專利名稱：彈性波器件和封裝基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體涉及彈性波器件和封裝基板，更具體地，涉及諸如SAW器件或FBAR器件的彈性波器件以及具有該彈性波器件的封裝基板。
背景技術(shù)：
諸如SAW器件或FBAR器件的彈性波器件是小型廉價(jià)的器件，并且用于廣泛的應(yīng)用范圍，例如，移動(dòng)電話上的帶通濾波器。SAW(表面聲波)器件利用在彈性體表面上傳播的瑞利波(Rayleigh wave)。FBAR(薄膜腔聲諧振器)器件利用壓電膜的振動(dòng)。這些彈性波器件對(duì)于縮小如移動(dòng)電話為代表的通信器件的尺寸是必需的，而且為了滿足近年來(lái)日益小型化的移動(dòng)通信終端的需求，需要減小這些彈性波器件的尺寸。
基板尺寸是決定彈性波器件整體尺寸的一個(gè)因素?；宄叽绫硎驹趯⑵骷惭b到封裝之前形成該器件的基板的尺寸。該尺寸很大程度上取決于基板上設(shè)置的激勵(lì)電極(用于激勵(lì)彈性波)的排列、當(dāng)用作器件時(shí)的諸如頻率的器件設(shè)計(jì)、或者其上具有激勵(lì)電極的該基板的材料的物理特性。例如，將該壓電基板用于SAW器件。SAW的速度幾乎完全取決于壓電基板的物理特性。表面波的速度(v)、激勵(lì)電極之間的間隙(周期λ)、和器件頻率(f)具有由ν＝f×λ表示的關(guān)系。因此，為了總體上減小彈性波器件的尺寸，除了必須減小形成有器件的基板的尺寸之外，還必須減小安裝有器件的封裝的尺寸。
下面將描述用于常規(guī)彈性波器件的封裝結(jié)構(gòu)。
圖1A和1B示出了以面朝下?tīng)顟B(tài)安裝的SAW器件的封裝結(jié)構(gòu)。圖1A是封裝上安裝的壓電基板的仰視圖。圖1B是以面朝下?tīng)顟B(tài)在壓電基板上安裝的SAW器件的剖視圖。壓電基板101的底面包括一對(duì)梳狀電極102a(激勵(lì)電極)以及另一對(duì)梳狀電極102b(激勵(lì)電極)，在該對(duì)梳狀電極102a兩側(cè)上具有反射電極103a和103b，在該對(duì)梳狀電極102b兩側(cè)上具有反射電極103c和103d。上述激勵(lì)電極分別連接到壓電基板101上設(shè)置的信號(hào)焊盤(pán)104a、104b和104c。
淀積上基板105a和下基板105b兩層，以在封裝105的底部上形成封裝基板。上基板105a設(shè)置在其上形成有底腳焊盤(pán)(footpad)106的下基板105b上。底腳焊盤(pán)106建立與外部的電連接。上基板105a的頂面是芯片附著表面109，在該芯片附著表面109上設(shè)置封裝側(cè)信號(hào)焊盤(pán)110(簡(jiǎn)稱為信號(hào)焊盤(pán))。在該側(cè)的壓電基板101上設(shè)置由金制成的金球塊111，并且其連接到封裝側(cè)信號(hào)焊盤(pán)110。
壓電基板101以面朝下的狀態(tài)容納在封裝105中，以使得具有激勵(lì)電極的主表面可以面對(duì)芯片附著表面109。信號(hào)焊盤(pán)104a、104b和104c通過(guò)倒裝焊接技術(shù)分別與金球塊111相連接，以便連接相應(yīng)的封裝側(cè)信號(hào)焊盤(pán)110。該封裝側(cè)信號(hào)焊盤(pán)110通過(guò)互連裝置連接到作為封裝105背面的下基板105b上設(shè)置的底腳焊盤(pán)106。由此構(gòu)造的封裝105的開(kāi)口區(qū)域由金屬蓋107覆蓋，并且利用密封裝置108對(duì)其進(jìn)行氣密密封。通常，對(duì)密封裝置108進(jìn)行加熱并熔化，以便氣密密封封裝105和蓋107。密封裝置108使用具有高熔點(diǎn)的焊料(例如，AuSn焊料)，以使得經(jīng)得起正常的回流溫度。這里，AuSn焊料表示包括80％Au和20％Sn的焊料合金。
