專利名稱：衰減器及利用了它的便攜電話終端裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及雙頻帶(模式)便攜電話終端裝置，尤其涉及其無線部?jī)?nèi)高頻部衰減器(attenuator)的構(gòu)成。本發(fā)明涉及的衰減器可實(shí)現(xiàn)便攜電話終端裝置的高質(zhì)量通話，可作為雙頻帶(模式)便攜電話終端裝置無線部?jī)?nèi)高頻部衰減器等來使用。
背景技術(shù)：
在數(shù)字方式(比如PDC)中，不管便攜電話終端裝置與基站的距離變化如何，都有必要使從便攜電話終端裝置傳送到基站的電波的強(qiáng)度達(dá)到穩(wěn)定。因此，由便攜電話終端裝置的發(fā)送部來進(jìn)行增益控制。
圖9模式地表示基站與便攜電話終端裝置的位置關(guān)系。圖9中，一個(gè)基站BS的小區(qū)范圍CL的半徑為數(shù)十km，比如半徑大小為30km。在該基站BS的小區(qū)范圍CL內(nèi)，存在著與基站BS的距離或地形等通信條件各異的多臺(tái)便攜電話終端裝置TH1，TH2。多臺(tái)便攜電話終端裝置TH1，TH2一邊隨時(shí)改變與基站BS的距離或通信條件，一邊在與基站BS之間進(jìn)行同時(shí)通信。
在該場(chǎng)合下，為了在基站BS的小區(qū)范圍CL內(nèi)，在距離基站BS最近的位置與最遠(yuǎn)的位置，使從便攜電話終端裝置發(fā)送到基站的電波的強(qiáng)度相同，根據(jù)小區(qū)范圍CL的大小，便攜電話終端裝置發(fā)送部中的增益控制幅度有必要達(dá)到50dB以上。這被稱為遠(yuǎn)近問題。
如果便攜電話終端裝置發(fā)送部中的增益控制未良好地進(jìn)行，則伴隨便攜電話終端裝置與基站的距離的減小，傳送到基站的電波的強(qiáng)度將增大，因而向鄰接信道的泄漏功率便增大，其結(jié)果是，誤碼率增大，通話質(zhì)量下降。圖10中，實(shí)線A1～A6表示基站中各信道接收電波的強(qiáng)度，虛線B4表示信道A4的互調(diào)畸變特性。該圖10表示信道A3、A5的接收電波強(qiáng)度被埋入到由虛線B4表示的信道A4的畸變成分中，從與信道A4鄰接的信道A3、A5不再能使正確的數(shù)據(jù)復(fù)元。
為維持載波信號(hào)與噪聲的電平之比(C/N)較大的狀態(tài)，便攜電話終端裝置發(fā)送部中的增益控制最好盡量由載波信號(hào)電平高的高頻部來進(jìn)行。其理由是高頻部的載波信號(hào)電平遠(yuǎn)高于背景噪聲電平，即使由高頻部降低增益，也可以保持載波信號(hào)與噪聲電平之差較大的狀態(tài)。反之如果中頻部的載波信號(hào)電平較低，由中頻部降低增益后，載波信號(hào)電平與背景噪聲電平之差將成為極小的狀態(tài)，該中頻部的載波信號(hào)電平與噪聲電平之差會(huì)按原樣在高頻部中顯示出來。
為進(jìn)行該50dB以上范圍內(nèi)的增益控制，在便攜電話終端裝置無線部的發(fā)送部中，由高頻部對(duì)增益進(jìn)行連續(xù)控制，由中頻部對(duì)增益進(jìn)行分步控制。這樣，通過并用高頻部中的增益控制量與中頻部中的增益控制量，可在50dB以上的范圍內(nèi)進(jìn)行增益控制。
這樣，便攜電話終端裝置中的增益控制按以下方法來進(jìn)行。即，在便攜電話終端裝置中，根據(jù)便攜電話終端裝置中接收信號(hào)的強(qiáng)度，來設(shè)定為使基站中接收信號(hào)的強(qiáng)度達(dá)到穩(wěn)定值所必需的發(fā)送功率目標(biāo)值，通過比較該目標(biāo)值與實(shí)際發(fā)送功率，來形成使發(fā)送功率跟蹤目標(biāo)值的反饋控制環(huán)路，以實(shí)行發(fā)送功率與目標(biāo)值相一致的增益控制。
在雙頻帶(模式)便攜電話終端裝置中，在圖11所示的從使用頻帶A(模式A)的基站BS(A)的小區(qū)范圍CL(A)向使用頻帶B(模式B)的基站BS(B)的小區(qū)范圍CL(B)移動(dòng)時(shí)，進(jìn)行頻帶(模式)切換。這里的所謂頻帶A、B表示使用頻率范圍相異，模式A、B表示使用系統(tǒng)相異。雖然此時(shí)進(jìn)行使小區(qū)范圍CL(A)內(nèi)從便攜電話終端裝置發(fā)送到基站BS(A)的電波強(qiáng)度達(dá)到相同的增益控制，但在從小區(qū)范圍CL(A)內(nèi)向小區(qū)范圍CL(B)內(nèi)移動(dòng)的瞬間，由便攜電話終端裝置來進(jìn)行頻帶(模式)切換，進(jìn)行使傳送到基站BS(B)的電波的強(qiáng)度成為相同的增益控制。記號(hào)TH0表示位于小區(qū)范圍CL(A)與小區(qū)范圍CL(B)的邊界的便攜電話終端裝置。記號(hào)TH1、TH2表示位于小區(qū)范圍CL(A)內(nèi)的便攜電話終端裝置，便攜電話終端裝置TH1接近基站BS(A)，便攜電話終端裝置TH2從基站BS(A)離開。記號(hào)TH3、TH4表示位于小區(qū)范圍CL(B)內(nèi)的便攜電話終端裝置，便攜電話終端裝置TH4接近基站BS(B)，便攜電話終端裝置TH3從基站BS(B)離開。
接下來利用圖12，對(duì)傳統(tǒng)的便攜電話終端裝置的構(gòu)成及動(dòng)作作以說明。該便攜電話終端裝置如圖12所示，由微型計(jì)算機(jī)·邏輯部等來構(gòu)成，由處理語音信號(hào)的基帶部100、將由基帶部100處理過的語音信號(hào)作為輸入，在與基站之間進(jìn)行通信的無線部200來組成。
無線部200由生成至基站的發(fā)送信號(hào)的發(fā)送部210、接收來自基站的發(fā)送信號(hào)的接收部220來組成。
發(fā)送部210由進(jìn)行從基帶部100提供的語音信號(hào)的調(diào)制及用于頻率轉(zhuǎn)換的混合的中頻部230、放大從中頻部230輸出的高頻信號(hào)并經(jīng)開關(guān)310提供給天線300的頻帶A用的高頻部240及頻帶B用的高頻部250來組成。
中頻部230由調(diào)制器231、通過可變?cè)鲆鎭矸糯笳{(diào)制器231的輸出信號(hào)的可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232、用于將可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232轉(zhuǎn)換成高頻信號(hào)的混頻器233來組成。上述可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232大多利用雙極晶體管來構(gòu)成。該可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232可不連續(xù)地每隔5-6dB并通過數(shù)個(gè)階步來改變?cè)鲆妗Ｔ谠搱?chǎng)合下，可由不連續(xù)的增益控制電壓，在20dB范圍內(nèi)來分步控制增益。
高頻部240由通過可變?cè)鲆鎭矸糯髲闹蓄l部230輸出的頻帶A高頻信號(hào)的可變?cè)鲆娓哳l放大器241、對(duì)可變?cè)鲆娓哳l放大器241的輸出進(jìn)行功率放大的功率放大器242來組成。該可變?cè)鲆娓哳l放大器241可在40dB范圍內(nèi)改變?cè)鲆?。在該?chǎng)合下，可由連續(xù)變化的增益控制電壓，在30dB范圍內(nèi)連續(xù)控制增益。
可變?cè)鲆娓哳l放大器241由前置放大器(中功率放大器)244、與前置放大器244級(jí)聯(lián)并使向功率放大器(高功率放大器)242輸入的頻帶A高頻信號(hào)的增益可變的衰減器243來組成。衰減器243具有使衰落量在40dB范圍內(nèi)變化的功能。
高頻部250由通過可變?cè)鲆鎭矸糯髲闹蓄l部230輸出的頻帶B高頻信號(hào)的可變?cè)鲆娓哳l放大器251、對(duì)可變?cè)鲆娓哳l放大器251的輸出進(jìn)行功率放大的功率放大器252來組成。該可變?cè)鲆娓哳l放大器251可在40dB范圍內(nèi)改變?cè)鲆?。在該?chǎng)合下，可由連續(xù)變化的增益控制電壓，在30dB范圍內(nèi)來連續(xù)控制增益。
可變?cè)鲆娓哳l放大器251由前置放大器(中功率放大器)254、與前置放大器254級(jí)聯(lián)并使向功率放大器(高功率放大器)252輸入的頻帶B高頻信號(hào)的增益可變的衰減器253來組成。衰減器253具有使衰落量在40dB范圍內(nèi)變化的功能。
基帶部100包含控制部110?？刂撇?10從基于接收部220的接收信號(hào)，來判斷應(yīng)發(fā)送的高頻信號(hào)的頻帶，并將漏極電壓VDD(A)施加到衰減器243，將漏極電壓VDD(B)施加到衰減器253，由此來進(jìn)行應(yīng)發(fā)送的高頻信號(hào)的頻帶選擇。
在采用了頻帶A的頻率范圍的通信中，控制部110檢測(cè)基于接收部220的接收信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度，同時(shí)檢測(cè)功率放大器242的輸出電平，與接收信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度對(duì)應(yīng)來設(shè)定功率放大器242的輸出電平的目標(biāo)值，將功率放大器242的輸出電平與功率放大器242的輸出電平的目標(biāo)值進(jìn)行比較，將與該比較結(jié)果對(duì)應(yīng)的增益控制電壓Vc(RF)施加到衰減器243，同時(shí)將同樣對(duì)應(yīng)于上述比較結(jié)果的增益控制電壓Vc(IF)施加到可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232，由此對(duì)衰減器243的衰落量(可變?cè)鲆娓哳l放大器241的增益)及可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232的增益進(jìn)行可變跟蹤控制，使得功率放大器242的輸出電平與功率放大器242的輸出電平的目標(biāo)值相一致。
此外在采用了頻帶B的頻率范圍的通信中，控制部110檢測(cè)基于接收部220的接收信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度，同時(shí)檢測(cè)功率放大器252的輸出電平，與接收信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度對(duì)應(yīng)來設(shè)定功率放大器252的輸出電平的目標(biāo)值，將功率放大器252的輸出電平與功率放大器252的輸出電平的目標(biāo)值進(jìn)行比較，將與該比較結(jié)果對(duì)應(yīng)的增益控制電壓Vc(RF)施加到衰減器253，同時(shí)將同樣對(duì)應(yīng)于上述比較結(jié)果的增益控制電壓Vc(IF)施加到可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232，由此對(duì)衰減器253的增益(可變?cè)鲆娓哳l放大器251的增益)及可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232的增益進(jìn)行可變跟蹤控制，使得功率放大器252的輸出電平與功率放大器252的輸出電平的目標(biāo)值相一致。
在上述的便攜電話終端裝置中，通過并用基于可變?cè)鲆娓哳l放大器241或可變?cè)鲆娓哳l放大器251的增益控制及基于可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232的增益控制，來實(shí)現(xiàn)50dB以上范圍內(nèi)的增益控制。在PDC標(biāo)準(zhǔn)中，混頻器233的輸入段以200MHz的頻帶來動(dòng)作，混頻器233的輸出段以940MHz頻帶或1441MHz頻帶來動(dòng)作。因此，便攜電話終端裝置發(fā)生最大輸出的狀態(tài)下各部的信號(hào)電平在功率放大器242或功率放大器252的輸出端成為+30dBm(但0dBm＝1mW)，在可變?cè)鲆娓哳l放大器241或可變?cè)鲆娓哳l放大器251的輸出端成為+8dBm，在衰減器243或衰減器253的輸出端成為-16dBm，在混頻器233的輸出端成為-15dBm，在可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232的輸出端成為-20dBm。
這里，如果假設(shè)由可變?cè)鲆娓哳l放大器241進(jìn)行30dB范圍的增益控制，由可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232來進(jìn)行20dB范圍的增益控制，則可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232輸出端的信號(hào)電平在-20dBm～-40dBm的范圍內(nèi)變化。此外混頻器233輸出端的信號(hào)電平在-15dBm～-35dBm的范圍內(nèi)變化。衰減器243或衰減器253輸出端的信號(hào)電平在-16dBm～-46dBm的范圍內(nèi)變化。可變?cè)鲆娓哳l放大器241或可變?cè)鲆娓哳l放大器251輸出端的信號(hào)電平在+8dBm～-22dBm的范圍內(nèi)變化。功率放大器242或功率放大器252輸出端的信號(hào)電平在+30dBm～-20dBm的范圍內(nèi)變化。
作為這種衰減器，在以往有比如美國(guó)專利第4,890,077號(hào)說明書中記載的衰減器以及圖13所示的衰減器243(衰減器253)。圖13所示的衰減器的詳情與上述美國(guó)專利第4,890,077號(hào)說明書中記載的傳統(tǒng)衰減器相異，但原理上具有同樣的結(jié)構(gòu)·動(dòng)作。
接下來，參照?qǐng)D13及圖14A～14C，對(duì)衰減器243(衰減器253)的具體構(gòu)成及頻帶選擇時(shí)的動(dòng)作作以說明。
圖13是表示衰減器243的構(gòu)成的電路圖。由這種衰減器243來進(jìn)行增益控制。該衰減器如圖13所示，由成為輸入側(cè)的并聯(lián)(shunt)可變電阻的場(chǎng)效應(yīng)晶體管1；成為輸出側(cè)的并聯(lián)(shunt)可變電阻的場(chǎng)效應(yīng)晶體管9；電容器2、3、10、11；電阻5、7、13；成為串聯(lián)(series)可變電阻的場(chǎng)效應(yīng)晶體管6來構(gòu)成。
在該衰減器中，設(shè)有用于施加增益控制電壓Vc(RF)的增益控制電壓施加端子4、施加電源電壓VDD的源極電壓施加端子8、施加GND端子(基準(zhǔn)電位)的柵極電壓施加端子12、作為高頻信號(hào)的信號(hào)輸入部的輸入端子14、作為高頻信號(hào)的信號(hào)輸出部的輸出端子15。上述的輸入端子14與圖12的混頻器233的輸出端連接，輸出端子15與前置放大器244的輸入端連接。這里各電容器2、3、10、11具有阻止直流電壓的施加的作用，各電阻7、5、13具有阻止高頻信號(hào)的侵入的作用。
衰減器253具有與衰減器243同樣的電路構(gòu)成，這一點(diǎn)未圖示。由于衰減器243與衰減器253單獨(dú)形成，因而構(gòu)成各衰減器243、253的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性大多不一致，比如閾值電壓也不一致。
圖14A、圖14B、圖14C是衰減器243、衰減器253移動(dòng)位置上的電壓控制特性圖。圖14A表示使衰減器243、253的特性重合了的特性，圖14B表示衰減器243的特性，圖14C表示衰減器253的特性。
如果將小區(qū)范圍CL(A)用的衰減器243所使用的串聯(lián)場(chǎng)效應(yīng)晶體管6的閾值電壓設(shè)為Vth_T_A，將并聯(lián)場(chǎng)效應(yīng)晶體管1、9的閾值電壓設(shè)為Vth_S_A，則Vth_T_A＝Vth_S_A＝-1.8V。
此外如果將施加到衰減器243的電源電壓設(shè)為VDD_A，則VDD_A＝2.9V。
如果將串聯(lián)場(chǎng)效應(yīng)晶體管6成為完全斷路(夾斷)的增益控制電壓定義為VcOFF_T_A，將并聯(lián)場(chǎng)效應(yīng)晶體管1、9成為完全斷路(夾斷)的增益控制電壓定義為VcOFF_S_A，則成立以下關(guān)系Vth_T_A＝VcOFF_T_A-VDD_A。
因此成為VcOFF_T_A＝Vth_T_A+VDD_A＝1.1V。同樣，成立以下關(guān)系Vth_S_A＝0V-VcOFF_S_A。
因此成為VcOFF_S_A＝-Vth_S_A＝1.8V(參照?qǐng)D14B)。
如果將小區(qū)范圍CL(B)用的衰減器253所使用的串聯(lián)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓設(shè)為Vth_T_B，將并聯(lián)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓設(shè)為Vth_S_B，則Vth_T_B＝Vth_S_B＝-1.6V。
此外如果將施加到衰減器253的電源電壓設(shè)為VDD_B，則VDD_B＝2.9V。
如果將串聯(lián)場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路(夾斷)的增益控制電壓定義為VcOFF_T_B，將并聯(lián)場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路(夾斷)的增益控制電壓定義為VcOFF_S_B，則成立以下關(guān)系Vth_T_B＝VcOFF_T_B-VDD_B。
因此成為VcOFF_T_B＝Vth_T_B+VDD_B＝1.3V。
同樣，成立以下關(guān)系Vth_S_B＝0V-VcOFF_S_B。
因此成為VcOFF_S_B＝-Vth_S_B＝1.6V(參照?qǐng)D14C)。
圖14A表示使圖14B的特性與圖14C的特性重合了的特性，但由于兩個(gè)衰減特性(閾值)不一致，因而在伴隨比如從小區(qū)范圍CL(A)向小區(qū)范圍CL(B)的移動(dòng)的頻帶切換時(shí)，為使衰減器243的輸出與衰減器253的輸出相同，在頻帶切換時(shí)有必要同時(shí)調(diào)整提供給衰減器253的增益控制電壓Vc。
在圖14B及圖14C的特性中，衰減量變化的斜率相異，但該差異的主要產(chǎn)生原因來自于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值相異。除此之外，上述特性的差異還由場(chǎng)效應(yīng)晶體管的通路電阻離差及寄生電容離差而產(chǎn)生。
