專利名稱：制作表面聲波器件的方法及表面聲波器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制作以倒裝芯片連接法封裝之表面聲波器件的方法，特別涉及一種制作表面聲波器件的方法，其中，在壓電襯底上設(shè)置電極，電極的一部分上層疊有多個電極層，并且，形成用來覆蓋電極的絕緣層；本發(fā)明還涉及表面聲波器件。
背景技術(shù)：
至今已提出不同類型的用倒裝芯片法安裝在封裝上的表面聲波器件。在一些表面聲波器件中，一部分電極具有多個電極層彼此層疊的結(jié)構(gòu)。例如，在一些情況下，在與叉指電極接觸的接線電極中，多個電極層彼此層疊，以減少電阻。另外，在有些情況下，與接線電極接觸的電極焊接區(qū)具有多個電極層彼此層疊的結(jié)構(gòu)，以便能緩和凸起粘接過程中對襯底的沖擊。此外，在另一些情況下，叉指電極的母線具有多個電極層彼此層疊的結(jié)構(gòu)。因此，禁閉效果增強，插入損失減少，通頻帶寬增加。
另外，在有些情況下，在這些型式的表面聲波器件中，形成由SiO2、SiN等制成的絕緣膜，用以覆蓋除凸起粘結(jié)部分以外的電極，以保護電極和校準頻率。
日本專利No.3435639(專利文件1)描述了一種制作上述表面聲波器件方法的例子。下面參考圖6A、6B和6C，7A、7B和7C描述專利文件1制作表面聲波器件的方法。
首先，如圖6A所示，在壓電襯底101上形成第一電極層102。接著如圖6B所示，在第一電極層102上形成第二電極層103。在第一電極層102上表面的一部分上，而不是在它的整個上表面上形成第二電極層103。也就是說，只在要形成上述電極焊接區(qū)、接線電極和母線的區(qū)域提供第二電極層103。因此，形成接線電極104、電極焊接區(qū)105和母線106，其中使第一和第二電極層彼此層疊。電極層107是一個構(gòu)成叉指電極的電極指狀物的一部分。所以，構(gòu)成電極指狀物的部分107只由第一電極層102構(gòu)成。
接下來，如圖6C所示，將凸起108粘結(jié)在電極焊接區(qū)105上。
繼而，如圖7A所示，在其上整體地形成由SiO2制成的絕緣膜109。然后，再如圖7B所示，蝕刻絕緣膜109，從而露出凸起108。另外，蝕刻絕緣膜109，使其厚度減小，如圖7C所示。由此，使頻率特性得以被校準。
此外，日本未審專利申請公開No.10-163789(專利文件2)披露了一種不同于專利文件1中描述的制作表面聲波器件的方法。下面將參考圖8A至8C和9A至9C描述專利文件2中制作表面聲波器件的方法。
首先，在壓電襯底201上形成第一電極層202，如圖8A所示。接著在第一電極層202上形成第二電極層203，如圖8B所示。
只在要形成電極焊接區(qū)、接線電極和母線的區(qū)域提供第二電極層203。
至此，形成接線電極204、電極焊接區(qū)205和母線206。電極層207與構(gòu)成叉指電極的電極指狀物部分相應(yīng)。
然后如圖8C所示，將SiO2制成的絕緣膜208層疊在整個表面上。接著如圖9A所示，通過蝕刻除去電極焊接區(qū)205上存在的絕緣膜208部分。然后如圖9B所示，蝕刻絕緣膜208，使其厚度減小。由此，使頻率特性得以被校準。最后，使凸起209粘結(jié)在電極焊接區(qū)205上。
參照專利文件1中所述的制作方法，在形成電極焊接區(qū)105之后，立即將凸起108粘結(jié)到構(gòu)成電極焊接區(qū)105的部分第二電極層103的上表面。相應(yīng)地，可使電極焊接區(qū)105與凸起108之間的粘接強度顯著增強。不過，在形成凸起108之后，形成絕緣膜109，從使凸起108得以被覆蓋。如圖7C所示，除去凸起108上存在的絕緣膜109。但問題在于，在倒裝芯片粘結(jié)時，由于凸起上的絕緣膜殘渣之故，可能會使凸起108與封裝的電極之間的粘接強度降低。
