專利名稱：晶體振蕩器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶體振蕩器，并且更特別地，涉及如下的一種晶體振蕩器，其中，形成具有簡單結(jié)構(gòu)的陶瓷封裝(package)用于晶體振蕩器的小型化，確保用于裝配晶體片(crystal piece)的最大空間，并且其中多個金屬層被層壓的電極極板(pad，焊墊)被形成為具有大面積，使得能夠穩(wěn)定地支承和固定大尺寸晶體片。
背景技術(shù)：
通常，晶體振蕩器是使用晶體單元作為振蕩頻率的控制元件以獲取高穩(wěn)定振蕩頻率的裝置，其中，晶體單元利用石英晶體的壓電效應(yīng)。
當(dāng)電極被安裝在從石英晶體適當(dāng)切下的晶體片的兩個表面上以及交流電在電極之間流動，并且如果此時的頻率與晶體片的唯一機械振蕩頻率一致時，晶體振蕩器諧振。此時，電極之間的電抗呈現(xiàn)如同電串聯(lián)諧振電路類型一樣的特性，并且諧振頻率被確定為由晶體片的類型、形狀、和尺寸決定的唯一機械振蕩頻率。諧振頻率的值達(dá)到幾萬至幾十萬。
具有極好的壓電特性和高精確特性的晶體振蕩器被用于要求高精確頻率的通信系統(tǒng)(諸如，移動電話)。根據(jù)所使用的頻帶，這樣的晶體振蕩器被分為高頻晶體振蕩器，諸如頻率振蕩器(幾MHz，頻率容限為±50至100ppm)或/和頻率轉(zhuǎn)換器(10至50MHz，頻率容限為±10ppm)，以及低頻晶體振蕩器，諸如時鐘發(fā)生器(32.768KHz，頻率容限為20ppm)。
晶體振蕩器的晶體在加壓的高壓鍋中人工生成。沿著其晶軸切割晶體，并且其尺寸和形狀被處理成使其具有期望特性。以晶片形式制造的晶體被形成為具有低相位噪聲、高Q因數(shù)(質(zhì)量因數(shù))、以及關(guān)于時間和環(huán)境改變的低頻改變率。
Q因數(shù)是指示諧振器、過濾器、振蕩器等中的頻帶選擇特性的值，并且還稱作質(zhì)量因數(shù)。
Q因數(shù)是通過3dB帶寬與中心頻率的比來計算的。Q因數(shù)越大，振蕩器的頻率選擇特性越好。
如果晶體晶片被用作晶體振蕩器，則從晶體晶片上切下的晶體片應(yīng)被固定在封裝中。而且，在晶體片的表面上，電極被形成用于與晶體片電連接，然后被連接至封裝的內(nèi)部或外部的電氣元件。
另一方面，由于振蕩器的操作效率和質(zhì)量受到外部環(huán)境改變和污染的嚴(yán)重影響，因此振蕩器應(yīng)被密封以具有非常低的封裝泄漏率，以保護晶體片免受封裝的外部環(huán)境和污染的影響。密封封裝的方法如下將由金屬制成的支撐層附著在陶瓷封裝上，然后通過電焊附著和密封由與支撐層相同材料制成的蓋。此時，陶瓷和金屬之間以及金屬和金屬之間的粘著部分的氣密等級是重要的。如果污染物從外部進入，則諸如可靠性的多種特性均被破壞。
由于振蕩器是小型的但可以相對于外部環(huán)境改變產(chǎn)生穩(wěn)定頻率，因此振蕩器可以被用于計算機或通信系統(tǒng)的字符構(gòu)成電路或顏色構(gòu)成電路。進一步被應(yīng)用的諸如壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫度補償晶體振蕩器(TCXO)、恒溫控制晶體振蕩器(OCXO)等的產(chǎn)品被作為核心組件使用，其中核心組件用作外層空間的衛(wèi)星或測量裝置中的所有信號的標(biāo)準(zhǔn)。
隨著移動通信和無線通信技術(shù)的發(fā)展以及個人便攜式終端和通信系統(tǒng)的逐漸小型化，其外圍元件也趨向于小型化。相反，振蕩器具有比外圍元件相對更大的體積。這是因為由于在振蕩器和外部之間的機械和電連接的限制以及晶體片小型化的限制所導(dǎo)致的振蕩器空間范圍的增加。而且，由于晶體振蕩器產(chǎn)生的頻率特性由晶體片的厚度和尺寸來決定，因此如果晶體片的尺寸減小到小于預(yù)定尺寸，則頻率特性改變，這使得難以將振蕩器小型化。
