專利名稱：集成電路的封裝微電子機(jī)械系統(tǒng)帶通濾波器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到使用封裝的微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)器件的通信信號混頻和濾波系統(tǒng)和方法。而且，本發(fā)明的目的是一種簡單的、整體構(gòu)成的微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)器件的制造方法，它把信號混頻和濾波的步驟組合起來，它比目前技術(shù)中采用的器件更小、更便宜并在結(jié)構(gòu)和操作方面更可靠。
背景技術(shù)：
微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)已經(jīng)被建議用在頻率在200MHz以下的多種通信電路的窄帶通濾波器(高-Q濾波器)的制造中。一般地說，為了能夠以非常精確的頻率傳輸信號，這些濾波器采用微諧振器的固有振動頻率，而當(dāng)與其它頻率相遇時則同時衰減信號和噪聲。
基本上，對于諸如通道選擇、信號分離之類的過程，射頻(RF)通信載波信號一般被轉(zhuǎn)換為中頻(IF)。這種特殊的轉(zhuǎn)換通常是由通過把載波信號和非線性器件中的振蕩器的正弦輸出進(jìn)行混頻而實(shí)現(xiàn)，使之產(chǎn)生要么是兩個輸入信號的和要么是差的輸出信號。然后為了選擇要處理的預(yù)期轉(zhuǎn)換的中頻(IF)載波信號，采用一個帶通濾波器。此后，為了去掉中頻載波和抽取最終的通信信息，例如聲頻信息，可以實(shí)施第二次轉(zhuǎn)換。這兩個同樣的轉(zhuǎn)換步驟也可以在傳輸中以相反的順序完成，即實(shí)施從聲頻信號到中頻(IF)載波，然后到最終通信射頻(RF)載波頻率的過程。
基本上，超外差通信收發(fā)設(shè)備依靠一般中頻信號處理的精確電濾波和載波信號混頻。一般地說，這些電路有三個操作階段。在第一階段，使用帶通濾波器分離射頻(RF)輸入信號然后放大。在第二階段，此信號按照中頻振蕩器信號起振以便降低或增加它的信號處理頻率。在第三階段，在處理之后，用另外一個振蕩器信號進(jìn)一步調(diào)制信號以得到通信可聽的頻率。在把聲音頻率轉(zhuǎn)換成(RF)載波傳輸中，這些同樣的階段也可以以相反的順序進(jìn)行。
本發(fā)明獨(dú)特地使用上面提到的操作的第一和第二階段，其中改變載波頻率以便在信號上執(zhí)行多種功能。
上面提到的轉(zhuǎn)換和濾波步驟可以通過純電路的中間步驟實(shí)施；然而，得到的中間載波一般被認(rèn)為其頻率范圍對于精確處理來說是太寬了。目前，射頻(RF)濾波器由外置晶體的激勵制作，通常用傳輸模。中頻(IF)通常用外置表面聲波(SAW)濾波器進(jìn)行濾波而得。這兩種元件通常被提供在用于信號放大和處理的集成電路外部，它們的使用增加了系統(tǒng)的復(fù)雜性和制造成本。
典型地說，MEMS諧振濾波器器件通過標(biāo)準(zhǔn)集成電路掩蔽/淀積/腐蝕工藝的中間步驟制造。例如，關(guān)于MEMS帶通濾波器的制造和結(jié)構(gòu)的具體細(xì)節(jié)，可容易地在下面的出版物中找到1)“無線通信用微機(jī)械器件”，C.T.-C.Nguyen，L.P.B.Katechiand G.M.Rebeiz，Proc.IEEE，86，1756-1768.
2)“微電子機(jī)械系統(tǒng)的表面微機(jī)械加工”，J.M.Bustillo，R.T.Howe and R.S.Muller，Proc.IEEE，86，1552-1574(1998).
3)“通信用高-Q微機(jī)械振蕩器和濾波器”，C.T.-C.Nguyen，IEEEIntl.Symp.Circ.Sys.，2825-2828(1997).
4)A.-C.Wong，H.Ding，C.T.-C Nguyen，“微機(jī)械混頻器+濾波器”，Tech.Dig.of I.E.E.E./I.E.D.M.，San Francisco，CA，Dec.198，pp471-474.
