專利名稱：形成在多層基板上的集總組件低通濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集總組件低通濾波器，特別是涉及一種形成在多層基板上的集總組件低通濾波器。
背景技術(shù)：
在設(shè)計(jì)各種不同應(yīng)用的電路時(shí)，低通濾波器是非常廣泛被使用的一種組件，常被用來過濾訊號的高頻諧波或是一些高頻噪聲。低通濾波器通常以其在通帶(passband)的插入損耗(insertion loss)以及在阻帶(stopband)的抑制能力(rejection)來表示其效能。濾波器在阻帶的抑制能力取決于其階數(shù)(order)，階數(shù)愈高的濾波器在阻帶的抑制能力有著愈好的表現(xiàn)。然而，愈高階的濾波器也需要愈多的組成組件，這會(huì)導(dǎo)致階數(shù)愈高的濾波器所占據(jù)的電路面積也愈大，并且其插入損耗也較高。請參閱圖1。圖1為一已知的三階低通濾波器的典型電路示意圖。P11與P12為圖1中的濾波器的二端口，L11與L12為二電感，以及C13為一電容。在目前手持無線裝置的射頻電路設(shè)計(jì)上，由于對于電路面積大小要求很嚴(yán)，如圖1所示的三階濾波器因其在濾波效能以及電路面積上取得平衡，故最常被采用。
當(dāng)如圖1所示的三階濾波器在阻帶的抑制能力不符合系統(tǒng)設(shè)計(jì)規(guī)格的要求時(shí)，橢圓式(elliptic-type)低通濾波器也常被采用。請參閱圖2。圖2為一已知的三階橢圓式低通濾波器的典型電路示意圖。P21與P22為圖2中的濾波器的二端口，L21與L22為二電感，以及C23為一電容；與圖1所示的濾波器相較，圖2中的三階橢圓式低通濾波器還包括了二電容C21及C22，其分別與電感L21及L22相并聯(lián)。電容C21和C22分別與電感L21和L22相并聯(lián)所形成的平行電感電容電路(parallel LC circuit)會(huì)在阻帶內(nèi)形成一插入損耗響應(yīng)的凹口(notch)；而與圖1的濾波器相比較，圖2的濾波器會(huì)具備較好的阻帶抑制能力。
請參閱圖3。圖3為一已知的三階低通濾波器以及一已知的三階橢圓式低通濾波器的頻率響應(yīng)圖。在圖3中，橫軸代表操作頻率，而縱軸代表以dB為單位的頻率響應(yīng)的振幅。S211為圖1所示的已知的三階低通濾波器的穿透系數(shù)(transmission coefficient)，S212則為圖2所示的已知的三階橢圓式低通濾波器的穿透系數(shù)。如圖3所示，在三階橢圓式低通濾波器的阻帶中，操作頻率為fc2處，穿透系數(shù)S212有一凹口，這表示已知的三階橢圓式低通濾波器在阻帶的抑制能力要比已知的三階低通濾波器來得好。同時(shí)，由圖2亦可看出穿透系數(shù)S212的曲線在躍遷帶(transition band)陡降的程度較穿透系數(shù)S212的曲線來得劇烈，而這在低通濾波器的效能評估中為一優(yōu)點(diǎn)。
設(shè)計(jì)電路時(shí)通常希望能采用在阻帶有著優(yōu)異的抑制能力以及在躍遷帶的頻率響應(yīng)變化較劇的低通濾波器，然而在現(xiàn)今射頻電路設(shè)計(jì)中，又希望能避免如過多的電路組件數(shù)目以及過大的電路面積。因此，在設(shè)計(jì)較先進(jìn)的射頻電路時(shí)，如何設(shè)計(jì)一既在阻帶有足夠的抑制能力而又不需包括太多電路組件的低通濾波器，是一個(gè)重要而富挑戰(zhàn)性的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的主要目的在于提供一種形成在多層基板上的集總組件低通濾波器，利用兩電感間的負(fù)互感使得該集總組件低通濾波器能在阻帶提供更好的抑制能力，以改善上述問題。