諸如氧化鋁的陶瓷制品通常用于封裝105。如果氧化鋁陶瓷制品用于封裝105，則利用鎢(W)漿料來(lái)印刷互連圖案，進(jìn)行烘焙，并且利用Ni、Au或者這二者對(duì)互連圖案進(jìn)行電鍍。通常，由此在上基板105a和下基板105b上形成互連裝置。
近年來(lái)已經(jīng)開(kāi)發(fā)了CSP(芯片級(jí)封裝)，以進(jìn)一步縮小SAW器件的封裝。日本特開(kāi)No.2002-513234號(hào)公報(bào)(下文中稱為文獻(xiàn)1)和日本特開(kāi)No.2000-77970號(hào)公報(bào)(下文中稱為文獻(xiàn)2)公開(kāi)了一種封裝，其中在用作基底的鍍層(也稱為安裝基板)上設(shè)置壓電基板以使得在基板和鍍層之間具有間隙，并且利用密封材料氣密密封封裝的外圍。上述封裝結(jié)構(gòu)要求高氣密性的密封材料，以防止設(shè)置在壓電基板上的激勵(lì)電極由于潮濕或氣體而劣化。作為密封材料，金屬材料是有效的。
圖2A、2B、3A和3B示出了上述CSP封裝的封裝結(jié)構(gòu)。圖2A和3A是封裝上所安裝的壓電基板的仰視圖。圖2B和3B是SAW器件的剖視圖，在其上以面朝下?tīng)顟B(tài)安裝有圖2A和3A中所示的壓電基板。圖4A是在封裝上安裝的FBAR基板的仰視圖。圖4B是FBAR器件的剖視圖，在其上以面朝下?tīng)顟B(tài)安裝有圖4A中所示的FBAR基板。這里，F(xiàn)BAR基板包括在要形成FBAR芯片的區(qū)域中布置的壓電薄膜。例如，在硅基板上設(shè)置壓電薄膜層，并且在上述壓電薄膜層上形成激勵(lì)電極。在圖2A到圖4B中，與圖1中相同的組件和結(jié)構(gòu)具有相同的標(biāo)號(hào)。用于彈性波器件的基板(例如上述壓電基板或FBAR基板)總體上表示形成有諸如SAW器件或FBAR器件的彈性波器件的基板。用于彈性波器件的基板必須與封裝基板相區(qū)別。
在圖2A到圖4B中，設(shè)置了基板側(cè)密封電極(稱為第二密封電極)112、封裝側(cè)密封電極(稱為第一密封焊盤(pán)或者密封焊盤(pán))113、密封材料114和接地端子115。在圖4A中，標(biāo)號(hào)116表示FBAR的上激勵(lì)電極，標(biāo)號(hào)117表示FBAR的下激勵(lì)電極，標(biāo)號(hào)101’表示FBAR基板。圖2A和2B中所示的SAW器件被配置為使得封裝側(cè)密封電極113不與接地端子115相連接。然而，圖3A和3B中所示的SAW器件被配置為使得封裝側(cè)密封電極113與封裝基板內(nèi)部的接地端子115相連接。
在許多情況下，將以面朝下?tīng)顟B(tài)安裝的壓電基板101配置為采用片狀基板作為封裝105的底部上設(shè)置的上基板105a和下基板105b。在上述情況下，在片狀基板上排列了數(shù)十到數(shù)百個(gè)壓電基板101，利用金屬蓋107對(duì)其進(jìn)行密封，并且從該片狀基板的一側(cè)將它們切割成獨(dú)立的彈性波器件。
CSP具有這樣的結(jié)構(gòu)，即通常采用漿料印刷或者金屬電鍍，以便利用金屬材料在封裝的該側(cè)上形成密封材料。當(dāng)采用漿料印刷時(shí)，如果不縮小該漿料的粒徑，則不能形成具有窄行寬的圖案。此外，要求高度精確的定位。通常，用于漿料印刷的漿料粒徑必須是該圖案行寬的約1/3到1/5。然而，當(dāng)前可用的技術(shù)僅能將漿料粒徑減少到大約15μm。這就使得可印刷的行寬度為45到至多75μm。如上所述，需要減小彈性波器件的封裝尺寸，以使得可以整體上減小彈性波器件的尺寸。為此，必須使封裝側(cè)密封電極113變窄；然而，上述行寬不夠窄。