另外，參照專利文件2所述的制作方法，在形成電極焊接區(qū)205之后，立即形成絕緣膜208。除去電極焊接區(qū)上存在的絕緣膜208。此后在電極焊接區(qū)205上形成凸起209。因此，有可能由于絕緣膜殘渣的緣故，會使電極焊接區(qū)205與凸起209之間的粘接強度降低。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述問題，本發(fā)明的優(yōu)選實施例提供一種制作表面聲波器件的方法，所述表面聲波器件包括凸起和絕緣膜，并用倒裝芯片工藝被安裝于封裝上，其中，凸起與電極焊接區(qū)之間的粘接強度足夠高，并防止凸起與組件上的電極之間的粘接強度降低，另外還提供一種表面聲波器件。
按照本發(fā)明的第一優(yōu)選實施例，提供一種制作表面聲波器件的方法，其中，在壓電襯底上形成的電極包括叉指電極、與叉指電極接觸的接線電極和連接至接線電極的電極焊接區(qū)；至少所述電極焊接區(qū)具有多個電極層彼此層疊的結(jié)構(gòu)；將凸起粘結(jié)至電極焊接區(qū)，所述方法依序包括下述步驟在壓電襯底上形成用來構(gòu)成叉指電極、接線電極和電極焊接區(qū)的第一電極膜；在壓電襯底上形成絕緣膜，以覆蓋第一電極膜；將絕緣膜制成圖案，除去部分第一電極膜上存在的絕緣膜，所述第一電極膜上將要層疊第二電極膜；在已除去絕緣膜的第一電極膜的那部分上形成第二電極膜；以及將凸起粘結(jié)在第二電極膜上。這樣，凸起被直接粘結(jié)至第二電極層。因此，可使電極與凸起之間的粘接強度能顯著增強。另外，在凸起形成之后，并不在凸起上形成絕緣膜。因此，避免封裝上的凸起與電極間的粘接強度降低，而這種情況會因絕緣膜殘渣存在的緣故而發(fā)生。
在第一電極膜上形成第二電極膜之前，除去第一電極膜上將要形成第二電極膜的部分上存在的絕緣膜。最好用薄膜形成法或其他適當?shù)倪^程形成所述第一和第二電極膜。因此，雖然除去第一電極膜上的絕緣膜并在其上形成第二電極膜，但第一和第二電極膜之間的粘接強度是足夠高的。
按照本發(fā)明的優(yōu)選實施例，在使用凸起通過倒裝芯片而被安裝到封裝上的表面聲波器件中，凸起與電極焊接區(qū)之間的電連接強度，以及封裝組件上的凸起與電極之間的粘接強度都被顯著地增強。
第一電極膜上將要層疊第二電極膜的部分最好包括用來構(gòu)成電極焊接區(qū)、接線電極和叉指電極的母線的各個部分。因此，當向那里粘結(jié)凸起時可避免襯底破裂。接線電極有低電阻，可將表面聲波器件有效地禁閉在叉指電極的母線之間。
按照本發(fā)明的第二優(yōu)選實施例，提供一種制作表面聲波器件的方法，其中，在壓電襯底上形成的電極包括叉指電極、與叉指電極接觸的接線電極和連接至接線電極的電極焊接區(qū)；至少所述電極焊接區(qū)具有多個電極層彼此層疊的結(jié)構(gòu)；將凸起粘結(jié)至電極焊接區(qū)，所述方法依序包括下述步驟在壓電襯底上形成至少構(gòu)成叉指電極和接線電極的第一電極膜；在壓電襯底上形成絕緣膜，以覆蓋第一電極膜；將絕緣膜制成圖案，以便除去第一電極膜上將要層疊第二電極膜的部分上存在的絕緣膜；除去壓電襯底上將要形成用以構(gòu)成電極焊接區(qū)的第二電極膜的那部分上所存在的絕緣膜；在第一電極膜上已除去絕緣膜的部分和壓電襯底上將要形成第二電極膜的那部分上形成第二電極膜；以及將凸起粘結(jié)在用來構(gòu)成電極焊接區(qū)的第二電極膜上。這樣，在構(gòu)成電極焊接區(qū)的電極膜上形成沒有殘渣的絕緣膜，從而可使電極焊接區(qū)與凸起之間的粘接強度有效地增強。按照本發(fā)明的優(yōu)選實施例，可由第二電極膜形成電極焊接區(qū)，與叉指電極和接線電極相反，沒有第一和第二電極膜層疊的結(jié)構(gòu)。
所述方法最好還包括在絕緣膜制成圖案之后，減小絕緣膜的厚度以校準頻率的步驟。因此，表面聲波器件有滿意的頻率特性。
最好使SiO2膜或SiN形成為所述的絕緣膜。由SiO2膜或SiN膜保護電極，進而可使溫度特性得到改善。
作為第二電極膜的下層，最好形成粘結(jié)電極層，用來增強第一電極膜與第二電極膜之間的粘接強度，并在粘結(jié)電極層上形成第二電極膜。從而，使第一與第二電極層之間的粘接強度得到有效地增強。
作為第一電極膜的下層，最好形成底電極層，用來增強壓電襯底與電極之間的粘接強度，并在底電極層上形成第一電極膜。從而，使電極與壓電襯底之間的粘接強度被顯著增強。
