專利名稱：電子部件和包含該電子部件的濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有壓電薄膜共振器的電子部件和含有它的濾波器，特別是涉及一種應(yīng)用于防止壓電薄膜共振器間的不需要的聲音耦合的有效技術(shù)。
背景技術(shù)：
與便攜電話的發(fā)展同時，小型低損失的RF濾波器的需要得到提高。另外，由于高速大容量通信的要求，通信系統(tǒng)的載波的高頻化也得到發(fā)展。
對于這樣的要求，近些年來對使用壓電薄膜共振器的濾波器的關(guān)心得到提高。壓電薄膜共振器具有由上下電極膜夾著壓電薄膜的構(gòu)造，通過在上下電極膜間施加高頻信號而顯示規(guī)定的共振特性。使用這樣的壓電共振器的濾波器，具有壓電薄膜共振器電連接成梯子型的構(gòu)造。
這里，在現(xiàn)有濾波器中，壓電薄膜共振器的形狀是長方形或者正方形，即矩形。而且，關(guān)于壓電薄膜共振器的形狀，例如具有在1995IEEE ULTRASONICS SYMPOSIUM P905～908/SOLIDLY MOUNTEDRESONATORS AND FILTERS中，特別是其圖4中所記載的形狀。
這里，在本說明書，壓電薄膜共振器的形狀，不是指構(gòu)成壓電薄膜共振器的壓電薄膜或者電極膜的各個的形狀，是指壓電薄膜和夾著該壓電薄膜的電極膜相互重合的區(qū)域的形狀。即，壓電薄膜共振器的形狀是在壓電薄膜和夾著該壓電薄膜的兩個電極膜合并的方向看的情況下，壓電薄膜和兩個電極膜相互重合的區(qū)域。
但是，在濾波器中，為了實現(xiàn)芯片的小型化和布線長度削減導(dǎo)致的低損失化，相鄰壓電薄膜共振器的間隔盡可能狹窄地設(shè)計是重要的。
但是，如果相鄰壓電薄膜共振器的間隔變狹窄，由于振動部分接近而產(chǎn)生聲音耦合，擔(dān)心具有發(fā)生新的共振模式的可能性。
通常，由新的聲音耦合導(dǎo)致的模式是不需要的寄生，惡化了濾波器特性。另外，如果相鄰壓電薄膜共振器的間隔變窄，制造上的問題也變得明顯。
即，電極膜，特別是上部電極膜的抗蝕圖案形成中，圖案密集部分的分辨率容易惡化，在蝕刻中，圖案的密集度在電極間部分和其以外的區(qū)域有極大的不同，所以會產(chǎn)生蝕刻速率不同等問題，發(fā)生特性偏差或蝕刻損害等問題。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，關(guān)于相互鄰近的壓電薄膜共振器設(shè)置幾十μm的間隔。
另外，在長方形的壓電薄膜共振器中，在旋轉(zhuǎn)方向的布置的自由度小，不利于濾波器的小型化。與此相反，正方形的壓電薄膜共振器與長方形的壓電薄膜共振器相比，布置的自由度高，但為了削減寄生，需要使得各個邊與相鄰的壓電薄膜共振器不平行，即由于壓電薄膜共振器由相鄰的壓電薄膜共振器所影響，所以難于各自獨立地決定布置。

發(fā)明內(nèi)容
這里，本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠防止壓電薄膜共振器的布圖缺陷的技術(shù)。
另外，本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠防止壓電薄膜共振器間的不需要的聲音耦合的技術(shù)。
此外，本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠提高壓電薄膜共振器的布置自由度的技術(shù)。
本發(fā)明的一個方面是關(guān)于電子部件，本發(fā)明的第一方面的電子部件包括在具有由第一電極膜和第二電極膜夾著壓電薄膜的構(gòu)造且第一電極膜、壓電薄膜和第二電極膜相互重合的區(qū)域所構(gòu)成的、通過在壓電薄膜的內(nèi)部傳輸?shù)捏w波來得到規(guī)定的共振頻率的信號的第一壓電薄膜共振器和第二壓電薄膜共振器，其特征在于，第一壓電薄膜共振器和第二壓電薄膜共振器相鄰，互相相對的第一壓電薄膜共振器的外周的一部分和第二壓電薄膜共振器的外周的一部分的間隔不是一定的。