另一方面，當(dāng)采用金屬鍍層來(lái)形成密封材料時(shí)，使用由光刻工藝形成的掩模。利用該掩模，能夠容易地實(shí)現(xiàn)細(xì)致的處理。從而易于使封裝側(cè)密封電極的行寬變窄。應(yīng)當(dāng)注意，一系列光刻工藝包括涂布光刻膠、烘焙、曝光(掩模形成)、顯影、烘焙、電鍍和去除光刻膠的多階段工藝。這需要時(shí)間和成本。此外，封裝基板使用伸縮性的氧化鋁陶瓷和玻璃陶瓷，該收縮率隨著要使用的封裝基板而不同。這就出現(xiàn)了一個(gè)問(wèn)題，即在掩模形成處理中的定位方向發(fā)生了偏離，圖案也發(fā)生了偏離。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述情況做出了本發(fā)明，本發(fā)明提供了一種能夠減少?gòu)椥圆ㄆ骷姆庋b尺寸并簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝的技術(shù)。
本發(fā)明更加具體的目的是提供另一種用于對(duì)封裝一側(cè)上設(shè)置的密封電極進(jìn)行電鍍而不進(jìn)行光刻工藝的技術(shù)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，優(yōu)選地，提供了一種封裝基板，包括在所述封裝基板的主表面上設(shè)置的信號(hào)焊盤(pán)；在所述封裝基板的背面上設(shè)置的底腳焊盤(pán)；以及在所述主表面上設(shè)置的圍繞所述信號(hào)焊盤(pán)的密封電極，所述信號(hào)焊盤(pán)與所述底腳焊盤(pán)電連接，所述密封電極與所述底腳焊盤(pán)絕緣。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，優(yōu)選地，提供了一種彈性波器件，包括器件基板，其上安裝有用于激勵(lì)彈性波的激勵(lì)電極；以及封裝基板，其包括在所述封裝基板的主表面上設(shè)置的信號(hào)焊盤(pán)；在所述封裝基板的背面上設(shè)置的底腳焊盤(pán)；以及在所述主表面上設(shè)置的圍繞所述封裝側(cè)信號(hào)焊盤(pán)的第一密封電極，所述信號(hào)焊盤(pán)與所述底腳焊盤(pán)電連接，所述第一密封電極與所述底腳焊盤(pán)絕緣，所述器件基板的主表面被布置為面對(duì)所述封裝基板的主表面，使在所述器件基板的主表面上設(shè)置的第二密封電極和所述第一密封電極相接觸，從而氣密地密封所述彈性波器件。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，優(yōu)選地，提供了一種制造封裝基板的方法，包括形成至少一組在所述封裝基板的主表面上設(shè)置的信號(hào)焊盤(pán)、在所述主表面上設(shè)置的圍繞所述信號(hào)焊盤(pán)的密封電極以及與所述信號(hào)焊盤(pán)電連接的底腳焊盤(pán)，所述底腳焊盤(pán)設(shè)置在所述封裝基板的背面上同時(shí)與所述密封電極絕緣；在所述封裝基板的主表面上的外圍區(qū)域中形成圍繞所述至少一個(gè)組的單個(gè)引出電極；將所述單個(gè)引出電極分為第一電極和第二電極，所述第一電極與所述信號(hào)焊盤(pán)電連接，所述第二電極與所述密封電極電連接；以及對(duì)所述第二電極通電，從而僅對(duì)所述密封電極進(jìn)行電解電鍍。
本發(fā)明的封裝基板包括兩個(gè)用于電鍍的引出電極。梳狀電極(以及與其電連接的圖案)和密封電極(以及與其電連接的圖案)可以電分離。從而，可以獨(dú)立地對(duì)所述梳狀電極和所述密封電極進(jìn)行電鍍。這使得可以減小彈性波器件的封裝的尺寸并簡(jiǎn)化生產(chǎn)過(guò)程。