下面將參照圖1至圖2B來描述根據(jù)相關(guān)技術(shù)的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)。
參照圖1，根據(jù)相關(guān)技術(shù)的振蕩器包括被整體層壓的第一陶瓷層101、第二陶瓷層102、以及支撐層103。在其中層壓有多層的陶瓷封裝中，形成空間120和130，以容納晶體片105。在第二陶瓷層102中，電極極板121被形成為連接至晶體片105。在支撐層103的上部上，放置并連接蓋104，以密封振蕩器。
第一陶瓷層101是陶瓷封裝的基本部件。
第二陶瓷層102被層壓在第一陶瓷層101上，并且晶體片105固定并連接到的電極極板121形成在第二陶瓷層102的一端的任一側(cè)上。空間130形成在第二陶瓷層102的中央，以使固定至電極極板121的晶體片105的下表面和第一陶瓷層101的上表面彼此間隔預(yù)定距離。
支撐層103被層壓在第二陶瓷層102上，并且具有設(shè)置晶體片105的空間103。蓋104被放置并連接在支撐層103上。
晶體片105具有形成在其上表面和下表面上的電極150。晶體片105的電極150通過導(dǎo)電粘合劑106連接(其中導(dǎo)電粘合劑應(yīng)用在形成于第二陶瓷層102中的電極極板121上)，以使晶體片105的一端被固定和支撐。
參照圖2A和圖2B，第一陶瓷層101、第二陶瓷層102、以及支撐層103被層壓以形成空間120和130。
在與形成在第二陶瓷層102上表面上的電極極板121相對的內(nèi)壁的上表面上，形成支撐區(qū)，以支撐固定在電極極板121上的晶體片105的另一端。
支撐區(qū)支撐晶體片105的另一端，以使形成在晶體片105下表面上的電極150不與第一陶瓷層101的上表面接觸，并且晶體片105只有一端通過導(dǎo)電粘合劑106固定。因此，晶體片105沒有被固定的另一端向下傾斜。當(dāng)晶體片105的傾角很大時，晶體片的另一端與第二陶瓷層102的上表面接觸，這使得晶體片105的振蕩特性有缺陷。
為了防止當(dāng)晶體片105被固定至第二陶瓷層102的電極極板121時晶體片105被損壞，支撐層103具有在其中形成的內(nèi)壁，其與晶體片105的另一端間隔預(yù)定距離D。支撐層103被形成為具有這樣的高度，使得蓋104不與形成在晶體片105上表面上的電極150接觸，并且晶體片可以平穩(wěn)地振蕩。
以上描述的晶體振蕩器提供有陶瓷封裝，其中，第一陶瓷層101、第二陶瓷層102、以及支撐層103被層壓以形成用于裝配晶體片105的空間120和130。由于多個陶瓷層被層壓，因此晶體振蕩器的外部尺寸增大，這不滿足小型化的要求。
從而，需要開發(fā)一種晶體振蕩器，其中，形成具有用于振蕩器小型化的更簡單的構(gòu)造和結(jié)構(gòu)的陶瓷封裝，并且可以裝配具有大尺寸的晶體片105。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的優(yōu)點在于提供一種晶體振蕩器，其中，形成具有簡單結(jié)構(gòu)的陶瓷封裝，以使外部尺寸減小并使空間最大化，使得大型的晶體片可以裝配在小型化的陶瓷封裝上，以及形成連接極板，以穩(wěn)定地固定和支撐晶體片的一端。
本發(fā)明的一般發(fā)明概念的其他方面和優(yōu)點，部分將在以下描述中闡明，以及部分從描述中顯而易見，或者可以通過實施該一般發(fā)明概念而了解。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，晶體振蕩器包括陶瓷封裝，其中，第一陶瓷層和第二陶瓷層被層壓以形成凹入空間；電極極板，由多個金屬層構(gòu)成，其中多個金屬層被層壓在第一陶瓷層上表面的一側(cè)上；壓電元件，其一端被固定在電極極板上以便振蕩；導(dǎo)電粘合劑，應(yīng)用在電極極板的上表面上，以連接壓電元件的一端；以及蓋，放置在陶瓷封裝的上部上，以密封陶瓷封裝。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，電極極板的多個金屬層被分別形成為具有彼此不同的面積。