即，本發(fā)明的第一方面的電子部件，具有第一壓電薄膜共振器；第二壓電薄膜共振器。第二壓電薄膜共振器與第一壓電薄膜共振器相鄰設(shè)置。第一壓電薄膜共振器和第二壓電薄膜共振器的每個是在具有由第一電極膜和第二電極膜夾著壓電薄膜的構(gòu)造且第一電極膜、壓電薄膜和第二電極膜相互重合的區(qū)域所構(gòu)成的、通過在壓電薄膜的內(nèi)部傳輸?shù)捏w波而得到規(guī)定的共振頻率的信號的壓電薄膜共振器。在假想與相互相對的第一壓電薄膜共振器的周邊的一部分和第二壓電薄膜共振器的周邊的一部分交叉的兩個直線的情況下，該兩個直線中的一個直線和第一壓電薄膜共振器的上述一部分的交點與該一個直線和第二壓電薄膜共振器的上述一部分的交點的距離，與該兩個直線中的另一個直線和第一壓電薄膜共振器的上述一部分的交點與該另一個直線和第二壓電薄膜共振器的上述一部分的交點的距離是不同的。而且，第一壓電薄膜共振器的壓電薄膜和第二壓電薄膜共振器的壓電薄膜可以是連續(xù)的。
本發(fā)明的第二電子部件是第一電子部件中的第一壓電薄膜共振器和第二壓電薄膜共振器為橢圓形狀的電子部件。
本發(fā)明的第三電子部件，是第二電子部件中的第一壓電薄膜共振器的相對于周邊的長軸的延長線與第二壓電薄膜共振器的相對于周邊的長軸或者其延長線交叉的電子部件。而且，優(yōu)選，第一壓電薄膜共振器的相對于周邊的長軸的延長線，與第二壓電薄膜共振器的相對于周邊的長軸交叉。
本發(fā)明的第四電子部件，具有第一壓電薄膜共振器；第二壓電薄膜共振器。第二壓電薄膜共振器與第一壓電薄膜共振器相鄰設(shè)置。第一壓電薄膜共振器和第二壓電薄膜共振器的每個是具有由第一電極膜和第二電極膜夾著壓電薄膜的構(gòu)造，是在第一電極膜、壓電薄膜和第二電極膜相互重疊的區(qū)域構(gòu)成的、通過在壓電薄膜的內(nèi)部傳輸?shù)捏w波而得到規(guī)定的共振頻率的信號的壓電薄膜共振器。與第二壓電薄膜共振器的周邊相對的第一壓電薄膜共振器的周邊包括由折線或者曲線所形成的部分。與第一壓電薄膜共振器的該周邊相對的第二壓電薄膜共振器的周邊，包括由與上述折線或者曲線的間隔是一定的折線或者曲線所形成的部分。而且，第一壓電薄膜共振器的壓電薄膜和第二壓電薄膜共振器的壓電薄膜可以是連續(xù)的。
本發(fā)明的另外一個側(cè)面是關(guān)于濾波器，本發(fā)明的第一濾波器，包括上述第一～第四的任何一個電子部件。
本發(fā)明的第二濾波器，是在第一電濾波器上還包括下面部件的濾波器輸入電極塊；輸出電極塊；在輸入電極塊和輸出電極塊之間形成的第一布線部；在第一布線部和接地電極塊之間形成的第二布線部。在第二濾波器中，第一壓電薄膜共振器和第二壓電薄膜共振器中的一個與第一布線部電連接。另外，第一壓電薄膜共振器和第二壓電薄膜共振器中的另一個與第二布線部電連接。此外，第一壓電薄膜共振器和第二壓電薄膜共振器的另一個，具有與第一壓電薄膜共振器和第二壓電薄膜共振器的一個的共振頻率大致一致的反共振頻率。
本發(fā)明的第三濾波器，是在第二濾波器上還包括具有矩形形狀的元件基板的濾波器。在第三濾波器中，接地電極塊分別配置在元件基板的相互最遠(yuǎn)離開的2個角部附近。


圖1是表示本發(fā)明的實施方式1的構(gòu)成濾波器的壓電薄膜共振器的截面圖。
圖2是表示本發(fā)明的實施方式1的濾波器的說明圖。
圖3是圖2的濾波器的電路圖。
圖4是表示作為比較例的濾波器的說明圖。
圖5是表示本發(fā)明的實施方式2的濾波器的說明圖。
圖6是表示本發(fā)明的實施方式2的變形例的濾波器的說明圖。
