專利名稱：表面聲波濾波器和使用它的通信裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于超外差系統(tǒng)的表面聲波濾波器，和包含這種濾波器的通信設(shè)備。
背景技術(shù)：
通常，將諸如移動電話和蜂窩電話之類的移動通信設(shè)備，使用超外差系統(tǒng)得到高靈敏度和高穩(wěn)定性。這種系統(tǒng)使用一種現(xiàn)象，即，當(dāng)兩個(gè)信號波f1和f2混合到一起，從而可以得到表示和和差的信號波(f1±f2)。該系統(tǒng)還包含將接收信號波轉(zhuǎn)換為低頻信號。

圖16示出一種典型的使用這種系統(tǒng)的通信設(shè)備。
如圖16所示，在通信設(shè)備100中，高頻模塊120與天線110連接，并將信號處理電路130連接在高頻模塊120的后部。
高頻模塊120包括帶通濾波器121和122，兩個(gè)放大器123和124、混頻器125和本機(jī)振蕩器126。
可以安排第一帶通濾波器121選擇一個(gè)通帶，從而濾波器將允許從天線110接收的信號通過，而衰減其它不是從天線110接收到的信號。
提供放大器123以放大已經(jīng)通過第一帶通濾波器121的接收信號。
通過本地振蕩器126，其本地振蕩信號的頻率如此設(shè)置，從而本地振蕩信號和接收到的信號的和，或接收這兩個(gè)信號之間的差將稱為理想的中頻信號。
使用混頻器125混合來自本機(jī)振蕩器126饋送的本機(jī)振蕩信號和接收信號，以便將這些信號轉(zhuǎn)換為中頻頻率信號。
對于第二帶通濾波器122，選擇其通帶從而使它衰減當(dāng)本機(jī)振蕩信號和接收信號在混頻器125中混合時(shí)產(chǎn)生的理想的中頻頻率信號以外的鏡像頻率信號，由此允許理想的中頻頻率信號通過。
將第二放大器124用于放大已經(jīng)通過第二帶通濾波器122的中頻頻率信號，由此將信號發(fā)送到信號處理電路130，該信號處理電路130連接在高頻模塊120的后部。
將信號處理電路130用于處理發(fā)送到這里的中頻頻率信號，以便將信號轉(zhuǎn)換為例如聲音等等。
在這樣的通信設(shè)備100中，鏡像頻率信號的頻率(下面將稱為鏡像頻率)將依靠本機(jī)振蕩器126的本機(jī)振蕩信號的頻率和第二帶通濾波器122的中心頻率而確定。但是，這樣的鏡像頻率通常將產(chǎn)生在離第二濾波器122的通帶幾百M(fèi)Hz的位置。
傳統(tǒng)的，作為第二帶通濾波器122，如第5-183380號日本未審查專利公告所示，曾經(jīng)主要使用一種梯形表面聲波濾波器，它以梯形結(jié)構(gòu)與多個(gè)表面聲波諧振器連接。
梯形表面聲波濾波器包括具有高衰減量的區(qū)域，該區(qū)域原先位于其通帶附近。根據(jù)第5-183380號日本未審查專利公告，如果將電感并聯(lián)地加到諧振器，可以增加濾波器的通帶的寬度，由此高衰減區(qū)域朝低頻帶移動，由此改善通帶附近低頻帶的衰減特性。但是，通過這種方法，由于通帶寬度將同時(shí)增加，故濾波器不適合用于衰減和濾波器的通帶離開幾百M(fèi)Hz位置處產(chǎn)生的的鏡像頻率信號。
另外，如第9-261002號日本未審查專利公告中描述的，相對于一個(gè)基準(zhǔn)電位，由諸如結(jié)合線之類的連接方法引起的電感成份和由結(jié)合片的連接部分與基準(zhǔn)電位之間引起的電容成份都可以介入并互相平行地插入，以便在通帶的低頻側(cè)上的理想的點(diǎn)處提供高衰減區(qū)域，同時(shí)繼續(xù)地防止通帶寬度的增加。