對(duì)上述構(gòu)成的衰減器的動(dòng)作作以說明。便攜電話終端裝置由鋰電池等以達(dá)到3.0V的電壓來驅(qū)動(dòng)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓表示可變電阻開始增益控制動(dòng)作的偏壓。在場(chǎng)效應(yīng)晶體管1與場(chǎng)效應(yīng)晶體管9的柵極電壓施加端子12上分別施加有接地電壓(基準(zhǔn)電壓)。
在采用頻帶A的小區(qū)范圍CL(A)內(nèi)，為選擇頻帶A，在衰減器243的漏極電壓施加端子8上施加2.9V電壓，為不選擇頻帶B，衰減器253在漏極電壓施加端子8上施加0V電壓。由于便攜電話終端裝置處于記號(hào)TH1地點(diǎn)時(shí)，便攜電話終端裝置與小區(qū)范圍CL(A)的基站BS(A)的距離最近，因而為使衰減器243的衰減量達(dá)到最大，在增益控制電壓施加端子4上作為增益控制電壓Vc(RF)來施加最小電壓(1.1V)。
隨著該場(chǎng)合下便攜電話終端裝置從記號(hào)TH1地點(diǎn)向記號(hào)TH0地點(diǎn)的移動(dòng)，為使衰減器243的衰減量從最大變?yōu)樽钚?，在增益控制電壓施加端?上作為增益控制電壓Vc(RF)來依次施加從最小(1.1V)至最大(1.8V)的電壓。
在便攜電話終端裝置到達(dá)記號(hào)TH0地點(diǎn)的同時(shí)，在采用頻帶B的小區(qū)范圍CL(B)內(nèi)，為選擇頻帶B，在衰減器253的漏極電壓施加端子8上施加2.9V電壓，為不選擇頻帶A，衰減器243在漏極電壓施加端子8上施加0V電壓。在該場(chǎng)合下，由于便攜電話終端裝置(TH0)與小區(qū)范圍CL(B)內(nèi)的基站BS(B)的距離最遠(yuǎn)，因而為使衰減器253的衰減量達(dá)到最小，在增益控制電壓施加端子4上作為增益控制電壓Vc(RF)來施加最大電壓(1.6V)。
隨著該場(chǎng)合下便攜電話終端裝置從記號(hào)TH0地點(diǎn)向記號(hào)TH4地點(diǎn)的移動(dòng)，為使衰減器253的衰減量從最小變?yōu)樽畲?，在增益控制電壓施加端?上作為增益控制電壓Vc(RF)來依次施加從最大(1.6V)至最小(1.3V)的電壓。
另一方面，在可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232中，不論頻帶A、B的選擇如何來使增益控制電壓Vc(IF)變化，由此來使輸出電平有步驟地變化。
然而，如果由分別單獨(dú)制作的衰減器243與衰減器253的組合，來進(jìn)行這種從頻帶A向頻帶B的切換，由于衰減器243內(nèi)構(gòu)成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管1、9、6的閾值電壓(-1.8V)與衰減器253內(nèi)構(gòu)成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管1、9、6的閾值電壓(-1.6V)相異，因而如圖14A、圖14B、圖14C所示，小區(qū)范圍CL(A)(衰減器243)內(nèi)的增益控制特性與小區(qū)范圍CL(B)(衰減器253)內(nèi)的增益控制特性將產(chǎn)生差異。尤其在頻帶選擇時(shí)(TH0)，由于使衰減器243的衰減量達(dá)到最小的增益控制電壓(1.8V)與使衰減器253的衰減量達(dá)到最小的增益控制電壓(1.6V)各異，因而要調(diào)整到所希望的增益控制電壓便需要一定的時(shí)間(數(shù)十μsec以上)。此外由于從施加漏極電壓VDD(B)至衰減器253達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)為止需要數(shù)十μsec，因而在只延遲了該衰減器253的過渡響應(yīng)時(shí)間的狀態(tài)下，在衰減器253的增益控制電壓端子4上施加增益控制電壓Vc(RF)。因此在有的場(chǎng)合下，由衰減器253與可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232的特性離差，使在頻帶選擇之后便攜電話終端裝置的所希望增益產(chǎn)生差異。
在這種場(chǎng)合下，如果考慮到在理想的條件下，便攜電話終端裝置以一定速度遠(yuǎn)離基站，同時(shí)進(jìn)行通信的狀況，則如圖15所示，便攜電話終端裝置的輸出POUT在小區(qū)范圍CL(B)內(nèi)通常由增益控制功能而直線性減小，但由基于反饋控制的延時(shí)等的跟蹤動(dòng)作延遲及頻帶選擇時(shí)輸出電平的不連續(xù)性，在頻帶選擇的時(shí)點(diǎn)下，便攜電話終端裝置的輸出POUT將暫時(shí)從直線上偏移。在該場(chǎng)合下基站側(cè)的接收信號(hào)強(qiáng)度會(huì)偏離規(guī)定值，產(chǎn)生與鄰接信道的電平差，存在著在該時(shí)點(diǎn)下產(chǎn)生語音雜亂、造成語音質(zhì)量變劣的問題。雖然以在理想的條件下移動(dòng)便攜電話終端裝置的場(chǎng)合來對(duì)上述問題作了說明，但現(xiàn)實(shí)移動(dòng)時(shí)的條件在進(jìn)入建筑物盲區(qū)，接收信號(hào)強(qiáng)度急劇下降的場(chǎng)合等會(huì)變得更為惡劣，因而會(huì)頻繁發(fā)生基站側(cè)的接收信號(hào)強(qiáng)度偏離規(guī)定值的問題，使語音質(zhì)量進(jìn)一步惡化。
此外，由于需要用于由基帶部100中的控制部110對(duì)可變?cè)鲆娓哳l放大器241及可變?cè)鲆娓哳l放大器251進(jìn)行選擇/非選擇控制的2種漏極電壓VDD(A)及VDD(B)這2種電壓設(shè)定，因而控制部110的控制變得復(fù)雜。
此外由于高頻發(fā)送部210中，分別需要包含衰減器243的可變?cè)鲆娓哳l放大器241及包含衰減器253的可變?cè)鲆娓哳l放大器251，因而電路構(gòu)成變得復(fù)雜，空間增大，其結(jié)果是，存在著便攜電話終端裝置整體也變得龐大的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種便攜電話終端裝置中的可實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量通話的衰減器。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種便攜電話終端裝置中的可簡(jiǎn)化頻帶選擇控制的衰減器。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種便攜電話終端裝置中的可實(shí)現(xiàn)省空間化、并實(shí)現(xiàn)小型化的衰減器。
本發(fā)明的目的在于，提供一種可實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量通話的便攜電話終端裝置。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種可簡(jiǎn)化頻帶選擇控制的便攜電話終端裝置。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種可實(shí)現(xiàn)省空間化、可實(shí)現(xiàn)小型化的便攜電話終端裝置。
本發(fā)明的衰減器具有第1信號(hào)線，其由連接高頻信號(hào)的第1信號(hào)輸入部及第1信號(hào)輸出部的第1可變電阻來組成；第2信號(hào)線，其由連接高頻信號(hào)的第2信號(hào)輸入部及第2信號(hào)輸出部的第2可變電阻來組成，并與第1信號(hào)線并聯(lián)設(shè)置；基準(zhǔn)電壓施加部，其與第1可變電阻及第2可變電阻連接；增益控制電壓施加部，其與第1可變電阻及第2可變電阻連接，其中，設(shè)定上述第1可變電阻及上述第2可變電阻的衰落特性及對(duì)上述基準(zhǔn)電壓施加部的施加電壓，使得第1可變電阻及第2可變電阻的針對(duì)增益控制電壓的變化的衰落量的變化成為相同。信號(hào)線在上述是第1及第2這2個(gè)，但也可以是3個(gè)以上。
上述第1可變電阻由比如連接第1信號(hào)輸入部與第1信號(hào)輸出部的第3可變電阻、以及連接第1信號(hào)輸入部及第1信號(hào)輸出部的任意一方與基準(zhǔn)電位部的第4可變電阻來組成。第2可變電阻由比如連接第2信號(hào)輸入部與第2信號(hào)輸出部的第5可變電阻、以及連接第2信號(hào)輸入部及第2信號(hào)輸出部的任意一方與基準(zhǔn)電位部的第6可變電阻來組成。基準(zhǔn)電壓施加部由比如第1基準(zhǔn)電壓施加部與第2基準(zhǔn)電壓施加部來組成。這樣，第3可變電阻及第5可變電阻與第1基準(zhǔn)電壓施加部連接，第4可變電阻及第6可變電阻與第2基準(zhǔn)電壓施加部連接，第3可變電阻、第4可變電阻、第5可變電阻、第6可變電阻各自與增益控制電壓施加部連接。
上述第3、第4、第5、第6可變電阻的構(gòu)成是分別至少在比如第1、第2、第3及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極連接第1、第2、第3及第4電阻。此外可變電阻也可以由2個(gè)以上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的串聯(lián)電路來構(gòu)成。用于便攜電話終端裝置的場(chǎng)合也同樣。
分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極，分別經(jīng)第1及第3電阻來與增益控制電壓施加部連接。分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極與增益控制電壓施加部連接。分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極分別經(jīng)第5及第6電阻來與第1基準(zhǔn)電壓施加部連接。分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極，分別經(jīng)第2及第4電阻來與第2基準(zhǔn)電壓施加部連接。分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極，分別經(jīng)第1及第2電容器來分別與第1信號(hào)輸出部、第2信號(hào)輸出部連接。分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極，分別經(jīng)第3及第4電容器來與基準(zhǔn)電位部連接。包含第3可變電阻的第1信號(hào)線與包含第5可變電阻的第2信號(hào)線被并聯(lián)連接。
這里，施加到第2基準(zhǔn)電壓施加部的電壓最好低于施加到第1基準(zhǔn)電壓施加部的電壓。
與施加到第1基準(zhǔn)電壓施加部的電壓相比，施加到第2基準(zhǔn)電壓施加部的電壓最好被設(shè)定為相當(dāng)于從將分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓與分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓相加了的值，減去了施加到第1基準(zhǔn)電壓施加部的電壓的部分的低值。
施加到第1基準(zhǔn)電壓施加部、第2基準(zhǔn)電壓施加部的電壓值最好被設(shè)定為第1可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與第2可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍相一致。
施加到第1基準(zhǔn)電壓施加部、第2基準(zhǔn)電壓施加部的電壓值最好被設(shè)定為第3可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與第5可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍相同，而且第4可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與第6可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍成為相同。
施加到第1基準(zhǔn)電壓施加部、第2基準(zhǔn)電壓施加部的電壓值最好被設(shè)定為構(gòu)成第3可變電阻的第1場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓與構(gòu)成第5可變電阻的第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓相同，而且構(gòu)成第4可變電阻的第2場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓與構(gòu)成第6可變電阻的第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓成為相同。
施加到第1基準(zhǔn)電壓施加部、第2基準(zhǔn)電壓施加部的電壓值最好被設(shè)定為第4可變電阻、第6可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍高于第3可變電阻、第5可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍。
施加到第1基準(zhǔn)電壓施加部、第2基準(zhǔn)電壓施加部的電壓值最好被設(shè)定為分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓，高于分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓。
在上述構(gòu)成中，分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓，最好高于分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓。
分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓最好被設(shè)定為第1可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與第2可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍相一致。
分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓最好被設(shè)定為第3可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與第5可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍相同，而且第4可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與第6可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍成為相同。
分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓最好被設(shè)定為構(gòu)成第3可變電阻的第1場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓與構(gòu)成第5可變電阻的第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓相同，而且構(gòu)成第4可變電阻的第2場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓與構(gòu)成第6可變電阻的第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓成為相同。
分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓最好被設(shè)定為以第4可變電阻、第6可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍高于第3可變電阻、第5可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍的增益控制電壓來動(dòng)作。
分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓最好被設(shè)定為以分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓高于分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓的值來動(dòng)作。
第1及第2可變電阻的其它構(gòu)成示例如下。
第1可變電阻由連接第1信號(hào)輸入部與第1信號(hào)輸出部的第3可變電阻、連接第1信號(hào)輸入部及第1信號(hào)輸出部的任意一方與基準(zhǔn)電位部的第4可變電阻來組成。第2可變電阻由連接第2信號(hào)輸入部與第2信號(hào)輸出部的第5可變電阻、連接第2信號(hào)輸入部及第2信號(hào)輸出部的任意一方與基準(zhǔn)電位部的第6可變電阻來組成。第3可變電阻、第4可變電阻、第5可變電阻、第6可變電阻與基準(zhǔn)電壓施加部連接，第3可變電阻、第4可變電阻、第5可變電阻、第6可變電阻各自與增益控制電壓施加部連接。
在上述構(gòu)成中，比如第3至第6可變電阻比如構(gòu)成如下。