圖7是表示本發(fā)明的實施方式2的其它變形例的濾波器的說明圖。
圖8是表示本發(fā)明的實施方式3的濾波器的說明圖。
圖9是表示本發(fā)明的實施方式3的第一變形例的濾波器的說明圖。
圖10是表示本發(fā)明的實施方式3的第二變形例的濾波器的說明圖。
圖11是表示本發(fā)明的實施方式3的第三變形例的濾波器的說明圖。
圖12是表示本發(fā)明的實施方式3的第四變形例的濾波器的說明圖。
圖13是表示本發(fā)明的實施方式3的第五變形例的濾波器的說明圖。
圖14是表示本發(fā)明的實施方式3的第六變形例的濾波器的說明圖。
圖15是表示本發(fā)明的實施方式3的第七變形例的濾波器的說明圖。
圖16是表示本發(fā)明的實施方式3的第八變形例的濾波器的說明圖。
具體實施例方式
下面，參照附圖來更具體地說明用于實施本發(fā)明的最佳方式。這里，在附圖中對同一部件賦予相同符號，而且省略了重復(fù)說明。而且，這里的說明是實施本發(fā)明的最佳方式，所以本發(fā)明不限于該方式。
(實施方式1)圖1是表示本發(fā)明的實施方式1的構(gòu)成濾波器的壓電薄膜共振器的截面圖，圖2是表示本發(fā)明的實施方式1的濾波器的說明圖，圖3是圖2的濾波器的電路圖，圖4是表示作為比較例的濾波器的說明圖。
如圖1所示那樣，本實施方式的構(gòu)成濾波器的壓電薄膜共振器10稱為SMR(Solidly Mounted Resonator)型壓電薄膜共振器。在這種情況下的壓電薄膜共振器10中，例如在由單晶硅構(gòu)成的元件基板11上，形成有聲音阻抗高的薄膜和低的薄膜、例如AlN膜12a和SiO2膜12b交互地各2層形成構(gòu)成的聲音反射膜12。在該聲音反射膜12上通過真空蒸鍍法形成Pt膜，通過光刻法形成圖案從而形成下部電極(第一電極膜)13。
此外，為了覆蓋下部電極13，通過濺射法形成由ZnO或者AlN構(gòu)成的壓電薄膜14。而且，在壓電薄膜14上通過濺射法形成Al膜，通過光刻法形成圖案從而形成上部電極(第二電極膜)15。
在這樣的壓電薄膜共振器10中，如果對下部電極13和上部電極15施加交流電壓，由壓電效果，通過在壓電薄膜14內(nèi)部傳輸?shù)捏w波得到規(guī)定共振頻率的信號。
而且，也可以不形成聲音反射膜12，這種情況下，在元件基板11上直接形成下部電極13。另外，在本實施方式中聲音反射膜12是4層，但只要疊加聲音阻抗不同的薄膜，不限于4層。此外，各薄膜的膜質(zhì)不限于上述形式，只不過是一個例子。而且，例如聲音反射膜12和下部電極13之間，或者壓電薄膜14和上部電極15之間，也可以形成作為粘結(jié)層的薄膜。
這里，象所述那樣，壓電薄膜共振器10的形狀，是壓電薄膜14和夾著該壓電薄膜14的下部電極13和上部電極15相互重合的區(qū)域的形狀，所以，在圖1所示的情況，為從平面上看由上下延伸的左右2個虛線所夾著的區(qū)域的形狀。這是圖2所示的形狀。即，圖1中的2個虛線表示壓電薄膜共振器10的周邊。
通過布置與這樣的壓電薄膜共振器10同樣層構(gòu)成的壓電薄膜共振器10a～10f，形成濾波器16。具體地說，該實施方式的濾波器16，由在具有矩形形狀的元件基板上所形成的具有橢圓形狀的壓電薄膜共振器10a～10f所構(gòu)成。即，濾波器16包含具有壓電薄膜共振器10a～10f的電子部件。
如圖2和圖3所示那樣，在濾波器16中，在輸入電極塊17和輸出電極塊18之間形成作為串聯(lián)腕的第一布線部21。第一布線部21串聯(lián)連接4個壓電薄膜共振器10a、10b、10c、10d。