但是，通過第9-261002號日本未審查專利公告，雖然它可以衰減通帶的低頻側(cè)上產(chǎn)生的鏡像頻率，它仍然難以衰減通帶的高頻側(cè)上產(chǎn)生的鏡像頻率。
另外，為了得到電容成份，必須增加結(jié)合墊片和浮動電極的連接部分。表面聲波元件必須具有大尺寸，這使得難以產(chǎn)生小型的表面聲波濾波器。
另外，如果需要得到充分的電容分量，并防止表面聲波元件的尺寸的增加，有一點(diǎn)將是必要的，即，可以設(shè)置浮動電極和結(jié)合墊片的連接部分，而不必在其中形成縫隙，這導(dǎo)致減小設(shè)計(jì)和安排各種元件及其連接的自由度。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述問題，本發(fā)明的較佳實(shí)施例提供了一種表面聲波濾波器，它能夠衰減不論是產(chǎn)生在通帶的高頻側(cè)或低頻側(cè)上的鏡像頻率，而不必增加表面聲波元件的尺寸。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的表面聲波濾波器包括至少一個(gè)含有壓電基片的表面聲波元件，在壓電基片上設(shè)置至少一個(gè)IDT，在壓電基片上設(shè)置輸入/輸出端子，并在壓電基片上設(shè)置基準(zhǔn)電位端子，并且它們都和至少一個(gè)IDT連接，封裝表面聲波元件的封殼，封殼包含分別與表面聲波元件的輸入/輸出端子和基準(zhǔn)電位端子相連的電極接合區(qū)，連接表面聲波元件的外部電路上的電極接合區(qū)的外部端子；表面聲波濾波器適合用于超外差系統(tǒng)中，其中具有表面聲波元件的IDT電容，并具有自表面聲波元件的基準(zhǔn)電位端子到封殼的外部端子的電感的諧振器的諧振頻率位于超外差系統(tǒng)中進(jìn)行的頻率變換時(shí)產(chǎn)生的鏡像頻率附近。
根據(jù)本較佳實(shí)施例的所述結(jié)構(gòu)，由于電感與IDT電容串聯(lián)，故可以衰減理想量的鏡像頻率。
另外，通過設(shè)置IDT的電容和與其串聯(lián)的電感的值，可以衰減陷波諧振器的通帶的高頻側(cè)或低頻側(cè)的諧振頻率，由此可以處理中頻頻率信號的高頻。
另外，由于只改變了陷波諧振器的諧振頻率，可以衰減鏡像頻率而不影響通帶中的介入損耗。
另外，由于IDT的電容結(jié)合線和封殼的電感等等用于確定使用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的陷波諧振器，容易使整個(gè)表面聲波濾波器小型化。另外，使至少一個(gè)表面聲波元件的中心頻率和相應(yīng)的超外差系統(tǒng)中進(jìn)行頻率變換時(shí)產(chǎn)生的鏡像頻率之間的頻率差大致上等于所述至少一個(gè)表面聲波元件的中心頻率和相應(yīng)地超外差系統(tǒng)中進(jìn)行頻率變換時(shí)產(chǎn)生的鏡像頻率之間的頻率差fd2。由此，對于包括多個(gè)表面聲波元件的多個(gè)濾波器，可以使用用于從中頻頻率信號再下面的信號處理的公共電路。由此，可以減少構(gòu)成裝置所需要的部件的數(shù)量。
自表面聲波元件的基準(zhǔn)電位端子到封殼的外部端子的電感包含設(shè)置在封殼上的帶狀傳輸線的電感。
附圖概述為了說明本發(fā)明，附圖中示出幾種形式，它們是目前較好的，但是應(yīng)該知道本發(fā)明不限于示出的精確的安排和手段。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的表面聲波濾波器的平面圖。
圖2是沿圖1的線X-X的截面圖。
圖3是圖1的表面聲波濾波器的等效電路的示圖。