按照本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例，一種表面聲波器件，包括壓電襯底；布置在壓電襯底上的電極，所述電極包括叉指電極、連接至叉指電極的接線電極和電極焊接區(qū)；粘結(jié)在電極焊接區(qū)上的凸起；電極的一部分至少包括具有多個電極膜層疊結(jié)構(gòu)的電極焊接區(qū)；以及安排絕緣膜，使得覆蓋除具有多個電極膜層疊結(jié)構(gòu)的電極部分以外的區(qū)域。因而，使叉指電極得到保護。通過調(diào)整絕緣膜的厚度可以實現(xiàn)頻率校準。因此，可靠性高，特性的認可率大為改善。
從下面參考附圖對優(yōu)選實施例的詳細描述，將使本發(fā)明的其它性能、要素、步驟、特點和優(yōu)點更為清楚。


圖1A、1B、1C和1D是表示本發(fā)明優(yōu)選實施例制作表面聲波器件方法的剖視圖；圖2A和2B是表示本發(fā)明優(yōu)選實施例制作表面聲波器件方法的前剖視圖；圖3是作為表面聲波器件的梯形濾波器的電路圖，應(yīng)用本發(fā)明優(yōu)選實施例制作表面聲波器件的方法制作所述表面聲波器件；圖4是作為表面聲波器件的梯形濾波器的平面視圖，應(yīng)用本發(fā)明優(yōu)選實施例制作表面聲波器件的方法制作所述表面聲波器件；圖5是設(shè)置相同電極膜的表面聲波器件改型的前剖視圖；圖6A、6B和6C是表示已知制作表面聲波器件方法示例的前剖視圖；圖7A、7B和7C是表示圖6A至6C所示制作表面聲波器件方法各個步驟的前剖面圖；圖8A、8B和8C是表示已知制作表面聲波器件方法另一示例的前剖視圖；圖9A、9B和9C是表示圖8A至8C所示制作方法各步驟之后實現(xiàn)的表面聲波器件制造步驟的前剖視圖。
具體實施例方式
下面，從參考附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例，將使本發(fā)明顯得更加清楚。
現(xiàn)在參考圖1A至1D、2A和2B描述本發(fā)明優(yōu)選實施例的制作方法。
首先，如圖1A所示，制備壓電襯底1。在壓電襯底1上形成第一電極膜2。最好用導電材料，如Al、Cu、Au、Pt或Ti制成第一電極膜2。為形成第一電極膜2，采用適當方法，如汽相淀積、噴射或電鍍，或者其他合適的工藝形成金屬膜，然后，采用光刻技術(shù)將金屬膜制成圖案。應(yīng)予說明的是，當用光刻技術(shù)使金屬膜制成圖案并且再蝕刻時，作為蝕刻方法，可采取使用等離子體或其他合適工藝的濕式蝕刻和干式蝕刻。此外，可用移去方法形成第一電極膜2。
最好形成第一電極膜2，以便至少構(gòu)成叉指電極、接線電極和電極焊接區(qū)。也就是說，安排第一電極膜2，為的是在壓電襯底1上形成各個電極部分。
此后，如圖1B所示，形成絕緣膜3以覆蓋壓電襯底1的整個上表面1a。作為絕緣膜3，可使用由各種絕緣材料，如SiO2、AIN、Al2O3、SiN等制成的絕緣膜?？捎眠m當?shù)姆椒ǎ鐕娚浠蚱渌线m的工藝制作絕緣膜3。
絕緣膜3在表面聲波器件中起保護膜的作用。另外，提供絕緣膜3為的是進行本優(yōu)選實施例的頻率校準。
接著，如圖1C所示，將絕緣膜3制成圖案。實現(xiàn)繪制圖案，以便除去部分絕緣膜3，在所述絕緣膜3中，有如下面將要描述的那樣，要將第二電極膜層疊在第一電極膜2上。例如，在絕緣膜3的整個表面上提供正型抗蝕劑。然后，將具有與要除去之絕緣膜部分相應(yīng)的開口掩模層疊在抗蝕劑上，隨后曝光。除去抗蝕劑的曝光部分。除去絕緣膜上要形成第二電極膜的部分。此后，除去剩余的抗蝕劑。另外，在光刻技術(shù)中，通過用光網(wǎng)分步曝光可以除去部分絕緣膜。
在如上所述制成絕緣膜3之后，測量表面聲波器件的頻率特性。為校準頻率，根據(jù)測量結(jié)果，通過蝕刻，減小絕緣膜的厚度(參看圖1D)。與絕緣膜3蝕刻方法相同，可采取使用等離子體或其他工藝的濕式蝕刻和干式蝕刻。在無需頻率校準的情況下，可以省略減小絕緣膜3厚度的處理。