下面將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其中圖1A和1B示出了以面朝下?tīng)顟B(tài)安裝的SAW器件的封裝結(jié)構(gòu)；圖2A和2B示出了CSP封裝的第一封裝結(jié)構(gòu)；圖3A和3B示出了CSP封裝的第二封裝結(jié)構(gòu)；圖4A是安裝在封裝上的FBAR基板的仰視圖；圖4B是FBAR器件的剖視圖，其上安裝有圖4A所示的FBAR基板；圖5是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的封裝基板的結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖6A和6B是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的封裝基板的平面圖；圖7示出了安裝在本發(fā)明的封裝基板上的SAW濾波器的示例；圖8A和8B是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的封裝基板的視圖；圖9A和9B是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的封裝基板的視圖；圖10A和10B是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的封裝基板的視圖；圖11A和11B是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的封裝基板的視圖；圖12A和12B示出了通帶特性；圖12C和12D示出了平衡特性；以及圖13A和13B是根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的封裝基板的視圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述。
在下面的描述中，將本發(fā)明的彈性波器件描述為SAW器件。根據(jù)本發(fā)明的有益效果，也可以減小諸如FBAR的其它的彈性波器件的尺寸。
(第一實(shí)施例)圖5和圖6A及6B示出了本發(fā)明的封裝基板的第一結(jié)構(gòu)示例。圖5是封裝基板的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖6A是本發(fā)明的封裝基板的平面圖。圖6B是用于比較的針對(duì)常規(guī)CSP的封裝基板的平面圖。
參考圖5，封裝基板10是兩個(gè)陶瓷片(即下基板11和上基板12)的層疊體。上基板12的頂面是在圖5的表面A中示出的芯片附著表面。下基板11的背面是在圖5的表面C中示出的底腳焊盤(pán)表面，在其上設(shè)置有底腳焊盤(pán)14。分別在上基板12和下基板11上設(shè)置通孔15。通過(guò)焊接基板的各個(gè)表面B將上基板12和下基板11焊接到一起。通過(guò)互連裝置16連接各個(gè)基板上設(shè)置的通孔15。在上基板12上設(shè)置的封裝側(cè)信號(hào)焊盤(pán)(用于連接梳狀電極的電極焊盤(pán))13電連接到下基板11上設(shè)置的底腳焊盤(pán)14。在上基板12的外圍附近設(shè)置稍后將描述的密封電極(封裝側(cè)密封電極)。
參考圖6A，在切割之前，在圖5示出的單個(gè)陶瓷片上形成四個(gè)封裝基板10。在外圍區(qū)域中布置兩個(gè)用于電鍍的引出電極(用于電鍍的引出電極18a和用于電鍍的另一引出電極18b)，以便圍繞封裝基板10。將用于電鍍的引出電極18a連接到密封電極17和一個(gè)互連圖案。該互連圖案電連接到密封電極17，并且以與密封電極17相同的陰影線示出。將用于電鍍的引出電極18b連接到電極焊盤(pán)13和一個(gè)圖案。該圖案電連接到電極焊盤(pán)13，并且以與電極焊盤(pán)13相同的陰影線示出。設(shè)置用于電鍍的引出電極18a和用于電鍍的引出電極18b，以便用于連接梳狀電極的電極焊盤(pán)13(以及與其電連接的圖案)可以與密封電極17(以及與其電連接的圖案)電分離。特別地，密封電極17與在封裝基板10的下基板11上設(shè)置的所有底腳焊盤(pán)14電絕緣。切割線19是用于將單個(gè)陶瓷片切割為多個(gè)獨(dú)立芯片的垂直線，而不是作為實(shí)際圖案設(shè)置的。