圖4是圖1的表面聲波濾波器的頻率特性的示圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的第一種修改的表面聲波濾波器的平面圖。
圖6是圖5的表面聲波濾波器的等效電路的示圖。
圖7是圖5的表面聲波濾波器的頻率特性的示圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的第二修改例子的表面聲波濾波器的平面圖。
圖9是沿圖8的線Y-Y的截面圖。
圖10是圖8的表面聲波濾波器的等效電路的示圖。
圖11是圖8的表面聲波濾波器的頻率特性的示圖。
圖12是說明根據(jù)本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的表面聲波濾波器的頻率梯形的示圖。
圖13是根據(jù)本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的第一種修改的表面聲波濾波器的頻率特性。
圖14是根據(jù)本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的表面聲波濾波器的平面圖。
圖15是指出圖14的第一帶通濾波器的頻率特性的示圖。
圖16用于超外差系統(tǒng)的通信設(shè)備的方框圖。
本發(fā)明的較佳實(shí)施方式下面，將參照圖1到4描述本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例。圖1是一個(gè)表面聲波濾波器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的平面圖，其蓋子被拿掉，由此表示出本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例。圖2是沿圖1的線X-X取得的截面圖。圖3是圖1的等效電路圖。圖4是表示圖1的頻率特性的曲線圖。
如圖1所示，表面聲波濾波器1最好包括封殼2和包含在封殼2中的表面聲波元件3，以及用于連接表面聲波元件3的結(jié)合線4。
封殼2最好由鋁或其它適當(dāng)?shù)牟牧现瞥桑⑶以O(shè)置有蓋子構(gòu)件。在封殼2中，輸入/輸出側(cè)電極接合區(qū)5a和5b、基準(zhǔn)電位側(cè)電極接合區(qū)5c、5d、5e和5f最好通過印刷、燒結(jié)和電鍍處理設(shè)置。另外，如圖2所示，通過卷繞電極6將基準(zhǔn)電位側(cè)電極接合區(qū)5c和5e連接到輸入/輸出側(cè)外部端子7c和7e。雖然圖中未示，還類似地通過卷繞電極，將輸入/輸出側(cè)電極接合區(qū)5a和5b連接到輸入/輸出側(cè)外部端子。另外，基準(zhǔn)電位側(cè)結(jié)合區(qū)5d和5f類似地通過卷繞電極連接到基準(zhǔn)電位側(cè)的外部端子。
表面聲波元件3包括壓電基片3a、IDT(叉指式換能器)8a，8b，8c，8d，8e，輸入/輸出端子9a、9b和基準(zhǔn)電位端子9c，9e，9g，它們都設(shè)置在壓電基片上。
壓電基片3a可以由石英、LiTaO3、LiNbO3或其它適當(dāng)?shù)牟牧现瞥伞；蛘呖梢允褂猛ㄟ^在諸如蘭寶石板之類的絕緣基片上形成ZnO薄膜得到的壓電基片。然而，如果使用36度旋轉(zhuǎn)Y切割X向傳播的LiTaO3基片，則提供了寬頻帶的通帶，這是由于它和其它材料相比具有相對高的機(jī)電耦合因素。
依靠傳輸線分別連接IDT8a到8e，由此形成梯形的配置，如圖3所示。IDT8a和8b串聯(lián)地設(shè)置，而IDT8c到8e并聯(lián)地設(shè)置。