隨后，如圖2A所示，在第一電極膜2的暴露部分形成第二電極膜4。第二電極膜4被形成于與叉指電極5的母線5a和5b、接線電極6以及電極焊接區(qū)7相應(yīng)的部分第一電極膜2上。也就是說，母線5a和5b、接線電極6和電極焊接區(qū)7各具有其中第一和第二電極膜層疊的結(jié)構(gòu)。
最好只由第一電極膜2形成叉指電極5的電極指狀物5c。
由適當?shù)膶щ姴牧希鏏l、Cu、Ti或其他合適的材料形成第二電極膜4。形成第二電極膜4的方法不受特別的限制?？赏ㄟ^適當方法提供第二電極膜4，即通過在整個表面上形成金屬膜，成為第二電極膜，并用濕式或干式蝕刻或用平板印刷法制成圖案。
由于形成第二電極膜4，可緩解將凸起粘結(jié)至電極焊接區(qū)7時產(chǎn)生的沖擊，并可防止由于在倒裝芯片粘結(jié)處加給所述凸起的應(yīng)力而使壓電襯底破裂。此外，可減小接線電極6的電阻，提高叉指電極5中表面聲波器件的禁閉效果。
此后，如圖2B所示，凸起8被粘結(jié)至電極焊接區(qū)7。凸起8可由適當?shù)膶щ姴牧侠鏏u、焊料或其他合適的材料制成。
根據(jù)本優(yōu)選實施例，凸起8最好直接粘結(jié)在第二電極膜4的上表面。這樣，凸起8與電極焊接區(qū)7之間的粘接強度大為增加。在上述生產(chǎn)的表面聲波器件中，在凸起8的表面上不產(chǎn)生絕緣膜殘渣。因此，凸起8與組件上的襯底的電極表面之間的粘接強度大為提高。
圖1A至1D、2A和2B示出表面聲波器件中形成一個叉指電極、與叉指電極接觸的接線電極和電極焊接區(qū)的部分。根據(jù)本發(fā)明，在壓電襯底上形成的電極結(jié)構(gòu)不受特別的限制。本發(fā)明可用于制作各種表面聲波諧振器和表面聲波器件。例如，本發(fā)明可用于制作圖3和圖4所示的梯形濾波器。
圖3示出比如優(yōu)選應(yīng)用本發(fā)明的梯形濾波器的電路結(jié)構(gòu)。圖4是它的示意平面圖。如圖3所示，在梯形濾波器11中，將串聯(lián)臂諧振器S1和S2并入輸入端子12和輸出端子13彼此連接所經(jīng)過的串聯(lián)臂上。將并聯(lián)臂諧振器P1-P3分別安排在并聯(lián)臂上。
如圖4所示，在梯形濾波器11中，安排各有一對端子的表面聲波器件諧振器，使串聯(lián)臂諧振器S1和S2以及并聯(lián)諧振器P1-P3安排在壓電襯底14上。
根據(jù)本發(fā)明，在梯形濾波器11中，最好形成絕緣膜和凸起，使凸起與電極焊接區(qū)之間以及凸起與封裝之間的粘接強度足夠高，如在上述優(yōu)選此外，根據(jù)上述優(yōu)選實施例，第二電極膜4層疊在第一電極膜2的一部分上。電極可以具有包括至少彼此層疊的三個電極膜的結(jié)構(gòu)。如圖5所示，可在第一電極膜2的下面形成底電極層21。優(yōu)選采用對壓電襯底1的粘附性高于對第一電極膜2粘附性的導電材料形成底電極層21。由此能顯著提高電極與壓電襯底之間的粘接強度。作為能形成具有優(yōu)良粘附性的底電極層的導電材料，可列舉Ti、Cr、NiCr合金，或者其他材料。另外，可形成粘結(jié)電極層，作為第二電極膜4的下層。由此，使第一電極膜2與第二電極膜4之間的粘結(jié)顯著增強。
關(guān)于本優(yōu)選實施例制作表面聲波器件生的法，有些情況下，在光刻和形成金屬膜凸起的處理或其他處理中實行熱處理。于是，由于壓電襯底的熱電效應(yīng)，可能會在信號線與地線之間的小空隙中發(fā)生所不希望有的放電(熱電破裂)，在叉指電極和抗蝕劑中產(chǎn)生故障。在這種情況下，下面的方法是有效的當形成叉指電極時，使信號線側(cè)的電極與地線側(cè)的電極彼此短路，以使各條線上的電位變成彼此相等；提供小的虛設(shè)空隙，并有意在小的虛設(shè)空隙引起熱電破裂；使用經(jīng)縮小處理并具有體電阻率約為107Ω·cm至1013Ω·cm的壓電襯底等。在使用經(jīng)縮小處理的壓電襯底的情況下，無需切割處理之后的短路線，而且抗熱電破裂的措施也是不必要的。因此，使用經(jīng)縮小處理的壓電襯底可降低成本。