參照?qǐng)D6B，常規(guī)的封裝基板包括用于電鍍的單個(gè)引出電極118，其布置在陶瓷片的外圍區(qū)域中，以便在切割之前包圍四個(gè)封裝基板100。用于連接梳狀電極的電極110(以及與其電連接的圖案)和密封電極113(以及與其電連接的圖案)經(jīng)由用于電鍍的引出電極118而電連接。
如果采用氧化鋁片來(lái)代替陶瓷片，則利用鎢(W)漿料對(duì)電極焊盤(pán)13和密封電極17進(jìn)行圖案印刷。烘焙該圖案，然后利用諸如Ni或Au的金屬進(jìn)行電鍍。該電鍍是電解電鍍，并且僅選擇性地對(duì)在電鍍工藝中導(dǎo)電的區(qū)域進(jìn)行電鍍。
如圖6B所示，在用于連接梳狀電極的電極110(以及與其電連接的圖案)和密封電極17(以及與其電連接的圖案)經(jīng)由用于電鍍的引出電極118電連接的同時(shí)執(zhí)行電解電鍍，并且電流流過(guò)在表面A的芯片附著表面上設(shè)置的用于電鍍的引出電極118。這會(huì)導(dǎo)致除了作為兩個(gè)封裝基板的焊接表面的表面B之外的與電鍍?nèi)芤航佑|的電極被全部電鍍。換句話說(shuō)，在表面A和C上設(shè)置的所有電極都被電鍍。為了選擇性地對(duì)在表面A上設(shè)置的密封電極113進(jìn)行電鍍，必須利用光致抗蝕劑對(duì)除了密封電極113之外的區(qū)域進(jìn)行掩模，并且必須再次執(zhí)行電解電鍍。在上述電鍍工藝中要求附加的光刻工藝，這在成本方面沒(méi)有優(yōu)勢(shì)。
與此相反，本發(fā)明的封裝基板被配置為包括兩個(gè)引出電極18a和18b，并且使用于連接梳狀電極的電極焊盤(pán)13(以及與其電連接的圖案)與密封電極17(以及與其電連接的圖案)電分離。從而可以分別且獨(dú)立地對(duì)電極焊盤(pán)13和密封電極17進(jìn)行電鍍。因此，不需要附加的光刻工藝來(lái)將密封材料設(shè)置在密封電極17上。如上所述對(duì)密封電極17進(jìn)行電鍍，并且將陶瓷片切割為獨(dú)立的封裝基板10。將圖7中所示的其上具有壓電基板側(cè)密封電極的壓電基板安裝在封裝基板10上，并且生產(chǎn)出SAW濾波器。由此獲得本發(fā)明的彈性波器件。
將上述壓電基板安裝在封裝基板上，以生產(chǎn)出圖2A到圖4B中所示的CSP。也就是說(shuō)，使其上具有彈性波的激勵(lì)電極的壓電基板表面面對(duì)該封裝基板的芯片附著表面。將上述基板焊接到一起，以在激勵(lì)電極的上表面與封裝基板的芯片附著表面之間形成間隙。設(shè)置密封材料以便氣密密封激勵(lì)電極的上表面與封裝基板的芯片附著表面之間的間隙。另外，在壓電基板上設(shè)置的激勵(lì)電極通過(guò)金球塊連接到在封裝基板的芯片附著表面上設(shè)置的信號(hào)焊盤(pán)。從封裝基板的背面上設(shè)置的底腳焊盤(pán)提供信號(hào)，并且該信號(hào)提供給壓電基板上的激勵(lì)電極。從而，彈性波器件進(jìn)行操作。
為了便于更好地理解本發(fā)明，以SAW器件為例描述了彈性波器件。然而，彈性波器件并不限于SAW器件，也可以采用FBAR器件。當(dāng)在壓電材料上形成彈性波器件時(shí)，不需要直接在壓電基板上形成該彈性波器件?？梢栽诨迳闲纬傻膲弘姳∧ど显O(shè)置梳狀電極，以形成彈性波器件。
(第二實(shí)施例)圖8A和8B示出了本發(fā)明的封裝基板的第二結(jié)構(gòu)示例。圖8A是本發(fā)明的封裝基板的剖視圖。圖8B是封裝基板的芯片附著表面的俯視圖。