返回到前面的出版物，參考文獻(xiàn)(1到3)主要面向使用多種MEMS器件的一般領(lǐng)域，這些MEMS器件適合于取代通信元件。這些出版物面向多種導(dǎo)體、濾波器等等的描述，這些器件使用微光刻法和集成電路工藝制作，并且基本上在作為有創(chuàng)造性概念的代表性技術(shù)背景材料時只有有限的意義。
參考文獻(xiàn)4)中公開了一種面向解決載波信號混頻和濾波問題的解決方案，這種混頻和濾波采用微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)器件，該器件涉及到特征載波信號混頻和濾波。這個器件包含兩個平行的兩端夾住的梁式諧振器(懸臂)，它們用絕緣的機(jī)械橋耦合在一起。二個諧振器都被制造成有一個固有頻率IF。輸入信號(RF)被電容性耦合到一個諧振器，該諧振器又被電連接到一個正弦本機(jī)振蕩器(LO)。諧振器的固有振動頻率是RF-LO。由于諧振器的非線性，諧振器使輸入RF信號與LO信號混頻，并把它轉(zhuǎn)換成機(jī)械運(yùn)動。用橋把此運(yùn)動機(jī)械地耦合到第二個諧振器，該諧振器又被電連接到一個DC偏壓。然后諧振器中感應(yīng)的機(jī)械運(yùn)動通過電容被探測為輸出信號。制造的器件在諧振頻率27MHz下工作。由于在兩個導(dǎo)電的諧振器之間需要一個絕緣的耦合梁，故器件由多晶硅制造，然后用離子注入對梁進(jìn)行摻雜。這明顯地增大了梁的電阻，使之高于金屬元件的電阻，因此也增加了在電路中使用時元件的插入損耗。而且，器件的尺寸是20μm×20μm，這使得難以進(jìn)行在進(jìn)一步IC處理中起保護(hù)作用的封裝。除了前面的出版物，以下描述一些涉及電子混頻器-濾波器的現(xiàn)有專利器件，但它們未能提供以與本發(fā)明所考慮的方法類似的方式使用通信信號混頻和濾波的本發(fā)明MEMS器件的系統(tǒng)和方法。
例如，F(xiàn)raise的美國專利4516271“帶有和頻恢復(fù)的微波混頻器”，涉及到使用一種波導(dǎo)腔來混頻和濾波RF信號。該器件的功能類似于本概念；然而，與這里使用機(jī)械諧振器相反，它使用電磁波反射來處理信號。
Sakamoto的美國專利5083139“脈沖雷達(dá)及其元件”，也用電磁波的干涉來混頻和濾波RF信號。
Scheinberg的美國專利5563545“低成本單片GaAs升頻芯片”，使用一種標(biāo)準(zhǔn)的“儲能電路”來實(shí)現(xiàn)RF信號的混頻和濾波，該儲能電路包含電感、電容器和可變電阻器。
Kennan的美國專利5649312“用于直接廣播衛(wèi)星低噪聲塊降頻器的MMIC降頻器”，也使用標(biāo)準(zhǔn)電路元件來混頻和濾波。
Abe等人的美國專利5918168“雙超級調(diào)諧電路”，使用介電層來濾波，以及其他9個使用類似的技術(shù)的美國專利。
最后，Berenz等人的美國專利5528769“高電子遷移率晶體管單片集成電路接收機(jī)”，使用一種“鼠環(huán)形”電路來產(chǎn)生輸入到它的本機(jī)振蕩器的RF信號的混頻，這種技術(shù)也是使用標(biāo)準(zhǔn)電路元件來完成RF混頻器-濾波器步驟的一種方法。
前面的專利都沒有建議對這個過程使用機(jī)械振動，因此不適用于本發(fā)明的概念。

發(fā)明內(nèi)容
因此，為了克服在建立和制造多種現(xiàn)有技術(shù)MEMS系統(tǒng)器件中遇到的限制和缺點(diǎn)，本發(fā)明把通信載波信號混頻和濾波組合成單一和簡單地制造的微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)器件。MEMS系統(tǒng)器件能夠進(jìn)行頻率上升和頻率下降轉(zhuǎn)換，且通過單一單元的中間步驟，它能與其并入集成電路芯片兼容，包含很多現(xiàn)在分開使用以實(shí)現(xiàn)同一功能的電子元件，同時又能夠顯著地減少尺寸、復(fù)雜性和極大地簡化制造，從而使MEMS器件在保證本發(fā)明的商業(yè)利益及其功能方面高度可靠。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種組合通信載波信號混頻和濾波步驟的新穎的微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)器件。
