專利名稱：音頻信號(hào)放大器電路及具有該電路的電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種音頻信號(hào)放大器電路以及具有該電路的電子設(shè)備，更具體地，涉及一種音頻信號(hào)放大器電路，用于諸如蜂窩電話、非移動(dòng)電話以及便攜式終端設(shè)備之類的便攜類型電子設(shè)備和諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)之類的電子設(shè)備的音頻系統(tǒng)中，即使在相對(duì)較低的電壓驅(qū)動(dòng)下，所述音頻信號(hào)放大器電路也能夠減小信號(hào)失真，并且適于形成在具有寬動(dòng)態(tài)范圍的集成電路中。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)上，用于諸如蜂窩電話、非移動(dòng)電話以及便攜式終端設(shè)備之類的便攜式類型電子設(shè)備和諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)之類的電子設(shè)備的許多音頻系統(tǒng)在相對(duì)低的電壓下運(yùn)行，例如，大約DC 6V的電源電壓或低于該電壓，這導(dǎo)致其動(dòng)態(tài)范圍變窄的問題。
作為執(zhí)行適于如蜂窩電話和便攜式終端設(shè)備等便攜類型電子設(shè)備的推挽操作的低電壓驅(qū)動(dòng)放大器電路，從JP-A-5-308228或JP-A-9-46146中可以了解到一種在驅(qū)動(dòng)級(jí)使用電流鏡電路并且擴(kuò)大了動(dòng)態(tài)范圍的電路。
在聲音應(yīng)用的音頻系統(tǒng)中，使用了一種功率放大器，從JP-A-11-103216中可以了解到，通過在末級(jí)的MOS電路中使用FET晶體管，降低了所述功率放大器的失真率且拓寬了動(dòng)態(tài)范圍。此外，作為一種相同種類的運(yùn)算放大器，一種其中由雙極晶體管驅(qū)動(dòng)在末級(jí)的C-MOSFET中的輸出級(jí)的雙MOS電路是眾所周知的。
在用于諸如蜂窩電話、非移動(dòng)電話以及便攜式終端裝置之類便攜式類型電子設(shè)備和諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)之類電子設(shè)備的音頻系統(tǒng)中，期望提高聲音質(zhì)量以及增大其輸出，并且非常希望更進(jìn)一步的這種要求。此外，還希望減小功率消耗。
當(dāng)在末級(jí)使用雙極晶體管時(shí)，如果沒有抑制無功電流，則在沒有信號(hào)期間會(huì)出現(xiàn)功率消耗增大的問題。前面所述的JP-A-9-46146中公開的技術(shù)解決了上述問題。但是，該技術(shù)的缺點(diǎn)在于驅(qū)動(dòng)級(jí)的電路結(jié)構(gòu)有些復(fù)雜。
因此，設(shè)想通過在末級(jí)的C-MOS電路中使用FET晶體管來抑制無功電流，但是，當(dāng)使用進(jìn)行推挽操作的CMOS運(yùn)算放大器時(shí)，其中在小于DC 6V的相對(duì)較低的電壓驅(qū)動(dòng)下，通過雙極晶體管驅(qū)動(dòng)MOSFET，仍然不能解決不能充分地執(zhí)行MOSFET的驅(qū)動(dòng)以及動(dòng)態(tài)范圍減小這些問題。
