專利名稱：：一種具有溫度補(bǔ)償?shù)母咴鲆鎸拵Х糯笃麟娐返闹谱鞣椒?br>技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及晶體管放大器電路
技術(shù)領(lǐng)域：
，尤其涉及一種具有溫度補(bǔ)償?shù)母咴鲆鎸拵Х糯笃麟娐贰?br>背景技術(shù)：
：在通信
技術(shù)領(lǐng)域：
中，高增益寬帶放大器電路在許多通信設(shè)備中有著廣泛的應(yīng)用。其中，傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管的常規(guī)射頻寬帶放大器電路是目前應(yīng)用最為廣泛的高增益寬帶放大器電路。如圖1所示，圖1為傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路的示意圖。該放大器電路包括一個(gè)雙極晶體管11和一個(gè)雙極晶體管12，晶體管11和12二者串聯(lián)連接。輸入信號(hào)從輸入端RFin輸入給晶體管11的基極。晶體管11的基極與由電阻21和22構(gòu)成的偏置電路相連接，由電阻21和22的比值確定該放大器電路的靜態(tài)工作點(diǎn)。晶體管11的射極通過一個(gè)鎮(zhèn)流電阻23連接于晶體管12的基極，并通過鎮(zhèn)流電阻23和分流電阻24接地。晶體管12的射極通過鎮(zhèn)流電阻25接地。晶體管12的集電極與晶體管11的集電極及電阻22相連接，并在輸出端RF。ut提供一個(gè)輸出信號(hào)。在圖1所示的傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路中，溫度的變化會(huì)引起晶體管11和12eb結(jié)壓降的變化，從而導(dǎo)致輸出特性隨溫度有較大的變化。而且，由于該放大器電路用作寬帶放大器電路，為了有較大的輸出功率，電阻22與電阻21的比值不能太大，所以需要在放大器電路中引入負(fù)反饋，致使放大器電路處于深度負(fù)反饋狀態(tài)，進(jìn)而導(dǎo)致放大器電路的增益變小，嚴(yán)重影響了放大器電路的增益
發(fā)明內(nèi)容(一)要解決的技術(shù)問題有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種具有溫度補(bǔ)償?shù)母咴鲆鎸拵Х糯笃麟娐罚蕴岣叻糯笃麟娐返脑鲆妗?二)技術(shù)方案為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的一種具有溫度補(bǔ)償?shù)母咴鲆鎸拵Х糯笃麟娐?，包括傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路，該電路還包括與所述傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路中分壓電阻21串聯(lián)連接的二極管13，所述二極管13的集電極通過分壓電阻21與所述傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路中晶體管11的基極連接，所述二極管13的集電極與自身基極連接，所述二極管13的射極通過分流電阻24和鎮(zhèn)流電阻23與晶體管11的射極連接，通過分流電阻24與晶體管12的基極連接，通過鎮(zhèn)流電阻25與晶體管12的射極連接。所述分壓電阻21與跨接于晶體管11基極和集電極之間的另一分壓電阻22之間的比值為傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路中比值的一半。所述傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路包括一個(gè)雙極晶體管11和一個(gè)雙極晶體管12,晶體管11和12二者串聯(lián)連接；輸入信號(hào)從輸入端RFin輸入給晶體管(11)的基極；晶體管(11)的基極與由電阻21和22構(gòu)成的偏置電路相連接，由電阻21和22的比值確定該放大器電路的靜態(tài)工作點(diǎn)；晶體管11的射極通過一個(gè)鎮(zhèn)流電阻23連接于晶體管12的基極，并通過鎮(zhèn)流電阻23和分流電阻24接地；晶體管12的射極通過鎮(zhèn)流電阻25接地；晶體管12的集電極與晶體管11的集電極及電阻22相連接，并在輸出端RF。ut提供一個(gè)輸出信號(hào)。所述二極管13為晶體管的eb結(jié)，或?yàn)閷⒕w管的b和c并聯(lián)后形成的eb結(jié)。所述晶體管11和12為Si雙極晶體管，或?yàn)镚aAsHBT雙極晶體管，或?yàn)镾iGeHBT雙極晶體管，或?yàn)镮nPHBT雙極晶體管。(三)有益效果從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明具有以下有益效果1、利用本發(fā)明，通過在傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路的偏置電路中，增加一個(gè)由晶體管的eb結(jié)或be并聯(lián)的eb結(jié)構(gòu)成的二極管13,使放大器電路中電阻22與電阻21的比值提高了約一倍，而電路的直流工作點(diǎn)不變，大大減小了放大器電路的負(fù)反饋，進(jìn)而大大提高了放大器電路的增益。2、利用本發(fā)明，通過在傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路的偏置電路中，增加一個(gè)由晶體管的eb結(jié)或bc并聯(lián)的eb結(jié)構(gòu)成的二極管13，當(dāng)溫度變化的時(shí)候，二極管13的結(jié)壓降也和傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路的晶體管11和12同步變化，因而部分補(bǔ)償了由于晶體管11和12結(jié)壓降變化對(duì)放大器電路的影響，有效地減小了因晶體管11和12結(jié)壓降變化引起的基極電流的變化，起到了補(bǔ)償電路溫度特性的作用。