即，上述第3、第4、第5、第6可變電阻的構(gòu)成是分別至少在比如第1、第2、第3及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極連接第1、第2、第3及第4電阻。分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極，分別經(jīng)第1及第3電阻來與增益控制電壓施加部連接。分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極與增益控制電壓施加部連接。分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極分別經(jīng)第5及第6電阻來連接的第1部分被直接連接到基準(zhǔn)電壓施加部。在分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極分別經(jīng)第5及第6電阻來連接的第1部分，與分別經(jīng)第2及第4電阻來連接到分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的第2部分之間，插入連接第7電阻。在分別經(jīng)第2及第4電阻來連接到分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的第2部分與基準(zhǔn)電位部之間，插入連接第8電阻。分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極分別經(jīng)第1及第2電容器被分別連接到第1信號(hào)輸出部、第2信號(hào)輸出部。分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極分別經(jīng)第3及第4電容器被連接到基準(zhǔn)電位部。包含第3可變電阻的第1信號(hào)線與包含第5可變電阻的第2信號(hào)線被并聯(lián)連接。
作為其它示例，也考慮以下構(gòu)成。
上述第3、第4、第5、第6可變電阻的構(gòu)成是分別至少在比如第1、第2、第3及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極連接第1、第2、第3及第4電阻。分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極，分別與第1及第3電阻增益控制電壓施加部連接。分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極分別與增益控制電壓施加部連接。分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極分別經(jīng)第5及第6電阻來連接到基準(zhǔn)電壓施加部。分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極分別經(jīng)第2及第4電阻來連接到基準(zhǔn)電壓施加部。分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極分別經(jīng)第1及第2電容器來分別連接到第1信號(hào)輸出部、第2信號(hào)輸出部。分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極分別經(jīng)第3及第4電容器來連接到基準(zhǔn)電位部。包含第3可變電阻的第1信號(hào)線與包含第5可變電阻的第2信號(hào)線被并聯(lián)連接。
此外基準(zhǔn)電壓施加部與基準(zhǔn)電位部也可以是共通的。
接下來，對(duì)利用上述衰減器來構(gòu)成的便攜電話終端裝置作以說明。
該便攜電話終端裝置由處理語音信號(hào)的基帶部；將由基帶部處理的語音信號(hào)作為輸入，在與基站之間進(jìn)行通信的無線部來組成，無線部由生成向基站的發(fā)送信號(hào)的發(fā)送部；接收來自基站的發(fā)送信號(hào)的接收部來組成，發(fā)送部由進(jìn)行從基帶部提供的語音信號(hào)的調(diào)制、中頻信號(hào)的增益控制及用于頻率轉(zhuǎn)換的混合的中頻部；放大從中頻部輸出的高頻信號(hào)并提供給天線的高頻部來組成，高頻部由對(duì)從中頻部輸出的至少2個(gè)以上頻帶的高頻信號(hào)的增益進(jìn)行控制，有選擇地輸出至少2個(gè)以上頻帶的高頻信號(hào)的增益控制器；對(duì)增益控制器的至少2個(gè)以上的輸出分別有選擇地進(jìn)行功率放大的2個(gè)以上(第1及第2)的功率放大器來組成。
基帶部包含控制部，控制部在檢測(cè)基于接收部的接收信號(hào)的信號(hào)信息的同時(shí)，將與該信息對(duì)應(yīng)的增益控制電壓加到增益控制器，由此將來自第1功率放大器的輸出切換到來自第2功率放大器的輸出，與接收信號(hào)的信號(hào)信息對(duì)應(yīng)來設(shè)定第2功率放大器的輸出電平的目標(biāo)值，將第2功率放大器的輸出電平與第2功率放大器的輸出電平的目標(biāo)值進(jìn)行比較，將與該比較結(jié)果對(duì)應(yīng)的增益控制電壓加到增益控制器及可變?cè)鲆嬷蓄l放大器，由此對(duì)增益控制器及可變?cè)鲆嬷蓄l放大器的增益進(jìn)行跟蹤控制，使得第2功率放大器的輸出電平與第2功率放大器的輸出電平的目標(biāo)值相一致。
增益控制器由以下部分來構(gòu)成即由連接高頻信號(hào)的第1信號(hào)輸入部與第1信號(hào)輸出部的第1可變電阻組成的第1信號(hào)線；與第1信號(hào)線至少并聯(lián)設(shè)置1個(gè)以上，由連接高頻信號(hào)的第2信號(hào)輸入部與第2信號(hào)輸出部的第2可變電阻組成的第2信號(hào)線；與第1可變電阻、第2可變電阻的各個(gè)連接的第1基準(zhǔn)電壓施加部；與第1可變電阻、第2可變電阻的各個(gè)連接并施加增益控制電壓的增益控制電壓施加部，其中，設(shè)定上述第1可變電阻及上述第2可變電阻的衰落特性及對(duì)上述基準(zhǔn)電壓施加部的施加電壓，使第1可變電阻及第2可變電阻的針對(duì)增益控制電壓的變化的衰落量的變化成為相同。
在上述構(gòu)成中，第1可變電阻由比如連接第1信號(hào)輸入部與第1信號(hào)輸出部的第3可變電阻、以及連接第1信號(hào)輸入部及第1信號(hào)輸出部的任意一方與基準(zhǔn)電位部的第4可變電阻來組成。第2可變電阻由比如連接第2信號(hào)輸入部與第2信號(hào)輸出部的第5可變電阻、以及連接第2信號(hào)輸入部及第2信號(hào)輸出部的任意一方與基準(zhǔn)電位部的第6可變電阻來組成?；鶞?zhǔn)電壓施加部由第1基準(zhǔn)電壓施加部及第2基準(zhǔn)電壓施加部來組成。
第3可變電阻及第5可變電阻與第1基準(zhǔn)電壓施加部連接，第4可變電阻及第6可變電阻與第2基準(zhǔn)電壓施加部連接，第3可變電阻、第4可變電阻、第5可變電阻、第6可變電阻各自與增益控制電壓施加部連接。
上述第3、第4、第5、第6可變電阻的構(gòu)成是分別至少在比如第1、第2、第3及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極連接第1、第2、第3及第4電阻。分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極，分別經(jīng)第1及第3電阻來與增益控制電壓施加部連接。分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極與增益控制電壓施加部連接。分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極分別經(jīng)第5及第6電阻來與第1基準(zhǔn)電壓施加部連接。分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極，分別經(jīng)第2及第4電阻來與第2基準(zhǔn)電壓施加部連接。分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極，分別經(jīng)第1及第2電容器來分別與第1信號(hào)輸出部、第2信號(hào)輸出部連接。分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極，分別經(jīng)第3及第4電容器來與基準(zhǔn)電位部連接。包含第3可變電阻的第1信號(hào)線與包含第5可變電阻的第2信號(hào)線被并聯(lián)連接。
這里，施加到第2基準(zhǔn)電壓施加部的電壓最好低于施加到第1基準(zhǔn)電壓施加部的電壓。
與施加到第1基準(zhǔn)電壓施加部的電壓相比，施加到第2基準(zhǔn)電壓施加部的電壓最好被設(shè)定為相當(dāng)于從將分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓與分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓相加了的值，減去了施加到第1基準(zhǔn)電壓施加部的電壓的部分的低值。
施加到第1基準(zhǔn)電壓施加部、第2基準(zhǔn)電壓施加部的電壓值最好被設(shè)定為第1可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與第2可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍相一致。
施加到第1基準(zhǔn)電壓施加部、第2基準(zhǔn)電壓施加部的電壓值最好被設(shè)定為第3可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與第5可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍相同，而且第4可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與第6可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍成為相同。
施加到第1基準(zhǔn)電壓施加部、第2基準(zhǔn)電壓施加部的電壓值最好被設(shè)定為構(gòu)成第3可變電阻的第1場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓與構(gòu)成第5可變電阻的第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓相同，而且構(gòu)成第4可變電阻的第2場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓與構(gòu)成第6可變電阻的第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓成為相同。
施加到第1基準(zhǔn)電壓施加部、第2基準(zhǔn)電壓施加部的電壓值最好被設(shè)定為第4可變電阻、第6可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍高于第3可變電阻、第5可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍。
施加到第1基準(zhǔn)電壓施加部、第2基準(zhǔn)電壓施加部的電壓值最好被設(shè)定為分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓，高于分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓。
在上述構(gòu)成中，分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓，最好高于分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓。
分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓，最好被設(shè)定為第1可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與第2可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍相一致。
分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓，最好被設(shè)定為第3可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與第5可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍相同，而且第4可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與第6可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍成為相同。
分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓最好被設(shè)定為構(gòu)成第3可變電阻的第1場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓與構(gòu)成第5可變電阻的第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓相同，而且構(gòu)成第2的第4可變電阻的場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓與構(gòu)成第6可變電阻的第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓成為相同。
分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓最好被設(shè)定為以第4可變電阻、第6可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍高于第3可變電阻、第5可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍的增益控制電壓來動(dòng)作。
分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓最好被設(shè)定為以分別構(gòu)成第4可變電阻、第6可變電阻的第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓高于分別構(gòu)成第3可變電阻、第5可變電阻的第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的增益控制電壓的值來動(dòng)作。
如上所述，在本發(fā)明的便攜電話終端裝置中，衰減器由以下部分來構(gòu)成在連接高頻信號(hào)第1信號(hào)輸入部與第1信號(hào)輸出部的第1信號(hào)線中插入的由比如場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的至少1個(gè)以上的串聯(lián)可變電阻、在第1信號(hào)輸出部與基準(zhǔn)電位部(GND)之間插入的由比如場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的至少1個(gè)以上的并聯(lián)可變電阻、在與第1信號(hào)線并聯(lián)設(shè)置的，連接高頻信號(hào)第2信號(hào)輸入部與第2信號(hào)輸出部的第2信號(hào)線中插入的由比如場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的至少1個(gè)以上的串聯(lián)可變電阻、在第2信號(hào)輸出部與基準(zhǔn)電位部(GND)之間插入的由比如場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的至少1個(gè)以上的并聯(lián)可變電阻，各可變電阻的衰減量由施加到增益控制電壓施加部的增益控制電壓來控制。衰減器由此來連續(xù)控制各頻帶的信號(hào)電平。
根據(jù)該構(gòu)成，衰減器具有與第1信號(hào)線連接的基于至少1個(gè)以上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的串聯(lián)可變電阻、在第1信號(hào)輸出部與基準(zhǔn)電位部(GND)之間連接的基于至少1個(gè)以上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的并聯(lián)可變電阻，此外還具有連接與第1信號(hào)線并聯(lián)設(shè)置的第2信號(hào)線的基于至少1個(gè)以上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的串聯(lián)可變電阻、在第2信號(hào)輸出部與基準(zhǔn)電位部(GND)之間連接的基于至少1個(gè)以上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的并聯(lián)可變電阻，不管頻帶選擇如何，各頻帶的各可變電阻以同等的增益控制電壓來進(jìn)行同等的增益控制動(dòng)作，選擇頻帶側(cè)的可變電阻對(duì)來自功率放大器的輸出進(jìn)行實(shí)質(zhì)的連續(xù)控制，因而無需伴隨頻帶選擇的增益控制電壓調(diào)整，對(duì)各衰減器的漏極電壓過渡響應(yīng)時(shí)間下的延遲問題得到消除，不會(huì)發(fā)生由基于反饋控制的延時(shí)等的跟蹤動(dòng)作延遲以及頻帶選擇時(shí)輸出電平的不連續(xù)性，而使便攜電話終端裝置的輸出在頻帶選擇的時(shí)點(diǎn)暫時(shí)從所希望的直線上偏離，可進(jìn)行高質(zhì)量的通話。此外在高頻部的頻帶選擇中，不必分別進(jìn)行對(duì)衰減器的漏極電壓的設(shè)定，只使各前置放大器及各功率放大器有選擇地放大輸出即可，可簡(jiǎn)化頻帶選擇控制。此外無需在高頻部中按每個(gè)頻帶來設(shè)置衰減器，可節(jié)省空間，實(shí)現(xiàn)小型化。
此外在本發(fā)明的便攜電話終端裝置中，衰減器由以下部分來構(gòu)成在連接高頻信號(hào)第1信號(hào)輸入部與第1信號(hào)輸出部的第1信號(hào)線中插入的由比如場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的至少1個(gè)以上的串聯(lián)可變電阻、在第1信號(hào)輸出部與基準(zhǔn)電位部(GND)之間插入的由比如場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的至少1個(gè)以上的并聯(lián)可變電阻、在與第1信號(hào)線并聯(lián)設(shè)置的，連接高頻信號(hào)第2信號(hào)輸入部與第2信號(hào)輸出部的第2信號(hào)線中插入的由比如場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的至少1個(gè)以上的串聯(lián)可變電阻、在第2信號(hào)輸出部與基準(zhǔn)電位部(GND)之間插入的由比如場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的至少1個(gè)以上的并聯(lián)可變電阻。