此外，使用了進(jìn)行推挽操作的CMOS運(yùn)算放大器，不同地設(shè)置正相位側(cè)和反相位側(cè)的各個(gè)偏壓。在這樣設(shè)置之后，驅(qū)動(dòng)末級(jí)，因此，波特圖(頻率對(duì)總增益的圖)上的極點(diǎn)(拐點(diǎn))數(shù)目增加，如果在低電壓下驅(qū)動(dòng)，則交叉失真增大，而如果輸出增大，則很可能會(huì)產(chǎn)生振蕩。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的的解決傳統(tǒng)技術(shù)中的這些問題，且提供了一種音頻信號(hào)放大器電路，即使在相對(duì)較低的電壓驅(qū)動(dòng)下時(shí)，所述音頻信號(hào)放大器電路也能減小信號(hào)失真，并且適于形成在具有寬動(dòng)態(tài)范圍的集成電路中，或提供了一種具有該音頻信號(hào)放大器電路的電子設(shè)備。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，構(gòu)造了一種音頻放大器電路或一種具有該音頻信號(hào)放大器電路的電子設(shè)備，以提供在相對(duì)于參考電壓的電源電壓或電源電壓之間的電壓下操作的第一、第二以及第三差分放大器；具有第一和第二驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償晶體管(transistor driven complementarily)的輸出級(jí)；與輸入端子相連的第一電阻器；與第一差分放大器電路的輸出相連的第二電阻器；以及與輸出級(jí)電路的輸出端子相連的第一和第二反饋電阻器，其中第一差分放大器電路經(jīng)過第一電阻器接收輸入信號(hào)，并經(jīng)過第二電阻器將輸出信號(hào)輸入到第二和第三差分放大器電路，第二差分放大器電路驅(qū)動(dòng)第一和第二晶體管之一，第三差分晶體管驅(qū)動(dòng)第一和第二晶體管中的另一個(gè)，并且將輸出級(jí)電路的輸出信號(hào)經(jīng)過第一反饋電阻器反饋到第一差分放大器電路的輸入，以及將輸出級(jí)電路的輸出信號(hào)經(jīng)過第二反饋電阻器反饋到第二和第三差分放大器電路的輸入。
從上述可以清楚看到，在本發(fā)明的三個(gè)差分放大器中，第一、第二和第三差分放大器電路構(gòu)成了用于補(bǔ)償型驅(qū)動(dòng)的最終輸出級(jí)晶體管的驅(qū)動(dòng)電路。
此外，在相對(duì)于參考電位(地電位)的電源電壓或這些電壓之間的電壓下操作各個(gè)差分放大器電路。因此，能夠以相對(duì)較低的電壓產(chǎn)生輸出級(jí)電路的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。此外，構(gòu)造了雙反饋電路，在該電路中，將輸出級(jí)電路的輸出信號(hào)反饋到第一差分電路以及第二和第三差分放大器電路的輸入。
在此示例中，特別地，當(dāng)?shù)谝?、第二和第三差分放大器電路的結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上相同時(shí)，由于能夠減少波特圖上極點(diǎn)的數(shù)目并且經(jīng)過第一反饋電阻器和第二反饋電阻器將輸出級(jí)電路的輸出信號(hào)雙路反饋到輸入側(cè)，因此即使輸出有所增加，也能夠減小如交叉失真等，并抑制電路振蕩。此外，當(dāng)將C-MOSFET晶體管用于輸出級(jí)電路中的第一和第二晶體管時(shí)，能夠減小無功電流。
結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)即使在相對(duì)較低的電壓下進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)，也能夠減小信號(hào)失真，并且適于形成在具有寬動(dòng)態(tài)范圍的集成電路中的音頻信號(hào)放大器電路，以及具有該音頻信號(hào)放大器電路的電子設(shè)備。


圖1是實(shí)施例中音頻輸出電路的基本框圖，其中將本發(fā)明的音頻信號(hào)放大器電路用于該實(shí)施例；圖2是用于說明圖1中特定電路示例的電路圖；圖3是用于說明圖1中差分放大器電路的另一個(gè)特定示例的電路圖；圖4是用于說明圖1中差分放大器電路另一個(gè)特定示例的電路圖；以及圖5是用于說明圖1中差分放大器電路又一個(gè)特定示例的電路圖。
具體實(shí)施例方式