然而，將反射器設(shè)置在IDT8a到8e的表面聲波傳播方向的兩側(cè)上，由此有效地限制或捕獲了能量。但是，在諸如有許多對IDT，或表面聲波在壓電基片的每一個(gè)端面處被反射之類的充分捕獲能量的情況下，不必包括反射器。這些IDT8a到8e、反射器、傳輸線、輸入/輸出端子9a和9b、基準(zhǔn)電位端子9c、9e和9g最好通過汽相沉淀Al或含Al作為重要成份的金屬，并使用光刻方法形成。
另外，如圖1所示，通過導(dǎo)線4將輸入/輸出端子9a連接到封殼2的輸入/輸出電極接合區(qū)5a，同時(shí)通過導(dǎo)線4將輸入/輸出端子9b連接到輸入/輸出電極接合區(qū)5b?；鶞?zhǔn)電位端子9c通過導(dǎo)線4連接到封殼2的基準(zhǔn)電位側(cè)電極接合區(qū)5e，同時(shí)基準(zhǔn)電位端子9g通過導(dǎo)線4連接到封殼2的輸入/輸出側(cè)電極接合區(qū)5e，基準(zhǔn)電位端子9e通過導(dǎo)線4連接到封殼2的輸入/輸出側(cè)電極接合區(qū)5e。但是，包裝殼2的基準(zhǔn)電位側(cè)電極接合區(qū)5d和5f不連接到表面聲波元件3，而是作為不固定的電極接合區(qū)而存在。
圖4示出具有這種結(jié)構(gòu)的表面聲波濾波器的頻率特性。在這個(gè)例子中，IDT8a的電極長度是大約32μm，80對，IDT 8b的電極長度為大約32μm，80對，IDT8c電極長度大約88μm，72對，IDT8d電極長度大約117μm，116對，IDT8e電極長度大約88μm，72對。另外，從基準(zhǔn)電位端子9c到基準(zhǔn)電位的電感系數(shù)最好大約0.6nH，從基準(zhǔn)電位端子9g到基準(zhǔn)電位的電感最好大約0.8nH，從基準(zhǔn)電位端子9e到基準(zhǔn)電位的電感最好大約0.6nH。
如圖4所示，表面聲波濾波器適合于確定一個(gè)用于GSM中的接收側(cè)RF濾波器，其中心頻率最好是大約947.5MHz。當(dāng)用于GSM中時(shí)，由于中頻頻率信號的頻率通常大約71MHz，在通信設(shè)備中引起問題的鏡像頻率信號的中心頻率通常發(fā)射在大約1089.5MHz。如圖4所示，應(yīng)該知道，表面聲波濾波器在大約1100MHz附近包括一個(gè)陷波區(qū)，由此得到一個(gè)衰減效應(yīng)，其中在該點(diǎn)上將有效地增大到大約42dB。這種陷波和具有安排得相互并聯(lián)的IDT8c、8d和8e的電容，并具有從基準(zhǔn)電位端子9c、9g、9e到基準(zhǔn)電位的諧振器的諧振頻率相一致。另外，如果陷波在鏡像頻率信號的中心頻率附近，則由于改進(jìn)了這附近的衰減量，故不必讓陷波和鏡像頻率信號的中心頻率一致。但是，考慮到陷波附近的衰減量，理想的是，陷波的頻率控制在鏡像頻率信號的中心頻率的大約5％的范圍內(nèi)。
近年來，人們已經(jīng)考慮使用表面聲波濾波器的GSM，并考慮EGSM，如何使中頻頻率信號可以具有高的頻率。如果這樣的中頻頻率信號具有高頻，則鏡像頻率信號也將變得高。
為此，制造如圖5所示的表面聲波濾波器1a。表面聲波濾波器1a和圖1所示的表面聲波濾波器1的一個(gè)差別是前者包括用于連接表面聲波元件3的基準(zhǔn)電位端子9g和封殼2的基準(zhǔn)電位側(cè)的結(jié)合線4。按照這樣的方法，如圖6的等效電路圖所示，有一個(gè)由結(jié)合線4、卷繞電極6和基準(zhǔn)電位側(cè)外部端子7e確定的路徑引起的電感，該電感被加到與設(shè)置在中心的并聯(lián)臂上的IDT8d相連的基準(zhǔn)電位端子9g。