專利名稱：高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種高壓控制裝置，特別是涉及一種高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置。
背景技術(shù)：
串聯(lián)可控硅電壓過(guò)零觸發(fā)技術(shù)是可控硅硅作為電子柔性開關(guān)安全可靠的核心技術(shù)。自身的高電位運(yùn)行，以及導(dǎo)通后1V左右的殘壓，使得高壓串聯(lián)可控硅的檢零成為本領(lǐng)域懸而未決的技術(shù)難題。一直以來(lái)，都折中采用一種檢測(cè)首零點(diǎn)，間接推算后續(xù)過(guò)零點(diǎn)的方法。但該方法有著諸多的技術(shù)缺憾，諸如以犧牲響應(yīng)速度，來(lái)確保投入無(wú)涌流隨機(jī)干擾可能造成控制系統(tǒng)的連續(xù)誤判、誤動(dòng)作等，使得該方法在實(shí)際應(yīng)用中尚未得到普遍的技術(shù)推廣應(yīng)用。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型是為解決上述問(wèn)題而開發(fā)的，其提供一種應(yīng)用在高壓線路中能準(zhǔn)確的識(shí)別出可控硅閥體電壓的過(guò)零信號(hào)并通過(guò)工業(yè)塑料光纖，將過(guò)零信號(hào)耦合傳遞到低壓控制端，解決低壓控制高壓的電氣絕緣問(wèn)題的安全可靠的高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置。
本實(shí)用新型高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置，由下述部分構(gòu)成接線端子A、B，用于接到高壓串聯(lián)可控硅的上下兩極；接線端子A、B通過(guò)限流電阻R分別接入到自取能電路功能模塊QN和檢零電路功能模塊JL；自取能電路功能模塊QN和檢零電路功能模塊JL分別與紅外光發(fā)射電路功能模塊DG連接，將高壓檢零信號(hào)傳遞給紅外光發(fā)射電路功能模塊DG，經(jīng)由與之連接的工業(yè)塑料光纖GX將高壓過(guò)零信號(hào)耦合到低壓控制端。
本實(shí)用新型采用緊固方式與串聯(lián)可控硅并聯(lián)連接。
所述高壓串聯(lián)可控硅為單相可控硅時(shí)是反并聯(lián)后串聯(lián)，雙向可控硅時(shí)串聯(lián)。
所述單相可控硅為若干個(gè)與二極管并聯(lián)后串聯(lián)。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)及效果如下1、本實(shí)用新型采用獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了從高壓系統(tǒng)自取直流工作電源的功能，整個(gè)電路采用與高壓系統(tǒng)同電位的設(shè)計(jì)原理，使得該裝置的工作長(zhǎng)期安全可靠。
2、本實(shí)用新型并聯(lián)在串聯(lián)可控硅閥體的上下兩極，實(shí)時(shí)的對(duì)可控硅閥體上的電壓進(jìn)行采樣，能準(zhǔn)確的識(shí)別出可控硅閥體電壓的過(guò)零信號(hào)，并將其轉(zhuǎn)換成電平脈沖信號(hào)。
3、本實(shí)用新型將檢測(cè)到的過(guò)零脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)換成紅外光脈沖，通過(guò)工業(yè)塑料光纖，將過(guò)零信號(hào)耦合傳遞到低壓控制端，解決了低壓控制高壓的電氣絕緣問(wèn)題。
4、本實(shí)用新型適用于我國(guó)電網(wǎng)的所有電壓等級(jí)，從10KV到500KV，以及在未來(lái)將要采用的700KV，1000KV等電壓等級(jí)。
5、本實(shí)用新型提出的高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置，可以很好的解決高壓串聯(lián)可控硅的檢零技術(shù)瓶頸問(wèn)題。


圖1是本實(shí)用新型電路連接示意圖。
具體實(shí)施方式
參照附圖對(duì)本實(shí)用新型具體實(shí)施例說(shuō)明如下實(shí)施例1如圖1所示，本實(shí)用新型高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置，由下述部分構(gòu)成通過(guò)接線端子A、B，接到串聯(lián)可控硅的上下兩極，通過(guò)限流電阻R分別引入到自取能電路功能模塊QN和檢零電路功能模塊JL，高壓檢零信號(hào)傳遞給紅外光發(fā)射電路功能模塊DG，經(jīng)由與之連接的工業(yè)塑料光纖GX將高壓過(guò)零信號(hào)耦合到低壓控制端。
所述單相可控硅為反并聯(lián)后串聯(lián)，雙向可控硅串聯(lián)。
所述單相可控硅為若干個(gè)與二極管并聯(lián)后串聯(lián)。
本實(shí)用新型整體外觀為直徑37mm，長(zhǎng)度為600～700mm的絕緣管狀結(jié)構(gòu)，端部有兩根電極引入線和一根工業(yè)塑料光纖引出線。
固定方式采用與串聯(lián)可控硅并聯(lián)緊固方式。
權(quán)利要求1.一種高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置，其特征在于由下述部分構(gòu)成接線端子A、B，用于接到高壓串聯(lián)可控硅的上下兩極；接線端子A、B通過(guò)限流電阻R分別接入到自取能電路功能模塊QN和檢零電路功能模塊JL；自取能電路功能模塊QN和檢零電路功能模塊JL分別與紅外光發(fā)射電路功能模塊DG連接，將高壓檢零信號(hào)傳遞給紅外光發(fā)射電路功能模塊DG，經(jīng)由與之連接的工業(yè)塑料光纖GX將高壓過(guò)零信號(hào)耦合到低壓控制端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置，其特征在于它采用緊固方式與串聯(lián)可控硅并聯(lián)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置，其特征在于所述高壓串聯(lián)可控硅為單相可控硅時(shí)是反并聯(lián)后串聯(lián)，雙向可控硅時(shí)串聯(lián)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置，其特征在于所述單相可控硅為若干個(gè)與二極管并聯(lián)后串聯(lián)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置。它由下述部分構(gòu)成接線端子A、B，用于接到高壓串聯(lián)可控硅的上下兩極；接線端子A、B通過(guò)限流電阻R分別接入到自取能電路功能模塊QN和檢零電路功能模塊JL；自取能電路功能模塊QN和檢零電路功能模塊JL分別與紅外光發(fā)射電路功能模塊DG連接，將高壓檢零信號(hào)傳遞給紅外光發(fā)射電路功能模塊DG，經(jīng)由與之連接的工業(yè)塑料光纖GX將高壓過(guò)零信號(hào)耦合到低壓控制端。本實(shí)用新型提供一種應(yīng)用在高壓線路中能準(zhǔn)確的識(shí)別出可控硅閥體電壓的過(guò)零信號(hào)并通過(guò)工業(yè)塑料光纖，將過(guò)零信號(hào)耦合傳遞到低壓控制端，解決低壓控制高壓的電氣絕緣問(wèn)題的安全可靠的高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置。
文檔編號(hào)H03K17/72GK2772120SQ20052008900
公開日2006年4月12日 申請(qǐng)日期2005年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月20日
發(fā)明者朱建新, 程祥 申請(qǐng)人:朱建新