本發(fā)明披露了一種形成在多層基板(multi-layered substrate)上的集總組件低通濾波器(lumped-element low-pass filter)。該形成在多層基板上的集總組件低通濾波器包括一第一電感；一第二電感，以其一端電串聯(lián)于該第一電感，其中該第一電感與該第二電感的形狀為螺旋形，以及該第一電感與該第二電感的螺旋旋轉(zhuǎn)方向相反，因而使得該第一電感與該第二電感間的互感為負(fù)值且等于一第一預(yù)定值；一第一電容，電并聯(lián)于該第一電感；一第二電容，電并聯(lián)于該第二電感；以及一第三電容，其第一端電連接于地電位以及該第三電容的第二端電連接于該第二電感用以連接該第一電感的一端。


圖1為已知的三階低通濾波器的示意圖。
圖2為已知的三階橢圓式低通濾波器的示意圖。
圖3為已知的三階低通濾波器以及已知的三階橢圓式低通濾波器的頻率響應(yīng)圖。
圖4為標(biāo)示出電感間的互感的三階橢圓式低通濾波器的示意圖。
圖5為本發(fā)明的集總組件三階橢圓式低通濾波器以及傳統(tǒng)三階橢圓式低通濾波器的頻率響應(yīng)圖。
圖6為本發(fā)明的集總組件低通濾波器的第一實(shí)施例的示意圖。
圖7為圖6的電路的側(cè)視圖。
圖8為本發(fā)明的集總組件低通濾波器的第二實(shí)施例的示意圖。
圖9為本發(fā)明的集總組件低通濾波器的第三實(shí)施例的示意圖。
圖10為本發(fā)明的集總組件低通濾波器的第四實(shí)施例的示意圖。
附圖符號說明P11，P12，P21，P22，P41，P42，P61，P62，P81，P82，P91，P92，P101，P102 端口L11，L12，L21，L22，L41，L42，L61，L62，L81，L82，L91，L92，L101，L102， 電感LM4，LM6，LM8，LM9，LM10 互感C13，C21，C22，C23，C41，C42，C43，C61，C62，C63，C81，C82，C83，C831，C832，C91，C92，C93，C101，C102，C103電容G61，G81，G82，G91，G101 地電位平板Via61，Via62，Via63，Via81，Via82，Via83，Via91，Via92，Via93，Via101，Via102，Via103 金屬連通柱具體實(shí)施方式
簡而言之，本發(fā)明披露了一改良式集總組件三階橢圓式低通濾波器。請參閱圖4。圖4為一標(biāo)示出電感間的互感的三階橢圓式低通濾波器的示意圖。圖4中展示了低通濾波器所包含的二端口P41與P42，二電感L41與L42，三電容C41、C42與C43，以及二電感L41與L42間的互感(mutual inductance)LM4。眾所周知，互感的存在為一自然物理現(xiàn)像而亦出現(xiàn)于已知的集總組件橢圓式低通濾波器中?；ジ袝?huì)影響整個(gè)電路的頻率響應(yīng)，因此在已知技術(shù)中，總是盡量地避免互感的產(chǎn)生。然而，本發(fā)明卻主動(dòng)地利用一負(fù)互感來增進(jìn)集總組件橢圓式低通濾波器的頻率響應(yīng)。圖5為本發(fā)明的集總組件三階橢圓式低通濾波器以及一如圖2所示的傳統(tǒng)三階橢圓式低通濾波器的頻率響應(yīng)圖。在圖5中，橫軸代表操作頻率，而縱軸代表以dB為單位的頻率響應(yīng)的振幅。S212為如圖2所示的傳統(tǒng)三階橢圓式低通濾波器的穿透系數(shù)，S214則為如圖4所示的本發(fā)明的三階橢圓式低通濾波器的穿透系數(shù)，其中本發(fā)明的三階橢圓式低通濾波器保留并利用了二電感間的互感，且主動(dòng)設(shè)計(jì)其值為一預(yù)定負(fù)值。如圖5所示，本發(fā)明的低通濾波器的頻率響應(yīng)在阻帶上有二凹口，本發(fā)明的低通濾波器因而在阻帶有著較佳的抑制能力；其中凹口發(fā)生的位置可依系統(tǒng)規(guī)格的需要，經(jīng)由改變負(fù)互感的值來加以調(diào)整。