由另一個(gè)結(jié)合線4、另一個(gè)卷繞電極6和另一個(gè)基準(zhǔn)電位側(cè)外部端子7c確定的路徑引起的電感平行于上述電感地加上和形成。為此，由基準(zhǔn)電位端子9g到基準(zhǔn)電位的電感將變得小于圖1中的表面聲波濾波器1中的情況。由此，具有IDT8d的電容，并具有由基準(zhǔn)電位端子9g到基準(zhǔn)電位的電感的諧振器的諧振頻率高于表面聲波濾波器1的情況。另外，即使是通過類似地與IDT8c連接的基準(zhǔn)電位端子9c，由基準(zhǔn)電位9c到基準(zhǔn)電位的電感和圖1所示的表面聲波濾波器1相比也變小。相應(yīng)的，具有IDT8c的電容和具有由基準(zhǔn)電位端子9c到基準(zhǔn)電位的諧振器的諧振頻率和表面聲波濾波器1相比將是高的。
圖7用于表示表面聲波濾波器1a的頻率特性。在這個(gè)例子中，IDT8a到8e最好包括和如圖4所示的具有一定的電極長度、對數(shù)和中心頻率的表面聲波濾波器中的相同的元件。另外，由基準(zhǔn)電位端子9c到基準(zhǔn)電位的電感是大約0.3nH，由基準(zhǔn)電位端子9d到基準(zhǔn)電位的電感是大約0.4nH，由基準(zhǔn)電位端子9e到基準(zhǔn)電位的電感是大約0.3nH。
如圖7所示，知道表面聲波濾波器在大約1170MHz附近包括陷波，在該點(diǎn)上的衰減量已經(jīng)有效地增加為大約42dB。由此，可以處理中心頻率為110MHz的中頻頻率信號。
下面，作為得到更高頻率的例子，如圖8所示制造一種表面聲波濾波器1b。表面聲波濾波器1b和圖5所示的表面聲波濾波器1a中間的差別是，前者設(shè)置有用于連接表面聲波元件3的基準(zhǔn)電位端子9d與封殼2的基準(zhǔn)電位側(cè)接合區(qū)5d的結(jié)合線4，并且設(shè)置有另一個(gè)用于連接表面聲波元件3的基準(zhǔn)電位端子9f和封殼2的基準(zhǔn)電位側(cè)接合區(qū)5f的結(jié)合線4。另外，如圖9所示，在封殼2的底表面上，設(shè)置了小片連接部分10，并設(shè)置得連接到卷繞電極6。
通過這種方法，如圖10的等效電路圖所示，由結(jié)合線4、卷繞電極6和基準(zhǔn)電位側(cè)外部端子7d確定的路徑引起一個(gè)電感，該電感被并聯(lián)到與IDT8c相連的基準(zhǔn)電位端子9d。另外，由另一個(gè)結(jié)合線4，另一個(gè)卷繞電極6和基準(zhǔn)電位側(cè)外部端子7f確定的路徑引起一個(gè)電感，該電感并聯(lián)到與IDT8e相連的基準(zhǔn)電位端子9d。
另外，由于兩個(gè)路徑與小片連接部分10相連，故相互并聯(lián)，并與IDT8c到8e相連的電感將變小。結(jié)果，具有IDT8c和8e的電容和具有分別與那里連接的電容的諧振器的諧振頻率將變高。
通過表面聲波濾波器1b，如圖11所示，在大約1400MHz附近確定一個(gè)陷波，并且在該點(diǎn)上的衰減量有效地增加到大約47dB那么高。由此，可以處理中心頻率為220MHz的中頻頻率信號。
由此，當(dāng)通信設(shè)備的中頻頻率信號的中心頻率是例如大約220MHz時(shí)，如圖1所示的彈性表面聲波濾波器1在大約1400MHz附近的衰減量是大約30dB，而圖8所示的表面聲波濾波器1b在大約1400MHz附近達(dá)到的衰減量為大約47dB，由此確保了衰減量可以進(jìn)一步改進(jìn)大約17dB。
下面，將描述本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例。