在圖1中，10是音頻輸出電路。音頻輸出電路10由以下部件構(gòu)成驅(qū)動(dòng)級(jí)電路4，包括差分放大器電路1、2和3；由驅(qū)動(dòng)級(jí)驅(qū)動(dòng)的C-MOSFET的輸出級(jí)電路5；以及電阻器R1、R2、R3和R4。此外，5a是輸出級(jí)電路5的輸出端子，而4a是驅(qū)動(dòng)級(jí)電路4的輸入端子。
分別按照相同的電路結(jié)構(gòu)構(gòu)造了差分放大器電路1、2和3，分別接收來自電源線+VDD(設(shè)其電源電壓是+VDD)的電源，并且在電源電壓+VDD和地GND之間的電壓下操作。差分放大器1是同相操作的放大器電路，其中將(-)輸入側(cè)(反相輸入側(cè))用作輸入端子，(-)輸入側(cè)與電阻器R1和電阻器R2的串聯(lián)電路的連接點(diǎn)N1相連，且(+)輸入側(cè)(同相輸入側(cè))與預(yù)定偏置線Va(＝+VDD/2)相連。電阻器R1和電阻器R2的串聯(lián)電路是用于確定音頻輸出電路10的放大率的電阻器，且電阻器R1是電路的參考電阻器，其剩余的一端與輸入端子4a相連。電阻器R2剩余的一端與輸出端子5a側(cè)相連并用作反饋電阻器，用于將輸出信號(hào)反饋到輸入側(cè)。
此外，在差分放大器電路1的輸出側(cè)，添加了反相符號(hào)，這暗示相對(duì)于(-)輸入側(cè)的反相并放大的輸出，取出對(duì)其的反相輸出。結(jié)果，構(gòu)成了如上所述的對(duì)于輸入信號(hào)的同相操作的放大器。利用差分放大器電路，通常能夠容易地得到相對(duì)于(+)輸入側(cè)和(-)輸入側(cè)的同相和反相(180相位)輸出。因此，即使將實(shí)質(zhì)上相同的電路結(jié)構(gòu)用于這些差分放大器電路，通過改變從差分放大器電路位置提取的輸出，仍然能夠獲得相對(duì)于(+)輸入側(cè)以及(-)輸入側(cè)同相或反相的輸出。因此，從差分放大器電路結(jié)構(gòu)的角度出發(fā)，差分放大器1存在或缺少反相符號(hào)沒有明顯的差別。
差分放大器2是反相操作的放大器電路，其中將(-)輸入側(cè)用作輸入端子，(-)輸入側(cè)與電阻器R3和電阻器R4的串聯(lián)電路的連接點(diǎn)N2相連，且(+)輸入側(cè)與偏置線Va相連。電阻器R3和電阻器R4的串聯(lián)電路是用于確定音頻輸出電路10的放大率的電阻器，且電阻器R3是電路的參考電阻器，其剩余的一端與差分放大器1的輸出相連。電阻器R4剩余的一端與輸出端子5a側(cè)相連并且用作反饋電阻器，用于將輸出信號(hào)反饋到輸入側(cè)。
差分放大器3是反相操作的放大器電路，其中將(-)輸入側(cè)用作輸入端子，(-)輸入側(cè)與電阻器R3和電阻器R4的串聯(lián)電路的連接點(diǎn)N2相連，且(+)輸入側(cè)與偏置線Va相連，構(gòu)造了與差分放大器電路2相似的電路。
分別將差分放大器電路2和3的輸出輸出到C-MOSFET的輸出級(jí)電路5。輸出級(jí)電路5由P溝道MOSFET晶體管Trp和N溝道MOSFET晶體管Trn構(gòu)成。晶體管Trp的漏極與晶體管Trn的漏極相連，且其連接點(diǎn)N3與輸出端子5a相連。晶體管Trp的源極與電源線+VDD相連，而晶體管Trn的源極與地GND相連。
在本實(shí)施例中，利用偏置線Va的電壓，將用于差分放大器電路1、2和3的輸入信號(hào)和輸出信號(hào)的幅度參考電平實(shí)質(zhì)上設(shè)為+VDD/2。此外，由于存在反饋電阻R4，將用于輸出級(jí)電路5的輸出信號(hào)的幅度參考電平實(shí)質(zhì)上也設(shè)為+VDD/2。
因此，由差分放大器電路2的輸入信號(hào)中超過+VDD/2的電壓信號(hào)驅(qū)動(dòng)晶體管Trp，而當(dāng)電壓信號(hào)小于+VDD/2時(shí)，使其截止。另一方面，由差分放大器電路3的輸入信號(hào)中小于+VDD/2的電壓信號(hào)驅(qū)動(dòng)晶體管Trn，而當(dāng)電壓信號(hào)超過+VDD/2時(shí)，使其截止。因此，音頻輸出電路10的輸出端子5a產(chǎn)生了推挽輸出。