互感與兩電感的相對距離以及電感的形狀相關(guān)。因此，本發(fā)明非常適合以一立體的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)，例如像實(shí)現(xiàn)在一多層基板(multi-layeredsubstrate)上。根據(jù)如圖4所示的電路模型，本發(fā)明可提供一電路面積極小而又在阻帶上具有優(yōu)良抑制能力的集總組件低通濾波器。請參閱圖6。圖6為本發(fā)明的形成在多層基板上的集總組件低通濾波器的第一實(shí)施例的示意圖。G61為一底層地電位平板。L61與L62為二電感，C61、C62與C63為三電容，以及Via61、Via62與Via63為三穿透基板而連接不同層的金屬連通柱(metal via)。電感L61與電感L62為分別形成在基板的第四層與第三層上的方形螺旋金屬帶，而電感L61與電感L62的螺旋旋轉(zhuǎn)方向相反，因而使得電感L61與電感L62間的互感LM6為負(fù)值。電感L61與電感L62的形狀可被妥當(dāng)調(diào)整，以及/或第三層與第四層間的距離可經(jīng)適當(dāng)選擇，以使得互感LM6的值被調(diào)整至一經(jīng)設(shè)計(jì)的負(fù)值。電感L62通過金屬連通柱Via61與電感L61相串聯(lián)。電容C61包含分別形成于該多層基板的第五層上以及第六層上的二金屬平板，其中該形成于該第五層上的平板通過金屬連通柱Via62電連接于電感L61的一端，以及該形成于該第六層上的平板通過金屬連通柱Via61電連接于電感L61的另一端。如此，則電容C61通過金屬連通柱Via61與Via62電并聯(lián)于電感L61。電容C62包含分別形成于該多層基板的第一層上以及第二層上的二金屬平板，其中該形成于該第二層上的平板通過金屬連通柱Via63電連接于電感L62的一端，以及該形成于該第一層上的平板通過金屬連通柱Via61電連接于電感L62的另一端。如此，則電容C62通過金屬連通柱Via61與Via63電并聯(lián)于電感L62。電容C63則形成于該多層基板的第一層與底層地電位平板G61之間。圖6中的電路與圖4中所示的電路相同，其中電感L61、電感L62、互感LM6、電容C61、電容C62以及電容C63分別相對應(yīng)于圖4中的電感L41、電感L42、互感LM4、電容C41、電容C42以及電容C43，并且圖6所描述的本發(fā)明的濾波器電路的頻率響應(yīng)可如圖5中的曲線S214。互感LM6的值是根據(jù)一算法而決定以使得本發(fā)明的低通濾波器的頻率響應(yīng)在阻帶上的抑制能力符合一預(yù)設(shè)的規(guī)格。此外，因本發(fā)明的濾波器電路可實(shí)現(xiàn)在一立體結(jié)構(gòu)上，故本發(fā)明的電路面積能縮減到很小。圖7為圖6所示的電路的側(cè)視圖。
圖8為本發(fā)明的形成在多層基板上的集總組件低濾波器的第二實(shí)施例的示意圖。G81為一底層地電位平板，G82則為一頂層地電位平板。L81與L82為二電感，C81、C82與C83為三電容，以及Via81、Via82與Via83為三穿透基板而連接不同層的金屬連通柱。電感L81與電感L82為分別形成在基板的第四層與第三層上的圓形螺旋金屬帶，而電感L81與電感L82的螺旋旋轉(zhuǎn)方向相反，因而使得電感L81與電感L82間的互感LM8為負(fù)值。電感L81與電感L82的形狀可被妥當(dāng)調(diào)整，以及/或第三層與第四層間的距離可經(jīng)適當(dāng)選擇，以使得互感LM8的值被調(diào)整至一經(jīng)設(shè)計(jì)的負(fù)值。電感L82通過金屬連通柱Via81與電感L81相串聯(lián)。電容C81包含分別形成于該多層基板的第五層上以及第六層上的二金屬平板，其中該形成于該第五層上的平板通過金屬連通柱Via82電連接于電感L81的一端，以及該形成于該第六層上的平板通過金屬連通柱Via81電連接于電感L81的另一端。如此，則電容C81通過金屬連通柱Via81與Via82電并聯(lián)于電感L81。電容C82包含分別形成于該多層基板的第一層上以及第二層上的二金屬平板，其中該形成于該第二層上的平板通過金屬連通柱Via83電連接于電感L82的一端，以及該形成于該第一層上的平板通過金屬連通柱Via81電連接于電感L82的另一端。如此，則電容C82通過金屬連通柱Via81與Via83電并聯(lián)于電感L82。電容C83由二電容C831與C832組成，其中二電容C831與C832互相并聯(lián)，使得電容C83所占的面積可縮小。電容C831形成于該多層基板的第一層與底層地電位平板G81之間，其中該第一層的金屬平板連接于金屬連通柱Via81。電容C832則形成于該多層基板的第六層與頂層地電位平板G82之間，其中該第六層的金屬平板亦連接于金屬連通柱Via81。圖8中的電路與圖4中所示的電路相同，其中電感L81、電感L82、互感LM8、電容C81、電容C82以及電容C83分別相對應(yīng)于圖4中的電感L41、電感L42、互感LM4、電容C41、電容C42以及電容C43，并且圖8所描述的本發(fā)明的濾波器電路的頻率響應(yīng)可如圖5中的曲線S214。