第二較佳實(shí)施例減小了設(shè)置在表面聲波濾波器1的并聯(lián)臂上的IDT8c到8e的電容，這已經(jīng)參照圖1描述過了，以便增加具有IDT8c到8e的電容的諧振器的頻率和連接到那里的電感。但是，作為減小IDT8c到8e的電容的方法，可以減小相交寬度或減小對數(shù)。
圖12示出在IDT8c和8e的電容已經(jīng)減小大約20％，而IDT8d的電容已經(jīng)減小大約40％的條件下，一些測量結(jié)果，這些測量結(jié)果指出了圖1的表面聲波濾波器1的特性。由于這樣的表面聲波濾波器設(shè)置得確定了用于GSM中的，在接收側(cè)的RF濾波器，其中心頻率是大約947.5MHz，如圖12所示。在這個(gè)例子中，在大約1560MHz附近提供了一個(gè)陷波，并且知道，在該點(diǎn)的衰減量已經(jīng)有效地增加到大約40dB那么高。由此，通過使用本發(fā)明的較佳實(shí)施例的表面聲波濾波器，可以處理中心頻率為300MHz的中頻頻率信號，由此，使得對于中頻頻率信號可以達(dá)到更高的頻率，該頻率高于第一較佳實(shí)施例中所描述的頻率。
另外，類似于第一較佳實(shí)施例，依靠使用的結(jié)合線的對數(shù)，對于中頻頻率信號的還可以期望更高頻率。圖13示出了一些測量結(jié)果，指出在IDT 8c和8e的電容減小大約20％，而IDT8d的電容減小大約40％的條件下，圖8的表面聲波濾波器1b的特性。在這個(gè)表面聲波濾波器中，在大約1870MHz附近提供陷波，由于該點(diǎn)處的衰減量已經(jīng)有效地增加到大約42dB那么高，可以處理中心頻率為460MHz的中頻頻率信號。
為此，如果將第一較佳實(shí)施例和第二較佳實(shí)施例組合到一起，當(dāng)中頻頻率信號在大約71到大約460MHz時(shí)，可以有效的高山鏡像頻率信號的衰減量。
但是，類似于第一較佳實(shí)施例，如果在鏡像頻率信號的中心頻率附近提供了陷波，陷波改善了附近的衰減量，由此允許陷波與鏡像頻率信號的中心頻率不一致。然而考慮到陷波附近的衰減程度，理想的是，陷波頻率位于鏡像頻率信號中心頻率的大約5％之內(nèi)。
下面，將參照圖14描述本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例。圖14是平面圖，示出去掉了蓋子的表面聲波濾波器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，由此說明本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例。
如圖14所示，在本較佳實(shí)施例中，雙頻帶表面聲波濾波器11最好包括兩個(gè)帶通濾波器21和31，它們具有不同的中心頻率。由此，濾波器11包括封殼12和密封在封殼中的壓電基片13a，以及用于連接封殼12和壓電基片13a上的端子的結(jié)合線。
封殼12最好由鋁制成，并具有一個(gè)蓋子(圖中未示)。另外，在封殼12中，設(shè)置了輸入/示出側(cè)電極接合區(qū)25a，25b，35a，35b和基準(zhǔn)電位側(cè)電極接合區(qū)25c，25e，35c到35f，最好通過印刷、燒結(jié)和電鍍處理形成。另外，類似于第一較佳實(shí)施例中描述的表面聲波濾波器的封殼，輸入/示出側(cè)電極接合區(qū)25a，25b，35a，35b和基準(zhǔn)電位側(cè)電極接合區(qū)25c，25e和35c到35f分別通過卷繞電極連接到外部端子。
在壓電基片13a上設(shè)置多個(gè)IDT，多個(gè)輸入/輸出端子和基準(zhǔn)電位端子，并安排得確定兩個(gè)表面聲波元件，由此分別提供帶通濾波器21和31。