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，電極極板的多個金屬層被分別形成為具有相同的面積。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，電極極板的最上面的金屬層具有最小面積。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，電極極板的最上面的金屬層具有最大面積。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，電極極板由多個層壓的鎢層形成。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，在多個層壓的鎢層的表面上應(yīng)用鍍金。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，在多個層壓的鎢層的表面上應(yīng)用鍍金和鍍鎳。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，壓電元件是晶體片。
在根據(jù)本發(fā)明的晶體振蕩器中，第一陶瓷層和第二陶瓷層被整體層壓以形成陶瓷封裝。在陶瓷封裝內(nèi)，形成空間以容納壓電元件。在第一陶瓷層上表面的一側(cè)上，極板被形成為連接至壓電元件的一端。蓋被放置并連接在第二陶瓷層的上部上，以密封振蕩器。
在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，一種壓電元件的晶體片被應(yīng)用作為上述壓電元件。


結(jié)合附圖，從以下對實施例的描述中，本發(fā)明的一般發(fā)明概念的這些和/或其他方面及優(yōu)點將變得明顯和更加容易理解，在附圖中
圖1是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的晶體振蕩器的分解透視圖；圖2A是圖1的前橫截面圖；圖2B是沿圖2A的A-A線截取的橫截面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的晶體振蕩器的分解透視圖；圖4A是圖3的前橫截面圖；圖4B是沿圖4A的B-B線截取的橫截面圖；圖5A是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的晶體振蕩器的基本部分的橫截面圖，示出導(dǎo)電粘合劑應(yīng)用在晶體振蕩器的電極極板上的狀態(tài)；圖5B是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的晶體振蕩器的電極極板的修改實施例的基本部分的橫截面圖；圖5C是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的晶體振蕩器的基本部分的橫截面圖，示出導(dǎo)電粘合劑未應(yīng)用在晶體振蕩器的電極極板的正確位置上的情況；圖6A是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的晶體振蕩器的前橫截面圖；圖6B是沿圖6A的C-C線截取的橫截面圖；圖7A是示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的晶體振蕩器的前橫截面圖；圖7B是沿圖7A的D-D線截取的橫截面圖；以及圖7C是示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的晶體振蕩器的基本部分的橫截面圖，示出導(dǎo)電粘合劑應(yīng)用在晶體振蕩器的電極極板上的狀態(tài)。
具體實施例方式
現(xiàn)在，詳細(xì)參考本發(fā)明一般發(fā)明概念的實施例，其實例在附圖中示出，其中，在整個附圖中，相似的參考標(biāo)號指的是相似的元件。以下將描述實施例，以通過參照附圖來解釋本發(fā)明的一般發(fā)明概念。