根據(jù)該構(gòu)成，衰減器具有與第1信號(hào)線連接的基于至少1個(gè)以上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的串聯(lián)可變電阻、在第1信號(hào)輸出部與基準(zhǔn)電位部(GND)之間連接的基于至少1個(gè)以上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的并聯(lián)可變電阻，此外還具有連接與第1信號(hào)線并聯(lián)設(shè)置的第2信號(hào)線的基于至少1個(gè)以上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的串聯(lián)可變電阻、在第2信號(hào)輸出部與基準(zhǔn)電位部(GND)之間連接的基于至少1個(gè)以上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的并聯(lián)可變電阻，設(shè)定為使與該第1信號(hào)線并聯(lián)連接的基于至少1個(gè)以上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的串聯(lián)可變電阻的動(dòng)作范圍，與連接第1信號(hào)線的基于至少1個(gè)以上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的串聯(lián)可變電阻的動(dòng)作范圍成為相同，并設(shè)定為使在第2信號(hào)輸出部與基準(zhǔn)電位部(GND)之間連接的基于至少1個(gè)以上場(chǎng)效應(yīng)晶體管的并聯(lián)可變電阻的動(dòng)作范圍，與在第1信號(hào)輸出部與基準(zhǔn)電位部(GND)之間連接的基于至少1個(gè)以上場(chǎng)效應(yīng)晶體管的并聯(lián)可變電阻的動(dòng)作范圍成為相同，使小區(qū)范圍CL(A)中的增益控制動(dòng)作范圍與小區(qū)范圍CL(B)中的增益控制動(dòng)作范圍得到實(shí)質(zhì)性連接，只以同1種增益控制電壓來進(jìn)行各頻帶選擇中的增益控制，因而可消除頻帶選擇時(shí)的增益差異，以極高的精度來進(jìn)行增益控制動(dòng)作。
其結(jié)果是，利用上述衰減器來構(gòu)成的便攜電話終端裝置中，不論頻帶選擇如何，各頻帶的各可變電阻以同等的增益控制電壓來進(jìn)行同等的增益控制動(dòng)作，選擇頻帶側(cè)的可變電阻對(duì)來自功率放大器的輸出進(jìn)行實(shí)質(zhì)性連續(xù)控制，因而無需伴隨頻帶選擇的增益控制電壓調(diào)整，對(duì)各衰減器的漏極電壓過渡響應(yīng)時(shí)間下的延遲問題得到消除，不會(huì)發(fā)生由基于反饋控制的延時(shí)等的跟蹤動(dòng)作延遲以及頻帶選擇時(shí)輸出電平的不連續(xù)性，而使便攜電話終端裝置的輸出在頻帶選擇的時(shí)點(diǎn)暫時(shí)從所希望的直線上偏離，可進(jìn)行高質(zhì)量的通話。此外在高頻部的頻帶選擇中，不必分別進(jìn)行對(duì)衰減器的漏極電壓的設(shè)定，只使各前置放大器及各功率放大器有選擇地放大輸出即可，可簡(jiǎn)化頻帶選擇控制。此外無需在高頻部中按每個(gè)頻帶來設(shè)置衰減器，可節(jié)省空間，實(shí)現(xiàn)小型化。
作為用于使小區(qū)范圍CL(A)中的增益控制動(dòng)作范圍與小區(qū)范圍CL(B)中的增益控制動(dòng)作范圍達(dá)到相同的構(gòu)成，有一種下列構(gòu)成即，對(duì)一方串聯(lián)連接的至少1個(gè)以上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源電極及另一方串聯(lián)連接的至少1個(gè)以上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源電極施加同一基準(zhǔn)電壓，并對(duì)一方并聯(lián)連接的至少1個(gè)以上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵電極及另一方并聯(lián)連接的至少1個(gè)以上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵電極施加同一基準(zhǔn)電壓。在這種構(gòu)成中，由于以1種相同設(shè)定增益控制電壓及1種基準(zhǔn)電壓來進(jìn)行增益控制，因而在便攜電話終端裝置中可進(jìn)行極高精度的頻帶選擇及增益控制。此外還可自由地改變?cè)鲆婵刂苿?dòng)作電壓的設(shè)定。
作為另一種構(gòu)成，也可以采用使一方串聯(lián)連接的場(chǎng)效應(yīng)晶體管及另一方串聯(lián)連接的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與一方并聯(lián)連接的場(chǎng)效應(yīng)晶體管及另一方并聯(lián)連接的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓相異的構(gòu)成。在這種構(gòu)成中，由于可以以1種相同設(shè)定增益控制電壓及1種基準(zhǔn)電壓來進(jìn)行增益控制，因而在便攜電話終端裝置中可進(jìn)行極高精度的頻帶選擇及增益控制。
這里，對(duì)本發(fā)明與傳統(tǒng)技術(shù)的不同作以說明。在傳統(tǒng)技術(shù)中，將漏極電壓VDD(A)或VDD(B)加到頻帶A或B的衰減器243或衰減器253上，并對(duì)放大器242、244或放大器252、254施加電池電源電壓等，由此來進(jìn)行應(yīng)發(fā)送的高頻信號(hào)的頻帶選擇。在該場(chǎng)合下存在著以下不足即，有必要進(jìn)行電壓VDD(A)與電壓VDD(B)這2種電壓切換，控制變得復(fù)雜，頻帶切換時(shí)向所希望功率的調(diào)整因切換定時(shí)偏差等而延遲。
在本發(fā)明中，不是將電壓VDD(A)、VDD(B)，而是將一個(gè)基準(zhǔn)電壓Vref施加到衰減器272(272A、272B)，并向放大器242、244或放大器252、254有選擇地施加電池電源電壓等，由此來進(jìn)行頻帶選擇。在該場(chǎng)合下，雖然衰減器272不進(jìn)行頻帶選擇，但由于以1種增益控制電壓及1種基準(zhǔn)電壓來進(jìn)行增益控制，因而便攜電話終端裝置不需要傳統(tǒng)技術(shù)那樣的電壓VDD(A)及VDD(B)的控制，可實(shí)現(xiàn)極高精度的頻帶選擇及增益控制。
即使對(duì)于用于對(duì)一方串聯(lián)連接的場(chǎng)效應(yīng)晶體管及另一方串聯(lián)連接的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源電極、以及一方并聯(lián)連接的場(chǎng)效應(yīng)晶體管及另一方并聯(lián)連接的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵電極施加相同的基準(zhǔn)電壓的基準(zhǔn)電壓的變動(dòng)，也可進(jìn)行精度良好的控制。此外由于可以削減電壓施加，因而可簡(jiǎn)化電路構(gòu)成。
此外通過使用閾值電壓之差較大的各串聯(lián)及并聯(lián)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可將基準(zhǔn)電壓設(shè)定到基準(zhǔn)電位，比如接地電位。其結(jié)果是，由于可以完全不考慮基準(zhǔn)電壓的變動(dòng)，只設(shè)定控制電壓即可，因而設(shè)計(jì)變得容易，而且可進(jìn)行高精度的增益控制。此外由于可削減基準(zhǔn)電壓，因而可簡(jiǎn)化電路構(gòu)成。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，衰減器中不論頻帶選擇如何，各頻帶的各可變電阻都可以以同等的增益控制電壓來進(jìn)行同樣的增益控制動(dòng)作，選擇頻帶側(cè)的可變電阻使來自功率放大器的輸出實(shí)質(zhì)性連續(xù)，只由1種增益控制電壓來進(jìn)行增益控制，因而可消除頻帶選擇時(shí)的增益差異，并能以極高的精度來進(jìn)行針對(duì)頻帶選擇的增益控制動(dòng)作。
其結(jié)果是，利用上述衰減器來構(gòu)成的便攜電話終端裝置無需伴隨頻帶選擇的增益控制電壓調(diào)整，對(duì)各衰減器的漏極電壓過渡響應(yīng)時(shí)間下的延遲問題也得到消除，便攜電話終端裝置的輸出POUT不會(huì)在頻帶選擇的時(shí)點(diǎn)暫時(shí)從所希望的直線上偏離，可進(jìn)行高質(zhì)量的通話。此外在高頻部的頻帶選擇中，只用1種基準(zhǔn)電壓來進(jìn)行對(duì)衰減器的漏極電壓設(shè)定即可，可簡(jiǎn)化頻帶選擇控制。此外在高頻部中無需按各頻帶來設(shè)置衰減器，可節(jié)省空間，實(shí)現(xiàn)小型化。


圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式1中便攜電話終端裝置的構(gòu)成的框圖。
圖2是表示圖1的便攜電話終端裝置中衰減器的構(gòu)成的概略框圖。
圖3是表示圖1的便攜電話終端裝置中衰減器的構(gòu)成的詳細(xì)框圖。
圖4是表示圖3的衰減器具體構(gòu)成的電路圖。
圖5A、圖5B、圖5C是圖4的衰減器中針對(duì)增益控制電壓的增益控制的特性圖。
圖6是表示圖4的衰減器中針對(duì)在小區(qū)之間移動(dòng)時(shí)離開基站的距離的便攜電話終端裝置的輸出功率的特性圖。
圖7是表示在圖4中，按照可對(duì)各可變電阻施加基準(zhǔn)電壓的方式來分別設(shè)置了偏置電阻74、75的衰減器具體構(gòu)成的電路圖。
圖8是表示本發(fā)明實(shí)施方式2中的衰減器具體構(gòu)成的電路圖。
圖9是表示基站與便攜電話終端裝置的位置關(guān)系的模式圖。
圖10是表示基站中每個(gè)信道的接收信號(hào)強(qiáng)度的說明圖。
圖11是表示便攜電話終端裝置在小區(qū)之間移動(dòng)時(shí)與基站的位置關(guān)系的模式圖。
圖12是表示傳統(tǒng)便攜電話終端裝置的構(gòu)成的框圖。
圖13是表示圖12的便攜電話終端裝置中所用的衰減器的構(gòu)成的電路圖。
圖14A、圖14B、圖14C是圖13的衰減器中便攜電話終端裝置在小區(qū)之間移動(dòng)時(shí)的增益控制電壓的設(shè)定特性圖。
圖15是用于說明圖13的衰減器中便攜電話終端裝置的問題的說明圖。
圖16是表示本發(fā)明實(shí)施方式3中，可削減基準(zhǔn)電壓的衰減器的具體構(gòu)成的電路圖。
具體實(shí)施例方式
基于圖1至圖7，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式1作以說明。
圖1表示本發(fā)明實(shí)施方式1中的便攜電話終端裝置的框圖，利用圖1，對(duì)實(shí)施方式1中的便攜電話終端裝置的構(gòu)成及動(dòng)作作以說明。該便攜電話終端裝置如圖1所示，由微計(jì)算機(jī)·邏輯部等來構(gòu)成，由處理語音信號(hào)的基帶部101、將由基帶部101處理過的語音信號(hào)作為輸入，在與基站之間進(jìn)行通信的無線部201來組成。
無線部201由生成給基站的發(fā)送信號(hào)的發(fā)送部260、接收來自基站的發(fā)送信號(hào)的接收部220來組成。
發(fā)送部260由進(jìn)行從基帶部101提供的語音信號(hào)的調(diào)制及用于頻率轉(zhuǎn)換的混合的中頻部230、放大從中頻部230輸出的高頻信號(hào)并經(jīng)開關(guān)310提供給天線300的高頻部270來組成。
中頻部230由調(diào)制器231、用于放大調(diào)制器231的輸出信號(hào)的可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232、用于將可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換成高頻的混頻器233來組成。上述可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232大多利用雙極晶體管來構(gòu)成。該可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232可不連續(xù)地每隔5-6dB并通過數(shù)個(gè)階步來改變?cè)鲆?。在該?chǎng)合下，可由不連續(xù)的增益控制電壓，在20dB范圍內(nèi)來分步控制增益。
高頻部270由控制從中頻部230輸出的高頻信號(hào)增益，并有選擇地輸出頻帶A、B的增益控制器271、對(duì)增益控制器271的頻帶A輸出進(jìn)行功率放大的功率放大器242、對(duì)增益控制器271的頻帶B輸出進(jìn)行功率放大的功率放大器252來組成。該增益控制器271在頻帶A、B內(nèi)按40dB以上的范圍來使增益可變，并可有選擇地輸出頻帶A、B。在該場(chǎng)合下，可由增益連續(xù)變化的增益控制電壓，在30dB以上的范圍內(nèi)來連續(xù)控制增益。
增益控制器271由頻帶A用的前置放大器(中功率放大器)244、頻帶B用前置放大器(中功率放大器)254、用于頻帶A及頻帶B的衰減器272來組成。衰減器272由頻帶A用的可變電阻272A及頻帶B用的可變電阻272B來構(gòu)成，頻帶A用的可變電阻272A與前置放大器244級(jí)聯(lián)連接，頻帶B用的可變電阻272B與前置放大器254級(jí)聯(lián)連接。這樣，該衰減器272使向功率放大器(高功率放大器)242輸入的頻帶A高頻信號(hào)的增益(衰落量)可變，同時(shí)使向功率放大器(高功率放大器)252輸入的頻帶B高頻信號(hào)的增益(衰落量)可變。
衰減器272具有在頻帶A、B內(nèi)按40dB以上的范圍來使增益可變，因而可使衰減器的衰落量在30dB以上的范圍內(nèi)變化的功能。在該實(shí)施方式中，由前置放大器244與功率放大器242這2段、以及前置放大器254與功率放大器252這2段各自的放大器來進(jìn)行功率放大，但也可以分別由1段放大器來進(jìn)行功率放大。對(duì)衰減器272提供基準(zhǔn)電壓Vref及增益控制電壓Vc(RF)，可變電阻272A、272B按照以基準(zhǔn)電壓Vref為基準(zhǔn)的增益控制電壓Vc(RF)的大小來改變衰減量。
上述的前置放大器244與功率放大器242(頻帶A)以及前置放大器254與功率放大器252(頻帶B)，被選擇性施加用于頻帶選擇的電源電壓。即，對(duì)2組放大器選擇性施加電源電壓，這樣有選擇地使任意一個(gè)放大器動(dòng)作，由此來實(shí)現(xiàn)頻帶選擇。
基帶部101包含由微型計(jì)算機(jī)·邏輯器等組成的控制部120?？刂撇?20檢測(cè)基于接收部220的接收信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度，同時(shí)在頻帶A中檢測(cè)功率放大器242的輸出電平，與接收信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度對(duì)應(yīng)來設(shè)定功率放大器242的輸出電平的目標(biāo)值，將功率放大器242的輸出電平與功率放大器242的輸出電平的目標(biāo)值進(jìn)行比較，將與該比較結(jié)果對(duì)應(yīng)的增益控制電壓Vc(RF)加到衰減器272，并將增益控制電壓Vc(IF)加到可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232，由此對(duì)衰減器272及可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232的增益進(jìn)行跟蹤控制，使得功率放大器242的輸出電平與功率放大器242的輸出電平的目標(biāo)值相一致。
此外在頻帶B中檢測(cè)功率放大器252的輸出電平，與接收信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度對(duì)應(yīng)來設(shè)定功率放大器252的輸出電平的目標(biāo)值，將功率放大器252的輸出電平與功率放大器252的輸出電平的目標(biāo)值進(jìn)行比較，將與該比較結(jié)果對(duì)應(yīng)的增益控制電壓Vc(RF)加到衰減器272，并將增益控制電壓Vc(IF)加到可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232，由此對(duì)衰減器272及可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232的增益進(jìn)行跟蹤控制，使得功率放大器252的輸出電平與功率放大器252的輸出電平的目標(biāo)值相一致。
在該便攜電話終端裝置中，如上所述，由基于增益控制器271及可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232的增益控制，來實(shí)現(xiàn)50dB以上范圍內(nèi)的增益控制。在PDC標(biāo)準(zhǔn)中，混頻器233的輸入段在200MHz頻帶內(nèi)動(dòng)作，混頻器233的輸出段在940MHz頻帶或1441MHz頻帶內(nèi)動(dòng)作。因此，功率放大器242或功率放大器252的輸出端成為+30dBm(但0dBm＝1mW)，在前置放大器244或前置放大器254的輸出端成為+8dBm，在衰減器272的輸出端成為-16dBm，在混頻器233的輸出端成為-15dBm，在可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232的輸出端成為-20dBm。