如上所述，本發(fā)明沒(méi)有使用用于借助金屬密封裝置來(lái)電鍍?cè)诜庋b基板10上設(shè)置的密封電極17的掩模。僅通過(guò)導(dǎo)通密封電極17來(lái)利用電解電鍍選擇性地對(duì)密封電極17進(jìn)行電鍍。應(yīng)當(dāng)注意，如果在沒(méi)有掩模的情況下執(zhí)行電鍍，則該電鍍可以各向同性地在密封電極17上進(jìn)行，這得到了具有半筒狀的密封材料，其覆蓋密封電極17并且從密封電極17突出。如果在密封電極17上形成上述具有半筒狀的密封材料，則容易出現(xiàn)下面的缺點(diǎn)，即，在切割之前在封裝基板10上的相互鄰接的區(qū)域中的密封電極17可能短路，或者密封電極17和電極焊盤(pán)13可能短路。
因此，為了避免上述缺點(diǎn)，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，將封裝基板配置為滿足下面的表達(dá)式。其中，h表示電鍍高度(密封材料20的最高點(diǎn)與用于連接梳狀電極的電極焊盤(pán)13的頂面之間的差)，W1表示在相互鄰接的封裝基板10上設(shè)置的最接近的密封電極17之間的距離，W2表示在同一個(gè)封裝基板10上設(shè)置的密封電極17與最接近布置的電極焊盤(pán)13之間的距離。距離W1等于或者大于電鍍高度的2.5倍(W1≥2.5h)。距離W2等于或者大于電鍍高度的1.5倍(W1≥1.5h)。上述電極排列和使用密封材料20的電鍍條件能夠避免在相互鄰接的封裝基板10上設(shè)置的密封電極17之間、或者電極焊盤(pán)13與密封電極17之間的短路。將SAW濾波器等安裝到封裝基板10上，從而獲得本發(fā)明的彈性波器件。
(第三實(shí)施例)圖9A和9B示出了本發(fā)明的封裝基板的第三個(gè)結(jié)構(gòu)示例。圖9A是安裝在本發(fā)明的封裝基板上的壓電基板的主表面的剖視圖。圖9B是示出了安裝在封裝基板上的彈性波器件的剖視圖。
根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例，設(shè)置了電極119來(lái)連接壓電基板101上的信號(hào)焊盤(pán)104c和壓電基板側(cè)密封電極112。壓電基板側(cè)密封電極112接地以減小寄生電容。在圖9A和9B中，與圖1A到圖4B中相同的器件和結(jié)構(gòu)具有相同的標(biāo)號(hào)。為了防止密封材料通過(guò)電極119流入梳狀電極，選擇與密封材料具有較差“潤(rùn)濕性”的材料是有效的。優(yōu)選地，當(dāng)采用SnAg合金焊料作為密封材料時(shí)，電極材料是鉻(Cr)或鋁(Al)。
(第四實(shí)施例)圖10A和10B示出了本發(fā)明的第四實(shí)施例。圖10A示出了安裝在封裝基板上的壓電基板的主表面。圖10B是安裝在封裝基板上的彈性波器件的剖視圖。
將氧化(SiO2)膜120布置在將信號(hào)焊盤(pán)104c和壓電基板側(cè)密封電極112相連的電極119的至少一個(gè)區(qū)域中。這樣布置的氧化膜120使焊料流動(dòng)性更差，并且可以防止密封材料流入梳狀電極。實(shí)現(xiàn)該目的并非總需要氧化膜。也可以采用另一種材料，只要該材料與密封材料不具有潤(rùn)濕性。
(第五實(shí)施例)圖11A和11B示出了本發(fā)明的第五實(shí)施例。圖11A示出了安裝在封裝基板上的壓電基板的主表面。圖11B是安裝在封裝基板上的彈性波器件的剖視圖。
將導(dǎo)電樹(shù)脂部分地涂布在根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的圖10B所示的彈性波器件的外表面上。將導(dǎo)電樹(shù)脂21涂布在壓電基板101的主表面(其上設(shè)置有梳狀電極)的反面(背面)上。還將導(dǎo)電樹(shù)脂21涂布在側(cè)壁上以及封裝基板10中所包含的上電極12的附近。壓電基板101的背面接地。
