(gòu)成諧振電路的一部分，該諧振電路包括第二阻抗部件L2114、L3124，以使電感器14、24和電容器C61構(gòu)成振蕩器的并聯(lián)諧振電路。在由電感器Lc″34組成的第一阻抗部件與包括該諧振電路的第二阻抗部件之間的節(jié)點(diǎn)取出輸出電壓Vout。全部表示為R的電阻器以與現(xiàn)有技術(shù)的布置相似的方式工作，因此本文將不予進(jìn)一步描述。電容器C51、C51是反饋電容器。
與在包括放大器的布置中一樣，晶體管以反相方式工作。在上文論述的布置中，將有較高電流通過集電極-發(fā)射極，以及因?yàn)榫w管以反相方式工作，所以提供半波波形且增強(qiáng)偶次諧波，而抵消基頻。因?yàn)榭邕^第一阻抗部件34在第一和第二阻抗部件之間的連接處取出Vout，所以可以取出的電壓將比在跨過發(fā)射極取出輸出電壓的已知布置中高非常多。
圖8是根據(jù)本發(fā)明示出倍頻放大器60的布置的某種程度更詳細(xì)的示圖。
此處使用2[V]的輸入電壓Vin(DC)。當(dāng)然還可以使用其他電壓。為了舉例說明而絕非限制的原因，對(duì)不同的元件等賦予數(shù)值。與前述實(shí)施例中一樣，布置60分別包括第一和第二晶體管T1、T2。如上所述，使用2伏特的DC電源電壓，并將Vin(2V，0°)提供到T1，而將Vin(2V，180°)提供到T2，即輸入電源電壓彼此間有相位差180°。使用電阻器R21、R22、R23、R24偏置晶體管T1、T2。還使用電容器C11、C21偏置晶體管。R22可以具有例如5kΩ的電阻，R23具有5.2kΩ的電阻、R21具有5.2kΩ的電阻以及R24具有5kΩ的電阻，而C11、C22各可以具有1.0μF的電容。C33可以具有2pF的電容，以及使用它來將T1和T2的發(fā)射極接地，以使波形將是半波形狀，例如包括半余弦脈沖。如本申請(qǐng)中早先所述，輸出信號(hào)將具有許多諧波(基頻被抑制)，具體而言具有相加的偶次諧波，這是非常有利的。IDC可以包括8[mA]。
Vbase表示跨過晶體管基極的電壓(參考圖10B)。VC1、VC2表示集電極電壓，參考圖9A、9B，以及Ve是發(fā)射極電壓(參考圖10A)。IC1和IC2分別表示T1和T2的集電極電流，參考圖9C、9D。以下圖9A-9D、10A-10C示出與上文參考圖8所述相似的布置中的信號(hào)波形。具體而言，圖10C示出Vout，即取出的輸出電壓(此處是在雙倍頻率)。
121表示(圖8)第二阻抗部件，此處包括連接到T1和T2的集電極的變壓器。第一阻抗部件電感器LC10與所述變壓器121串聯(lián)連接，跨過第一阻抗部件電感器LC10取出Vout(也參考圖10C)。此處LC10例如具有20nH的電感。
在圖9A-9D、10A-10C中，圖中示出一個(gè)實(shí)施例的信號(hào)波形，其中Vin＝200mV，Ie＝4mA，Ce＝2pF以及變壓器電感L＝2nH。
圖9A、9B分別示出與時(shí)間(以ps為單位)成函數(shù)關(guān)系的T1和T2的以[V]為單位的集電極電壓Vc1、Vc2的波形。
圖9C、9D分別示出與時(shí)間(以[ps]為單位)成函數(shù)關(guān)系的T1和T2的以[mA]為單位的集電極電流Ic1、Ic2。可以看到，信號(hào)包括半余弦脈沖；周期的一半是零，以及其間(或信號(hào)的其余部分)為正弦/余弦形狀。因此，有許多相加的(偶次)諧波，以及這些電流對(duì)于取出是有吸引力的。
圖10A示出與時(shí)間(以ps為單位)成函數(shù)關(guān)系的以[mV]為單位的發(fā)射極電壓的變化?？梢詮母綀D看到，發(fā)射極峰峰電壓是80mV。