這里，如果假設(shè)由增益控制器271進(jìn)行30dB范圍內(nèi)的增益控制，由可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232進(jìn)行20dB范圍內(nèi)的增益控制，則可變?cè)鲆嬷蓄l放大器232輸出端的信號(hào)電平在-20dBm～-40dBm的范圍內(nèi)變化。此外混頻器233輸出端的信號(hào)電平在-15dBm～-35dBm的范圍內(nèi)變化。衰減器272輸出端的信號(hào)電平在-16dBm～-46dBm的范圍內(nèi)變化。前置放大器244或前置放大器254輸出端的信號(hào)電平在+8dBm～-22dBm的范圍內(nèi)變化。功率放大器242或功率放大器252輸出端的信號(hào)電平在+30dBm～-20dBm的范圍內(nèi)變化。
接下來，參照?qǐng)D2至圖7，對(duì)衰減器272的具體構(gòu)成及動(dòng)作作以說明。
圖2、圖3是表示衰減器(半導(dǎo)體集成電路裝置)272的構(gòu)成的概略框圖，圖4是表示衰減器272的具體構(gòu)成的電路圖。該衰減器272被集成到1個(gè)半導(dǎo)體基片(GaAs)。該構(gòu)成也可以在硅基片上集成，尤其在由硅或硅·鍺等構(gòu)成的場(chǎng)合下，微型計(jì)算機(jī)·邏輯部也可同時(shí)集成。通過在1個(gè)半導(dǎo)體基片上形成衰減器，還可易于使成為可變電阻的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值相一致。
與分別采用了與各頻帶對(duì)應(yīng)的獨(dú)立衰減器的場(chǎng)合相比，通過由這種衰減器來進(jìn)行各頻帶中選擇頻帶的切換及增益的控制，可在頻帶選擇時(shí)的增益控制中，在更短的時(shí)間內(nèi)控制到所希望的增益。其結(jié)果是，即使不是一種按每個(gè)頻帶來組合獨(dú)立的衰減器的構(gòu)成，也可以獨(dú)立地同時(shí)實(shí)現(xiàn)與各頻帶對(duì)應(yīng)的頻帶選擇及增益控制。通過對(duì)信號(hào)線并聯(lián)增加可變電阻的個(gè)數(shù)，還可以通過多個(gè)頻帶(模式)選擇切換來實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的增益控制。
衰減器如圖2、圖3及圖4所示，由以下部分組成即，在連接信號(hào)輸入部IN(A)即輸入端子(A)43與信號(hào)輸出部OUT(A)即輸出端子(A)45的信號(hào)線(A)47中插入的可變電阻41、在與信號(hào)線(A)47并聯(lián)設(shè)置的，連接高頻信號(hào)信號(hào)輸入部IN(B)即輸入端子(B)44與信號(hào)輸出部OUT(B)即輸出端子(B)46的信號(hào)線(B)48中插入的可變電阻42。
具體地說，該衰減器中設(shè)有在連接信號(hào)輸入部IN(A)即輸入端子(A)43與信號(hào)輸出部OUT(A)即輸出端子(A)45的信號(hào)線(A)47中插入的至少1個(gè)以上的串聯(lián)(串聯(lián))可變電阻55、在輸出端子(A)45與基準(zhǔn)電位部(GND)57之間插入的至少1個(gè)以上的并聯(lián)(并聯(lián))可變電阻56、在與信號(hào)線(A)47并聯(lián)設(shè)置的，連接高頻信號(hào)信號(hào)輸入部IN(B)即輸入端子(B)44與信號(hào)輸出部OUT(B)即輸出端子(B)46的信號(hào)線(B)48中插入的至少1個(gè)以上的串聯(lián)可變電阻58、在信號(hào)輸出部(B)46與基準(zhǔn)電位部(GND)57之間插入的至少1個(gè)以上的并聯(lián)可變電阻59?？勺冸娮?5、可變電阻56、可變電阻58、可變電阻59由增益控制線49來連接。
在該衰減器中，成為基準(zhǔn)電壓施加部的基準(zhǔn)電壓施加端子51、52經(jīng)基準(zhǔn)電壓線53、54與各可變電阻41、42連接，向各基準(zhǔn)電壓施加端子51、52提供基準(zhǔn)電壓Vref1、Vref2。成為增益控制電壓施加部的增益控制電壓施加端子50經(jīng)增益控制線49與各可變電阻55、56、58、59連接。
在上述可變電阻41的組成中，至少在場(chǎng)效應(yīng)晶體管60的柵極及源極上分別連接電阻61、62，至少在場(chǎng)效應(yīng)晶體管63的柵極、源極、漏極上分別連接電阻64、電容器66、65。構(gòu)成信號(hào)線(A)47的可變電阻41的場(chǎng)效應(yīng)晶體管60的漏極與輸入端子(A)43連接，源極與輸出端子(A)45連接。場(chǎng)效應(yīng)晶體管63漏極側(cè)的電容器65與輸出端子(A)45連接，源極側(cè)的電容器66與基準(zhǔn)電位部(GND)57連接。
在可變電阻42的組成中，至少在場(chǎng)效應(yīng)晶體管67的柵極與源極上，分別連接電阻68、73，至少在場(chǎng)效應(yīng)晶體管69的柵極、源極、漏極上分別連接電阻70、電容器72、71。構(gòu)成信號(hào)線(B)48的可變電阻42的場(chǎng)效應(yīng)晶體管67的漏極與輸入端子(B)44連接，源極與輸出端子(B)46連接。場(chǎng)效應(yīng)晶體管69漏極側(cè)的電容器71與輸出端子(B)46連接，源極側(cè)的電容器72與基準(zhǔn)電位部(GND)57連接。
構(gòu)成可變電阻41的場(chǎng)效應(yīng)晶體管60的柵極經(jīng)電阻61及增益控制線49來與增益控制電壓施加端子50連接，場(chǎng)效應(yīng)晶體管63的源極經(jīng)增益控制線49來與增益控制電壓施加端子50連接。
構(gòu)成可變電阻42的場(chǎng)效應(yīng)晶體管67的柵極經(jīng)電阻68及增益控制線49來與增益控制電壓施加端子50連接，場(chǎng)效應(yīng)晶體管69的源極經(jīng)增益控制線49來與增益控制電壓施加端子50連接。
在構(gòu)成可變電阻41的場(chǎng)效應(yīng)晶體管60的源極及構(gòu)成可變電阻42的場(chǎng)效應(yīng)晶體管67的源極上，從基準(zhǔn)電壓施加端子51分別經(jīng)電阻62、73來施加基準(zhǔn)電壓Vref1，在構(gòu)成可變電阻41的場(chǎng)效應(yīng)晶體管63的柵極及構(gòu)成可變電阻42的場(chǎng)效應(yīng)晶體管69的柵極上，從基準(zhǔn)電壓施加端子52分別經(jīng)電阻64、70來施加基準(zhǔn)電壓Vref2。
上述的電阻61、64、68、70為阻止高頻信號(hào)的侵入，比如如下所述被設(shè)定了下限值和上限值。首先，下限值為1kΩ。其設(shè)定理由是作為隔離如果達(dá)不到20dB以上，則高頻信號(hào)便會(huì)侵入，造成損失增加等，影響到增益控制特性，設(shè)定到上述值后，作為隔離可達(dá)到20dB以上。
上限值是100kΩ。其設(shè)定理由是，在場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極·漏電流為比如1μA的場(chǎng)合下，如果將插入到場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的電阻的電阻值設(shè)為100kΩ，則其電阻的電壓降VDROP便成為VDROP＝1×10-6×100×103＝0.1(V)，電阻值超過100kΩ后，控制電壓的偏差將超過0.1V，對(duì)增益控制特性產(chǎn)生不可忽視的影響。
對(duì)上述構(gòu)成的衰減器的動(dòng)作作以說明。便攜電話終端裝置由鋰電池等以達(dá)到3.0V的電壓來驅(qū)動(dòng)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓表示可變電阻開始增益控制動(dòng)作的偏壓，換言之，是場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為完全斷路的狀態(tài)(夾斷)的偏壓。用于可變電阻41、42的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓Vth完全相同。在該例中，設(shè)為-0.5V。
在可變電阻41、42的基準(zhǔn)電壓施加端子51、52上施加分別各異的基準(zhǔn)電壓Vref1、Vref2。以下對(duì)施加到可變電阻41、42的基準(zhǔn)電壓施加端子51、52的基準(zhǔn)電壓Vref1、Vref2作以說明。
這里，在柵極·源極間電壓VGS小于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓Vth時(shí)(VGS≤Vth)，由場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成的可變電阻器完全成為斷路狀態(tài)(夾斷)，電阻值成為最大。各場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極·源極間電壓VGS由柵極電壓VG與源極電壓VS之差(VG-VS)來表示，電阻值由增益控制電壓Vc(RF)與基準(zhǔn)電壓Vref1、Vref2的組合而變化。因此，如果改變基準(zhǔn)電壓Vref1、Vref2的設(shè)定值，便可控制可變電阻中可進(jìn)行增益控制的增益控制電壓Vc(RF)的范圍。
對(duì)增益控制電壓Vc(RF)，可變電阻41、42各自動(dòng)作的增益控制電壓Vc(RF)的范圍，可以設(shè)定為使基于可變電阻41、42的增益控制動(dòng)作范圍實(shí)質(zhì)上重合，也可以任意設(shè)定。
現(xiàn)在將可變電阻41中可變電阻55的場(chǎng)效應(yīng)晶體管60的閾值(夾斷)電壓定義為Vth_T_A，將可變電阻56的場(chǎng)效應(yīng)晶體管63的閾值(夾斷)電壓定義為Vth_S_A，將可變電阻55的場(chǎng)效應(yīng)晶體管60成為完全斷路(夾斷)的增益控制電壓定義為VcOFF_T_A，將可變電阻56的場(chǎng)效應(yīng)晶體管63成為完全斷路(夾斷)的增益控制電壓定義為VcOFF_S_A。
各場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極·源極間電壓VGS由柵極電壓VG與源極電壓VS之差(VG-VS)來表示，Vth_T_A＝VcOFF_T_A-Vref1...(1)Vth_S_A＝Vref2-VcOFF_S_A...(2)
因而由(1)、(2)式可知，增益控制電壓在場(chǎng)效應(yīng)晶體管60中被施加到柵極，在場(chǎng)效應(yīng)晶體管63中被施加到源極，所以伴隨增益控制電壓的增大，場(chǎng)效應(yīng)晶體管60的增益控制動(dòng)作從OFF變?yōu)镺N，而場(chǎng)效應(yīng)晶體管63的增益控制動(dòng)作則從ON變?yōu)镺FF，這些場(chǎng)效應(yīng)晶體管相輔性變化。
將可變電阻42中可變電阻58的場(chǎng)效應(yīng)晶體管67的閾值(夾斷)電壓定義為Vth_T_B，將可變電阻59的場(chǎng)效應(yīng)晶體管69的閾值(夾斷)電壓定義為Vth_S_B，將可變電阻58的場(chǎng)效應(yīng)晶體管67成為完全斷路(夾斷)的增益控制電壓定義為VcOFF_T_B，將可變電阻59的場(chǎng)效應(yīng)晶體管69成為完全斷路(夾斷)的增益控制電壓定義為VcOFF_S_B。各場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極·源極間電壓VGS由柵極電壓VG與源極電壓VS之差(VG-VS)來表示，Vth_T_B＝VcOFF_T_B-Vref1...(3)Vth_S_B＝Vref2-VcOFF_S_B...(4)因而由(3)、(4)式可知，增益控制電壓在場(chǎng)效應(yīng)晶體管67中被施加到柵極，在場(chǎng)效應(yīng)晶體管69中被施加到源極，所以伴隨增益控制電壓的增大，場(chǎng)效應(yīng)晶體管67的增益控制動(dòng)作從OFF變?yōu)镺N，而場(chǎng)效應(yīng)晶體管69的增益控制動(dòng)作則從ON變?yōu)镺FF，這些場(chǎng)效應(yīng)晶體管相輔性變化。
如果設(shè)為Vth_T_A＝Vth_S_A＝Vth_T_B＝Vth_S_B＝Vth，則由(1)、(2)式便成為Vref2＝VcOFF_T_A+VcOFF_S_A-Vref1 ...(5)。
由(3)、(4)式便成為Vref2＝VcOFF_T_B+VcOFF_S_B-Vref1 ...(6)。
根據(jù)式(5)，與施加到可變電阻55的場(chǎng)效應(yīng)晶體管60的基準(zhǔn)電壓施加部51的電壓Vref1相比，施加到可變電阻56的場(chǎng)效應(yīng)晶體管63的基準(zhǔn)電壓施加部52的電壓Vref2有必要被設(shè)定到相當(dāng)于從將場(chǎng)效應(yīng)晶體管60成為完全斷路(夾斷)的增益控制電壓與場(chǎng)效應(yīng)晶體管63成為完全斷路(夾斷)的增益控制電壓相加了的值，減去了施加到場(chǎng)效應(yīng)晶體管60的基準(zhǔn)電壓施加部51的電壓Vref1的部分的低值。
根據(jù)式(6)，與施加到可變電阻58的場(chǎng)效應(yīng)晶體管67的基準(zhǔn)電壓施加部51的電壓Vref1相比，施加到可變電阻59的場(chǎng)效應(yīng)晶體管69的基準(zhǔn)電壓施加部52的電壓Vref2有必要被設(shè)定到相當(dāng)于從將場(chǎng)效應(yīng)晶體管67成為完全斷路(夾斷)的增益控制電壓與場(chǎng)效應(yīng)晶體管69成為完全斷路(夾斷)的增益控制電壓相加了的值，減去了施加到場(chǎng)效應(yīng)晶體管67的基準(zhǔn)電壓施加部51的電壓Vref1的部分的低值。
基于可變電阻41、42的增益控制動(dòng)作范圍實(shí)質(zhì)性重合這一點(diǎn)將成為VcOFF_T_A＝VcOFF_T_B＝VcOFF_TVcOFF_S_A＝VcOFF_S_B＝VcOFF_S。
因此(5)(6)式可成為Vref2＝VcOFF_T+VcOFF_S-Vref1...(7)。
根據(jù)(7)式，與施加到場(chǎng)效應(yīng)晶體管60及67的基準(zhǔn)電壓施加部51的電壓Vref1相比，施加到場(chǎng)效應(yīng)晶體管63及69的基準(zhǔn)電壓施加部52的電壓Vref2有必要被設(shè)定到相當(dāng)于從將場(chǎng)效應(yīng)晶體管60及67成為完全斷路(夾斷)的增益控制電壓與場(chǎng)效應(yīng)晶體管63及69成為完全斷路(夾斷)的增益控制電壓相加了的值，減去了施加到場(chǎng)效應(yīng)晶體管60及67的基準(zhǔn)電壓施加部51的電壓Vref1的部分的低值。
根據(jù)本實(shí)施方式，由于VcOFF_T＝1.8V，VcOFF_S＝1.1V，因而成為Vref2＝2.9-Vref1...(8)，電壓Vref2有必要設(shè)定為從2.9V減去了電壓Vref1的低值。在本實(shí)施方式中，設(shè)定為Vref1＝1.6V，Vref2＝1.3V。
如上所述，在以一個(gè)增益控制電壓來進(jìn)行增益控制的場(chǎng)合下，通過分別適當(dāng)設(shè)定可變電阻41的基準(zhǔn)電壓Vref1及可變電阻42的基準(zhǔn)電壓Vref2，并連接成使頻帶(A)的可變電阻41與頻帶(B)的可變電阻42的增益控制動(dòng)作范圍同一動(dòng)作，可以以一個(gè)增益控制電壓來進(jìn)行增益控制。因而便攜電話終端裝置可進(jìn)行高精度的頻帶選擇及增益控制。
圖5A、圖5B、圖5C是針對(duì)圖4所示的衰減器的增益控制電壓Vc(RF)的增益控制特性圖。
圖5A表示使可變電阻55、56的合成特性與可變電阻58、59的合成特性重合了的特性，圖5B表示可變電阻55、56的合成特性，圖5C表示可變電阻58、59的合成特性。
如果將小區(qū)范圍CL(A)用的串聯(lián)場(chǎng)效應(yīng)晶體管60的閾值電壓設(shè)為Vth_T_A，將并聯(lián)場(chǎng)效應(yīng)晶體管63的閾值電壓設(shè)為Vth_S_A，則Vth_T_A＝Vth_S_A＝-0.5V。
此外如果將基準(zhǔn)電壓設(shè)為Vref1、Vref2，則Vref1＝1.6VVref2＝1.3V。
如果將串聯(lián)場(chǎng)效應(yīng)晶體管60成為完全斷路(夾斷)的增益控制電壓定義為VcOFF_T_A，將并聯(lián)場(chǎng)效應(yīng)晶體管63成為完全斷路(夾斷)的增益控制電壓定義為VcOFF_S_A，則成立以下關(guān)系Vth_T_A＝VcOFF_T_A-Vref1。
因此成為VcOFF_T_A＝Vth_T_A+Vref2＝1.1V。
同樣成立以下關(guān)系Vth_S_A＝Vref2-VcOFF_S_A。
因此成為VcOFF_S_A＝Vref2-Vth_S_A＝1.8V(參照?qǐng)D5B)。
如果將小區(qū)范圍CL(B)用的串聯(lián)場(chǎng)效應(yīng)晶體管67的閾值電壓設(shè)為Vth_T_B，將并聯(lián)場(chǎng)效應(yīng)晶體管69的閾值電壓設(shè)為Vth_S_B，則Vth_T_B＝Vth_S_B＝-0.5V。
此外如果將基準(zhǔn)電壓設(shè)為Vref1、Vref2，則Vref1＝1.6VVref2＝1.3V。
如果將串聯(lián)場(chǎng)效應(yīng)晶體管67成為完全斷路(夾斷)的增益控制電壓定義為VcOFF_T_B，將并聯(lián)場(chǎng)效應(yīng)晶體管69成為完全斷路(夾斷)的增益控制電壓定義為VcOFF_S_B，則成立以下關(guān)系Vth_T_B＝VcOFF_T_B-Vref1。
因此成為VcOFF_T_B＝Vth_T_B+Vref1＝1.1V。
同樣成立以下關(guān)系Vth_S_B＝Vref2-VcOFF_S_B。
因此成為VcOFF_S_B＝Vref2-Vth_S_B＝1.8V(參照?qǐng)D5C)。
圖5A表示使圖5B的特性與圖5C的特性重合了的特性，但由于兩個(gè)特性一致，因而在伴隨比如從小區(qū)范圍CL(A)向小區(qū)范圍CL(B)移動(dòng)的頻帶選擇時(shí)，即使不同時(shí)調(diào)整提供給衰減器253的增益控制電壓Vc，也可以使衰減器的小區(qū)范圍CL(A)用的輸出與小區(qū)范圍CL(B)用的輸出相同。
以下參照?qǐng)D5A、圖5B、圖5C，對(duì)圖4的衰減器動(dòng)作作以說明。
這里，將場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓Vth均設(shè)為-0.5V后，將基準(zhǔn)電壓Vref1設(shè)定為1.6V，將基準(zhǔn)電壓Vref2設(shè)定為1.3V。