即，在音頻輸出電路10中，設(shè)置了三個(gè)相同的差分放大器電路單元，這些差分放大器電路在電源電壓+VDD和地GND之間的電壓下操作，并使用相對(duì)于電源電壓的電壓+VDD/2作為幅度參考來產(chǎn)生輸出信號(hào)。在這些差分放大器電路的輸入和參考側(cè)的偏置電壓也是+VDD/2。因此，通過將差分放大器電路之一用作第一級(jí)的輸入級(jí)或第一級(jí)驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)其它兩個(gè)電路，并分別將其它兩個(gè)差分放大器電路分配給用于C-MOSFET輸出級(jí)電路5中的輸出級(jí)晶體管的驅(qū)動(dòng)電路。
因此，各個(gè)差分放大器電路1到3能夠產(chǎn)生電源電壓+VDD和地GND之間的電壓的用于輸出級(jí)電路5的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，另外，由于可以通過具有相同電路結(jié)構(gòu)的差分放大器電路驅(qū)動(dòng)輸出級(jí)，因此能夠拓寬其動(dòng)態(tài)范圍。此外，由于末級(jí)輸出級(jí)由C-MOSFET構(gòu)成，因此抑制了無功電流并減小了噪聲，從而提高了聲音質(zhì)量。
圖2是上述的一個(gè)特定電路。通過按照于差分放大器電路1相同的方式取得輸出，按照與差分放大器電路1相同的電路結(jié)構(gòu)構(gòu)造了圖2中的差分放大器電路。因此，與圖1中的示例不同，在圖2中所有的差分放大器電路都是同相操作的放大器。因此，音頻輸出電路10整體上作為反相放大器操作。
在本實(shí)施例中，由差分放大器電路2的輸入信號(hào)中小于+VDD/2的電壓信號(hào)驅(qū)動(dòng)晶體管Trp，而當(dāng)電壓信號(hào)超過+VDD/2時(shí)，使其截止。另一方面，由差分放大器電路3的輸入信號(hào)中超過+VDD/2的電壓信號(hào)驅(qū)動(dòng)晶體管Trn，而當(dāng)電壓信號(hào)超過+VDD/2時(shí)，使其截止。因此，音頻輸出電流10的輸出端子5a產(chǎn)生了推挽輸出。
附帶地，差分放大器電路2和3使用+VDD/2作為幅度參考，產(chǎn)生任意同相信號(hào)或反相信號(hào)，作為輸出信號(hào)，而不考慮電路是反相操作放大器還是同相操作放大器，在這兩種情況下，電路均是可操作的。取決于音頻輸出電路10整體上作為如圖2的反相放大器操作還是作為如圖1的同相放大器操作，可以選擇差分放大器電路2和3的反相和同相操作，對(duì)于差分放大器電路1也是如此。
在差分放大器電路1、2和3中的每一個(gè)輸入級(jí)均由NPN差分晶體管Q1和Q2構(gòu)成，在差分晶體管Q1和Q2的下游具有NPN晶體管的恒流源。其輸出級(jí)由PNP晶體管Q4和Q5構(gòu)成的電流鏡電路6構(gòu)成。晶體管Q4是二極管連接的電流鏡電路6中的輸入側(cè)晶體管，而晶體管Q5是電流鏡電路6的輸出側(cè)晶體管。在差分晶體管Q1和Q2的上游側(cè)設(shè)置了負(fù)載電阻器R5和R6，且差分晶體管Q1和Q2各自的集電極經(jīng)過這些負(fù)載電阻器R5和R6與電源線+VDD相連。差分晶體管Q1和Q2的公共發(fā)射極經(jīng)過晶體管Q3的集電極-發(fā)射極和電阻器R7與地GND相連。
晶體管Q4和Q5的發(fā)射極分別與負(fù)載電阻器R5、R6和差分晶體管Q1、Q2之間的連接點(diǎn)相連，并接收來自差分晶體管Q1和Q2的輸出。晶體管Q4和Q5的集電極分別經(jīng)過恒流源的NPN晶體管Q6和Q7的集電極-發(fā)射極以及電阻器R8和R9與地GND相連。
此外，構(gòu)成了恒流源的晶體管Q3、Q6和Q7的基極分別與恒定電壓的偏置線Vs相連。