帶通濾波器21最好具有和圖3的等效電路相同的結(jié)構(gòu)，其中心頻率設(shè)置在大約1842.5MHz。在該帶通濾波器21中，如圖15所示，具有設(shè)置在多個(gè)并聯(lián)臂上的IDT的電容和具有延伸到連接在那里的基準(zhǔn)電位端子的諧振器的諧振頻率在大約1430MHz附近。相應(yīng)地，當(dāng)中頻頻率信號的中心頻率大致上等于大約220MHz的鏡像頻率時(shí)，可以得到大約40dB或更大的衰減量。按照這樣的方法，可以設(shè)置IDT的電容和延伸到連接到那里的基準(zhǔn)電位端子的電感，由此使得可以處理通帶的低頻側(cè)上的鏡像頻率。
帶通濾波器31具有和圖10所示的等效電路相同的結(jié)構(gòu)，其中心頻率設(shè)置在947.5MHz。在該帶通濾波器31中，如圖11所示，具有設(shè)置在多個(gè)并聯(lián)臂上的IDT的電容和具有延伸到連接到那里的基準(zhǔn)電位端子的諧振器的諧振頻率設(shè)置在1400MHz附近。相應(yīng)地，當(dāng)中頻頻率信號的中心頻率在大約220MHz的鏡像頻率處時(shí)，可以得到大約47dB或更大的衰減量。
在上述雙頻帶表面聲波濾波器中，第一表面聲波濾波器中的中心頻率和鏡像頻率之間的頻率差fd1最好大致等于第二表面聲波濾波器中的中心頻率和鏡像頻率之間的頻率差fd2，由此使得其中頻頻率信號為220MHz。為此，可以使用于由中頻頻率信號再下面的信號處理的電路公用。
但是，在本較佳實(shí)施例中，雖然將帶通濾波器21和31設(shè)置在同一壓電基片13a上，但是本發(fā)明并不限制于這樣。還可以將帶通濾波器21和31設(shè)置在不同的壓電基片上。如果將濾波器設(shè)置在同一壓電基片上，可以減少制造過程中的步驟數(shù)量，減小制造成本和產(chǎn)品尺寸。但是，如果想要使帶通濾波器21和31的特性顯著不同，最好使用不同的壓電基片。
另外，本發(fā)明的第一到第三較佳實(shí)施例中描述的表面聲波濾波器是可以用于圖16所示的通信設(shè)備中的表面聲波濾波器。具有IDT電容，并具有從IDT延伸到基準(zhǔn)電位的電感的陷波諧振器的諧振頻率可以根據(jù)要衰減的鏡像頻率適當(dāng)?shù)刈兓?br> 雖然已經(jīng)揭示了本發(fā)明的較佳實(shí)施例，在下面的權(quán)利要求的范圍內(nèi)可以有實(shí)施這里所揭示的原理的各種模式。因此，應(yīng)該知道，本發(fā)明的范圍僅由所附的權(quán)利要求限制。
權(quán)利要求
1.一種表面聲波濾波器，包含多個(gè)表面聲波元件；封裝多個(gè)表面聲波元件的封殼；其中所述濾波器適合用于超外差系統(tǒng)中，所述超外差系統(tǒng)中至少一個(gè)表面聲波元件的中心頻率不同于其它所述表面聲波元件的中心頻率，其特征在于至少一個(gè)表面聲波元件的中心頻率和在相應(yīng)的超外差系統(tǒng)中進(jìn)行頻率變換時(shí)產(chǎn)生的鏡像頻率之間的頻率差fd1大致上等于所述其它表面聲波元件的中心頻率和在相應(yīng)的超外差系統(tǒng)中進(jìn)行頻率變換時(shí)產(chǎn)生的鏡像頻率之間的頻率差fd2。