現(xiàn)在考慮小區(qū)范圍CL(A)內(nèi)的通信，即向輸入端子43輸入信號(hào)，而輸入端子44沒有輸入的狀態(tài)。
由于在對(duì)增益控制電壓施加端子50施加了0～1.1V電壓的場(chǎng)合下(圖5A～圖5C增益控制電壓范圍(a))，可變電阻41中的可變電阻55的電阻值表示最大值，可變電阻56的電阻值表示最小值，因而從輸入端子43輸入的信號(hào)中，輸出端子45上的輸出信號(hào)的大小POUT(A)成為最小，由于輸入端子44上沒有輸入，因而輸出端子46上的輸出信號(hào)不輸出。該狀態(tài)是一種頻帶(A)被選擇，而頻帶(B)為非選擇的狀態(tài)。
在對(duì)增益控制電壓施加端子50施加了超過1.1V的電壓的場(chǎng)合下(圖5A～圖5C增益控制電壓范圍(b))，由于可變電阻41中可變電阻56的電阻值表示最小值，同時(shí)可變電阻55的電阻值開始減少，因而輸出端子45上的輸出信號(hào)大小POUT(A)開始增加。通常，基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍為0.35(0.3～0.4)V，其增益大致線性地增加20dB，直至在增益控制電壓施加端子50上施加1.45V電壓為止。該狀態(tài)是一種頻帶(A)被選擇的狀態(tài)，表示頻帶(A)的增益控制，而頻帶(B)處于非選擇狀態(tài)。
在對(duì)增益控制電壓施加端子50施加1.45V的電壓后(圖5A～圖5C增益控制電壓范圍(c))，已減少了的可變電阻41中的可變電阻55的電阻值表示最小值，此前表示最小值的可變電阻56的電阻值開始增加，因而輸出端子45上的輸出信號(hào)大小POUT(A)進(jìn)一步增加。增益進(jìn)一步大致線性地增加20dB，直至在增益控制電壓施加端子50上施加1.8V電壓為止。該狀態(tài)是一種頻帶(A)被選擇的狀態(tài)，表示頻帶(A)的增益控制，頻帶(B)處于非選擇狀態(tài)。
在對(duì)增益控制電壓施加端子50施加1.8V電壓后(圖5A～圖5C增益控制電壓范圍(d))，可變電阻41中可變電阻55的電阻值表示最小值，同時(shí)已增加了的可變電阻56的電阻值表示最大值，因而輸出端子45上的輸出信號(hào)大小POUT(A)成為最大值。該狀態(tài)是一種頻帶(A)被選擇的狀態(tài)，表示頻帶(A)的增益控制，頻帶(B)處于非選擇狀態(tài)。
即使對(duì)增益控制電壓施加端子50施加1.8V以上的電壓，可變電阻41中可變電阻55的電阻值仍為最小值，可變電阻56的電阻值成為最大值，同時(shí)輸出端子45上的輸出信號(hào)大小POUT(A)成為最大值。該狀態(tài)是一種頻帶(A)被選擇的狀態(tài)，表示頻帶(A)的增益控制，而頻帶(B)處于非選擇狀態(tài)。
接下來，考慮小區(qū)范圍CL(B)內(nèi)的通信，即向輸入端子44輸入信號(hào)，而輸入端子43沒有輸入的狀態(tài)。
在對(duì)增益控制電壓施加端子50施加了0～1.1V電壓的場(chǎng)合下(圖5A～圖5C增益控制電壓范圍(a))，由于可變電阻42中可變電阻58的電阻值表示最大值，可變電阻59的電阻值表示最小值，因而從輸入端子44輸入的信號(hào)中，輸出端子46上的輸出信號(hào)大小POUT(B)成為最小，由于輸入端子43上沒有輸入，因而輸出端子45上的輸出信號(hào)不輸出。該狀態(tài)是一種頻帶(B)被選擇，而頻帶(A)為非選擇的狀態(tài)。
在對(duì)增益控制電壓施加端子50施加了超過1.1V的電壓的場(chǎng)合下(圖5A～圖5C增益控制電壓范圍(b))，由于可變電阻42中可變電阻59的電阻值表示最小值，同時(shí)可變電阻58的電阻值開始減少，因而輸出端子46上的輸出信號(hào)大小POUT(B)開始增加。通常，基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的可變電阻進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍為0.35(0.3～0.4)V，其增益大致線性地增加20dB，直至在增益控制電壓施加端子50上施加1.45V電壓為止。該狀態(tài)是一種頻帶(B)被選擇的狀態(tài)，表示頻帶(B)的增益控制，而頻帶(A)處于非選擇狀態(tài)。
在對(duì)增益控制電壓施加端子50施加1.45V的電壓后(圖5A～圖5C增益控制電壓范圍(c))，已減少了的可變電阻42中的可變電阻58的電阻值表示最小值，此前表示最小值的可變電阻59的電阻值開始增加，因而輸出端子46上的輸出信號(hào)大小POUT(B)進(jìn)一步增加。增益進(jìn)一步大致線性地增加20dB，直至在增益控制電壓施加端子50上施加1.8V電壓為止。該狀態(tài)是一種頻帶(B)被選擇的狀態(tài)，表示頻帶(B)的增益控制，而頻帶(A)處于非選擇狀態(tài)。
在對(duì)增益控制電壓施加端子50施加1.8V電壓后(圖5A～圖5C增益控制電壓范圍(d))，可變電阻42中可變電阻58的電阻值表示最小值，同時(shí)已增加了的可變電阻59的電阻值表示最大值，因而輸出端子46上的輸出信號(hào)大小POUT(B)成為最大值。該狀態(tài)是一種頻帶(B)被選擇的狀態(tài)，表示頻帶(B)的增益控制，而頻帶(A)處于非選擇狀態(tài)。
即使對(duì)增益控制電壓施加端子50施加1.8V以上的電壓，可變電阻42中可變電阻58的電阻值仍為最小值，可變電阻59的電阻值成為最大值，同時(shí)輸出端子46上的輸出信號(hào)大小POUT(B)成為最大值。該狀態(tài)是一種頻帶(B)被選擇的狀態(tài)，表示頻帶(B)的增益控制，而頻帶(A)處于非選擇狀態(tài)。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，在衰減器中，采用并聯(lián)連接基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的可變電阻41、42的構(gòu)成，并設(shè)定為可變電阻41與可變電阻42的增益控制動(dòng)作范圍重合，由此可使可變電阻41、42的增益控制動(dòng)作達(dá)到相同，因而可不需要伴隨頻帶選擇的增益控制電壓調(diào)整。通過從外部微型計(jì)算機(jī)來調(diào)整基準(zhǔn)電壓，可調(diào)整該可變電阻41、42的增益控制動(dòng)作范圍。
因此，在便攜電話終端裝置的高頻部中，由于通過一個(gè)半導(dǎo)體裝置，不管頻帶選擇如何，各頻帶的各可變電阻以同等的增益控制電壓來進(jìn)行同等的增益控制動(dòng)作，而且選擇頻帶側(cè)的可變電阻對(duì)輸出進(jìn)行實(shí)質(zhì)性連續(xù)控制，因而其結(jié)果是，元需伴隨頻帶選擇的增益控制電壓調(diào)整，對(duì)各衰減器的漏極電壓過渡響應(yīng)時(shí)間下的延遲問題得到消除，可回避圖15中傳統(tǒng)示例所示的伴隨頻帶選擇而發(fā)生的暫時(shí)偏離功率放大器的輸出電平目標(biāo)值，如圖6所示，在頻帶選擇的時(shí)點(diǎn)，便攜電話終端裝置的輸出POUT不會(huì)暫時(shí)從所希望的直線上偏離，可進(jìn)行高質(zhì)量的通話。此外在高頻部的頻帶選擇中，只用1種基準(zhǔn)電壓來進(jìn)行對(duì)衰減器的漏極電壓設(shè)定即可，因而可簡(jiǎn)化控制部120的電路構(gòu)成。此外無需在高頻部中按各頻帶來設(shè)置衰減器，可節(jié)省空間，實(shí)現(xiàn)小型化。
在上述實(shí)施方式中，分別設(shè)有頻帶(A)側(cè)的可變電阻41中可變電阻55及頻帶(B)側(cè)的可變電阻42中可變電阻58的基準(zhǔn)電壓施加端子51以及頻帶(A)側(cè)的可變電阻41中可變電阻56及頻帶(B)側(cè)的可變電阻42中可變電阻59的基準(zhǔn)電壓施加端子52，但也可以如圖7所示，利用偏置電阻74、75，由偏置電阻74、75對(duì)電壓Vref1分壓，生成電壓Vref2。在該場(chǎng)合下，由于只采用一個(gè)基準(zhǔn)電壓施加端子，因而可簡(jiǎn)化電路。偏置電阻74、75分別起著阻止高頻信號(hào)的侵入的作用。上述偏置電阻74、75為阻止高頻信號(hào)的侵入，被設(shè)定到5kΩ以上100kΩ以下的電阻值。
以下對(duì)偏置電阻74、75被設(shè)定到5kΩ以上100kΩ以下的電阻值的理由作以說明。
首先，下限值為5kΩ的理由如下。當(dāng)偏置電阻74、75為低值后，高頻信號(hào)將轉(zhuǎn)入地線(GND)，不能進(jìn)行增益控制動(dòng)作，因而有必要處于5kΩ以上(隔離40dB以上)。在基準(zhǔn)電壓Vref1為3V的場(chǎng)合下，如果電阻值為5kΩ，則流經(jīng)各偏置電阻74、75的電流便成為I＝3V/10kΩ＝300μA，如果電阻值為5kΩ以下，則電流值便成為300μA以上，電耗增大。
另一方面，上限值為100kΩ的理由如下。在基準(zhǔn)電壓Vref1為3V的場(chǎng)合下，流經(jīng)各偏置電阻74、75的電流便成為I＝3V/200kΩ＝15μA。
此時(shí)偏置電阻75兩端的電壓是V＝15μA×100kΩ＝1.5V。
此時(shí)如果場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏電流為1μA，則會(huì)產(chǎn)生1μA×100kΩ＝0.1V的偏壓變動(dòng)，增益控制特性發(fā)生偏差，不能精度良好地進(jìn)行增益控制。
以下對(duì)在上述實(shí)施方式中，成為可變電阻55的場(chǎng)效應(yīng)晶體管60、成為可變電阻56的場(chǎng)效應(yīng)晶體管63、成為可變電阻58的場(chǎng)效應(yīng)晶體管67、成為可變電阻59的場(chǎng)效應(yīng)晶體管69采用同一閾值電壓的場(chǎng)合作以說明。尤其以各場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓相同為前提，對(duì)基準(zhǔn)電壓Vref1、Vref2的關(guān)系作以說明。
不過場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓不必完全相同，也可以相異。如果閾值電壓相異，可以據(jù)此來變更必要的基準(zhǔn)電壓Vref1、Vref2的關(guān)系。如果適當(dāng)?shù)卦O(shè)定閾值電壓，可以只使用單一的基準(zhǔn)電壓，來實(shí)現(xiàn)上述的動(dòng)作。
即，為使各可變電阻55、56、58、59在各增益控制電壓范圍內(nèi)改變衰落量，如果決定了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值，則有必要適當(dāng)設(shè)定2個(gè)基準(zhǔn)電壓，反之如果決定了基準(zhǔn)電壓，則有必要適當(dāng)設(shè)定場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值?？傊?，通過適當(dāng)設(shè)定場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值與基準(zhǔn)電壓及增益控制電壓的關(guān)系，可以由衰減器來實(shí)現(xiàn)所希望的動(dòng)作。
為使頻帶A的衰落量特性與頻帶B的衰落量特性相同，作為場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性，除了閾值之外，通路電阻(RON)、寄生電容(Cgd、Cgs、Cds)最好一致。
圖8中，作為實(shí)施方式2來表示一種下列的衰減器構(gòu)成其中，成為可變電阻55的場(chǎng)效應(yīng)晶體管60及成為可變電阻58的場(chǎng)效應(yīng)晶體管67、以及成為可變電阻56的場(chǎng)效應(yīng)晶體管63及成為可變電阻59的場(chǎng)效應(yīng)晶體管69采用具有不同的閾值電壓的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，并對(duì)各場(chǎng)效應(yīng)晶體管60、67、63、69施加同一基準(zhǔn)電壓。
這里，結(jié)合在增益控制電壓1.1V～1.8V范圍內(nèi)使增益變化的場(chǎng)合，對(duì)上述圖8的構(gòu)成所示的提供同一基準(zhǔn)電壓的場(chǎng)合下基準(zhǔn)電壓與各場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓示例作以說明。
在增益控制電壓1.1V～1.8V范圍內(nèi)使增益變化的場(chǎng)合下，施加1.6V基準(zhǔn)電壓后，根據(jù)(1)、(2)、(3)、(4)式的關(guān)系，場(chǎng)效應(yīng)晶體管60、67的閾值電壓被設(shè)定到-0.5V，場(chǎng)效應(yīng)晶體管63、69的閾值電壓被設(shè)定到-0.2V。通過如此設(shè)定，可進(jìn)行與圖5A～圖5C同樣的增益控制動(dòng)作。
這樣，基于適當(dāng)設(shè)定場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值并使用單一的基準(zhǔn)電壓的構(gòu)成，即對(duì)與各信號(hào)線串聯(lián)連接的場(chǎng)效應(yīng)晶體管60、67的源電極及與各信號(hào)線并聯(lián)連接的場(chǎng)效應(yīng)晶體管63、69的柵電極施加同一基準(zhǔn)電壓的構(gòu)成，即使對(duì)基準(zhǔn)電壓的變動(dòng)，也可以容易地預(yù)測(cè)特性離差，并可進(jìn)行考慮到了這一點(diǎn)的設(shè)定，因而可精度良好地進(jìn)行控制。此外由于可以削減基準(zhǔn)電壓施加，因而可簡(jiǎn)化電路構(gòu)成。
圖16表示實(shí)施方式3的衰減器的構(gòu)成。該衰減器中，成為可變電阻55的場(chǎng)效應(yīng)晶體管60及成為可變電阻58的場(chǎng)效應(yīng)晶體管67、以及成為可變電阻56的場(chǎng)效應(yīng)晶體管63及成為可變電阻59的場(chǎng)效應(yīng)晶體管69采用具有不同的閾值電壓的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，各場(chǎng)效應(yīng)晶體管60、67、63、69在基準(zhǔn)電位部(GND)57上接地。
與圖8的構(gòu)成相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管60、67及場(chǎng)效應(yīng)晶體管63、69采用閾值之差較大的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由此可進(jìn)一步削減基準(zhǔn)電壓。
這里，對(duì)用于使基準(zhǔn)電壓達(dá)到接地電位的閾值電壓之差作以說明。假設(shè)一種由圖8的電路在增益控制電壓1.1V～1.8V范圍內(nèi)使增益變化的場(chǎng)合。在該場(chǎng)合下，根據(jù)(1)、(2)、(3)、(4)式的關(guān)系，場(chǎng)效應(yīng)晶體管60、67與場(chǎng)效應(yīng)晶體管63、69的閾值電壓之差以下式來表達(dá)。
Vth_T_A-Vth_S_A＝VcOFF_T_A+VcOFF_S_A-2*Vref1...(9)Vth_T_B-Vth_S_B＝VcOFF_T_B+VcOFF_S_B-2*Vref1...(10)即成為Vth_T_A-Vth_S_A＝2.9-2*Vref1...(11)Vth_T_B-Vth_S_B＝2.9-2*Vref1...(12)。
由于在圖16的電路中，基準(zhǔn)電壓Vref1在基準(zhǔn)電位部(GND)上接地，因而可采用閾值之差大小為2.9V的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
這里，對(duì)與比如實(shí)施方式1同樣在1.1V～1.8V范圍內(nèi)改變?cè)鲆娴膱?chǎng)合下各場(chǎng)效應(yīng)晶體管60、67、63、69的閾值電壓值作以說明。
由于在增益控制電壓1.1V～1.8V范圍內(nèi)使增益變化的場(chǎng)合下，施加0V基準(zhǔn)電壓，因而根據(jù)(1)、(2)、(3)、(4)式的關(guān)系，場(chǎng)效應(yīng)晶體管60、67的閾值電壓被設(shè)定到+1.1V，場(chǎng)效應(yīng)晶體管63、69的閾值電壓被設(shè)定到-1.8V。通過如此設(shè)定，可進(jìn)行與圖5A～圖5C同樣的增益控制動(dòng)作。
這樣，基于適當(dāng)設(shè)定場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值而且元需基準(zhǔn)電壓的構(gòu)成，即，將與各信號(hào)線串聯(lián)連接的場(chǎng)效應(yīng)晶體管60、67的源電極及與各信號(hào)線并聯(lián)連接的場(chǎng)效應(yīng)晶體管63、69的柵電極與基準(zhǔn)電位部(GND)57連接的構(gòu)成，即，使場(chǎng)效應(yīng)晶體管60、67的源電極及場(chǎng)效應(yīng)晶體管63、69的柵電極接地的構(gòu)成，可以完全不考慮基準(zhǔn)電壓的變動(dòng)，只進(jìn)行控制電壓的設(shè)定即可，因而易于設(shè)計(jì)，并可進(jìn)行高精度的增益控制。此外由于可以削減基準(zhǔn)電壓，因而可簡(jiǎn)化電路構(gòu)成。
雖然在上述實(shí)施方式中，采用并聯(lián)連接基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的頻帶(A)側(cè)的可變電阻41及頻帶(B)側(cè)的可變電阻42這2個(gè)可變電阻的構(gòu)成，但也可以并聯(lián)連接超過該數(shù)量的多個(gè)可變電阻，越增加并聯(lián)連接的可變電阻數(shù)量，便越可能跨越多個(gè)頻帶來進(jìn)行增益控制。
此外雖然在上述實(shí)施方式中，采用了對(duì)于信號(hào)線47、48，在輸出端子45、46與基準(zhǔn)電位部57之間分別并聯(lián)插入了可變電阻56、59的構(gòu)成，但也可以采用在輸入端子43、44與基準(zhǔn)電位部57之間并聯(lián)插入的構(gòu)成。在該場(chǎng)合下，由于在信號(hào)線47、48中串聯(lián)(串聯(lián))連接的可變電阻55、58的輸入側(cè)插入并聯(lián)可變電阻56、59，因而可實(shí)現(xiàn)能改善串聯(lián)連接的可變電阻55、58的畸變特性，而且即使是高輸入信號(hào)，也可抑制畸變特性的劣化的增益控制。
