專利名稱：一種輸入級晶體管eb間帶有電阻的達(dá)林頓開關(guān)晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬半導(dǎo)體晶體管技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種輸入級晶體管EB間帶有電阻的達(dá)林頓開關(guān)晶體管。
背景技術(shù)：
達(dá)林頓開關(guān)晶體管屬半導(dǎo)體器件范疇，是一種半導(dǎo)體微電子技術(shù)。隨著半導(dǎo)體單管生產(chǎn)技術(shù)的快速發(fā)展，開關(guān)晶體管(用于開關(guān)線路中)、高壓大功率管(用于電視機線路中)、大電流功率管(用于音響線路中)等，已達(dá)到相當(dāng)高的生產(chǎn)水平。為了克服大電流時放大系數(shù)的下降，人們采用二個晶體管復(fù)合在一起，即構(gòu)成所謂的達(dá)林頓晶體管，來增大大電流下的電流，其結(jié)構(gòu)如圖1所示。
當(dāng)三極管T1的發(fā)射極電流全部注入到三極管T2的基極，成為T2管的基極電流，如圖1將2個管子當(dāng)作一個整體，其電流放大系數(shù)β＝β1·β2，其中，β1是三極管T1的放大系數(shù)，β2是三極管T2的放大系數(shù)。
可以看出這種結(jié)構(gòu)起到了放大作用，但是，其功能比較單一。由于三極管T1、T2具有貯存電荷作用，其放大信號，關(guān)閉時間較長，如果作為一個高壓開關(guān)作用就不理想了。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種不僅具有放大功能，而且具有高壓開關(guān)作用的達(dá)林頓開關(guān)晶體管。
本發(fā)明提出達(dá)林頓開關(guān)晶體管，是對圖1所示達(dá)林頓晶體管的改進(jìn)，即在圖1中三極管T1的EB間(基極和發(fā)射極間)接入一個電阻R，其結(jié)構(gòu)如圖2所示。
根據(jù)圖1所示，當(dāng)三極管T1有IB1信號被注入時，信號就被放大，達(dá)林頓被開通。而當(dāng)信號衰減時，為了加快放大信號的關(guān)閉，必須增大IB2抽出電流，這樣要增加外部線路的功能，即所謂的開關(guān)作用不理想。如果在三極管T1的EB間增加一個電阻R(圖2)，則(1)通過電阻R來釋放T1管的貯存電荷，起到快速衰減信號的作用。
(2)通過帶入電阻R，當(dāng)IB1小信號逐漸注入時，由于三極管T1帶有電阻R，信號被R分流，三極管T1未開啟，當(dāng)IB1增加到一定程度時，三極管T1的EB間壓差達(dá)到開通電壓值0.7V時，T1開啟，信號才被放大，再由三極管T2放大，從而整體開通。而當(dāng)信號衰減時，由于電阻R的存在三極管T1的放大信號立即消失，從而整體關(guān)閉?？梢?，一個脈沖信號的輸入，其被放大的信號不會失真。因此由于R的存在，可對該達(dá)林頓晶體管的開關(guān)時間控制在一個預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。
再以單管開關(guān)晶體管與之比較作為單個開關(guān)晶體管，必須有較大輸入信號才能達(dá)到大電流開通，如以小信號開通，則開通電流小。
如果將該管的放大系數(shù)β做大，則由于f(β)·BVceo＝K必導(dǎo)致BVceo下降，而通過本結(jié)構(gòu)圖2。
由于是復(fù)合管，保證了BVceo起到了高壓開關(guān)作用。因此，本發(fā)明可用于高壓開關(guān)線路，如點火裝置等。


圖1為現(xiàn)有達(dá)林頓晶體管結(jié)構(gòu)圖。
圖2為本發(fā)明設(shè)計的達(dá)林頓晶體管結(jié)構(gòu)圖。
圖3為單個開關(guān)晶體管輸入信號與開通電流關(guān)系圖示。
圖4為本發(fā)明復(fù)合管輸入信號與開通電流關(guān)系圖示。
圖中標(biāo)號T1、T2為三極管，R為電阻。
具體實施例方式
根據(jù)圖2所示，一般三極管T1用于注入小電流。對于三極管T2，在開關(guān)條件下，要考慮電流特性，即要求在大電流下，放大倍數(shù)不明顯下降，輸出特性比較好，飽和區(qū)要求盡可能小。電阻R的范圍為2-10KΩ。將三極管T1的集電極與三極管T2的集電極連接，將T1的發(fā)射極與T2的基極連接，并在T1的基極(E)與發(fā)射極(B)之間接入電阻R，從而構(gòu)成一種新的達(dá)林頓開關(guān)晶體管。該晶體管不僅具有放大信號的功能，還具有高壓開關(guān)功能，可用高壓開關(guān)線路，如點火裝置等。根據(jù)具體高壓開關(guān)線路的要求不同，可設(shè)計不同的T1、T2和R。
權(quán)利要求
1.一種達(dá)林頓開關(guān)晶體管，其特征在于由三極管(T1)、(T2)和電阻R組成，其中三極管(T1)的集電極與三極管(T2)集電極連接，三極管(T1)的發(fā)射極與三極管(T2)的基極連接；電阻R連接于三極管(T1)的基極與發(fā)射極之間。
全文摘要
本發(fā)明屬半導(dǎo)體晶體管技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種在輸入級晶體管的EB間接有電阻的達(dá)林頓晶體管。該晶體管是對現(xiàn)有由三極管T1和T2組成的復(fù)合管的改進(jìn)，即在輸入級晶體管T1的基極與發(fā)射集之間連接有一個電阻R。該電阻R可用于釋放T1管的貯存電荷，起到快速衰減信號的作用，同時，可控制管的開關(guān)時間在預(yù)設(shè)的范圍內(nèi)，并且使整個晶體管起到高壓開關(guān)的作用。本發(fā)明可用于高壓開關(guān)線路，如點火裝置等。
文檔編號H03K17/60GK1658503SQ20051002430
公開日2005年8月24日 申請日期2005年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月10日
發(fā)明者金寶興 申請人:上海屹興電子有限公司