以下將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
圖3是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的晶體振蕩器的分解透視圖。圖4A是圖3的前橫截面圖，以及圖4B是沿圖4A的B-B線截取的橫截面圖。
用于根據(jù)本發(fā)明第一實施例的晶體振蕩器的陶瓷封裝具有第一陶瓷層1和第二陶瓷層2，其被層壓以形成凹入空間20。在陶瓷封裝的空間20的一側(cè)中，晶體片5的一端被固定至電極極板4。在電極極板4中，彼此具有不同面積的金屬層被層壓，其最上面的金屬層被形成為具有最小面積。
參照圖3，第一陶瓷層1是其上裝配有晶體片5的基本元件。在第一陶瓷層1上表面的一側(cè)上，電極極板4被形成為連接至晶體片5的一端。
在本實施例中，兩個金屬層被層壓以形成電極極板4。在第一陶瓷層1的上表面上，設(shè)置第一金屬層41，第一金屬層上設(shè)置有第二金屬層42。第二金屬層42被形成為具有比第一金屬層41更小的面積。
為了確保晶體片5的振蕩區(qū)對應(yīng)于根據(jù)相關(guān)技術(shù)的第二陶瓷層102的空間120，多個金屬層被形成在第一陶瓷層1的上表面上，以構(gòu)成電極極板4。
這里，電極極板4的高度由每個金屬層的厚度以及金屬層的層壓數(shù)量決定。
電極極板4由鎢形成，并且第一金屬層41和第二金屬層42被層壓，以在通過印刷方法形成的圖樣形狀中具有預(yù)定厚度。
優(yōu)選地，第一金屬層41和第二金屬層42形成為具有幾乎相同的厚度，并且其中層壓有第一金屬層41和第二金屬層42的電極極板4被形成為具有10至30μm的厚度。
通常，第一金屬層41和第二金屬層42被形成為具有小于15μm的厚度。如果各個金屬層被形成為具有大于15μm的厚度，則可能會發(fā)生坍陷，使得上表面不能形成為平面。
如果當(dāng)形成第一金屬層41時發(fā)生坍陷，則第一金屬層41的面積變得太大。那么，在第一金屬層41和第二陶瓷層2的內(nèi)壁之間的間隔距離減小，使得可能破壞電特性或發(fā)生短路。因此，金屬層優(yōu)選地形成為使得金屬層不發(fā)生坍陷的厚度。
如圖5A所示，在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的電極極板4中，第一金屬層41的面積大于第二金屬層42的面積。
參照圖5A，導(dǎo)電粘合劑6被應(yīng)用(apply，涂敷)在電極極板4的第二金屬層42的上表面中央。然而，雖然第二金屬層42被形成為具有當(dāng)如圖3所示應(yīng)用導(dǎo)電粘合劑6時導(dǎo)電粘合劑6滴到第一金屬層41上那么小的面積，但是由于其觸變性，因此所應(yīng)用的導(dǎo)電粘合劑6的形狀被保持。因此，不存在固定晶體片5的困難。
另一方面，根據(jù)本發(fā)明第一實施例的電極極板4的表面可以是鍍鎳的或鍍金的，以形成電極極板4’。
然而，電極極板4’的鍍鎳43或鍍金44不是必須執(zhí)行的。
在電極極板4’的表面上，應(yīng)用鍍金44或鍍金合金，以增強電極4’和導(dǎo)電粘合劑6之間的連接及其導(dǎo)電性。而且，在將鍍鎳43應(yīng)用在由鎢制成的電極極板4’的表面上之后，可以應(yīng)用鍍金44，以形成兩個鍍層，這使得將鍍金44容易地應(yīng)用在鎢上成為可能，其中鎢是第一金屬層41和第二金屬層42的材料。
同樣地，圖5B中示出修改實施例，其中具有相同厚度的鍍鎳43和鍍金44被應(yīng)用在電極極板4’的表面上，其中電極極板中層壓有第一金屬層41和第二金屬層42。
應(yīng)用在電極極板4’上的電鍍不限于鍍金44。也可以應(yīng)用鍍銀或鍍銀合金。
第二陶瓷層2被層壓在第一陶瓷層1的上表面上，并且具有設(shè)置晶體片5的空間20。
第一陶瓷層1和第二陶瓷層2由陶瓷材料形成。第一陶瓷層1形成為矩形板形，并且第二陶瓷層2形成矩形框形。第一陶瓷層1和第二陶瓷層2具有相同的外部尺寸。