下面將描述本優(yōu)選實施例制作方法的改型例。在這個改型例中，首先，在壓電襯底上形成由比如Ti制成的底電極和Al-Cu制成的第一電極膜。在將要形成叉指電極和接線電極的區(qū)域形成底電極和第一電極膜。
然后，在壓電襯底的整個表面上形成SiO2膜，作為絕緣膜。蝕刻部分SiO2膜。在這種情況下，除去將要形成叉指電極的母線和接線電極的SiO2部分，并除去直接形成在壓電襯底上的以及為制造電極焊接區(qū)將要層疊的第二電極膜處的SiO2部分。這之后，在已蝕刻除去SiO2膜的部分疊置由Al-Cu制成的粘結(jié)電極層、由Ti制成的電極層，以及由Al制成的第二電極膜。于是，叉指電極的母線和接線電極具有其中第一和第二電極膜、上述底電極和粘結(jié)電極層層疊的結(jié)構(gòu)。另一方面，電極焊接區(qū)具有其中第二電極膜和粘結(jié)電極層彼此層疊的結(jié)構(gòu)。也就是說，電極焊接區(qū)不要求有第一和第二電極膜彼此層疊的結(jié)構(gòu)。在本改型例中，使凸起直接粘接在第二電極膜上。因此，電極焊接區(qū)與凸起之間的粘接強度大為提高。
應(yīng)用本發(fā)明的表面聲波器件不限于梯形濾波器。也就是說，可將本發(fā)明的制作方法應(yīng)用于不同類型的表面聲波諧振器、縱向耦合諧振器型的表面聲波濾波器、使用表面聲波元件的天線共用器等。此外，可將本發(fā)明應(yīng)用于沒有反射器的表面聲波器件的制作方法。
按照本發(fā)明的各種優(yōu)選實施例，最好使用壓電單晶LiTaO3、LiNbO3、石英、四硼酸鋰、Langasite，或者其他合適的材料；或者使用壓電陶瓷，如鋯鈦酸鉛型陶瓷，或其他合適材料制成壓電襯底?？赏ㄟ^在鋁或其他合適材料制成的絕緣襯底上，形成ZnO或其他合適材料的壓電薄膜來制作壓電襯底。
應(yīng)能理解，前面的描述只是為了說明本發(fā)明。在不偏離本發(fā)明的情況下，技術(shù)人員可做出各種替代和改型。因此，本發(fā)明意味著包含屬于后附權(quán)利要求范圍內(nèi)的所有這些替代、改型和變化。
權(quán)利要求
1.一種制作表面聲波器件的方法，其特征在于，依序包括以下步驟提供壓電襯底；在壓電襯底上形成第一電極膜，用以構(gòu)成叉指電極、接線電極和電極焊接區(qū)，所述接線電極與叉指電極接觸，電極焊接區(qū)連接至接線電極，并且，至少使電極焊接區(qū)形成具有多個電極層彼此層疊的結(jié)構(gòu)；在壓電襯底上形成絕緣膜，以覆蓋第一電極膜；將絕緣膜制成圖案，以便除去第一電極膜上要層疊第二電極膜的部分上存在的絕緣膜；在第一電極膜上已除去絕緣膜的部分上形成第二電極膜；以及將凸起粘結(jié)在第二電極膜上，從而粘結(jié)至電極焊接區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作表面聲波器件的方法，其特征在于第一電極膜上將要層疊第二電極膜的部分包括用來構(gòu)成電極焊接區(qū)、接線電極和叉指電極的母線的部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作表面聲波器件的方法，其特征在于還包括在絕緣膜制成圖案之后，減小絕緣膜的厚度，以進行頻率校準的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作表面聲波器件的方法，其特征在于還包括形成SiO2膜和SiN膜之一作為絕緣膜的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作表面聲波器件的方法，其特征在于還包括形成用于增強壓電襯底與第一電極膜間粘接強度的底電極層，作為第一電極膜的下層，并在底電極層上形成第一電極膜的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作表面聲波器件的方法，其特征在于還包括形成用與增強第一電極膜與第二電極膜之間粘接強度的粘結(jié)電極層，作為第二電極膜的下層，并在粘結(jié)電極層上形成第二電極膜的步驟。