3、本發(fā)明提供的具有溫度補(bǔ)償?shù)母咴鲆鎸拵Х糯笃麟娐?，其輸出功率隨溫度變化很小，頻率在低頻到2GHz以內(nèi)幾乎沒有變化。而傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路，其輸出功率隨溫度變化則略顯明顯。4、本發(fā)明提供的具有溫度補(bǔ)償?shù)母咴鲆鎸拵Х糯笃麟娐?，由于加入了晶體管13，不但有助于減小反饋量，同時(shí)對(duì)放大器電路起到了溫度補(bǔ)償?shù)淖饔?，所以本發(fā)明提供的具有溫度補(bǔ)償?shù)母咴鲆鎸拵Х糯笃麟娐放c傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路相比，具有更好的溫度特性。5、本發(fā)明提供的具有溫度補(bǔ)償?shù)母咴鲆鎸拵Х糯笃麟娐罚浞糯笃鞯脑肼曄禂?shù)也較低，工作頻段內(nèi)在4dB以下。圖1為傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路的示意圖；圖2為本發(fā)明提供的具有溫度補(bǔ)償?shù)母咴鲆鎸拵Х糯笃麟娐返氖疽鈭D；圖3為本發(fā)明提供的放大器電路與傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路增益仿真曲線對(duì)比示意圖；圖4為傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路在不同溫度下輸出功率仿真曲線示意圖；圖5為本發(fā)明提供的放大器電路在不同溫度下輸出功率仿真曲線示意圖；圖6為本發(fā)明提供的放大器電路噪聲系數(shù)仿真曲線示意圖。具體實(shí)施方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。如圖2所示，圖2為本發(fā)明提供的具有溫度補(bǔ)償?shù)母咴鲆鎸拵Х糯笃麟娐返氖疽鈭D，該電路在傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路中增加了一個(gè)由晶體管的eb結(jié)構(gòu)成的二極管13，或一個(gè)由晶體管的b和c并聯(lián)形成的eb結(jié)構(gòu)成的二極管13，該電路包括與所述傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路中分壓電阻21串聯(lián)連接的二極管13，所述二極管13的集電極通過分壓電阻21與所述傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路中晶體管11的基極連接，所述二極管13的集電極與自身基極連接，所述二極管13的射極通過分流電阻24和鎮(zhèn)流電阻23與晶體管11的射極連接，通過分流電阻24與晶體管12的基極連接，通過鎮(zhèn)流電阻25與晶體管12的射極連接。所述分壓電阻21與跨接于晶體管11基極和集電極之間的另一分壓電阻22之間的比值大約為傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路中比值的一半。一般情況下，分壓電阻21與22的比值為傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路中比值的一半。所述傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路如圖1所示，包括一個(gè)雙極晶體管11和一個(gè)雙極晶體管12，晶體管11和12二者串聯(lián)連接;輸入信號(hào)從輸入端RFin輸入給晶體管11的基極；晶體管11的基極與由電阻21和22構(gòu)成的偏置電路相連接，由電阻21和22的比值確定該放大器電路的靜態(tài)工作點(diǎn)；晶體管11的射極通過一個(gè)鎮(zhèn)流電阻23連接于晶體管12的基極，并通過鎮(zhèn)流電阻23和分流電阻24接地；晶體管12的射極通過鎮(zhèn)流電阻25接地；晶體管12的集電極與晶體管11的集電極及電阻22相連接，并在輸出端RF。ut提供一個(gè)輸出信號(hào)。所述二極管13可以為晶體管的eb結(jié)，也可以為將晶體管的b和c并聯(lián)后形成的eb結(jié)。所述晶體管11和12為Si雙極晶體管，也可以為GaAsHBT、SiGeHBT、InPHBT等雙極晶體管。作為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施方式，本發(fā)明提供的放大器電路中各元器件可以取表1中的值，表1具體如下所示<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>表l相對(duì)于傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路，本發(fā)明提供的放大器電路具有增益高，輸出功率穩(wěn)定，溫度變化對(duì)輸出功率影響小，具有溫度補(bǔ)償作用，且放大器的噪聲系數(shù)低等優(yōu)點(diǎn)。為了更加清楚地說明本發(fā)明提供的放大器電路相對(duì)于傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路所具有的優(yōu)點(diǎn)，下面結(jié)合附圖進(jìn)一步詳細(xì)說明。