圖10B示出與以[ps]為單位的時(shí)間成函數(shù)關(guān)系的晶體管基極電壓[V]。最后圖10C示出與以[ps]為單位的時(shí)間成函數(shù)關(guān)系的以[V]為單位的取出的輸出電壓Vout，即多倍(此處為雙倍)頻率信號(hào)的電壓。如本申請(qǐng)?jiān)缦人觯唧w而言為第一和第二阻抗部件之間的連接節(jié)點(diǎn)中的輸出電壓(Vout)。從圖10C可以看到，信號(hào)VP-P(V峰峰)的振幅＝1.9[V]。則轉(zhuǎn)換增益Gc將是1.9[V]/0.4[V]≈5；0.4是2×0.2，其中0.2是輸入信號(hào)的振幅，即這兩個(gè)輸入信號(hào)的振幅之和將是0.4。對(duì)于對(duì)應(yīng)的常規(guī)布置，轉(zhuǎn)換增益會(huì)約為0.15/0.4≈0.4，即Vout＝0.15[V]，以及由此根據(jù)本發(fā)明的布置的Gc(在本具體實(shí)施例中)會(huì)是跨過發(fā)射極取出輸出電壓的布置的轉(zhuǎn)換增益Gc的十倍。
雖然主要涉及雙倍頻的信號(hào)，但是應(yīng)該明確的是，還提供并相加其他(偶次)諧波，而抵消基頻分量以及奇次諧波。
具體而言，該布置實(shí)施為單片微波集成電路(MMIC)。
可以使用不同類型的晶體管，例如雙極型晶體管、FET等。根據(jù)本發(fā)明，在振蕩器(或放大器)的情況中可以在諧振電路的虛地取出2×基準(zhǔn)頻率(或偶數(shù)系數(shù)×基準(zhǔn)頻率)的信號(hào)。
應(yīng)該明確的是，本發(fā)明當(dāng)然不限于顯式說明的實(shí)施例，而是在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)可以以多種方式改變。
權(quán)利要求
1.一種倍頻布置(10；20；30；40；50；60)，包括具有第一和第二晶體管(T1、T2；T11、T21；T12、T22；T13、T23；T14、T24)的晶體管布置、電壓(電流)源、用于取出包括輸入信號(hào)(Vin)的倍增輸出頻率諧波的輸出信號(hào)(Vout)的輸出部件以及阻抗部件，其中所述第一和第二晶體管各具有發(fā)射極(e)、基極(b)和集電極(c)，其特征在于所述阻抗部件包括連接到相應(yīng)晶體管的集電極的第一阻抗部件(3；31；32；33；34；35)，所述晶體管以反相方式工作，每個(gè)晶體管的電流波形是半波形狀的，以使所述晶體管僅導(dǎo)通每個(gè)周期的一半，以及在所述第一阻抗部件(3；31；32；33；34；35)與所述晶體管的集電極(c)之間(P)取出所述輸出信號(hào)(Vout)。
2.如權(quán)利要求1所述的布置，其特征在于所述第一阻抗部件包括電感器(3；32；33；34；35)。
3.如權(quán)利要求1所述的布置，其特征在于所述第一阻抗部件包括電阻器(31)。
4.如權(quán)利要求1-3中任何一項(xiàng)所述的布置，其特征在于所述兩個(gè)晶體管(T12、T22)的集電極互連。
5.如前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的布置，其特征在于通過所述晶體管的電流波形是正弦削波，例如半正弦/余弦形狀。
6.如前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的布置，其特征在于跨過所述第一阻抗(3；31；32；33；34；35)作為電壓降取出所述輸出信號(hào)(Vout)。
7.如前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的布置，其特征在于所述第一和第二晶體管的基波集電極電流彼此之間有相位差180°。
8.如權(quán)利要求7所述的布置，其特征在于對(duì)于偶次諧波，來自相應(yīng)第一和第二晶體管的信號(hào)是同相的。
9.如前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的布置，其特征在于所述晶體管是雙極型晶體管。
10.如權(quán)利要求1-8中任何一項(xiàng)所述的布置，其特征在于所述晶體管是FET。