另外，在壓電薄膜共振器10a和壓電薄膜共振器10b的中點和接地電極塊19之間，以及壓電薄膜共振器10c和壓電薄膜共振器10d的中點和接地電極塊20之間，分別形成作為并列腕的第二布線部22a、22b。在第二布線部22a、22b上，分別配置電極膜共振器10e、10f。壓電薄膜共振器10e、10f具有與壓電薄膜共振器10a、10b、10c、10d的共振頻率基本一致的反共振頻率，與壓電薄膜共振器10a、10b、10c、10d形成通過帶域。
在圖2中作為壓電薄膜共振器10a～10f的周邊的由橢圓形表示的部分，與上部電極15(圖1)的形狀是一致的。電極塊17～20、第一布線部21和第二布線部22a、22b由與形成這樣的上部電極15的成膜工序相同的成膜工序來形成。另外，由包圍壓電薄膜共振器10a、10b、10e的虛線所表示的區(qū)域以及由包圍壓電薄膜共振器10c、10d、10f的虛線所表示的區(qū)域是下部電極13。而且，壓電薄膜14(圖1)在本實施方式中在元件基板的整個面上形成。即，壓電薄膜共振器10a～10f的每個的壓電薄膜是連續(xù)的。
因此，在圖2所示的情況下，壓電薄膜共振器10a、10b、10e由下部電極相互電連接，壓電薄膜共振器10c、10d、10f由下部電極相互電連接。
這里，配置在作為串聯(lián)腕的第一布線部21上的壓電薄膜共振器可至少一個。另外，第二布線部也可以至少形成一個。因此，并列腕的壓電薄膜共振器也可以至少是一個。此外，本發(fā)明的濾波器不限于具有這樣的梯子構(gòu)造，能夠采用各種構(gòu)造。
而且，壓電薄膜共振器的形狀是壓電薄膜14和夾著它的下部電極13和上部電極15相互重合的區(qū)域的形狀，所以象本實施方式那樣，上部電極15是橢圓形狀，是壓電薄膜14和下部電極13比上部電極15還寬的構(gòu)成，不僅如此，也可以僅壓電薄膜14或者下部電極13是橢圓形狀，其它比該橢圓形狀還寬。另外，可以是上部電極15、壓電薄膜14和下部電極13的三個薄膜中的任何兩個薄膜，或者全部薄膜是橢圓形狀。另外，也可以構(gòu)成為使得上述三個薄膜中的任何一個都不是橢圓形狀，重復(fù)部分是橢圓形狀。
這里，圖4表示了作為比較例的由現(xiàn)有的壓電薄膜共振器所構(gòu)成的濾波器。
在圖4所示的濾波器116中，在輸入電極塊117和輸出電極塊118之間形成作為串聯(lián)腕的第一布線部121。在該第一布線部121上，串聯(lián)連接四個壓電薄膜共振器110a、110b、110c、110d。另外，在壓電薄膜共振器110a和壓電薄膜共振器110b的中點和接地電極塊119之間，以及壓電薄膜共振器110c和壓電薄膜共振器110d的中點和接地電極塊120之間，分別形成作為并列腕的第二布線部122a、122b。在第二布線部122a、122b上，分別配置壓電薄膜共振器110e、110f。壓電薄膜共振器110e、110f具有與壓電薄膜共振器110a、110b、110c、110d的共振頻率大致一致的反共振頻率。壓電薄膜共振器110e、110f與壓電薄膜共振器110a、110b、110c、110d形成通過帶域。在該圖4中，壓電薄膜共振器的面積和共振器間的最短距離與圖2所示的情況是相同的。
而且，在圖4中，作為壓電薄膜共振器110a～110f的形狀所表示的部分與上部電極的形狀是一致的，由包圍壓電薄膜共振器110a、110b、110e的虛線所表示的區(qū)域，以及由包圍壓電薄膜共振器110c、10d、110f的虛線所表示的區(qū)域是下部電極113。另外，壓電薄膜在元件基板的整個表面上形成。
如圖4所示那樣，已有的壓電薄膜共振器110a～110f是長方形(矩形)形狀，相鄰的壓電薄膜共振器的間隔是一定的。
如果這樣，例如由壓電薄膜共振器110a、壓電薄膜共振器110b和壓電薄膜共振器110e包圍的區(qū)域(在圖4中的由網(wǎng)線表示的區(qū)域)圖案是密集的，所以，與其它部分相比，容易產(chǎn)生由抗蝕劑殘渣或者蝕刻率降低導(dǎo)致的圖案不佳的問題。
另外，由于相鄰的壓電薄膜共振器的相互相對的外周部是平行的，所以相位一致的可能性變高，具有聲音耦合的懸念。