電流鏡電路6是其上游側(cè)與差分晶體管Q1和Q2的負(fù)載電阻器R5和R6相連的電路，在下游側(cè)設(shè)置了用于設(shè)置其操作電流的的恒流源。出于此原因，電流鏡電路6是不能執(zhí)行輸入信號(hào)的電流鏡操作而是將輸出電壓轉(zhuǎn)換為電流并輸出同相電流的電路。用于電流鏡電路的輸出側(cè)的晶體管Q5的輸入側(cè)經(jīng)過負(fù)載電阻器R5的端子，接收與(-)輸入側(cè)的輸入信號(hào)同相的電壓輸出信號(hào)。因此，在此示例中，電流鏡電路6構(gòu)成了與設(shè)置在差分放大器電路1的輸出側(cè)的反相符號(hào)相對(duì)應(yīng)的電路。在本實(shí)施例中，包括差分晶體管Q1和Q2以及電流鏡電路6的差分放大器電路與圖1的差分放大器電路1相對(duì)應(yīng)。
偏置線Vs是從恒壓電路8和電流源7之間的連接點(diǎn)得到的恒壓線。在電源線+VDD和地GND之間，串聯(lián)設(shè)置電流源7和在其下游接收來自電流源7的電流的恒壓電路8。恒流電路8由二極管連接的晶體管和電阻器的串聯(lián)電路構(gòu)成。
從上面可以看到，由于按照實(shí)質(zhì)上相同的電路結(jié)構(gòu)構(gòu)造了差分放大器電路1到3，因此其幅頻特性幾乎相同，此外，由于分別由C-MOSFET構(gòu)成其末級(jí)，因此減少了波特圖上的極點(diǎn)數(shù)目。
結(jié)果，即使在較低的電壓驅(qū)動(dòng)下，也提高了如交叉失真等，并且抑制了電路振蕩。
圖3是圖1中差分放大器電路的另一個(gè)特定示例。圖3中的差分放大器電路3a是差分放大器電路，其中由PNP晶體管Q1到Q3、Q6和Q7分別代替了圖2中差分放大器電路3的NPN晶體管Q1到Q3、Q6和Q7，并且由NPN晶體管Q4和Q5分別代替了PNP晶體管Q4和Q5?？梢詫⑦@種修改后的電路用于取代圖2中的差分放大器電路3。此外，可以用上述電路代替所有的其它差分放大器電路1和2。
盡管從電流源7和恒壓電路8之間的連接點(diǎn)得到偏置線Vs，這些電路的位置與圖2中的相反。即，由電阻器和二極管連接的晶體管的串聯(lián)電路構(gòu)成的恒壓電路8與電源線+VDD相連，且電流源在其下游接收來自恒壓源8的電流，并將其匯入地GND。
圖4是圖1中差分放大器電路另一個(gè)特定示例，可以由圖4的差分放大器電路取代圖1中的電路。
圖4中的差分放大器電路通過設(shè)置在其下游的電流鏡電路9，接收?qǐng)D2中差分放大器電路的電流鏡電路6的輸出，并產(chǎn)生反相的電流。然后，通過設(shè)置在電流鏡電路9的上游的電流鏡連接的晶體管Q11來產(chǎn)生輸出。
電流鏡電路9由NPN晶體管Q8和Q9構(gòu)成，并且在其上游配備有晶體管Q11。該晶體管用作電流鏡的輸出側(cè)晶體管，并且在差分晶體管Q1和Q2側(cè)，設(shè)置了輸入側(cè)晶體管。輸入側(cè)晶體管是插入在晶體管Q1的集電極和電阻器R5之間的晶體管Q10。因此，經(jīng)過輸出側(cè)晶體管Q10，通過晶體管Q10和Q11，將來自差分晶體管Q1的輸出輸出到輸出端子OUT。
圖5示出了差分放大器電路，其中由PNP晶體管Q1到Q3、Q8和Q9分別代替了圖4中差分放大器電路的NPN晶體管Q1到Q3、Q8和Q9，并且由NPN晶體管Q4、Q5、Q10和Q11分別代替了圖4中的PNP晶體管Q4、Q5、Q10和Q11。按照與圖3類似的方式，可以用圖2中的差分放大器電路3或差分放大器電路1和2代替上述差分放大器電路。其中的偏置線與圖3中的示例相同。
如上所述，在本實(shí)施例中，舉例說明了其中通過雙極晶體管驅(qū)動(dòng)C-MOSFET的輸出級(jí)的雙-CMOS電路，但是在本實(shí)施例中，如果輸出級(jí)是由補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)型晶體管構(gòu)成的輸出電路，則不必將晶體管局限于MOSFET晶體管。但是，在這種修改的示例中，無功電流可能會(huì)略有增加。
此外，在本實(shí)施例中，由雙極晶體管構(gòu)成三個(gè)差分放大器電路的驅(qū)動(dòng)級(jí)，然而，當(dāng)然可以由MOSFET晶體管的差分放大器電路構(gòu)成同樣的驅(qū)動(dòng)級(jí)。
