專利名稱:半導(dǎo)體集成電路器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種具有MOS晶體管的半導(dǎo)體集成電路器件。更具體地,本發(fā)明涉及一種配備有用于阻止MOS晶體管中電流回流裝置的半導(dǎo)體集成電路器件。
背景技術(shù):
如圖4所示,一些半導(dǎo)體集成電路器件包含P溝道MOS晶體管Q5,該晶體管具有被加于其源極和背柵(backgate)的電源電壓VDD。在這種MOS晶體管Q5中,從漏極到背柵形成了寄生二極管D5。
結(jié)果,當(dāng)反向偏置MOS晶體管Q5并將高于寄生二極管正向電壓的電壓加給到源極和漏極之間時,該寄生二極管D5導(dǎo)通,并且回流電流流經(jīng)寄生二極管D5。
傳統(tǒng)上提出的多種半導(dǎo)體集成電路器件均配備有用于防止這種回流電流的裝置。例如,在圖5所示的調(diào)節(jié)器中,在傳導(dǎo)端子t1和用作輸出晶體管的P溝道MOS晶體管Q1的背柵的一端與加有電源電壓VDD之電源端子1的另一端之間,設(shè)置用作電源切斷開關(guān)功能的P溝道MOS晶體管Q2。MOS晶體管Q2的傳導(dǎo)端子t4與電源端子1相連,且將傳導(dǎo)端子t3及MOS晶體管Q2的背柵和柵極與傳導(dǎo)端子t1及MOS晶體管Q1的背柵相連。將MOS晶體管Q1的傳導(dǎo)端子t2與輸出端子2相連。在圖5所示的調(diào)節(jié)器中,當(dāng)從外部向輸出端子2加給高于電源電壓VDD的電壓時,MOS晶體管Q2截止,這就防止了回流電流。
另一方面,在日本專利申請待審公開特開平10-341141中,在傳導(dǎo)端子及P溝道MOS輸出晶體管的背柵一端與加給外部電源電壓之電源端子的另一端之間,設(shè)置電源切斷開關(guān),從而當(dāng)監(jiān)視電路的電源電壓認(rèn)識到該電源電壓下降時,斷開電源切斷開關(guān),這就防止了回流電流。
但是,在圖5所示的調(diào)節(jié)器中,由于MOS晶體管Q2的柵極和傳導(dǎo)端子t3相連,在正常操作(當(dāng)電源電壓VDD高于輸出端子2的電壓VOUT時執(zhí)行的操作)中,不可能使MOS晶體管Q2的柵極和傳導(dǎo)端子t4之間的電壓足夠地高,因此在正常操作中,MOS晶體管Q2的傳導(dǎo)端子t3和t4之間的電壓很高。這意味著在正常操作中MOS晶體管Q2的導(dǎo)通狀態(tài)電阻很高。這使其在正常操作中不可能減少電壓的損失。
另一方面,在日本專利申請待審公開特開平10-341141提出的輸出級電路中,根本沒有給出對電源切斷開關(guān)的導(dǎo)通狀態(tài)電阻的考慮。這使得在電源切斷開關(guān)的連通狀態(tài)電阻很高的情況下,在正常操作(當(dāng)外部電源電壓高于預(yù)定電平時執(zhí)行的操作)中不可能減少電壓的損失。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,根據(jù)本發(fā)明,一種半導(dǎo)體集成電路配備有第一MOS晶體管,具有第一柵極、第一背柵、第一傳導(dǎo)區(qū)及第二傳導(dǎo)區(qū),并使它的第一背柵和第一傳導(dǎo)區(qū)電連接;第二MOS晶體管,具有第二柵極、第二背柵、第三傳導(dǎo)區(qū)及第四傳導(dǎo)區(qū),且使它的第二背柵和第三傳導(dǎo)區(qū)與所述第一背柵和第一傳導(dǎo)區(qū)電連接,并在它的第四傳導(dǎo)區(qū)接收第一直流電壓;比較器,將所述第一直流電壓與從所述第二傳導(dǎo)區(qū)輸出的第二直流電壓比較;以及開關(guān),用于根據(jù)比較器的輸出進(jìn)行操作,以便當(dāng)所述第一直流電壓高于所述第二直流電壓時,將第二柵極與預(yù)定電位相連,并且當(dāng)所述第一直流電壓低于所述第二直流電壓時,將第二柵極與所述第三傳導(dǎo)區(qū)或第二傳導(dǎo)區(qū)相連。