雖然在上述實(shí)施方式中，在用于各可變電阻41、42的各場(chǎng)效應(yīng)晶體管60、63、67、69的漏-源電極之間不并聯(lián)連接任何器件來使用，但為了抑制各場(chǎng)效應(yīng)晶體管60、63、67、69的固有電阻值離差、以及為了控制可變電阻范圍，也可以在場(chǎng)效應(yīng)晶體管60、63、67、69的漏-源電極之間，并聯(lián)連接電阻等來使用。這樣，各可變電阻所具有的增益控制量可達(dá)到穩(wěn)定，可進(jìn)行極高精度的增益控制。
雖然在上述實(shí)施方式中，用于各可變電阻41、42的各場(chǎng)效應(yīng)晶體管60、63、67、69分別使用一個(gè)柵極，但也可以使用超過該數(shù)量的多個(gè)柵極(多柵極型)，越增加所使用的柵極數(shù)，增益控制幅度便越大，即使是高輸入信號(hào)，也可實(shí)現(xiàn)抑制畸變特性劣化的增益控制。
此外雖然在上述實(shí)施方式中，表示了一種對(duì)各可變電阻41、42，采用了各場(chǎng)效應(yīng)晶體管60、63、67、69的場(chǎng)合，但本發(fā)明不限于此，也可以是比如二極管等元件。此外雖然串聯(lián)可變電阻、并聯(lián)可變電阻各由1個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管來構(gòu)成，但也可以由2個(gè)以上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管或其它元件的串聯(lián)電路來構(gòu)成。
通過控制二極管的正向電流，以使ON電阻可變，來進(jìn)行基于二極管的衰減量控制。
此外這些衰減器不僅可用于PDC方式，還可用于各種移動(dòng)體通信方式(CDMA(IS-95)、GSM、EDGE、UMTS、PCS、DCS、W-CDMA、CDMA2000、PHS等)。
權(quán)利要求
1.一種衰減器，其特征在于具有第1信號(hào)線(47)，其由連接高頻信號(hào)的第1信號(hào)輸入部(43)及第1信號(hào)輸出部(45)的第1可變電阻(41)來組成；第2信號(hào)線(48)，其由連接高頻信號(hào)的第2信號(hào)輸入部(44)及第2信號(hào)輸出部(46)的第2可變電阻(42)來組成，并與第1信號(hào)線(47)并聯(lián)設(shè)置；基準(zhǔn)電壓施加部(51、52)，其與上述第1可變電阻(41)及上述第2可變電阻(42)連接；增益控制電壓施加部(50)，其與上述第1可變電阻(41)及上述第2可變電阻(42)連接，其中，設(shè)定上述第1可變電阻(41)及上述第2可變電阻(42)的衰落特性及對(duì)上述基準(zhǔn)電壓施加部的施加電壓，使得上述第1可變電阻(41)及上述第2可變電阻(42)的針對(duì)增益控制電壓的變化的衰落量的變化成為相同。
2.權(quán)利要求1中記載的衰減器，其中，上述第1可變電阻(41)由連接上述第1信號(hào)輸入部(43)與上述第1信號(hào)輸出部(45)的第3可變電阻(55)、以及連接上述第1信號(hào)輸入部(43)及上述第1信號(hào)輸出部(45)的任意一方與基準(zhǔn)電位部(57)的第4可變電阻(56)來組成，上述第2可變電阻(42)由連接上述第2信號(hào)輸入部(44)與上述第2信號(hào)輸出部(46)的第5可變電阻(58)、以及連接上述第2信號(hào)輸入部(44)及上述第2信號(hào)輸出部(46)的任意一方與上述基準(zhǔn)電位部(57)的第6可變電阻(59)來組成，上述基準(zhǔn)電壓施加部由第1基準(zhǔn)電壓施加部(51)與第2基準(zhǔn)電壓施加部(52)來組成，上述第3可變電阻(55)及上述第5可變電阻(58)與上述第1基準(zhǔn)電壓施加部(51)連接，上述第4可變電阻(56)及上述第6可變電阻(59)與上述第2基準(zhǔn)電壓施加部(52)連接，上述第3可變電阻(55)、上述第4可變電阻(56)、上述第5可變電阻(58)、上述第6可變電阻(59)各自與上述增益控制電壓施加部(50)連接。
3.權(quán)利要求2中記載的衰減器，其中，上述第3可變電阻(55)、上述第4可變電阻(56)、上述第5可變電阻(58)、上述第6可變電阻(59)的構(gòu)成是分別至少在第1、第2、第3及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(63)、(67)、(69)的柵極連接第1、第2、第3及第4電阻(61)、(64)、(68)、(70)，分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)的柵極，分別經(jīng)上述第1及第3電阻(61)、(68)來與上述增益控制電壓施加部(50)連接，分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的源極與上述增益控制電壓施加部(50)連接，分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)的源極分別經(jīng)第5及第6電阻(62)、(73)來與上述第1基準(zhǔn)電壓施加部(51)連接，分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的柵極，分別經(jīng)上述第2及第4電阻(64)、(70)來與上述第2基準(zhǔn)電壓施加部(52)連接，分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的漏極，分別經(jīng)第1及第2電容器(65)、(71)來分別與上述第1信號(hào)輸出部(45)、上述第2信號(hào)輸出部(46)連接，分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的源極，分別經(jīng)第3及第4電容器(66)、(72)來與上述基準(zhǔn)電位部(57)連接，包含上述第3可變電阻(55)的上述第1信號(hào)線(47)與包含上述第5可變電阻(58)的上述第2信號(hào)線(48)被并聯(lián)連接。
4.權(quán)利要求2中記載的衰減器，其中，施加到上述第2基準(zhǔn)電壓施加部(52)的電壓低于施加到上述第1基準(zhǔn)電壓施加部(51)的電壓。
5.權(quán)利要求2中記載的衰減器，其中，與施加到上述第1基準(zhǔn)電壓施加部(51)的電壓相比，施加到上述第2基準(zhǔn)電壓施加部(52)的電壓被設(shè)定為相當(dāng)于從將分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)成為完全斷路的增益控制電壓與分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)成為完全斷路的增益控制電壓相加了的值，減去了施加到上述第1基準(zhǔn)電壓施加部(51)的電壓的部分的低值。
6.權(quán)利要求2中記載的衰減器，其中，施加到上述第1基準(zhǔn)電壓施加部(51)、上述第2基準(zhǔn)電壓施加部(52)的電壓值，被設(shè)定為上述第1可變電阻(41)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與上述第2可變電阻(42)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍相一致。
7.權(quán)利要求2中記載的衰減器，其中，施加到上述第1基準(zhǔn)電壓施加部(51)、上述第2基準(zhǔn)電壓施加部(52)的電壓值，被設(shè)定為上述第3可變電阻(55)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與上述第5可變電阻(58)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍相同，而且上述第4可變電阻(56)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與上述第6可變電阻(59)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍成為相同。
8.權(quán)利要求2中記載的衰減器，其中，施加到上述第1基準(zhǔn)電壓施加部(51)、上述第2基準(zhǔn)電壓施加部(52)的電壓值，被設(shè)定為構(gòu)成上述第3可變電阻(55)的上述第1場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)成為完全斷路的增益控制電壓與構(gòu)成上述第5可變電阻(58)的上述第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(67)成為完全斷路的增益控制電壓相同，而且構(gòu)成上述第4可變電阻(56)的上述第2場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)成為完全斷路的增益控制電壓與構(gòu)成上述第6可變電阻(59)的上述第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(69)成為完全斷路的增益控制電壓成為相同。
9.權(quán)利要求2中記載的衰減器，其中，施加到上述第1基準(zhǔn)電壓施加部(51)、上述第2基準(zhǔn)電壓施加部(52)的電壓值，被設(shè)定為上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍高于上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍。
10.權(quán)利要求2中記載的衰減器，其中，施加到上述第1基準(zhǔn)電壓施加部(51)、上述第2基準(zhǔn)電壓施加部(52)的電壓值，被設(shè)定為分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)成為完全斷路的增益控制電壓，高于分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)成為完全斷路的增益控制電壓。
11.權(quán)利要求2中記載的衰減器，其中，分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的閾值電壓，高于分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)的閾值電壓。
12.權(quán)利要求2中記載的衰減器，其中，分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)的閾值電壓與分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的閾值電壓，被設(shè)定為上述第1可變電阻(41)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與上述第2可變電阻(42)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍相一致。
13.權(quán)利要求2中記載的衰減器，其中，分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)的閾值電壓與分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的閾值電壓，被設(shè)定為上述第3可變電阻(55)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與上述第5可變電阻(58)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍相同，而且上述第4可變電阻(56)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與上述第6可變電阻(59)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍成為相同。
14.權(quán)利要求2中記載的衰減器，其中，分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)的閾值電壓與分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的閾值電壓，被設(shè)定為構(gòu)成上述第3可變電阻(55)的上述第1場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)成為完全斷路的增益控制電壓與構(gòu)成上述第5可變電阻(58)的上述第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(67)成為完全斷路的增益控制電壓相同，而且構(gòu)成上述第4可變電阻(56)的上述第2場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)成為完全斷路的增益控制電壓與構(gòu)成上述第6可變電阻(59)的上述第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(69)成為完全斷路的增益控制電壓成為相同。
15.權(quán)利要求2中記載的衰減器，其中，分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)的閾值電壓與分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的閾值電壓，被設(shè)定為以上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍高于上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍的增益控制電壓來動(dòng)作。
16.權(quán)利要求2中記載的衰減器，其中，分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)的閾值電壓與分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的閾值電壓，被設(shè)定為以分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)成為完全斷路的增益控制電壓高于分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)成為完全斷路的增益控制電壓的值來動(dòng)作。
17.權(quán)利要求1中記載的衰減器，其中，上述第1可變電阻(41)由連接上述第1信號(hào)輸入部(43)與上述第1信號(hào)輸出部(45)的第3可變電阻(55)、連接上述第1信號(hào)輸入部(43)及上述第1信號(hào)輸出部(45)的任意一方與基準(zhǔn)電位部(57)的第4可變電阻(56)來組成，上述第2可變電阻(42)由連接上述第2信號(hào)輸入部(44)與上述第2信號(hào)輸出部(46)的第5可變電阻(58)、連接上述第2信號(hào)輸入部(44)及上述第2信號(hào)輸出部(46)的任意一方與上述基準(zhǔn)電位部(57)的第6可變電阻(59)來組成，上述第3可變電阻(55)、上述第4可變電阻(56)、上述第5可變電阻(58)、上述第6可變電阻(59)與上述基準(zhǔn)電壓施加部(51)連接，上述第3可變電阻(55)、上述第4可變電阻(56)、上述第5可變電阻(58)、上述第6可變電阻(59)各自與上述增益控制電壓施加部(50)連接。
18.權(quán)利要求17中記載的衰減器，其中，上述第3可變電阻(55)、上述第4可變電阻(56)、上述第5可變電阻(58)、上述第6可變電阻(59)的構(gòu)成是分別至少在第1、第2、第3及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(63)、(67)、(69)的柵極連接第1、第2、第3及第4電阻(61)、(64)、(68)、(70)，分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)的柵極，分別經(jīng)上述第1及第3電阻(61)、(68)來與上述增益控制電壓施加部(50)連接，分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的源極與上述增益控制電壓施加部(50)連接，分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)的源極分別經(jīng)上述第5及第6電阻(62)、(73)來連接的第1部分(53)被直接連接到上述基準(zhǔn)電壓施加部(51)，在分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)的源極分別經(jīng)上述第5及第6電阻(62)、(73)來連接的第1部分(53)，與分別經(jīng)上述第2及第4電阻(64)、(70)來連接到分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的柵極的第2部分(54)之間，插入連接第7電阻(74)，在分別經(jīng)上述第2及第4電阻(64)、(70)來連接到分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的柵極的第2部分(54)與上述基準(zhǔn)電位部(57)之間，插入連接第8電阻(75)，分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的漏極分別經(jīng)第1及第2電容器(65)、(71)被分別連接到上述第1信號(hào)輸出部(45)、上述第2信號(hào)輸出部(46)，分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的源極分別經(jīng)第3及第4電容器(66)、(72)被連接到上述基準(zhǔn)電位部(57)，包含上述第3可變電阻(55)的上述第1信號(hào)線(47)與包含上述第5可變電阻(58)的上述第2信號(hào)線(48)被并聯(lián)連接。