如圖3所示，圖3為本發(fā)明提供的放大器電路與傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路增益仿真曲線對(duì)比示意圖。從圖3可以看出，本發(fā)明提供的放大器電路的增益明顯高于傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路的增益。如圖4和圖5所示，圖4為傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路在不同溫度下輸出功率仿真曲線示意圖，圖5為本發(fā)明提供的放大器電路在不同溫度下輸出功率仿真曲線示意圖。從圖4和圖5可以看出，當(dāng)溫度分別為一4(TC，25°C，85'C時(shí)，受溫度變化的影響，放大器的輸出功率有所變化。本發(fā)明提供的放大器電路輸出功率隨溫度變化較小，頻率在低頻到2GHz以內(nèi)幾乎沒有變化，而傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路輸出功率隨溫度變化則略顯明顯。如圖6所示，圖6為本發(fā)明提供的放大器電路噪聲系數(shù)仿真曲線示意圖。從圖6可以看出，本發(fā)明提供的放大器電路的噪聲系數(shù)也較低，工作頻段內(nèi)在4dB以下。權(quán)利要求1、一種具有溫度補(bǔ)償?shù)母咴鲆鎸拵Х糯笃麟娐罚▊鹘y(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路，其特征在于，該電路還包括與所述傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路中分壓電阻(21)串聯(lián)連接的二極管(13)，所述二極管(13)的集電極通過分壓電阻(21)與所述傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路中晶體管(11)的基極連接，所述二極管(13)的集電極與自身基極連接，所述二極管(13)的射極通過分流電阻(24)和鎮(zhèn)流電阻(23)與晶體管(11)的射極連接，通過分流電阻(24)與晶體管(12)的基極連接，通過鎮(zhèn)流電阻(25)與晶體管(12)的射極連接。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有溫度補(bǔ)償?shù)母咴鲆鎸拵Х糯笃麟娐?，其特征在于，所述分壓電?21)與跨接于晶體管(11)基極和集電極之間的另一分壓電阻(22)之間的比值為傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路中比值的一半。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有溫度補(bǔ)償?shù)母咴鲆鎸拵Х糯笃麟娐罚涮卣髟谟?，所述傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路包括一個(gè)雙極晶體管(11)和一個(gè)雙極晶體管(12)，晶體管(11)和(12)二者串聯(lián)連接；輸入信號(hào)從輸入端RFin輸入給晶體管(11)的基極；晶體管(11)的基極與由電阻(21)和(22)構(gòu)成的偏置電路相連接，由電阻(21)和(22)的比值確定該放大器電路的靜態(tài)工作點(diǎn)；晶體管(11)的射極通過一個(gè)鎮(zhèn)流電阻(23)連接于晶體管(12)的基極，并通過鎮(zhèn)流電阻(23)和分流電阻(24)接地；晶體管(12)的射極通過鎮(zhèn)流電阻(25)接地；晶體管(12)的集電極與晶體管(11)的集電極及電阻(22)相連接，并在輸出端RF。ut提供一個(gè)輸出信號(hào)。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有溫度補(bǔ)償?shù)母咴鲆鎸拵Х糯笃麟娐?，其特征在于，所述二極管(13)為晶體管的eb結(jié)，或?yàn)閷⒕w管的b和c并聯(lián)后形成的eb結(jié)。5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有溫度補(bǔ)償?shù)母咴鲆鎸拵Х糯笃麟娐?，其特征在于，所述晶體管(11)和(12)為Si雙極晶體管，或?yàn)镚aAsHBT雙極晶體管，或?yàn)镾iGeHBT雙極晶體管，或?yàn)镮nPHBT雙極晶體管。全文摘要本發(fā)明公開了一種具有溫度補(bǔ)償?shù)母咴鲆鎸拵Х糯笃麟娐罚▊鹘y(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路，與所述傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路中分壓電阻21串聯(lián)連接的二極管13，所述二極管13的集電極通過分壓電阻21與所述傳統(tǒng)的基于達(dá)林頓管常規(guī)射頻寬帶放大器電路中晶體管11的基極連接，所述二極管13的集電極與自身基極連接，所述二極管13的射極通過分流電阻24和鎮(zhèn)流電阻23與晶體管11的射極連接，通過分流電阻24與晶體管12的基極連接，通過鎮(zhèn)流電阻25與晶體管12的射極連接。利用本發(fā)明，減小了放大器電路的負(fù)反饋，提高了放大器電路的增益，減小了因晶體管11和12結(jié)壓降變化引起的基極電流的變化，起到了補(bǔ)償電路溫度特性的作用。文檔編號(hào)H03F1/30GK101119100SQ20061010411公開日2008年2月6日申請(qǐng)日期2006年7月31日優(yōu)先權(quán)日2006年7月31日發(fā)明者劉訓(xùn)春,王宇晨申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所