在這種結(jié)構(gòu)中,在反向偏置狀態(tài),即在第一直流電壓低于第二直流電壓時,第二MOS晶體管截止,這防止了在第一MOS晶體管中的回流電流。另一方面,在正常操作中,即在第一直流電壓高于第二直流電壓時,將第二MOS晶體管的柵極與預(yù)定電位相連,這使得可以減少第二MOS晶體管導(dǎo)通狀態(tài)的電阻。因此,可以在正常操作中減少電壓損失。這里,當(dāng)它的柵極與地相連時,第二MOS晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)電阻處于其最大值,因此,在正常操作中,即當(dāng)?shù)谝恢绷麟妷焊哂诘诙绷麟妷簳r,最好將第二MOS晶體管的柵極與地相連。
通過使用與第一和第二MOS晶體管的導(dǎo)電率相同的MOS晶體管,利用在第二MOS晶體管內(nèi)形成的寄生二極管,可以防止由在第一MOS晶體管內(nèi)形成的寄生二極管引起的回流電流。由于可以形成比N溝道MOS晶體管更小尺寸的P溝道MOS晶體管,最好使用P溝道MOS晶體管作為全部第一和第二MOS晶體管。
以下參考附圖結(jié)合對優(yōu)選實(shí)施例的說明,將使本發(fā)明的這些及其它目的和優(yōu)點(diǎn)變得清楚,其中圖1是表示實(shí)現(xiàn)本發(fā)明調(diào)節(jié)器結(jié)構(gòu)的一種示例的示意圖;圖2是表示實(shí)現(xiàn)本發(fā)明調(diào)節(jié)器結(jié)構(gòu)的另一種示例的示意圖;圖3是表示圖2所示調(diào)節(jié)器電路結(jié)構(gòu)一種實(shí)際示例的示意圖;圖4是表示半導(dǎo)體集成電路中所用的P溝道MOS晶體管的示意圖;以及圖5是表示傳統(tǒng)的半導(dǎo)體集成電路器件結(jié)構(gòu)示例的示意圖。
具體實(shí)施例方式
作為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明半導(dǎo)體集成電路器件的示例,下面將描述一種調(diào)節(jié)器。圖1示出了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的調(diào)節(jié)器結(jié)構(gòu)示例的示意圖。應(yīng)當(dāng)注意,在圖1中,利用相同的參考號標(biāo)識這些也能夠在圖5中發(fā)現(xiàn)的電路元件,并且不再重復(fù)它們的詳細(xì)說明。
圖1所示的調(diào)節(jié)器配備有電源端子1、輸出端子2、基準(zhǔn)電壓源3、誤差放大器4、開關(guān)5、比較器6、P溝道MOS晶體管Q1和Q2,以及電阻器R1和R2。
在電源端子1與輸出端子2之間,MOS晶體管Q1和Q2串聯(lián)。具體地說,電源端子1與MOS晶體管Q2的傳導(dǎo)端子t4相連;MOS晶體管Q2的背柵及傳導(dǎo)端子t3與MOS晶體管Q1的傳導(dǎo)端子t1及背柵相連,并且MOS晶體管Q1的傳導(dǎo)端子t2與輸出端子2相連。這里應(yīng)當(dāng)注意,在MOS晶體管Q1中,沿著圖中所示方向,即從傳導(dǎo)端子t2到背柵形成寄生二極管D1,而且,在MOS晶體管Q2中,沿著圖中所示方向,即從傳導(dǎo)端子t4到背柵形成寄生二極管D2。
電阻器R1與R2串聯(lián),從而形成了輸出電壓檢測電路,該電路的一端與MOS晶體管Q1將與輸出端子2相連的節(jié)點(diǎn)相連,另一端接地。將電阻器R1和R2相連的節(jié)點(diǎn)與誤差放大器4的同相輸入端相連?;鶞?zhǔn)電壓源3將基準(zhǔn)電壓VREF提供給誤差放大器4的反相輸入端子。將誤差放大器4的輸出信號提供給MOS晶體管Q1的柵極。