7.一種制作表面聲波器件的方法，其中，在壓電襯底上形成電極，所述電極包括叉指電極、與叉指電極接觸的接線電極和連接至接線電極的電極焊接區(qū)，并且，至少電極焊接區(qū)具有多個電極層彼此層疊的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述方法以下包括以下步驟提供壓電襯底；在壓電襯底上形成用來至少構(gòu)成叉指電極和接線電極的第一電極膜；在壓電襯底上形成絕緣膜，以覆蓋第一電極膜；將絕緣膜制成圖案，除去第一電極膜上將要層疊第二電極膜的部分上存在的絕緣膜，以及壓電襯底上將要形成用來構(gòu)成電極焊接區(qū)的第二電極膜的部分上存在的絕緣膜；在第一電極膜已除去絕緣膜的部分上，以及壓電襯底將要形成第二電極膜的部分上，形成第二電極膜；以及將凸起粘結(jié)在用來構(gòu)成電極焊接區(qū)的第二電極膜上，從而粘結(jié)至電極焊接區(qū)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作表面聲波器件的方法，其特征在于第一電極膜上將要層疊第二電極膜的部分，包括用來構(gòu)成電極焊接區(qū)、接線電極和叉指電極的母線的各部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作表面聲波器件的方法，其特征在于還包括在絕緣膜制成圖案之后，減小絕緣膜的厚度，以進行頻率校準的步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作表面聲波器件的方法，其特征在于還包括形成SiO2膜和SiN膜之一作為絕緣膜的步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作表面聲波器件的方法，其特征在于還包括形成用于增強壓電襯底與第一電極膜間粘接強度的底電極層，作為第一電極膜的下層，并在底電極層上形成第一電極膜的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作表面聲波器件的方法，其特征在于還包括形成用于增強第一電極膜與第二電極膜之間粘接強度的粘結(jié)電極層，作為第二電極膜的下層，并在粘結(jié)電極層上形成第二電極膜的步驟。
13.一種表面聲波器件，其特征在于，包括壓電襯底；電極，被布置在壓電襯底上，并且包括叉指電極、連接至叉指電極的接線電極和電極焊接區(qū)；粘結(jié)在電極焊接區(qū)上的凸起；部分電極至少包括具有多個電極膜層疊結(jié)構(gòu)之電極焊接區(qū)；以及絕緣膜，它被布置成用以覆蓋除具有多個電極膜層疊結(jié)構(gòu)的電極部分以外的區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的表面聲波器件，其特征在于由SiO2膜和SiN膜之一制成所述絕緣膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的表面聲波器件，其特征在于包括在壓電襯底與電極之間的底層，用以增強壓電襯底與電極之間的粘接強度。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的表面聲波器件，其特征在于所述電極包括至少兩個電極膜。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的表面聲波器件，其特征在于還包括被布置所述在至少兩個電極膜之間的粘結(jié)電極層，用以增強它們之間的粘接強度。
全文摘要
一種制作表面聲波器件的方法，包括以下步驟在壓電襯底上形成用來構(gòu)成叉指電極、接線電極和電極焊接區(qū)的第一電極膜；在壓電襯底上形成絕緣膜，以覆蓋第一電極膜；將絕緣膜制成圖案，除去第一電極膜要層疊第二電極膜的部分上存在的絕緣膜；在第一電極膜已除去絕緣膜的部分上形成第二電極膜；以及將凸起粘結(jié)在第二電極膜上。
文檔編號H03H3/08GK1604467SQ20041008497
公開日2005年4月6日 申請日期2004年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月3日
發(fā)明者大和秀司 申請人:株式會社村田制作所