圖12A到12D是示出了具有圖11A和11B所示結(jié)構(gòu)的SAW濾波器的器件特性的曲線圖。為了比較，圖12A到12D還示出了具有圖10A和10B中所示結(jié)構(gòu)的SAW濾波器的器件特性。圖12A示出了通帶特性。圖12B也示出了通帶特性(通頻帶的放大視圖)。圖12C示出了相位平衡特性。圖12D示出了幅度平衡特性。這些特性都是以在美國(guó)建立的PCS系統(tǒng)的接收濾波器的規(guī)范(平衡規(guī)范)為基礎(chǔ)的。
這兩個(gè)器件特性之間的比較表明通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例將壓電基板的背面接地，均改善了通帶特性和平衡特性。
(第六實(shí)施例)圖13A到13B示出了本發(fā)明的第六實(shí)施例。圖13A是示出了在密封材料被電鍍之前的封裝基板表面的視圖。圖13B是示出了引出電極被部分切掉的封裝基板的表面的視圖。
用于電鍍的引出電極18具有與圖6B相同的結(jié)構(gòu)。為了對(duì)密封材料進(jìn)行電鍍，部分地切掉引出電極。在圖13B中切掉了四處。通過(guò)切掉這四處，圖13B實(shí)際上具有與圖6A中相同的布局。也就是說(shuō)，在圖13A所示的最初的用于電鍍的引出電極18的布局中，用于連接梳狀電極的電極焊盤(pán)13(以及與其電連接的圖案)電連接到密封電極(以及與其電連接的圖案)。然而，部分地切掉引出電極18，然后將該引出電極18劃分為用于電鍍的引出電極18a和用于電鍍的引出電極18b。用于電鍍的引出電極18a連接到密封電極17以及與其電連接的圖案。用于電鍍的引出電極18b連接到電極焊盤(pán)13以及與其電連接的圖案。通過(guò)部分地切割引出電極18，獨(dú)立地并分別地對(duì)電極焊盤(pán)13和密封電極17進(jìn)行電鍍。不需要附加的光刻工藝來(lái)在密封電極17上設(shè)置密封材料20。
本發(fā)明提供了一種技術(shù)，其無(wú)需光刻工藝即可電鍍封裝側(cè)密封電極，并且可以減小用于彈性波器件的封裝的尺寸同時(shí)簡(jiǎn)化工藝。本發(fā)明對(duì)于生產(chǎn)SAW器件或FBAR器件來(lái)說(shuō)是有效的。
本發(fā)明并不限于上面提到的實(shí)施例，可以在不脫離本發(fā)明范圍的情況下做出其它的實(shí)施例、變型和修改。
本發(fā)明基于2004年4月28日提交的日本專利申請(qǐng)2004-132513，在此通過(guò)引用并入其全部?jī)?nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種封裝基板，包括在所述封裝基板的主表面上設(shè)置的信號(hào)焊盤(pán)；在所述封裝基板的背面上設(shè)置的底腳焊盤(pán)；以及在所述主表面上設(shè)置的圍繞所述信號(hào)焊盤(pán)的密封電極，所述信號(hào)焊盤(pán)電連接到所述底腳焊盤(pán)，所述密封電極與所述底腳焊盤(pán)絕緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，進(jìn)一步包括引出電極，所述封裝基板包括多組所述信號(hào)焊盤(pán)、底腳焊盤(pán)、密封電極，所述多組分別設(shè)置在相互鄰接布置的多個(gè)區(qū)域中，所述引出電極布置在所述主表面的外圍區(qū)域中以圍繞所述多組，所述引出電極包括與所述信號(hào)焊盤(pán)電連接的第一引出電極，和與所述密封電極電連接的第二引出電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝基板，其中所述密封電極的表面涂布有密封材料，所述密封材料是使所述第二引出電極通電而電解電鍍的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝基板，其中W1等于或大于2.5h，W2等于或者大于1.5h，其中W1表示相互鄰接的所述密封電極之間的距離，W2表示所述密封電極與所述信號(hào)焊盤(pán)之間最近的距離，h表示所述密封材料的頂點(diǎn)與所述信號(hào)焊盤(pán)的上表面之間的差。