將比較器6的同相輸入端子與電源端子1和MOS晶體管Q2相連的節(jié)點(diǎn)相連,并且將比較器6的反相輸入端子與輸出端子2、MOS晶體管Q1及電阻器R1相連的節(jié)點(diǎn)相連。將比較器6的輸出信號提供給開關(guān)5。
開關(guān)5具有觸點(diǎn)5a、5b和5c,根據(jù)比較器6的輸出,確定如何對這些觸點(diǎn)5a到5c的連接進(jìn)行切換。開關(guān)5的觸點(diǎn)5a與MOS晶體管Q2的柵極相連;開關(guān)5的觸點(diǎn)5b接地,且開關(guān)5的觸點(diǎn)5c與MOS晶體管Q1和Q2相連的節(jié)點(diǎn)相連。
現(xiàn)在,對具有如上結(jié)構(gòu)的調(diào)節(jié)器的操作進(jìn)行說明。首先,將給出其正常操作(當(dāng)電源電壓VDD高于輸出端子2處的電壓VOUT時執(zhí)行的操作)。比較器6使電源電壓VDD與輸出端子2處的電壓VOUT進(jìn)行比較,并且,如果電源電壓VDD高于輸出端子2處的電壓VOUT,則比較器6控制開關(guān)5,以使其觸點(diǎn)5a和5b相連。當(dāng)開關(guān)5的觸點(diǎn)5a和5b相連時,MOS晶體管Q2的柵極接地,因此MOS晶體管Q2的柵極和傳導(dǎo)端子t3之間的電壓幾乎等于電源電壓VDD。這導(dǎo)致MOS晶體管Q2的導(dǎo)通狀態(tài)電阻達(dá)到其最大值,并因此有助于減少電壓損失。
通過從提供給MOS晶體管Q2的傳導(dǎo)端子t3的電壓中減去等于MOS晶體管Q1的傳導(dǎo)端子t1和t2之間電壓降的電壓,MOS晶體管Q1產(chǎn)生了電壓VOUT,然后將該電壓VOUT提供給輸出端子2。
由電阻器R1和R2組成的輸出電壓檢測電路分割了電壓VOUT,且誤差放大器4將與分壓結(jié)果和基準(zhǔn)電壓VREF之間的差相對應(yīng)的控制信號提供給MOS晶體管Q1。通過這種反饋控制,電壓VOUT被保持在預(yù)定電平。
接下來,將給出對當(dāng)電源電壓VDD變得低于輸出端子2處的電壓VOUT時調(diào)節(jié)器所執(zhí)行操作的說明,例如當(dāng)電源電壓VDD對地短路時,或者當(dāng)從外部將高電壓加給到輸出端子2上時。比較器6對電源電壓VDD和輸出端子2處的電壓VOUT進(jìn)行比較,并且如果電源電壓VDD低于輸出端子2處的電壓VOUT,則比較器6控制開關(guān)5,以使其觸點(diǎn)5a和5c相連。當(dāng)開關(guān)5的觸點(diǎn)5a和5c相連時,由于傳導(dǎo)端子t3處的電位高于傳導(dǎo)端子t4處的電位,MOS晶體管Q2的柵極和傳導(dǎo)端子t3被短路。這使得MOS晶體管Q2截止,因此沒有回流電流從輸出端子2流向電源端子1。
在圖1所示的調(diào)節(jié)器中,通過比較器6直接檢測到其中很可能存在回流電流的狀態(tài)(即電源電壓VDD低于輸出端子2處的電壓VOUT的狀態(tài)),并且根據(jù)此檢測結(jié)果,MOS晶體管Q2截止。這使得可以安全地防止回流電流。
此外,將相同導(dǎo)電率類型(P溝道)的晶體管用作MOS晶體管Q1和Q2,從而通過在MOS晶體管Q2內(nèi)形成的寄生二極管D2的作用,防止了由在MOS晶體管Q1內(nèi)形成之寄生二極管D1引起的回流電流。通過按照與用作功率晶體管的MOS晶體管Q1近似相同的晶體管尺寸形成用作電源切斷開關(guān)的MOS晶體管Q2,可以進(jìn)一步減小在正常操作中MOS晶體管Q2的導(dǎo)通狀態(tài)電阻。