此外，在壓電薄膜共振器的間隔是一定的條件之情況下，在布置上基本沒有自由度，設(shè)計上的制約較多。
與此相對，在本實施方式的濾波器16中，如圖2所示那樣，由于壓電薄膜共振器10a～10f是橢圓形狀，所以既使相鄰的壓電薄膜共振器(第一壓電薄膜共振器和第二壓電薄膜共振器)的中心間距離與圖4所示的情況相同，但能夠擴大兩者的相互相對的周邊間的距離。因此，例如由壓電薄膜共振器10a、壓電薄膜共振器10b和壓電薄膜共振器10e包圍的區(qū)域(在圖2中由網(wǎng)線所表示的區(qū)域)擴大，而圖案不是密集的。因此，在圖案形成時，能夠防止由抗蝕劑殘渣或者蝕刻率降低所導(dǎo)致的圖案不佳的情況。
另外，由于將這樣的壓電薄膜共振器10a～10f形成橢圓形狀，所以相鄰的壓電薄膜共振器的相互相對的外周部，即周邊處不是平行的位置。即，濾波器16包含本發(fā)明的一實施方式的電子部件，在該電子部件中相互相鄰的一對壓電共振器相當(dāng)于第一壓電薄膜共振器和第二壓電薄膜共振器。在這樣的濾波器16中，如果假想與互相相對的第一壓電薄膜共振器的周邊的一部分和第二壓電薄膜共振器的周邊的一部分相交叉的兩個直線，那么，該兩個直線中的一個直線和第一壓電薄膜共振器的上述一部分的交點和該一個直線和第二壓電薄膜共振器的上述一部分的交點之間的距離，與上述兩個直線中的另一個直線和第一壓電薄膜共振器的上述一部分的交點和該另一個直線和第二壓電薄膜共振器的上述一部分的交點之間的距離是不同的。通過這樣，相鄰的兩個壓電薄膜共振器的相位一致的條件不滿足，能夠防止不需要的聲音耦合的發(fā)生。
此外，由于壓電薄膜共振器10a～10f是橢圓形狀，所以兩個壓電薄膜共振器的相位一致的條件不滿足。因此，能夠提高壓電薄膜共振器的布置的自由度。
此外，由于在相鄰的壓電薄膜共振器的周邊間形成面積擴大的區(qū)域，所以與矩形電極相比能夠?qū)⒐舱衿骶嚯x變窄。
而且，如果在相鄰的橢圓形狀的壓電薄膜共振器的近接點處設(shè)置連接布線(第一布線部21，第二布線部22a、22b)，能夠減少布線電阻。
(實施方式2)圖5是表示本發(fā)明的實施方式2的濾波器的說明圖，圖6是表示本發(fā)明的實施方式2的變形例的濾波器的說明圖，圖7是表示本發(fā)明的實施方式2的其它變形例的濾波器的說明圖。
如圖5所示那樣，在本實施方式中，通過適當(dāng)旋轉(zhuǎn)形成橢圓形狀的壓電薄膜共振器10a～10d，布置為使得其長軸的延長線與相鄰的其它壓電薄膜共振器的長軸的延長線交叉。即，本實施方式的濾波器16包括具有壓電薄膜共振器10a～10d的電子部件。這些壓電薄膜共振器10a～10d具有與如圖1所示的壓電薄膜共振器10同樣的層構(gòu)成。
在本實施方式中，如圖5所示那樣，壓電薄膜共振器10a的長軸S1的延長線與壓電薄膜共振器10b的長軸S2的延長線交叉，壓電薄膜共振器10b的長軸S2的延長線與壓電薄膜共振器10c的長軸S3的延長線交叉，壓電薄膜共振器10c的長軸S3的延長線與壓電薄膜共振器10d的長軸S4的延長線交叉。
而且，在圖5所示的濾波器中，形成橢圓形狀的兩個壓電薄膜共振器，即第一壓電薄膜共振器和第二壓電薄膜共振器的延長線彼此交叉，但也可以是一個壓電薄膜共振器的長軸與另一個壓電薄膜共振器的長軸的延長線交叉的關(guān)系。在這種情況下，交叉位置形成于一個壓電薄膜共振器的區(qū)域內(nèi)。
即，在從交叉位置不是自己區(qū)域內(nèi)的壓電薄膜共振器看的情況下，其長軸的延長線，與具有橢圓形狀的鄰近的其它壓電薄膜共振器的長軸或者其延長線交叉。另外，在從交叉位置是自己區(qū)域內(nèi)的壓電薄膜共振器看的情況下，其長軸與具有橢圓形狀的鄰近的其它壓電薄膜共振器的長軸的延長線交叉。