如圖4A中所示，由包括Fe-Ni合金或Fe-Ni-Go成分的科瓦鐵鎳鈷合金(Kovar)制成的薄金屬密封層21形成在第二陶瓷層2的上表面上，使得當(dāng)?shù)诙沾蓪?和蓋3彼此連接時，由科瓦鐵鎳鈷合金制成的蓋3容易地連接至第二陶瓷層2。此外，在金屬密封層21的下表面上，添加其中層壓有鎢層、鎳層、和鉑層的作為不同類型粘合工具的金屬粘合層(未示出)，使得第二陶瓷層2和金屬密封層21可以牢固地彼此連接。因此，金屬密封層21被容易地連接在第二陶瓷層2的上表面上。
蓋3是密封單元，其被放置在并連接至第二陶瓷層2的上部，或尤其是金屬密封層21的上部，以密封陶瓷封裝。蓋3還可以由與第二陶瓷層2相同的包括Fe-Ni-Go成分的科瓦鐵鎳鈷合金材料形成。
由涂敷絕緣的金屬板形成的蓋3可以用作阻擋噪聲的阻擋單元，因為蓋3本身具有屏蔽作用。
晶體片5是一端固定在電極極板4上以便振蕩的振蕩單元。在晶體片5的上表面和下表面上，形成電極50。在晶體片5的上表面和下表面上延伸的電極50通過導(dǎo)電粘合劑6(其中導(dǎo)電粘合劑應(yīng)用在形成于第一陶瓷層1上的電極極板4上)被連接，以使晶體片5的一端被電連接至電極極板4，并且被支撐以被固定(參照圖4A和圖4B)。
電極50可以通過沉積金(Au)或銀(Ag)來形成。
導(dǎo)電粘合劑6是應(yīng)用在電極極板4的上表面上以連接晶體片5的一端的材料?；诠璧膶?dǎo)電粘合劑或基于環(huán)氧的導(dǎo)電粘合劑可以被用作導(dǎo)電粘合劑6。
基于硅的導(dǎo)電粘合劑具有導(dǎo)電性，這是因為其在硅材料中包括用作導(dǎo)電材料的銀填充物。此外，由相對軟材料形成的基于硅的導(dǎo)電粘合劑用作緩沖器，使得來自外部的振動不會被直接傳輸。然而，其與鍍在電極極板4表面上的金的粘著很弱。另一方面，基于環(huán)氧的導(dǎo)電粘合劑具有導(dǎo)電性，這是因為其在基于環(huán)氧或聚酰胺的樹脂中包括用作導(dǎo)電材料的銀填充物。此外，由相對硬材料形成的基于環(huán)氧的粘合劑在變硬后牢固地固定晶體片5的一端。
以下，將描述制造圖4A和圖4B中示出的根據(jù)本發(fā)明第一實施例的晶體振蕩器的過程。
首先，由陶瓷材料制成的第一陶瓷層1和第二陶瓷層2被層壓并整體地彼此連接，以形成具有裝配晶體片5的空間20的陶瓷封裝。
換句話說，第一陶瓷層1和第二陶瓷層2以印刷電路基板的形式被層壓并彼此連接，以在1350℃下燒制時形成整體陶瓷封裝。
印刷電路基板是一種陶瓷帶(ceramic tape)，其中，玻璃和陶瓷的混合材料形成為比紙張更薄。
在第二陶瓷層2的上表面上，形成由與蓋3相同的科瓦鐵鎳鈷合金材料制成的薄金屬密封層21，使得蓋3容易地連接至第二陶瓷層2。金屬密封層21通過金屬粘合層(未示出)連接至第二陶瓷層2的上表面。
如圖4A所示，當(dāng)通過這樣的方法完成陶瓷封裝時，通過陶瓷層1和2的層壓，在陶瓷封裝內(nèi)部形成空間20。
在第一陶瓷層1上表面的一側(cè)上，電極極板4形成為連接至晶體片5的一端。在第一層1和第二層2彼此連接時，或在完成陶瓷封裝之后，電極極板4可以形成在第一陶瓷層1的上表面上。
當(dāng)電極極板4形成在第一陶瓷層1上表面的一側(cè)上時，在電極極板4的第二金屬層42的上表面上應(yīng)用導(dǎo)電粘合劑6。然后，晶體片5的一端被連接在導(dǎo)電粘合劑6上，使得晶體片5可以振蕩并被固定為水平。
優(yōu)選地，當(dāng)晶體片5安裝在電極極板4上時，確保晶體片5的任一端和第二陶瓷層2內(nèi)壁之間的間隔距離大于100μm，使得晶體片5不與第二陶瓷層2的內(nèi)壁接觸，這使得能夠防止損壞晶體片5。優(yōu)選地，第二陶瓷層2被形成為具有這樣的高度，即，使得形成在晶體片5上表面上的電極50不受蓋3的影響或不與蓋接觸，并且晶體片5可以平穩(wěn)地振蕩。
為了防止晶體振蕩器的電特性受到破壞或防止發(fā)生短路，形成電極極板4的第一金屬層41，以使與第二陶瓷層2的內(nèi)壁間隔預(yù)定距離。