在由車用蓄電池提供電源電壓VDD的情況下,由于實(shí)際中使用車用蓄電池的方式,因此電源電壓VDD會在瞬間下降,或者甚至對地短路。即使在這種情況下,為了防止與調(diào)節(jié)器的輸出端子2相連的負(fù)載(如微型計(jì)算機(jī))的故障,將一個高電容的輸出電容器與輸出端子2相連,以便穩(wěn)定輸出端子2處的電壓VOUT。
當(dāng)使用具有如上所述由車用蓄電池提供的電源電壓VDD及與輸出端子2相連的負(fù)載和高電容輸出電容器的圖1所示調(diào)節(jié)器時,在電源電壓VDD急劇下降的情況下,使調(diào)節(jié)器處于很可能出現(xiàn)回流電流的狀態(tài)(電源電壓VDD低于輸出端子2處的電壓VOUT的狀態(tài))。由于對圖1所示的調(diào)節(jié)器1進(jìn)行配置,以便即使在很可能出現(xiàn)回流電流的狀態(tài)下,也安全地防止了回流電流,因此該調(diào)節(jié)器適合被用作諸如汽車立體聲系統(tǒng)及汽車導(dǎo)航系統(tǒng)之類的車載設(shè)施的電源裝置。
如圖2所示,當(dāng)開關(guān)5的觸點(diǎn)5c并不與MOS晶體管Q1和Q2相連的節(jié)點(diǎn)相連,而與MOS晶體管Q1、電阻器R1、比較器6及輸出端子2相連的節(jié)點(diǎn)相連時,也可以實(shí)現(xiàn)有如圖1所示調(diào)節(jié)器相同的優(yōu)點(diǎn)。
圖3示出圖2所示調(diào)節(jié)器電路結(jié)構(gòu)的一種實(shí)際示例。應(yīng)予說明的是,圖3種那些在圖1中也能發(fā)現(xiàn)的電路元件用相同的參考號標(biāo)識,并且不再重復(fù)它們的詳細(xì)說明。
MOS晶體管Q2的柵極與MOS晶體管Q4的傳導(dǎo)端子t8相連,MOS晶體管Q4的背柵及傳導(dǎo)端子t7與MOS晶體管Q3的傳導(dǎo)端子t5及背柵相連,并且,MOS晶體管Q3的傳導(dǎo)端子t6通過電阻器R4與輸出端子2相連。這里,應(yīng)當(dāng)注意,在MOS晶體管Q3中,沿著圖中所示方向,即從傳導(dǎo)端子t6到背柵的方向形成寄生二極管D3,并且,在MOS晶體管Q4中,沿著圖中所示方向,即從傳導(dǎo)端子t8到背柵的方向形成寄生二極管D4。電阻器R3的一端與輸入端子1相連,而電阻器R1的另一端與MOS晶體管Q3的柵極及MOS晶體管Q4的柵極相連。輸入端子1通過電阻器5及齊納二極管ZD1與MOS晶體管Q2的柵極相連,且MOS晶體管Q2的柵極通過電阻器R6接地。
這里,提到MOS晶體管Q3的柵極和傳導(dǎo)區(qū)端子t6之間的電壓,為的是對電源電壓VDD和輸出端子2處的電壓VOUT進(jìn)行比較。這有助于實(shí)現(xiàn)更寬的動態(tài)范圍。
在上述結(jié)構(gòu)中,在正常操作時,MOS晶體管Q3保持截止。所以,寄生二極管D3保持導(dǎo)通,因此,除非未能由于MOS晶體管Q4內(nèi)的寄生二極管D4的作用而防止通過寄生二極管D3的電流,MOS晶體管Q2的柵極電位不會下降到地電平,而是保持等于電壓VOUT減去MOS晶體管Q3的VF。由于設(shè)置MOS晶體管Q4使這一點(diǎn)得以被防止。
在正常操作中,MOS晶體管Q3和Q4保持截止,而且,沒有額外的電流流過寄生二極管D3和D4。因此,由電源電壓減去齊納二極管ZD1的齊納電壓,確定了MOS晶體管Q2的柵極電位,并因此能夠?qū)⒃撾娢辉O(shè)定等于地電位。另一方面,當(dāng)電源電壓VDD低于輸出端子2處的電壓VOUT時,MOS晶體管Q3和Q4保持導(dǎo)通,且MOS晶體管Q2保持截止。因此,沒有回流電流從輸出端子2流向電源端子1。