此外，在本實(shí)施例中，使用了電源電壓的正電壓，但是，也可以將負(fù)電源電壓應(yīng)用于本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種音頻信號(hào)放大器電路，包括在相對(duì)于參考電位的電源電壓或電源電壓之間電壓下操作的第一、第二以及第三差分放大器；具有第一和第二驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償晶體管的輸出級(jí)；與輸入端子相連的第一電阻器；與第一差分放大器電路的輸出相連的第二電阻器；以及與輸出級(jí)電路的輸出端子相連的第一和第二反饋電阻器，其中第一差分放大器電路經(jīng)過第一電阻器接收輸入信號(hào)，并經(jīng)過第二電阻器將輸出信號(hào)輸入到第二和第三差分放大器電路，第二差分放大器電路驅(qū)動(dòng)第一和第二晶體管之一，第三差分晶體管驅(qū)動(dòng)第一和第二晶體管中的另一個(gè)，并且將輸出級(jí)電路的輸出信號(hào)經(jīng)過第一反饋電阻器反饋到第一差分放大器電路的輸入，以及將輸出級(jí)電路的輸出信號(hào)經(jīng)過第二反饋電阻器反饋到第二和第三差分放大器電路的輸入。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的音頻信號(hào)放大器電路，其特征在于第一、第二和第三差分放大器電路中的至少一個(gè)是同相操作的放大器電路，且參考電位是地電位。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的音頻信號(hào)放大器電路，其特征在于第一、第二和第三差分放大器電路的輸入和輸出信號(hào)的幅度參考電壓的電平和輸出級(jí)電路的輸出信號(hào)的幅度參考電壓的電平實(shí)質(zhì)上為電源電源的1/2。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的音頻信號(hào)放大器電路，其特征在于當(dāng)其輸入是超過1/2電壓的電壓信號(hào)時(shí)，第二差分放大器電路驅(qū)動(dòng)第一晶體管，而當(dāng)其輸入是小于1/2電壓的電壓信號(hào)時(shí)，截止第一晶體管；當(dāng)其輸入是小于1/2電壓的電壓信號(hào)時(shí)，第三差分放大器電路驅(qū)動(dòng)第二晶體管，而當(dāng)其輸入是超過1/2電壓的電壓信號(hào)時(shí)，截止第二晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的音頻信號(hào)放大器電路，其特征在于第一、第二和第三差分放大器電路中的每一個(gè)均是同相操作的放大器電路，且輸出級(jí)電路中的第一和第二晶體管是C-MOSFET晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的音頻信號(hào)放大器電路，其特征在于第一晶體管是P溝道MOSFET晶體管，第二晶體管是N溝道MOSFET晶體管，當(dāng)其輸入是小于1/2電壓的電壓信號(hào)時(shí)，第二差分放大器電路驅(qū)動(dòng)第一晶體管，而當(dāng)其輸入是超過1/2電壓的電壓信號(hào)時(shí)，截止第一晶體管；以及當(dāng)其輸入是超過1/2電壓的電壓信號(hào)時(shí)，第三差分放大器電路驅(qū)動(dòng)第二晶體管，而當(dāng)其輸入是小于1/2電壓的電壓信號(hào)時(shí)，截止第二晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的音頻信號(hào)放大器電路，其特征在于第一、第二和第三差分放大器電路是實(shí)質(zhì)上相同的電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的音頻信號(hào)放大器電路，其特征在于第