5.一種彈性波器件，包括器件基板，其上安裝有用于激勵(lì)彈性波的激勵(lì)電極；以及封裝基板，包括在所述封裝基板的主表面上設(shè)置的信號(hào)焊盤(pán)；在所述封裝基板的背面上設(shè)置的底腳焊盤(pán)；以及在所述主表面上設(shè)置的圍繞所述封裝側(cè)信號(hào)焊盤(pán)的第一密封電極，所述信號(hào)焊盤(pán)電連接到所述底腳焊盤(pán)，所述第一密封電極與所述底腳焊盤(pán)絕緣，所述器件基板的主表面被布置為面對(duì)所述封裝基板的主表面，所述器件基板的主表面上設(shè)置的第二密封電極與所述第一密封電極接觸，從而氣密地密封所述彈性波器件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的彈性波器件，進(jìn)一步包括多個(gè)信號(hào)焊盤(pán)，其連接到所述器件基板的所述主表面上設(shè)置的所述引出電極；以及電連接所述密封電極和所述多個(gè)信號(hào)焊盤(pán)中至少一個(gè)信號(hào)焊盤(pán)的特定電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的彈性波器件，其中所述特定電極由與所述密封電極的潤(rùn)濕性低的材料制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的彈性波器件，其中所述特定電極被與所述密封電極的潤(rùn)濕性低的材料部分地涂布。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的彈性波器件，進(jìn)一步包括導(dǎo)電部分，其通過(guò)所述特定電極將所述器件基板的背面與所述多個(gè)信號(hào)焊盤(pán)中至少一個(gè)電連接起來(lái)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的彈性波器件，其中所述導(dǎo)電部分是涂布所述器件基板的背面和相對(duì)側(cè)面的導(dǎo)電樹(shù)脂。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的彈性波器件，其中所述彈性波器件是SAW器件和FBAR器件中的一種。
12.一種制造封裝基板的方法，包括形成至少一個(gè)由設(shè)置在所述封裝基板的主表面上的信號(hào)焊盤(pán)、在所述主表面上設(shè)置的圍繞所述信號(hào)焊盤(pán)的密封電極、以及與所述信號(hào)焊盤(pán)電連接的底腳焊盤(pán)構(gòu)成的組，所述底腳焊盤(pán)設(shè)置在所述封裝基板的背面上同時(shí)與所述密封電極絕緣；在所述封裝基板的主表面上的外圍區(qū)域中形成圍繞所述至少一個(gè)組的單個(gè)引出電極；將所述單個(gè)引出電極分為第一電極和第二電極，所述第一電極與所述信號(hào)焊盤(pán)電連接，所述第二電極與所述密封電極電連接；以及使所述第二電極通電，以僅對(duì)所述密封電極進(jìn)行電解電鍍。
全文摘要
一種封裝基板，包括在封裝基板的主表面上設(shè)置的信號(hào)焊盤(pán)；在封裝基板的背面上設(shè)置的底腳焊盤(pán)；以及在主表面上設(shè)置的圍繞信號(hào)焊盤(pán)的密封電極，該信號(hào)焊盤(pán)電連接到所述底腳焊盤(pán)，所述密封電極與所述底腳焊盤(pán)絕緣。
文檔編號(hào)H03H3/08GK1691500SQ200510068239
公開(kāi)日2005年11月2日 申請(qǐng)日期2005年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月28日
發(fā)明者松田隆志, 藁科卓, 上田政則, 川內(nèi)治, 兼田泰文 申請(qǐng)人:富士通媒體部品株式會(huì)社, 富士通株式會(huì)社