11.如前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的布置，其特征在于所述阻抗部件還包括第二阻抗部件(1、2；11、21；13、23；14、24；15)，以及所述第一阻抗(3；31；32；33；34；35)與所述第二阻抗部件(1、2；11、21；13、23；14、24；15)串聯(lián)連接。
12.如權(quán)利要求11所述的布置，其特征在于所述第二阻抗部件(1、2；11、21；13、23；14、24；15)包括各分別連接到相應(yīng)晶體管的集電極的第一電感器(1；11；13；14；15)和第二電感器(2；21；23；24；15)，例如在所述第一阻抗部件(3；31；32；33；34；35)以及所述第二阻抗部件(1、2；11、21；13、23；14、24；15)之間的連接節(jié)點(diǎn)(P)取出所述輸出信號(hào)。
13.如權(quán)利要求12所述的布置，其特征在于所述第二阻抗部件包括集電極電路，所述集電極電路包括變壓器(15)，所述變壓器包括所述兩個(gè)電感器，以及在所述電感器之間即所述變壓器的中間輸出(P)取出所述輸出信號(hào)(Vout)。
14.如權(quán)利要求13所述的布置，其特征在于所述中間輸出(P)充當(dāng)奇頻率的虛短路。
15.如權(quán)利要求14所述的布置，其特征在于跨過所述第一阻抗部件(3；31；32；33；34；35)、例如電感器或電阻器作為電壓降在中點(diǎn)(P)取出輸出。
16.如前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的布置，其特征在于它包括平衡倍頻放大器(10；20；30；40；60)，例如雙倍頻放大器。
17.如權(quán)利要求12、13、14或15所述的布置，其特征在于它包括振蕩器(50)。
18.如權(quán)利要求17所述的布置，其特征在于所述振蕩器(50)包括科耳皮茲振蕩器。
19.如前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的布置，其特征在于它實(shí)施為MMIC(單片微波集成電路)。
20.一種通過一種布置倍增、例如雙倍增基準(zhǔn)頻率的方法，所述布置包括具有第一和第二晶體管的晶體管布置以及電流(電壓)源，所述第一和第二晶體管各具有發(fā)射極、基極和集電極，其特征在于它包括如下步驟-向第一和第二晶體管饋送信號(hào)，所述第一和第二晶體管的集電極彼此之間有相位差180°，-將異相信號(hào)添加在外部電路中，-跨過連接到所述晶體管的集電極或與連接到所述集電極的第二阻抗部件串聯(lián)連接的第一阻抗部件取出輸入信號(hào)的多倍、例如雙倍諧波。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于所述第一阻抗部件包括電感器。
22.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于所述第一阻抗部件包括電阻器。
23.如權(quán)利要求21或22所述的方法，其特征在于所述第二阻抗部件包括各連接到相應(yīng)晶體管的集電極的兩個(gè)電感器，在所述第一和第二阻抗部件之間的連接處取出輸出信號(hào)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種倍頻布置(10)，包括具有第一和第二晶體管(T1、T2)的晶體管布置、電壓(電流)源、用于取出包括輸入信號(hào)(V
文檔編號(hào)H03B19/14GK1886888SQ200380110867
公開日2006年12月27日 申請(qǐng)日期2003年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月19日
發(fā)明者H·齊拉特 申請(qǐng)人:艾利森電話股份有限公司