一、第二和第三差分放大器電路中至少的一個(gè)是其中由NPN晶體管代替了PNP晶體管并且由PNP晶體管代替了NPN晶體管的電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的音頻信號(hào)放大器電路，其特征在于將相對(duì)于電源電壓的1/2電壓輸入到第一、第二和第三差分放大器電路的(+)輸入側(cè)，并且在所述電路的(-)輸入側(cè)接收輸入信號(hào)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的音頻信號(hào)放大器電路，其特征在于第一、第二和第三差分放大器電路中的每一個(gè)分別包括一對(duì)差分晶體管；分別與所述差分晶體管相連的第一和第二負(fù)載電阻器；電流鏡電路，用于取出從負(fù)載電阻器獲得的電壓信號(hào)，作為電流信號(hào)；以及第一和第二恒流源，分別設(shè)置電流鏡電路中的輸入側(cè)晶體管和輸出側(cè)晶體管的操作電流。
11.一種具有音頻信號(hào)放大器電路的電子設(shè)備，所述音頻信號(hào)放大器電路包括在相對(duì)于參考電位的電源電壓或電源電壓之間電壓下操作的第一、第二以及第三差分放大器；具有第一和第二驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償晶體管的輸出級(jí)；與輸入端子相連的第一電阻器；與第一差分放大器電路的輸出相連的第二電阻器；以及與輸出級(jí)電路的輸出端子相連的第一和第二反饋電阻器，其中第一差分放大器電路經(jīng)過第一電阻器接收輸入信號(hào)，并經(jīng)過第二電阻器將輸出信號(hào)輸入到第二和第三差分放大器電路，第二差分放大器電路驅(qū)動(dòng)第一和第二晶體管之一，第三差分晶體管驅(qū)動(dòng)第一和第二晶體管中的另一個(gè)，并且將輸出級(jí)電路的輸出信號(hào)經(jīng)過第一反饋電阻器反饋到第一差分放大器電路的輸入，以及將輸出級(jí)電路的輸出信號(hào)經(jīng)過第二反饋電阻器反饋到第二和第三差分放大器電路的輸入。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子設(shè)備，其特征在于第一、第二和第三差分放大器電路中的至少一個(gè)是同相操作的放大器電路，輸出級(jí)電路中的第一和第二晶體管是C-MOSFET晶體管，且參考電位是地電位。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子設(shè)備，其特征在于所述電子設(shè)備是電話。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子設(shè)備，其特征在于所述電子設(shè)備是便攜類型的電話。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子設(shè)備，其特征在于所述電子設(shè)備是便攜類型的電子設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種音頻信號(hào)放大器電路和一種具有該音頻信號(hào)放大器電路的電子設(shè)備。所述音頻信號(hào)放大器，包括相對(duì)于參考電勢的電源電壓或電源電壓之間電壓下操作的第一、第二以及第三差分放大器；具有第一和第二驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償晶體管的輸出級(jí)；與輸入端子相連的第一電阻器；與第一差分放大器電路的輸出相連的第二電阻器；以及與輸出級(jí)電路的輸出端子相連的第一和第二反饋電阻器。
文檔編號(hào)H03F3/30GK1540858SQ20041003689
公開日2004年10月27日 申請(qǐng)日期2004年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月23日
發(fā)明者稻垣亮介 申請(qǐng)人:羅姆股份有限公司