本發(fā)明的另一個目的在于提供一種簡單的、整體制造的微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)器件，它把通信載波信號混頻和濾波步驟組合起來，能夠進(jìn)行頻率上升和頻率下降轉(zhuǎn)換。
本發(fā)明的進(jìn)一步目的是提供一種簡單的微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)器件，它適合于并入集成電路芯片，它包含器件內(nèi)的多個電子元件，這些電子元件在以前是被分離提供的。
此外，本發(fā)明的目的在于提供一種制造此處所述的微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)器件的方法，該器件把通信載波信號混頻和濾波組合起來。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種建造凹陷在硅晶片中的集成電路封裝通信信號混頻和濾波器件的方法；包含下列步驟a)在所述晶片的表面涂敷掩蔽層，并在所述掩蔽層中產(chǎn)生與所述器件設(shè)計(jì)尺寸相稱的窗口；b)在所述窗口內(nèi)刻蝕溝槽進(jìn)入硅晶片表面，以形成其深度對應(yīng)所述器件預(yù)定厚度的溝槽；c)涂敷一層低溫玻璃，把掩蔽層去掉，以便把玻璃層從所述晶片表面剝離，同時使玻璃層留在所述溝槽的底部；并加熱玻璃以形成延伸在所述溝槽底部上的光滑表面；d)再在所述的晶片表面上涂敷掩蔽層，并去掉延伸在溝槽里面玻璃表面上的掩蔽層部分；淀積多個疊層，依次包含i)第一導(dǎo)電層；ii)第一釋放層；iii)第二導(dǎo)電層；iv)絕緣層；v)第三導(dǎo)電層；vi)第二釋放層；vii)第四導(dǎo)電層；e)去掉掩蔽層，以便把淀積的層從所述晶片表面剝離，同時允許所述淀積層留在所述溝槽中；
f)再在所述的晶片表面上涂敷掩蔽層，形成溝槽上的兩個窗口；把在所述窗口里面的淀積層去掉，直至所述玻璃層表面，以便形成相應(yīng)兩個窗口的兩個阱。


現(xiàn)在可以參考依照本發(fā)明的微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)器件的范例實(shí)施方案的下面詳細(xì)描述，它們通常在附圖中以圖表的形式代表；其中圖1顯示了依照本發(fā)明的用來進(jìn)行載波信號混頻和濾波的MEMS器件的第一實(shí)施方案；圖2和3分別顯示了依照本發(fā)明的MEMS混頻和濾波器件的第二實(shí)施方案的頂部平面和側(cè)視圖；和圖4-10分別顯示了依照本發(fā)明制造典型的MEMS器件和在真空環(huán)境中封裝得到的混頻器-濾波器的相繼步驟。
具體實(shí)施例方式
如一般以圖表表示的附圖中的圖1所描述的，顯示了用來進(jìn)行載波信號混頻和濾波的微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)器件10的側(cè)視圖。MEMS 10器件包含兩端14、16都被夾住的中央條12，如圖表顯示的塊18和20所示。中央條12基本上由正反兩面鍍導(dǎo)電層22和24的絕緣核心組成。如這個實(shí)施方案所述，一個固定板26放置在中央條的上面，它由導(dǎo)電材料組成，并被連接到輸入信號IS的源28。中央條12上面的上導(dǎo)電鍍層22被連接到本機(jī)振蕩器信號LO的源30。中央條12響應(yīng)于通常來自于輸入信號IS和振蕩器LO信號的電相互作用的組合力，因此產(chǎn)生振動。因?yàn)橹醒霔l12的兩端被夾具即塊18、20夾住，故它非線性地響應(yīng)，并以頻率(IS+LO)和(IS-LO)產(chǎn)生共振力，假設(shè)IS的信號頻率比LO信號的更高。