上述說明只涉及其中把用于檢測輸出端子2處的電壓VOUT的電壓檢測電路構(gòu)造為電阻分壓電路的示例。但是,還可以使用以任意其它方式構(gòu)造的替代的電壓檢測電路。上述說明只涉及其中將開關(guān)5的觸點(diǎn)5b接地的示例。但是,還可以將開關(guān)5的觸點(diǎn)5b與除地之外的電位相連,只要該電位能夠使MOS晶體管Q2導(dǎo)通即可。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體集成電路器件,包括第一MOS晶體管,具有第一柵極、第一背柵、第一傳導(dǎo)區(qū)以及第二傳導(dǎo)區(qū),所述第一MOS晶體管的第一背柵和第一傳導(dǎo)區(qū)電連接;第二MOS晶體管,具有第二柵極、第二背柵、第三傳導(dǎo)區(qū)以及第四傳導(dǎo)區(qū),所述第二MOS晶體管的第二背柵及第三傳導(dǎo)區(qū)與所述第一背柵及第一傳導(dǎo)區(qū)電連接,所述第二MOS晶體管在其第四傳導(dǎo)區(qū)接收第一直流電壓;比較器,使所述第一直流電壓與從所述第二傳導(dǎo)區(qū)輸出的第二直流電壓進(jìn)行比較;以及開關(guān),用于根據(jù)所述比較器的輸出進(jìn)行操作,以便在所述第一直流電壓高于所述第二直流電壓時,將第二柵極與預(yù)定電位相連,并在所述第一直流電壓低于所述第二直流電壓時,將第二柵極與所述第三傳導(dǎo)區(qū)或第二傳導(dǎo)區(qū)相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路器件,其特征在于,所述第一和第二MOS晶體管的導(dǎo)電率類型相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路器件,其特征在于,還包括誤差放大器,用于將控制信號輸出到第一柵極,所述控制信號與對應(yīng)于第二直流電壓的電壓和預(yù)定電壓之間的差相對應(yīng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路器件,其特征在于,所述預(yù)定電位是地電位,以及所述半導(dǎo)體集成電路器件還包括誤差放大器,用于將控制信號輸出到第一柵極,所述控制信號與對應(yīng)于第二直流電壓的電壓和預(yù)定電壓之間的差相對應(yīng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路器件,其特征在于,所述比較器是第三MOS晶體管,它具有第三柵極、第三背柵、第五傳導(dǎo)區(qū)以及第六傳導(dǎo)區(qū),所述第三MOS晶體管的第三背柵和第五傳導(dǎo)區(qū)電連接,所述第三MOS晶體管在其第六傳導(dǎo)區(qū)接收基于第二直流電壓的電壓,所述第三MOS晶體管在其第三柵極接收基于第一直流電壓的電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體集成電路器件,其特征在于,所述第一和第二MOS晶體管是P溝道類型的。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體集成電路器件,其特征在于,還包括誤差放大器,用于將控制信號輸出到第一柵極,所述控制信號與對應(yīng)于第二直流電壓的電壓和預(yù)定電壓之間的差相對應(yīng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體集成電路,其特征在于,所述比較器是第三MOS晶體管,它具有第三柵極、第三背柵、第五傳導(dǎo)區(qū)以及第六傳導(dǎo)區(qū),所述第三MOS晶體管的第三背柵和第五傳導(dǎo)區(qū)電連接,所述第三MOS晶體管在其第六傳導(dǎo)區(qū)接收基于第二直流電壓的電壓,所述第三MOS晶體管在其第三柵極接收基于第一直流電壓的電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體集成電路,其特征在于,所述預(yù)定電位是地電位。