如果這樣，壓電薄膜共振器10a、10b、10e的間隔，或者壓電薄膜共振器10c、10d、10f的間隔能夠進一步變窄，能夠?qū)崿F(xiàn)面積效率的提高。
另外，在不改變最短的共振器間距離的制約條件之情況下可增加共振器配置的自由度，同時也增加了電極塊的配置自由度。
而且，長軸的旋轉(zhuǎn)角度是任意的，不限于圖5所示的情況。即，根據(jù)希望的布置，能夠適當(dāng)改變各個旋轉(zhuǎn)角度或者位置關(guān)系。
例如，如圖6和圖7所示那樣，也包括壓電薄膜共振器10e、10f和電極塊17～20，如果布置得使得間隔更狹窄，由于實現(xiàn)了進一步的面積效率提高，同時布置密度更加均勻，所以可減少蝕刻偏差且得到穩(wěn)定的制造品質(zhì)。
特別是，如圖7所示那樣，如果在具有矩形形狀的元件基板的相互最遠(yuǎn)離開的2個角部附近分別配置接地電極塊19、20，能夠防止不需要的感應(yīng)耦合。
而且，在圖4所示的現(xiàn)有的濾波器116中，這樣的配置是困難的。這是因為，在矩形壓電薄膜共振器中，相互位置關(guān)系對于元件基板面只有垂直和水平2個方向，但橢圓形狀的壓電薄膜共振器能夠旋轉(zhuǎn)其本身，所以對于其它橢圓形狀的壓電薄膜共振器來說能夠全方位配置。
(實施方式3)圖8是表示本發(fā)明的實施方式3的濾波器的說明圖，圖9是表示本發(fā)明的實施方式3的第一變形例的濾波器的說明圖，圖10是表示本發(fā)明的實施方式3的第二變形例的濾波器的說明圖，圖11是表示本發(fā)明的實施方式3的第三變形例的濾波器的說明圖，圖12是表示本發(fā)明的實施方式3的第四變形例的濾波器的說明圖，圖13是表示本發(fā)明的實施方式3的第五變形例的濾波器的說明圖，圖14是表示本發(fā)明的實施方式3的第六變形例的濾波器的說明圖，圖15是表示本發(fā)明的實施方式3的第七變形例的濾波器的說明圖，圖16是表示本發(fā)明的實施方式3的第八變形例的濾波器的說明圖。
在圖8所示的濾波器中，使用具有相對的邊不平行的四方形的壓電薄膜共振器10a～10f。即，圖8所示的濾波器包括具有與圖1所示的壓電薄膜共振器10同樣的層構(gòu)成的壓電薄膜共振器10a～10f的電子部件。與實施方式1相同，壓電薄膜共振器10a～10f的周邊中相對的兩個周邊是不平行的。而且，在圖8中，壓電薄膜共振器的面積與圖2所示的情況相同。即，各壓電薄膜共振器的區(qū)域是上部電極、壓電薄膜和下部電極在疊層方向互相重合的區(qū)域。
由于將壓電薄膜共振器10a～10f形成這樣的形狀，某個壓電薄膜共振器(例如壓電薄膜共振器10a)和與該壓電薄膜共振器相鄰的其它壓電薄膜共振器(例如壓電薄膜共振器10b)的相對的外周部之間，即周邊的間隔不是一定的。
因此，在本實施方式中，由于圖案不是密集的，所以能夠防止圖案形成時由抗蝕劑殘渣或者蝕刻率降低導(dǎo)致的圖案不好。
另外，由于相鄰的壓電薄膜共振器的相互相對的外周部不是平行的位置，所以相鄰的兩個壓電薄膜共振器的相位一致的條件不滿足，能夠防止不需要的聲音耦合的發(fā)生。
而且，由于這樣的兩個壓電薄膜共振器的相位一致的條件不滿足，所以能夠提高壓電薄膜共振器的布置的自由度。
既使不象實施方式1和實施方式2那樣壓電薄膜共振器形成橢圓形狀，將那樣的壓電薄膜共振器的周邊形狀形成為四方形，也能夠得到希望的作用效果。即，在本發(fā)明中，只要某個壓電薄膜共振器和與該壓電薄膜共振器相鄰的其它壓電薄膜共振器的相對的外周部間的間隔不是一定的，能夠采用三角形或者五邊形以上的多邊形、圓、橢圓或者組合它們的形狀等等各種形狀。另外，間隔不是一定的位置不必涉及相對的外周部的整體，也可以是一部分。