因為晶體片5只有一端通過導(dǎo)電粘合劑6被連接并且被固定，因此晶體片5的另一端在其一端被連接后立即稍微向下傾斜。然后，當(dāng)導(dǎo)電粘合劑6變硬時，晶體片5的另一端逐漸升高。此外，當(dāng)完成硬化時，晶體片5被水平設(shè)置或稍微向上傾斜。
在完成晶體片5的固定之后，蓋3被放置在形成于第二陶瓷層2上部上的金屬密封層21上，并且通過縫焊方法被連接和密封在氮或氧環(huán)境中。
典型地，當(dāng)蓋3被密封時，用作抗氧化氣體的惰性氣體被填充在裝配有晶體片5的空間20內(nèi)。惰性氣體可以減少溫度對晶體片5的影響并且可以防止腐蝕。
根據(jù)本發(fā)明的第一實施例，陶瓷封裝的結(jié)構(gòu)可以容易地形成，這是因為陶瓷封裝具有簡單結(jié)構(gòu)。此外，在第一陶瓷層上表面的一側(cè)上，其中多個金屬層被層壓的電極極板被形成為具有預(yù)定高度。因此，晶體片的一端可以被支撐和固定，并且同時根據(jù)相關(guān)技術(shù)的第二陶瓷層102的空間可以被替代。
圖6A是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的晶體振蕩器的前橫截面圖，以及圖6B是沿圖6A的C-C線截取的橫截面圖。以下，將省略對與上述實施例相同部分的描述。
根據(jù)本發(fā)明第二實施例的晶體振蕩器的陶瓷封裝具有多個陶瓷層，即，被層壓以形成凹入空間20的第一陶瓷層1和第二陶瓷層2。在陶瓷封裝的空間20的一側(cè)中，晶體片5a的一端被固定至電極極板4a，其中，具有相同面積的金屬層在電極極板中被層壓。
參照圖6A和圖6B，包括電極極板4a的第一金屬層41a和第二金屬層42a具有相同的面積。而且，第一金屬層41a與第二陶瓷層2的內(nèi)壁間隔預(yù)定距離。
如果第二陶瓷層42a被形成為具有大面積，則被層壓在第二陶瓷層42a上的第一陶瓷層41a也被形成為具有大面積。因此，具有比第一實施例的晶體片5更大尺寸的晶體片5a可以通過大量導(dǎo)電粘合劑來支撐和固定。
圖7A是示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的晶體振蕩器的前橫截面圖，圖7B是沿圖7A的D-D線截取的橫截面圖，以及圖7C是示出晶體振蕩器的基本部分的橫截面圖，示出了導(dǎo)電粘合劑6a被應(yīng)用在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的晶體振蕩器的電極極板4b上的狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明第三實施例的晶體振蕩器的陶瓷封裝具有多個陶瓷層，即，被層壓以形成凹入空間20的第一陶瓷層1和第二陶瓷層2。在陶瓷封裝的空間20的一側(cè)中，晶體片5a的一端被固定至電極極板4b。在電極極板4b中，彼此具有不同面積的金屬層被層壓，其最上面的金屬層被形成為具有最大面積。
參照圖7A至圖7C，包括電極極板4b的第二金屬層42b被形成為具有比第一金屬層41b更大的面積，并且第一金屬層41b與第二陶瓷層2的內(nèi)壁間隔預(yù)定距離。因此，雖然第二金屬層42b被形成為具有比第一金屬層41b和第二陶瓷層2內(nèi)壁之間的距離d更短的距離d1，但是電特性不會被破壞或不會發(fā)生短路。
因為第二金屬層42b被形成為具有比第一金屬層41b更大的面積，因此導(dǎo)電粘合劑6a被廣泛地應(yīng)用在第二金屬層42b上，以廣泛地連接至晶體片5a下表面的一端。因此，晶體片5a可以更穩(wěn)定地被支撐。此外，由于第二金屬層42b靠近第二陶瓷層2的內(nèi)壁形成，因此可以裝配具有稍微大于第一實施例的晶體片5的尺寸的晶體片5a。
在如上所述的根據(jù)本發(fā)明的晶體振蕩器中，第一陶瓷層和第二陶瓷層被層壓以形成具有簡單結(jié)構(gòu)的陶瓷封裝。因此，陶瓷封裝的結(jié)構(gòu)被容易地形成，并且陶瓷封裝確保晶體片可以安全地裝配的寬區(qū)域。