請參閱圖9。圖9為本發(fā)明的形成在多層基板上的集總組件低濾波器的第三實(shí)施例的示意圖。G91為一底層地電位平板。L91與L92為二電感，C91、C92與C93為三電容，以及Via91、Via92與Via93為三穿透基板而連接不同層的金屬連通柱。電感L91與電感L92為分別形成在基板的第四層與第三層上的矩形螺旋金屬帶，而電感L91與電感L92的螺旋旋轉(zhuǎn)方向不同，因而使得電感L91與電感L92間的互感LM9為負(fù)值。電感L92通過金屬連通柱Via91與電感L91相串聯(lián)。電容C91包含分別形成于該多層基板的第五層上以及第六層上的二金屬平板，其中該形成于該第六層上的平板通過金屬連通柱Via92電連接于電感L91的一端，以及該形成于該第五層上的平板通過金屬連通柱Via91電連接于電感L91的另一端。如此，則電容C91通過金屬連通柱Via91與Via92電并聯(lián)于電感L91。電容C92包含分別形成于該多層基板的第一層上以及第二層上的二金屬平板，其中該形成于該第二層上的平板通過金屬連通柱Via93電連接于電感L92的一端，以及該形成于該第一層上的平板通過金屬連通柱Via91電連接于電感L92的另一端。如此，則電容C92通過金屬連通柱Via91與Via93電并聯(lián)于電感L92。電容C93則形成于該多層基板的第一層與底層地電位平板G61之間。如同前述的另兩個(gè)實(shí)施例，圖9中的電路與圖4中所示的電路相同，其中電感L91、電感L92、互感LM9、電容C91、電容C92以及電容C93分別相對應(yīng)于圖4中的電感L41、電感L42、互感LM4、電容C41、電容C42以及電容C43，并且圖9所描述的本發(fā)明的濾波器電路的頻率響應(yīng)可如圖5中的曲線S214。與圖6所示的電路結(jié)構(gòu)相比，圖9所示的實(shí)施例可避免第五層上的金屬平板與第六層上的其它電路組件間形成寄生耦合(parasitic coupling)，進(jìn)而避免低通濾波器的頻率偏移。
請參閱圖10。圖10為本發(fā)明的形成在多層基板上的集總組件低濾波器的第四實(shí)施例的示意圖。G101為一底層地電位平板。L101與L102為二電感，C101、C102與C103為三電容，以及Via101、Via102與Via103為三穿透基板而連接不同層的金屬連通柱。電感L101與電感L102同為形成在基板的第三層上的八角形螺旋金屬帶，其中電感L102與電感L101相串聯(lián)，而一金屬連通柱Via101通過此二電感相連接處。電感L101與電感L102的螺旋旋轉(zhuǎn)方向不同，因而使得電感L101與電感L102間的互感LM10為負(fù)值。電容C101包含分別形成于該多層基板的第四層上以及第五層上的二金屬平板，其中該形成于該第四層上的平板通過金屬連通柱Via102電連接于電感L101的一端，以及該形成于該第五層上的平板連接于金屬連通柱Via101。如此，則電容C101通過金屬連通柱Via101與Via102電并聯(lián)于電感L101。電容C102包含分別形成于該多層基板的第一層上以及第二層上的二金屬平板，其中該形成于該第二層上的平板通過金屬連通柱Via103電連接于電感L102的一端，以及該形成于該第一層上的平板通過金屬連通柱Via101電連接于電感L102的另一端。如此，則電容C102通過金屬連通柱Via101與Via103電并聯(lián)于電感L102。電容C103則形成于該多層基板的第一層與底層地電位平板G101之間。如同前述的三個(gè)本發(fā)明的實(shí)施例，圖10中的電路亦與圖4中所示的電路相同，其中電感L101、電感L102、互感LM10、電容C101、電容C102以及電容C103分別相對應(yīng)于圖4中的電感L41、電感L42、互感LM4、電容C41、電容C42以及電容C43；而圖10所描述的本發(fā)明的濾波器電路的頻率響應(yīng)亦可如圖5中的曲線S214。