如果舉一個例子，如圖9的第一變形例所示那樣，將壓電薄膜共振器10a、10b的相互相對的一個角形成由直線切除的形狀，象圖10的第二變形例所示那樣，將壓電薄膜共振器10a、10b的相互相對的一個角形成由曲線切除的形狀，象圖11的第三變形例所示的那樣，將壓電薄膜共振器10a、10b的相互相對的兩個角形成由曲線切除的形狀，象圖12的第四變形例所示的那樣，將壓電薄膜共振器10a、10b的相互相對的角的一方由直線切除，并在壓電薄膜共振器10e中將該缺口部分附近切除的形狀，象圖13的第五變形例所示那樣，將壓電薄膜共振器10a、10b的相互相對的兩個角由曲線切除，并將壓電薄膜共振器10e的壓電薄膜共振器10a、10b側(cè)的兩個角形成由曲線切除的形狀，能夠采用這些形狀。
此外，象以上說明的那樣，相互相鄰的兩個壓電薄膜共振器的相對的外周部間的間隔不是一定的，不僅如此，可考慮既使是一定的也能夠得到希望的作用效果的形狀。
這是這樣的情況，某個壓電薄膜共振器和與該壓電薄膜共振器相鄰的其它壓電薄膜共振器的相對的外周部，由間隔是一定的曲線或者折線所形成。而且，既使這樣，由曲線或者折線所形成的位置，不必涉及相對的外周部的整體，也可以是一部分。即，可以是互相相對的第一壓電薄膜共振器的周邊的一部分和第二壓電薄膜共振器的周邊的一部分由折線或者曲線所形成，兩者的折線的間隔或者曲線的間隔是一定的。
如果舉這樣的一個例子，象圖14的第六變形例所示的那樣，將壓電薄膜共振器10a、10b的相互相對的外周部(邊)形成為由保持等間隔的折線所形成的形狀，象圖15的第七變形例所示的那樣，將壓電薄膜共振器10a、10b的相互相對的外周部(邊)形成由保持等間隔的曲線所形成的形狀，象圖16的第八變形例所示的那樣，能夠采用如下形狀壓電薄膜共振器10a、10b的互相相對的外周部(邊)，由保持等間隔的曲線所形成，同時，壓電薄膜共振器10a、10b和壓電薄膜共振器10e的相互相對的外周部(邊)，形成為由保持等間隔的曲線所形成的形狀。
在以上的說明中，說明了由SMR型壓電薄膜共振器來構(gòu)成本發(fā)明的情況，但對于將由上下電極所夾持的壓電薄膜的上下方向形成大氣開放狀態(tài)、聲音全反射的隔膜型壓電薄膜共振器等使用壓電薄膜的疊層型壓電薄膜共振器也能夠全部適用。
象以上說明本發(fā)明的適當(dāng)實施方式那樣，如根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)下面的效果。
即，如根據(jù)本發(fā)明，由于壓電薄膜共振器的圖案不是密集的，所以在圖案形成時能夠防止由抗蝕劑殘渣或者蝕刻率降低導(dǎo)致的圖案不好。
另外，如根據(jù)本發(fā)明，由于相鄰的壓電薄膜共振器的相互相對的外周部的平行位置不存在，所以兩個壓電薄膜共振器的相位一致的條件不滿足，能夠防止不需要的聲音耦合的發(fā)生。
此外，如根據(jù)本發(fā)明，由于這樣的兩個壓電薄膜共振器的相位一致的條件不滿足，所以能夠提高壓電薄膜共振器的布置自由度。
而且，如果在具有矩形形狀的元件基板的相互最遠(yuǎn)離開的2個角部附近分別配置兩個接地電極塊，能夠防止不需要的感應(yīng)耦合。
權(quán)利要求
1.一種電子部件，具有第一壓電薄膜共振器；和與所述第一壓電薄膜共振器相鄰設(shè)置的第二壓電薄膜共振器，所述第一壓電薄膜共振器和第二壓電薄膜共振器的各個，具有由第一電極膜和第二電極膜夾著壓電薄膜的構(gòu)造，是在所述第一電極膜、所述壓電薄膜和所述第二電極膜相互重合的區(qū)域所構(gòu)成的、通過在所述壓電薄膜的內(nèi)部傳輸?shù)捏w波而得到規(guī)定的共振頻率的信號的壓電薄膜共振器，在假想與相互相對的所述第一壓電薄膜共振器的周邊的一部分和所述第二壓電薄膜共振器的周邊的一部分交叉的兩個直線的情況下，該兩個直線中的一個直線和所述第一壓電薄膜共振器的所述一部分的交點與該一個直線和所述第二壓電薄膜共振器的所述一部分的交點的距離，與該所述兩個直線中的另一個直線和所述第一壓電薄膜共振器的所述一部分的交點和該另一個直線和所述第二壓電薄膜共振器的所述一部分的交點的