由于其中多個金屬層被層壓的電極極板被形成為在第一陶瓷層上表面的一側(cè)上具有預(yù)定高度，因此晶體片的一端可以被支撐并固定，并且同時根據(jù)相關(guān)技術(shù)的第二陶瓷層的空間可以被替代。
在電極極板中，當(dāng)最上面的金屬層被形成為具有較大面積時，導(dǎo)電粘合劑的應(yīng)用范圍變寬。因此，晶體片可以更牢固地被固定，并且具有更大尺寸的晶體片可以被支撐和固定。特別地，因為在最上面的金屬層和第二陶瓷層內(nèi)壁之間的間隔距離可以縮短，因此晶體片的容納空間可以擴大。結(jié)果，具有更大尺寸的晶體片可以被支撐和固定。
此外，由于陶瓷封裝的結(jié)構(gòu)簡單，因此可以有效地利用有限的空間，并且可以實現(xiàn)晶體振蕩器的小型化。
雖然已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的一般發(fā)明概念的一些實施例，但是對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離一般發(fā)明概念的原理和精神的情況下，可以對這些實施例作出改變，其范圍在所附權(quán)利要求及其等同物中被限定。
權(quán)利要求
1.一種晶體振蕩器，包括陶瓷封裝，其中，第一陶瓷層和第二陶瓷層被層壓以形成凹入空間；電極極板，包括層壓在所述第一陶瓷層上表面的一側(cè)上的多個金屬層；壓電元件，其一端固定在所述電極極板上以便振蕩；導(dǎo)電粘合劑，應(yīng)用在所述電極極板上表面上，以連接所述壓電元件的一端；以及蓋，放置在所述陶瓷封裝的上部上，以密封所述陶瓷封裝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體振蕩器，其中，所述電極極板的多個金屬層被分別形成為具有相互不同的面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體振蕩器，其中，所述電極極板的多個金屬層被分別形成為具有相同的面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體振蕩器，其中，所述電極極板的最上面的金屬層具有最小的面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體振蕩器，其中，所述電極極板的最上面的金屬層具有最大的面積。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體振蕩器，其中，所述電極極板由多個層壓的鎢層形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶體振蕩器，其中，在所述多個層壓的鎢層的表面上應(yīng)用鍍金。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶體振蕩器，其中，在所述多個層壓的鎢層的表面上應(yīng)用鍍金和鍍鎳。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體振蕩器，其中，所述壓電元件是晶體片。
全文摘要
本發(fā)明涉及晶體振蕩器，并且更特別地，涉及如下的一種晶體振蕩器，其中，形成具有簡單結(jié)構(gòu)的陶瓷封裝用于晶體振蕩器的小型化，用于裝配晶體片的空間被最大化，并且其中多個金屬層被層壓的電極極板被形成為具有大面積，使得能夠穩(wěn)定地支撐和固定大尺寸晶體片。晶體振蕩器包括陶瓷封裝，其中，第一陶瓷層和第二陶瓷層被層壓以形成凹入空間；電極極板，包括層壓在第一陶瓷層上表面的一側(cè)上的多個金屬層；壓電元件，其一端被固定在電極極板上以便振蕩；導(dǎo)電粘合劑，應(yīng)用在電極極板的上表面上，以連接壓電元件的一端；以及蓋，附著在陶瓷封裝的上部上，以密封陶瓷封裝。
文檔編號H03H9/00GK1858997SQ20061007576
公開日2006年11月8日 申請日期2006年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月3日
發(fā)明者田鐘范 申請人:三星電機株式會社