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體集成電路,其特征在于,還包括誤差放大器,用于將控制信號輸出到第一柵極,所述控制信號與對應(yīng)于第二直流電壓的電壓和預(yù)定電壓之間的差相對應(yīng)。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體集成電路,其特征在于,所述比較器是第三MOS晶體管,具有第三柵極、第三背柵、第五傳導(dǎo)區(qū)以及第六傳導(dǎo)區(qū),所述第三MOS晶體管的第三背柵和第五傳導(dǎo)區(qū)電連接,所述第三MOS晶體管在其第六傳導(dǎo)區(qū)接收基于第二直流電壓的電壓,所述第三MOS晶體管在其第三柵極接收基于第一直流電壓的電壓。
12.一種輸出電路,包括第一MOS晶體管,具有第一柵極、第一背柵、第一傳導(dǎo)區(qū)以及第二傳導(dǎo)區(qū),所述第一MOS晶體管的第一背柵和第一傳導(dǎo)區(qū)電連接;第二MOS晶體管,具有第二柵極、第二背柵、第三傳導(dǎo)區(qū)以及第四傳導(dǎo)區(qū),所述第二MOS晶體管的第二背柵及第三傳導(dǎo)區(qū)與所述第一背柵及第一傳導(dǎo)區(qū)電連接,所述第二MOS晶體管在其第四傳導(dǎo)區(qū)接收第一直流電壓;比較器,使所述第一直流電壓與從所述第二傳導(dǎo)區(qū)輸出的第二直流電壓進(jìn)行比較;以及開關(guān),用于根據(jù)所述比較器的輸出進(jìn)行操作,以便在所述第一直流電壓高于所述第二直流電壓時,將第二柵極與預(yù)定電位相連,并在所述第一直流電壓低于所述第二直流電壓時,將第二柵極與所述第三傳導(dǎo)區(qū)或第二傳導(dǎo)區(qū)相連。
13.一種包含電源的車載電子設(shè)施,其特征在于,所述電源包括半導(dǎo)體集成電路器件或輸出電路,所述半導(dǎo)體集成電路設(shè)備或輸出電路包括第一MOS晶體管,具有第一柵極、第一背柵、第一傳導(dǎo)區(qū)以及第二傳導(dǎo)區(qū),所述第一MOS晶體管的第一背柵和第一傳導(dǎo)區(qū)電連接;第二MOS晶體管,具有第二柵極、第二背柵、第三傳導(dǎo)區(qū)以及第四傳導(dǎo)區(qū),所述第二MOS晶體管的第二背柵及第三傳導(dǎo)區(qū)與所述第一背柵及第一傳導(dǎo)區(qū)電連接,所述第二MOS晶體管在其第四傳導(dǎo)區(qū)接收第一直流電壓;比較器,使所述第一直流電壓與從所述第二傳導(dǎo)區(qū)輸出的第二直流電壓進(jìn)行比較;以及開關(guān),用于根據(jù)所述比較器的輸出進(jìn)行操作,以便在所述第一直流電壓高于所述第二直流電壓時,將第二柵極與預(yù)定電位相連,并在所述第一直流電壓低于所述第二直流電壓時,將第二柵極與所述第三傳導(dǎo)區(qū)或第二傳導(dǎo)區(qū)相連。
全文摘要
傳統(tǒng)的半導(dǎo)體集成電路器件中,用于防止回流電流的裝置具有高導(dǎo)通狀態(tài)電阻,這使得在正常操作中不可能減少電壓損失。本發(fā)明半導(dǎo)體集成電路器件具有第一MOS晶體管、設(shè)置于第一MOS晶體管與電源端子之間的第二MOS晶體管,以及在正常操作中將第二MOS晶體管的柵極保持在預(yù)定電位(最好是地電位)以及當(dāng)很可能出現(xiàn)回流電流時使第二MOS晶體管截止的裝置。在正常操作中,這有助于防止回流電流,同時減少電壓損失。
文檔編號H03K17/0814GK1536666SQ20041003182
公開日2004年10月13日 申請日期2004年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月4日
發(fā)明者近藤雅仁, 井上晃一, 一 申請人:羅姆股份有限公司