距離是不同的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于，所述第一壓電薄膜共振器的壓電薄膜和第二壓電薄膜共振器的壓電薄膜是連續(xù)的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于，所述第一壓電薄膜共振器和所述第二壓電薄膜共振器為橢圓形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子部件，其特征在于，所述第一壓電薄膜共振器的長軸相對于周邊的延長線與所述第二壓電薄膜共振器的相對于周邊的長軸或者其延長線交叉。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子部件，其特征在于，所述第一壓電薄膜共振器的長軸相對于周邊的延長線與所述第二壓電薄膜共振器的相對于周邊的長軸交叉。
6.一種電子部件，其特征在于，具有第一壓電薄膜共振器；和與所述第一壓電薄膜共振器相鄰設(shè)置的第二壓電薄膜共振器，所述第一壓電薄膜共振器和第二壓電薄膜共振器的各個，具有由第一電極膜和第二電極膜夾著壓電薄膜的構(gòu)造，是在所述第一電極膜、所述壓電薄膜和所述第二電極膜相互重疊的區(qū)域構(gòu)成的、通過在所述壓電薄膜的內(nèi)部傳輸?shù)捏w波而得到規(guī)定的共振頻率的信號的壓電薄膜共振器，與所述第二壓電薄膜共振器的周邊相對的所述第一壓電薄膜共振器的周邊包括由折線或者曲線所形成的部分，與所述第一壓電薄膜共振器的所述周邊相對的所述第二壓電薄膜共振器的周邊，包括由與所述折線或者所述曲線的間隔是一定的折線或者曲線所形成的部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子部件，其特征在于，所述第一壓電薄膜共振器的壓電薄膜和第二壓電薄膜共振器的壓電薄膜是連續(xù)的。
8.一種濾波器，其特征在于，具有根據(jù)權(quán)利要求1～7中的任何一項所述的電子部件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的濾波器，其特征在于，還包括輸入電極塊；輸出電極塊；在所述輸入電極塊和所述輸出電極塊之間形成的第一布線部；和在所述第一布線部和接地電極塊之間形成的第二布線部，所述第一壓電薄膜共振器和所述第二壓電薄膜共振器的一個與所述第一布線部電連接，所述第一壓電薄膜共振器和所述第二壓電薄膜共振器的另一個與所述第二布線部電連接，所述第一壓電薄膜共振器和所述第二壓電薄膜共振器的另一個，具有與所述第一壓電薄膜共振器和所述第二壓電薄膜共振器的一個的共振頻率大致一致的反共振頻率。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的濾波器，其特征在于，還包括具有矩形形狀的元件基板，所述接地電極塊分別配置在所述元件基板的相互最遠(yuǎn)離開的2個角部附近。
全文摘要
本發(fā)明的一實施方式的電子部件，具有第一壓電薄膜共振器和第二壓電薄膜共振器，第一壓電薄膜共振器和第二壓電薄膜共振器具有由下部電極和上部電極夾著壓電薄膜的構(gòu)造，是在下部電極、壓電薄膜和上部電極相互重合的區(qū)域所構(gòu)成的、通過在壓電薄膜的內(nèi)部傳輸?shù)捏w波來得到規(guī)定的共振頻率的信號的壓電薄膜共振器，互相相對的第一壓電薄膜共振器的周邊的一部分和第二壓電薄膜共振器的周邊的一部分的間隔不是一定的。
文檔編號H03H9/17GK1630188SQ200410101369
公開日2005年6月22日 申請日期2004年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月18日
發(fā)明者井上憲司 申請人:Tdk株式會社