中央條12被構(gòu)造成以這些合成的頻率之一共振；例如以(IS-LO)。在中央條12的底部，下面的導(dǎo)電層24通過連接到電源32而被偏置。與這個導(dǎo)電層面對的是一個固定的撿拾板34。在它上面通過由中央條12振動所引起的電容變化而被感應(yīng)電荷。因?yàn)橹醒霔l有窄的固有振動頻率，這種機(jī)械特性就可以作為濾波器以便只隔離那些接近其機(jī)械固有頻率的混頻信號。輸出信號由附圖中參考號IF指明；基本上，中間頻率是把輸入信號IS和振蕩信號LO混頻，然后再利用振動中央條12的機(jī)械特性將其濾波的結(jié)果。
現(xiàn)在回到微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)器件40的進(jìn)一步實(shí)施方案，如附圖中圖2和3所顯示的，如在圖2中頂視圖所示，MEMS混頻器和濾波器器件40提供了連接到引入即輸入信號IS的中央電極，該電極在它的兩側(cè)有連接到本機(jī)振蕩器信號LO的兩個進(jìn)一步的電極44、46。這些電極42和44、46的每個都面對著器件40的絕緣振動條48，如圖2中的虛線50、52所示。還公開了兩個外面的DC-偏置電極54、56，它們可以用來調(diào)諧MEMS器件40。如圖3的側(cè)視圖所示，顯示了器件的三層，為了清晰起見，所示側(cè)視圖相對于圖2旋轉(zhuǎn)90°。底部是輸入電極42、44、46和可選DC調(diào)諧觸點(diǎn)54、56；而中央是絕緣振動條48，它的兩端被合適的夾具60、62夾住，條48的兩面有導(dǎo)電的鍍層即層64、66。導(dǎo)電層即鍍層64、66被連接到電源，以便能夠被偏置。引入即輸入信號IS和振蕩器信號LO以與附1的實(shí)施方案類似的方式驅(qū)動振動條48，而條48的固有機(jī)械頻率選擇為所需的組合混頻頻率；例如(IS-LO)。中央振動條48正反面上的導(dǎo)電鍍層即層64、66，在固定輸出電極70上產(chǎn)生這個經(jīng)過混頻和濾波的信號(IF)，該固定電極顯示在附圖中圖3的頂部。
前面MEMS器件40的結(jié)構(gòu)除了本質(zhì)上稍許更加先進(jìn)和適用于在圖1中的簡單MEMS器件不能實(shí)現(xiàn)的更加復(fù)雜的混頻和濾波應(yīng)用之外，基本上類似于圖1中MEMS器件10的結(jié)構(gòu)。
尤其是，現(xiàn)在回到制造本發(fā)明的混頻器-濾波器器件，實(shí)際上，就是組合混頻和濾波方面的微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)器件，它適合于被封裝在真空環(huán)境中，現(xiàn)在可以參考附圖的圖4-10中所表示的相繼制造步驟。
如圖4-10所述，MEMS器件的建立使得易于使用標(biāo)準(zhǔn)的集成電路工藝，最后制造的MEMS器件凹陷在半導(dǎo)體芯片表面的下面，并且被封裝在真空氛圍或環(huán)境條件中。所闡述的表象顯示了與垂直于附圖平面的諧振器相橫截的最終諧振器或MEMS器件結(jié)構(gòu)。
特別返回到圖4，假設(shè)MEMS器件建造在標(biāo)準(zhǔn)的硅晶片80上。
最初，在晶片表面82上涂敷光致抗蝕劑，并形成窗口84，它的長度相應(yīng)于所希望的諧振器長度。窗口的寬度不是本發(fā)明的重要方面，因?yàn)樗贛EMS器件的混頻器和濾波器特性上沒有意義。然而，窗口的寬度通?？梢院痛翱?4的長度有同樣的尺寸。在光致抗蝕劑中形成窗口84之后，使用反應(yīng)離子刻蝕(RIE)，在硅晶片表面82中刻出溝槽86。溝槽86的深度88被設(shè)計(jì)成足夠容納MEMS器件的所有后續(xù)層，總厚度一般約為1微米。
回到附圖的圖5，在溝槽86的底部92上淀積一薄層低溫玻璃90；例如，可以由濺射方法淀積的硼硅玻璃。淀積在晶片上的光致抗蝕劑，象附圖中圖4所描述的那樣被去掉，把除了溝槽里面之外的淀積玻璃從各處去掉。然后，對硅晶片80進(jìn)行加熱，以便例如在300℃下熔化玻璃，這樣產(chǎn)生覆蓋在構(gòu)槽86底部92的光滑玻璃表面94。