19.權(quán)利要求17中記載的衰減器，其中，上述第3可變電阻(55)、上述第4可變電阻(56)、上述第5可變電阻(58)、上述第6可變電阻(59)的構(gòu)成是分別至少在第1、第2、第3及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(63)、(67)、(69)的柵極連接第1、第2、第3及第4電阻(61)、(64)、(68)、(70)，分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)的柵極，分別經(jīng)上述第1及第3電阻(61)、(68)來與上述增益控制電壓施加部(50)連接，分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的源極與上述增益控制電壓施加部(50)連接，分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)的源極分別經(jīng)第5及第6電阻(62)、(73)來連接到上述基準(zhǔn)電壓施加部(51)，分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的柵極分別經(jīng)第2及第4電阻(64)、(70)來連接到上述基準(zhǔn)電壓施加部(51)，分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的漏極分別經(jīng)第1及第2電容器(65)、(71)來分別連接到上述第1信號(hào)輸出部(45)、上述第2信號(hào)輸出部(46)，分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的源極分別經(jīng)第3及第4電容器(66)、(72)來連接到上述基準(zhǔn)電位部(57)，包含上述第3可變電阻(55)的上述第1信號(hào)線(47)與包含上述第5可變電阻(58)的上述第2信號(hào)線(48)被并聯(lián)連接。
20.權(quán)利要求19中記載的衰減器，其中，上述基準(zhǔn)電壓施加部(51)與上述基準(zhǔn)電位部(57)是共通的。
21.一種便攜電話終端裝置，其特征在于由處理語音信號(hào)的基帶部(101)；將由上述基帶部(101)處理的語音信號(hào)作為輸入，在與基站之間進(jìn)行通信的無線部(201)來組成，上述無線部(201)由生成向上述基站的發(fā)送信號(hào)的發(fā)送部(260)；接收來自上述基站的發(fā)送信號(hào)的接收部(220)來組成，上述發(fā)送部(260)由進(jìn)行從上述基帶部(101)提供的語音信號(hào)的調(diào)制、中頻信號(hào)的增益控制及用于頻率轉(zhuǎn)換的混合的中頻部(230)；放大從上述中頻部(230)輸出的高頻信號(hào)并提供給天線的高頻部(270)來組成，上述高頻部(270)由對(duì)從上述中頻部(230)輸出的至少2個(gè)以上頻帶的高頻信號(hào)的增益進(jìn)行控制，有選擇地輸出至少2個(gè)以上頻帶的高頻信號(hào)的增益控制器(271)；對(duì)上述增益控制器(271)的至少2個(gè)以上的輸出分別有選擇地進(jìn)行功率放大的第1功率放大器(242)；第2功率放大器(252)來組成，上述基帶部(101)包含控制部(120)，上述控制部(120)在檢測(cè)基于上述接收部(220)的接收信號(hào)的信號(hào)信息的同時(shí)，將與該信息對(duì)應(yīng)的增益控制電壓加到上述增益控制器(271)，由此將來自上述第1功率放大器(242)的輸出切換到來自上述第2功率放大器(252)的輸出，與上述接收信號(hào)的信號(hào)信息對(duì)應(yīng)來設(shè)定上述第2功率放大器(252)的輸出電平的目標(biāo)值，將上述第2功率放大器(252)的輸出電平與上述第2功率放大器(252)的輸出電平的目標(biāo)值進(jìn)行比較，將與該比較結(jié)果對(duì)應(yīng)的增益控制電壓加到上述增益控制器(271)及可變?cè)鲆嬷蓄l放大器(232)，由此對(duì)上述增益控制器(271)及上述可變?cè)鲆嬷蓄l放大器(232)的增益進(jìn)行跟蹤控制，使得上述第2功率放大器(252)的輸出電平與上述第2功率放大器(252)的輸出電平的目標(biāo)值相一致，上述增益控制器(271)由以下部分來構(gòu)成即由連接高頻信號(hào)的第1信號(hào)輸入部(43)與第1信號(hào)輸出部(45)的第1可變電阻(41)組成的第1信號(hào)線(47)；與上述第1信號(hào)線(47)至少并聯(lián)設(shè)置1個(gè)以上，由連接高頻信號(hào)的第2信號(hào)輸入部(44)與第2信號(hào)輸出部(46)的第2可變電阻(42)組成的第2信號(hào)線(48)；與上述第1可變電阻(41)、上述第2可變電阻(42)的各個(gè)連接的第1基準(zhǔn)電壓施加部(51、52)；與上述第1可變電阻(41)、上述第2可變電阻(42)的各個(gè)連接并施加上述增益控制電壓的增益控制電壓施加部(50)，設(shè)定上述第1可變電阻(41)及上述第2可變電阻(42)的衰落特性及對(duì)上述基準(zhǔn)電壓施加部的施加電壓，使上述第1可變電阻(41)及第2可變電阻(42)的針對(duì)增益控制電壓的變化的衰落量的變化成為相同。
22.權(quán)利要求21中記載的便攜電話終端裝置，其中，上述第1可變電阻(41)由連接上述第1信號(hào)輸入部(43)與上述第1信號(hào)輸出部(45)的第3可變電阻(55)、以及連接上述第1信號(hào)輸入部(43)及上述第1信號(hào)輸出部(45)的任意一方與基準(zhǔn)電位部(57)的第4可變電阻(56)來組成，上述第2可變電阻(42)由連接上述第2信號(hào)輸入部(44)與上述第2信號(hào)輸出部(46)的第5可變電阻(58)、以及連接上述第2信號(hào)輸入部(44)及上述第2信號(hào)輸出部(46)的任意一方與上述基準(zhǔn)電位部(57)的第6可變電阻(59)來組成，上述基準(zhǔn)電壓施加部由第1基準(zhǔn)電壓施加部(51)及第2基準(zhǔn)電壓施加部(52)來組成，上述第3可變電阻(55)及上述第5可變電阻(58)與上述第1基準(zhǔn)電壓施加部(51)連接，上述第4可變電阻(56)及上述第6可變電阻(59)與上述第2基準(zhǔn)電壓施加部(52)連接，上述第3可變電阻(55)、上述第4可變電阻(56)、上述第5可變電阻(58)、上述第6可變電阻(59)各自與上述增益控制電壓施加部(50)連接。
23.權(quán)利要求22中記載的便攜電話終端裝置，其中，上述第3可變電阻(55)、上述第4可變電阻(56)、上述第5可變電阻(58)、上述第6可變電阻(59)的構(gòu)成是分別至少在第1、第2、第3及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(63)、(67)、(69)的柵極連接第1、第2、第3及第4電阻(61)、(64)、(68)、(70)，分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)的柵極，分別經(jīng)上述第1及第3電阻(61)、(68)來與上述增益控制電壓施加部(50)連接，分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的源極與上述增益控制電壓施加部(50)連接，分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)的源極分別經(jīng)第5及第6電阻(62)、(73)來與上述第1基準(zhǔn)電壓施加部(51)連接，分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的柵極，分別經(jīng)上述第2及第4電阻(64)、(70)來與上述第2基準(zhǔn)電壓施加部(52)連接，分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的漏極，分別經(jīng)第1及第2電容器(65)、(71)來分別與上述第1信號(hào)輸出部(45)、上述第2信號(hào)輸出部(46)連接，分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的源極，分別經(jīng)第3及第4電容器(66)、(72)來與上述基準(zhǔn)電位部(57)連接，包含上述第3可變電阻(55)的上述第1信號(hào)線(47)與包含上述第5可變電阻(58)的上述第2信號(hào)線(48)被并聯(lián)連接。
24.權(quán)利要求22中記載的便攜電話終端裝置，其中，施加到上述第2基準(zhǔn)電壓施加部(52)的電壓低于施加到上述第1基準(zhǔn)電壓施加部(51)的電壓。
25.權(quán)利要求22中記載的便攜電話終端裝置，其中，與施加到上述第1基準(zhǔn)電壓施加部(51)的電壓相比，施加到上述第2基準(zhǔn)電壓施加部(52)的電壓被設(shè)定為相當(dāng)于從將分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)成為完全斷路的增益控制電壓與分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)成為完全斷路的增益控制電壓相加了的值，減去了施加到上述第1基準(zhǔn)電壓施加部(51)的電壓的部分的低值。
26.權(quán)利要求22中記載的便攜電話終端裝置，其中，施加到上述第1基準(zhǔn)電壓施加部(51)、上述第2基準(zhǔn)電壓施加部(52)的電壓值，被設(shè)定為上述第1可變電阻(41)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與上述第2可變電阻(42)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍相一致。
27.權(quán)利要求22中記載的便攜電話終端裝置，其中，施加到上述第1基準(zhǔn)電壓施加部(51)、上述第2基準(zhǔn)電壓施加部(52)的電壓值，被設(shè)定為上述第3可變電阻(55)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與上述第5可變電阻(58)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍相同，而且上述第4可變電阻(56)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與上述第6可變電阻(59)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍成為相同。
28.權(quán)利要求22中記載的便攜電話終端裝置，其中，施加到上述第1基準(zhǔn)電壓施加部(51)、上述第2基準(zhǔn)電壓施加部(52)的電壓值，被設(shè)定為構(gòu)成上述第3可變電阻(55)的上述第1場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)成為完全斷路的增益控制電壓與構(gòu)成上述第5可變電阻(58)的上述第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(67)成為完全斷路的增益控制電壓相同，而且構(gòu)成上述第4可變電阻(56)的上述第2場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)成為完全斷路的增益控制電壓與構(gòu)成上述第6可變電阻(59)的上述第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(69)成為完全斷路的增益控制電壓成為相同。
29.權(quán)利要求22中記載的便攜電話終端裝置，其中，施加到上述第1基準(zhǔn)電壓施加部(51)、上述第2基準(zhǔn)電壓施加部(52)的電壓值，被設(shè)定為上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍高于上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍。
30.權(quán)利要求22中記載的便攜電話終端裝置，其中，施加到上述第1基準(zhǔn)電壓施加部(51)、上述第2基準(zhǔn)電壓施加部(52)的電壓值，被設(shè)定為分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)成為完全斷路的增益控制電壓，高于分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)成為完全斷路的增益控制電壓。
31.權(quán)利要求22中記載的便攜電話終端裝置，其中，分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的閾值電壓，高于分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)的閾值電壓。
32.權(quán)利要求22中記載的便攜電話終端裝置，其中，分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)的閾值電壓與分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的閾值電壓，被設(shè)定為上述第1可變電阻(41)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與上述第2可變電阻(42)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍相一致。
33.權(quán)利要求22中記載的便攜電話終端裝置，其中，分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)的閾值電壓與分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的閾值電壓，被設(shè)定為上述第3可變電阻(55)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與上述第5可變電阻(58)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍相同，而且上述第4可變電阻(56)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍與上述第6可變電阻(59)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍成為相同。
34.權(quán)利要求22中記載的便攜電話終端裝置，其中，分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)的閾值電壓與分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的閾值電壓，被設(shè)定為構(gòu)成上述第3可變電阻(55)的上述第1場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)成為完全斷路的增益控制電壓與構(gòu)成上述第5可變電阻(58)的上述第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(67)成為完全斷路的增益控制電壓相同，而且構(gòu)成上述第4可變電阻(56)的上述第2場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)成為完全斷路的增益控制電壓與構(gòu)成上述第6可變電阻(59)的上述第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(69)成為完全斷路的增益控制電壓成為相同。
35.權(quán)利要求22中記載的便攜電話終端裝置，其中，分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)的閾值電壓與分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的閾值電壓，被設(shè)定為以上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍高于上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)進(jìn)行增益控制動(dòng)作的增益控制電壓范圍的增益控制電壓來動(dòng)作。
36.權(quán)利要求22中記載的便攜電話終端裝置，其中，分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)的閾值電壓與分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)的閾值電壓，被設(shè)定為以分別構(gòu)成上述第4可變電阻(56)、上述第6可變電阻(59)的上述第2及第4場(chǎng)效應(yīng)晶體管(63)、(69)成為完全斷路的增益控制電壓高于分別構(gòu)成上述第3可變電阻(55)、上述第5可變電阻(58)的上述第1及第3場(chǎng)效應(yīng)晶體管(60)、(67)成為完全斷路的增益控制電壓的值來動(dòng)作。
全文摘要
具有與信號(hào)線A連接的基于至少1個(gè)以上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的串聯(lián)可變電阻及在信號(hào)輸出部A與基準(zhǔn)電位部GND之間連接的基于至少1個(gè)以上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的并聯(lián)可變電阻，還具有與信號(hào)線A并聯(lián)設(shè)置的信號(hào)線B所連接的基于至少1個(gè)以上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的串聯(lián)可變電阻及在信號(hào)輸出部B與基準(zhǔn)電位部GND之間連接的基于至少1個(gè)以上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的并聯(lián)可變電阻。
文檔編號(hào)H03G3/10GK1577954SQ20041006292
公開日2005年2月9日 申請(qǐng)日期2004年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月1日
發(fā)明者稻森正彥, 高木恒洋, 中山雅央, 本吉要 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社