圖10所示的實(shí)施例與前述三個(gè)實(shí)施例最大的不同在于電感L101和電感L102形成于多層基板的同一層上，因此電感L101和電感L102間的互感LM10的值，可經(jīng)由調(diào)整電感L101和電感L102的螺旋金屬帶寬與間距，以使得互感LM10的值被調(diào)整至一經(jīng)妥當(dāng)設(shè)計(jì)的負(fù)值。與其它實(shí)施例相比，圖10所示的本發(fā)明的低通濾波器電路所需使用的多層基板的層數(shù)較少。
本發(fā)明的低通濾波器主動(dòng)設(shè)計(jì)并利用兩電感間的負(fù)互感以增進(jìn)低通濾波器在阻帶的抑制能力。本發(fā)明的集總組件低通濾波器以實(shí)施于一多層陶瓷基板上為最佳，例如一低溫共燒陶瓷(low temperature co-fired ceramic，LTCC)基板，由于立體結(jié)構(gòu)而縮減了電路所占據(jù)的面積。對以上所舉的各實(shí)施例中的電路來說，其所采用的電感的形狀可為矩形螺旋，圓形螺旋或八角形螺旋。這些電感可形成于立體結(jié)構(gòu)的不只一層之上，以得較大的電感值或?yàn)榉奖憧刂拼嬖谄溟g的負(fù)互感的值。同樣地，電路所包含的各電容也可利用立體結(jié)構(gòu)的任意數(shù)層來形成，以在較小的面積上獲得較大的電容值。本發(fā)明的集總組件低通濾波器經(jīng)實(shí)驗(yàn)證明，在阻帶上具有較傳統(tǒng)橢圓式低通濾波器更為優(yōu)異的抑制能力，且本發(fā)明的集總組件低通濾波器不需外加額外的電路組件或提高濾波器的階數(shù)即可改善阻帶的抑制能力。此外，相較于同樣階數(shù)的傳統(tǒng)橢圓式低通濾波器，本發(fā)明的集總組件低通濾波器在通帶邊緣亦具有較佳的滾落率(roll-off rate)。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明的權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬于本發(fā)明專利的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種形成在多層基板上的集總組件低通濾波器，其包含一第一電感；一第二電感，以其一端電串聯(lián)于該第一電感，其中該第一電感與該第二電感的形狀為螺旋形，以及該第一電感與該第二電感的螺旋旋轉(zhuǎn)方向相反，因而使得該第一電感與該第二電感間的互感為負(fù)值并等于一第一預(yù)定值；一第一電容，電并聯(lián)于該第一電感；一第二電容，電并聯(lián)于該第二電感；以及一第三電容，其第一端電連接于地電位以及該第三電容的第二端電連接于該第二電感用以連接該第一電感的一端。
2.如權(quán)利要求1所述的集總組件低通濾波器，其中該第一電感形成于該多層基板的一第四層上，該第二電感形成于該多層基板的一第三層上且該第二電感通過穿透該基板的一第一金屬連通柱電串聯(lián)于該第一電感，該第一電容包含分別形成于該多層基板的一第五層上以及一第六層上的二平板，其中該形成于該第五層上的平板電通過穿透該基板的一第二金屬連通柱電連接于該第一電感，以及該形成于該第六層上的平板電連接于該第一金屬連通柱，該第二電容包含分別形成于該多層基板的一第一層上以及一第二層上的二平板，其中該形成于該第二層上的平板電通過穿透該基板的一第三金屬連通柱電連接于該第二電感，以及該形成于該第一層上的平板電連接于該第一金屬連通柱，以及該第三電容形成于該第一層以及該多層基板的一地電位層之間，其中該第一層緊臨于該地電位層。
3.如權(quán)利要求2所述的集總組件低通濾波器，其中該第六層緊臨于該地電位層，使得該第六層與該地電位層間形成一第四電容，其中該第四電容電并聯(lián)于該第三電容。
4.如權(quán)利要求2所述的集總組件低通濾波器，其中該第一電容與該第二電容分別位于該第一電感以及該第二電感的上下兩側(cè)。