如附6所闡述的，再次涂敷光致抗蝕劑，采用與在圖4中解釋的同樣的窗口。其后，在玻璃層90上按照向上的順序淀積混頻器-濾波器MEMS器件的連續(xù)各層。例如，較下的層96可以由鎢組成，較下的釋放層98可以是類金剛石的碳(DLC)，下一個較下的諧振器導(dǎo)電層100可以是Si2Co，諧振器(振動板)102可以是Si3N4，較上的諧振器導(dǎo)電層104可以是Si2Co，較上的釋放層106可以是DLC即類金剛石碳，較上的諧振器導(dǎo)電層108可以是有表面鈀單層的鉻。緊跟著所有已經(jīng)淀積的層，如附6顯示的，去掉光致抗蝕劑，使這些層只保留在溝槽里面；事實(shí)上，在芯片或晶片的表面82以下。
參考下面的制造步驟，如附圖中圖7所示，在上表面82上涂敷光致抗蝕劑，在溝槽86的上面形成兩個窗口110、112。然后對晶片進(jìn)行RIE刻蝕，以產(chǎn)生向下延伸進(jìn)入附圖中顯示的各層的兩條溝槽114、116。盡管某些層可能不適合于RIE刻蝕，諸如薄Si2Co層，但能夠中斷RIE，以便可以對它們進(jìn)行濕法刻蝕；例如，使用緩沖的氫氟酸。圖7中所示的最終結(jié)構(gòu)產(chǎn)生向下延伸到溝槽86底部上的玻璃層90的表面94的兩個阱。
如附圖中圖8所闡述的，晶片80現(xiàn)在被進(jìn)行銅120的無電鍍。這種金屬被優(yōu)先淀積在位于較上導(dǎo)電層108上的鈀籽晶層122上。該淀積將展寬和加厚器件的最上層，如圖8所示。其后，如圖9所示，器件被置于反應(yīng)離子等離子體中；例如一種氧等離子體中，它與DLC(類金剛石碳)反應(yīng)，把碳轉(zhuǎn)換成會升華的CO2。這在機(jī)械諧振器結(jié)構(gòu)102的兩個面上都產(chǎn)生間隙126、128。
最后，如附圖中圖10所闡述的，在那上面淀積絕緣材料130，以便封裝器件。該淀積需要定向；例如，通過從遠(yuǎn)距離的源蒸發(fā)，使在圖8所闡述的前面的制造步驟中被展寬的較上的導(dǎo)電層108遮掩諧振器102使其避開淀積材料。采用這種方法使淀積的封裝劑130不接觸諧振器102，從而防止其機(jī)械或振動運(yùn)動。
前述的真空環(huán)境中的混頻器-濾波器或MEMS器件的密封，使器件制造易于完成。為了清晰起見，各種導(dǎo)電層到外部引線的連接并沒有表示出來?；旧?，通過施加原始的引入信號IS給上面的導(dǎo)層108，施加本機(jī)振蕩器信號LO給上面的諧振器導(dǎo)體104，來操作MEMS器件。確定諧振器的尺寸(長和厚)，使梁102有固有的振動頻率RF-LO。下面的諧振器導(dǎo)體100有施加于其上的DC偏置，使被梁102的固有機(jī)械諧振濾波過的混頻RF-LO信號在下面的導(dǎo)體96上被感生。
盡管前述的解釋闡述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案，但MEMS器件并不局限于此。因此，例如，可以顛倒電信號的順序而不改變信號的最終轉(zhuǎn)換。這意味著引入IS信號可以施加到層96，LO信號施加到層100，DC偏置施加到層104，而在層108讀出輸出。類似地，被傳輸?shù)綄?00和104的信號可以顛倒而不改變微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)器件操作的基本本質(zhì)，這使得在單個MEMS單元中容易組合通信信號混頻和濾波。
從前述可以看出，相當(dāng)清晰的是，本發(fā)明的目的是一種簡單的整體構(gòu)成的MEMS器件，它在尺寸上高度緊湊，比本技術(shù)領(lǐng)域中目前知道和采用的具有更低的制造成本。
盡管這里公開的發(fā)明顯然是經(jīng)仔細(xì)計(jì)算以完成上述的目標(biāo)，但應(yīng)該了解，那些本領(lǐng)域中的技術(shù)人員能夠設(shè)計(jì)更多的修正和實(shí)施方案，并認(rèn)為所附權(quán)利要求覆蓋了歸入本發(fā)明范圍真實(shí)構(gòu)思內(nèi)的所有這些修正和實(shí)施方案。