2.如權(quán)利要求1所述的表面聲波濾波器，其特征在于多個(gè)表面聲波元件中的至少一個(gè)表面聲波元件包括壓電基片，所述壓電基片具有至少一個(gè)叉指式換能器、輸入/輸出端子和基準(zhǔn)電位端子，所述輸入/輸出端子和基準(zhǔn)電位端子連接到所述至少一個(gè)叉指式換能器；封殼封裝所述多個(gè)表面聲波元件，并具有分別與所述多個(gè)表面聲波元件的輸入/輸出端子和基準(zhǔn)電位端子相連的電極接合區(qū)，還包括連接所述表面聲波元件的外部表面上的電極接合區(qū)的外部端子；諧振器的諧振頻率具有任一表面聲波元件的叉指式換能器的電容，并具有由任一表面聲波元件的基準(zhǔn)電位端子到封殼的外部端子的電感，并且它位于超外差系統(tǒng)中進(jìn)行頻率變換時(shí)產(chǎn)生的鏡像頻率附近。
3.如權(quán)利要求1所述的表面聲波濾波器，其特征在于多個(gè)表面聲波元件中的任一個(gè)包括壓電基片，所述壓電基片具有設(shè)置得確定一梯形電路的輸入/輸出端子、基準(zhǔn)電位端子、在輸入和輸出端子之間的串聯(lián)臂叉指式換能器、在串聯(lián)臂叉指式換能器之間的并聯(lián)臂叉指式換能器和電位電極端子；封殼封裝了多個(gè)表面聲波元件，所述封殼具有分別與多個(gè)表面聲波元件的輸入/輸出端子和基準(zhǔn)電位端子連接的電極接合區(qū)，并包括連接所述表面聲波元件的外部電路上的電極接合區(qū)的外部端子；具有所述多個(gè)表面聲波元件的任一個(gè)并聯(lián)叉指式換能器的電容且具有由所述多個(gè)表面聲波元件中的任一個(gè)的基準(zhǔn)電位端子到封殼的外部端子的電感的諧振器的諧振頻率位于超外差系統(tǒng)中進(jìn)行頻率變換時(shí)產(chǎn)生的鏡像頻率附近。
4.如權(quán)利要求1所述的表面聲波濾波器，其特征在于由多個(gè)表面聲波元件的基準(zhǔn)電位端子到封殼的外部端子的電感包括連接表面聲波元件的基準(zhǔn)電位端子與封殼的電極接合區(qū)的結(jié)合線的電感。
5.如權(quán)利要求1所述的表面聲波濾波器，其特征在于自表面聲波元件的基準(zhǔn)電位端子到封殼的外部端子的電感包括設(shè)置在壓電基片上的帶狀傳輸線的電感。
6.如權(quán)利要求1所述的表面聲波濾波器，其特征在于自表面聲波元件的基準(zhǔn)電位端子到封殼的外部端子的電感包含設(shè)置在封殼上的帶狀傳輸線的電感。
7.一種通信設(shè)備，其特征在于包含表面聲波濾波器，所述表面聲波濾波器包含多個(gè)表面聲波元件；封裝多個(gè)表面聲波元件的封殼；其中所述濾波器適合用于超外差系統(tǒng)中，所述超外差系統(tǒng)中至少一個(gè)表面聲波元件的中心頻率不同于其它所述表面聲波元件的中心頻率，其特征在于至少一個(gè)表面聲波元件的中心頻率和在相應(yīng)的超外差系統(tǒng)中進(jìn)行頻率變換時(shí)產(chǎn)生的鏡像頻率之間的頻率差fd1大致上等于至少一個(gè)表面聲波元件的中心頻率和在相應(yīng)的超外差系統(tǒng)中進(jìn)行頻率變換時(shí)產(chǎn)生的鏡像頻率之間的頻率差fd2。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種表面聲波濾波器，它包括表面聲波元件，該表面聲波元件包含壓電基片，所述壓電基片具有設(shè)置在其上的IDT、輸入/輸出端子和基準(zhǔn)電位端子，以及封殼，所述封殼封裝了表面聲波元件，并具有電極接合區(qū)和外部端子。諧振器的諧振頻率(由封殼的外部端子的基準(zhǔn)電位端子產(chǎn)生的電感確定)位于超外差系統(tǒng)中進(jìn)行頻率變換時(shí)產(chǎn)生的鏡像頻率附近。
文檔編號H03H9/25GK1523757SQ20041000404
公開日2004年8月25日 申請日期2000年3月10日 優(yōu)先權(quán)日1999年3月10日
發(fā)明者筏克弘 申請人:株式會社村田制作所