5.如權(quán)利要求1所述的集總組件低通濾波器，其中該第一電感形成于該多層基板的一第四層上，該第二電感形成于該多層基板的一第三層上且該第二電感通過穿透該基板的一第一金屬連通柱電串聯(lián)于該第一電感，該第一電容包含分別形成于該多層基板的一第五層上以及一第六層上的二平板，其中該形成于該第六層上的平板通過穿透該基板的一第二金屬連通柱電連接于該第一電感，以及該形成于該第五層上的平板電連接于該第一金屬連通柱，該第二電容包含分別形成于該多層基板的一第一層上以及一第二層上的二平板，其中該形成于該第二層上的平板電通過穿透該基板的一第三金屬連通柱電連接于該第二電感，以及該形成于該第一層上的平板電連接于該第一金屬連通柱，以及該第三電容形成于該第一層以及該多層基板的一地電位層之間，其中該第一層緊臨于該地電位層。
6.如權(quán)利要求5所述的集總組件低通濾波器，其中該第一電容與該第二電容分別位于該第一電感以及該第二電感的上下兩側(cè)。
7.如權(quán)利要求1所述的集總組件低通濾波器，其中該第一電感形成于該多層基板的一第三層上，該第二電感亦形成于該第三層上且該第二電感以其一端電串聯(lián)于該第一電感，該第一電容包含分別形成于該多層基板的一第四層上以及一第五層上的二平板，其中該形成于該第五層上的平板通過穿透該基板的一第一金屬連通柱電連接于該第二電感用以連接該第一電感的一端，以及該形成于該第四層上的平板通過穿透該基板的一第二金屬連通柱電連接于該第一電感，該第二電容包含分別形成于該多層基板的一第一層上以及一第二層上的二平板，其中該形成于該第二層上的平板電通過穿透該基板的一第三金屬連通柱電連接于該第二電感，以及該形成于該第一層上的平板電連接于該第一金屬連通柱，以及該第三電容形成于該第一層以及該多層基板的一地電位層之間，其中該第一層緊臨于該地電位層。
8.如權(quán)利要求7所述的集總組件低通濾波器，其中該第一電容與該第二電容分別位于該第一電感以及該第二電感的上下兩側(cè)。
9.如權(quán)利要求1所述的集總組件低通濾波器，其中該第三電容包含二互相并聯(lián)的電容，該二互相并聯(lián)的電容中的每一電容均形成于該多層基板的至少一層之上。
10.如權(quán)利要求1所述的集總組件低通濾波器，其中該多層基板為一低溫共燒陶瓷基板。
11.如權(quán)利要求1所述的集總組件低通濾波器，其中該第一電感與該第二電感的形狀為矩形螺旋，圓形螺旋，或八角形螺旋。
12.如權(quán)利要求1所述的集總組件低通濾波器，其中該第一預(yù)定值根據(jù)一預(yù)定的頻率響應(yīng)特性以及該第一電感、該第二電感、該第一電容、該第二電容與該第三電容的值來設(shè)計(jì)。
13.如權(quán)利要求1所述的集總組件低通濾波器，其中該第一預(yù)定值根據(jù)該第一電感與該第二電感的形狀以及該第一電感與該第二電感間的距離來設(shè)計(jì)，使得該第一電感與該第二電感間的互感等于該第一預(yù)定值。
14.如權(quán)利要求1所述的集總組件低通濾波器，其中至少一電感形成于該多層基板的多層上。
15.如權(quán)利要求1所述的集總組件濾波器，其中至少一電容包含形成于該多層基板的多層上的多個(gè)平板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種形成在多層基板上的集總組件低通濾波器。該形成在多層基板上的集總組件低通濾波器包括一第一電感；一第二電感，以其一端電串聯(lián)于該第一電感，其中該第一電感與該第二電感的形狀為螺旋形，以及該第一電感與該第二電感的螺旋旋轉(zhuǎn)方向相反，因而使得該第一電感與該第二電感間的互感為負(fù)值并等于一第一預(yù)定值；一第一電容，電并聯(lián)于該第一電感；一第二電容，電并聯(lián)于該第二電感；以及一第三電容，其第一端電連接于地電位以及其第二端電連接于該第二電感用以連接該第一電感的一端。
文檔編號H03H7/01GK1719726SQ20041006245
公開日2006年1月11日 申請日期2004年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月9日
發(fā)明者林佑生, 黎克邁 申請人:奇美通訊股份有限公司