權(quán)利要求
1.一種建造凹陷在硅晶片中的集成電路封裝通信信號混頻和濾波器件的方法；包含下列步驟a)在所述晶片的表面涂敷掩蔽層，并在所述掩蔽層中產(chǎn)生與所述器件設(shè)計(jì)尺寸相稱的窗口；b)在所述窗口內(nèi)刻蝕溝槽進(jìn)入硅晶片表面，以形成其深度對應(yīng)所述器件預(yù)定厚度的溝槽；c)涂敷一層低溫玻璃，把掩蔽層去掉，以便把玻璃層從所述晶片表面剝離，同時使玻璃層留在所述溝槽的底部；并加熱玻璃以形成延伸在所述溝槽底部上的光滑表面；d)再在所述的晶片表面上涂敷掩蔽層，并去掉延伸在溝槽里面玻璃表面上的掩蔽層部分；淀積多個疊層，依次包含i)第一導(dǎo)電層；ii)第一釋放層；iii)第二導(dǎo)電層；iv)絕緣層；v)第三導(dǎo)電層；vi)第二釋放層；vii)第四導(dǎo)電層；e)去掉掩蔽層，以便把淀積的層從所述晶片表面剝離，同時允許所述淀積層留在所述溝槽中；f)再在所述的晶片表面上涂敷掩蔽層，形成溝槽上的兩個窗口；把在所述窗口里面的淀積層去掉，直至所述玻璃層表面，以便形成相應(yīng)兩個窗口的兩個阱。
2.權(quán)利要求1的方法，其特征在于，其中無電鍍的銅鍍層被分到晶片表面上的鈀籽晶層，以便使所述器件最上的第四導(dǎo)電層(vii)展寬和變厚。
3.權(quán)利要求2的方法，其特征在于，其中所述的層經(jīng)受反應(yīng)性離子等離子體，以便去掉所述第一和第二釋放層，結(jié)果分別在所述第一和第二導(dǎo)電層以及第三和第四導(dǎo)電層之間形成間隙。
4.權(quán)利要求3的方法，其特征在于，其中淀積絕緣材料密封劑，以便在真空環(huán)境中封裝所述的器件，同時，由層(iii、iv、v)制造的諧振器結(jié)構(gòu)被掩護(hù)不與淀積的封裝劑接觸。
5.權(quán)利要求1的方法，其特征在于，其中每個所述的掩蔽層包含光致抗蝕劑。
6.權(quán)利要求1的方法，其特征在于，其中所述的玻璃包含由濺射淀積的硼硅玻璃，所述玻璃在溫度300℃被熔化，然后在其上淀積后續(xù)層以前被冷卻到周圍溫度。
7.權(quán)利要求1的方法，其特征在于，其中所述的第一導(dǎo)電層包含鎢，所述第二和第三導(dǎo)電層各包含Si2Co，而所述第四導(dǎo)電層包含有表面鈀單層的鉻。
8.權(quán)利要求7的方法，其特征在于，其中所述釋放層各包含類金剛石碳(DLC)。
9.權(quán)利要求8的方法，其特征在于，其中所述絕緣層包含Si3N4，并與所述涂敷的第二和第三導(dǎo)電層結(jié)合形成機(jī)械諧振器結(jié)構(gòu)。
10.權(quán)利要求1的方法，其特征在于，其中所述掩蔽層通過反應(yīng)離子刻蝕(RIE)去掉。
11.權(quán)利要求7的方法，其特征在于，其中所述第二和第三導(dǎo)電層用緩沖的氫氟酸進(jìn)行濕法刻蝕。
12.權(quán)利要求8的方法，其特征在于，其中所述釋放層借助于被放置在氧等離子體中而去掉，氧等離子體與類金剛石碳反應(yīng)，從而把后者轉(zhuǎn)化成升華的CO2。
全文摘要
一種使用封裝的微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)器件的通信信號混頻和濾波系統(tǒng)和方法。而且，公開了一種制造簡單的整體構(gòu)成的微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)器件的方法，它把信號混頻和濾波的步驟組合起來，它比目前技術(shù)中采用的器件更小、更便宜、并在構(gòu)造和操作上更可靠。
文檔編號H03H9/46GK1618724SQ200410094749
公開日2005年5月25日 申請日期2001年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2000年6月19日
發(fā)明者K·K·陳, C·杰尼斯, L·施, J·L·斯佩德爾, J·F·茲格勒 申請人:國際商業(yè)機(jī)器公司