專利名稱：薄膜壓電諧振器和濾波電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜壓電諧振器和一種濾波電路。
背景技術(shù)：
隨著無線通信技術(shù)的迅速發(fā)展以及向新系統(tǒng)過渡的實(shí)現(xiàn)，對(duì)于與各種發(fā)送和接收系統(tǒng)兼容的通信裝置的需求不斷增長(zhǎng)。最重要的是，隨著移動(dòng)通信終端越來越先進(jìn)復(fù)雜，各個(gè)通信裝置中的組件個(gè)數(shù)也急劇增長(zhǎng)。于是，減小組件大小以及過渡到模塊結(jié)構(gòu)變得非常重要。在無線電路的無源元件中，濾波電路構(gòu)成了很大比例。因此，為了減小電路尺寸以及組件個(gè)數(shù)，需要將濾波器造得更小，并且具有模塊結(jié)構(gòu)。
常規(guī)濾波器的例子包括介質(zhì)濾波器，SAW(聲表面波)濾波器，以及LC濾波器。然而，最近認(rèn)為具有薄膜體聲波諧振器(薄膜壓電諧振器)的濾波器最適于小尺寸模塊結(jié)構(gòu)。因?yàn)樵谶@樣的濾波器中使用壓電振蕩的諧振現(xiàn)象，即使將它們互相安排得很近，也不會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生干擾，不像使用電磁波的情形。于是，相比介質(zhì)濾波器和LC濾波器，其更易于制造這種小尺寸類型的濾波器。
并且，由于在無線通信中使用比以前更高的頻帶，使用聲表面波的SAW濾波器要求亞微米(submicron)處理，因此，很難以低成本制造SAW濾波器。
同時(shí)，由于具有薄膜壓電諧振器的那些濾波器在壓電膜的厚度方向使用縱向振動(dòng)，通過減小所述壓電膜的厚度可以容易地使用更高的頻帶作為工作頻帶。并且，在1μm級(jí)別的處理對(duì)于平面方向的處理(膜方向處理)已經(jīng)足夠。于是，能夠避免作為使用更高頻帶的結(jié)果的產(chǎn)品成本增加。
此外，與SAW濾波器不同，薄膜壓電諧振器的基板不必是壓電基板?？梢栽诎雽?dǎo)體的Si基板或GaAs基板上形成薄膜壓電諧振器，并且其能夠利用LSI片單片地構(gòu)成濾波器。
在這樣的薄膜壓電諧振器中，上諧振部分和下諧振部分與空氣層相接觸，從而包含受激發(fā)的彈性振動(dòng)能量。由于空氣的聲阻抗與構(gòu)成薄膜壓電諧振器的諧振腔(resonator)的壓電膜和電極的聲阻抗之間存在很大差異，界面有效地反射所述彈性振動(dòng)，并且在諧振部分中包含了彈性波能量。為了產(chǎn)生這樣的結(jié)構(gòu)，必須在諧振腔之下形成空腔。有幾種形成所述空腔的方式。例如，在基板中預(yù)先嵌入犧牲層，并且在形成所述上下電極以及所述壓電膜之后通過蝕刻去除所述犧牲層?？蛇x地，在基板上形成所述諧振腔之后，通過在所述基板的底面上進(jìn)行的蝕刻來去除所述基板(例如，如在“Appl.Phys.Lett.43(8)P750，K.M.Lakin”中公開)。
具有這樣的空腔的中空結(jié)構(gòu)機(jī)械強(qiáng)度較差。因此，可以將下電極設(shè)計(jì)為大于所述空腔，從而使得在中空結(jié)構(gòu)中不會(huì)由于所述下電極形成梯級(jí)(step)(例如，如在“Appl.Phys.Lett.43(8)P750，K.M.Lakin”中公開)。
然而，通過這種方法，所述上下電極在空腔外部互相面對(duì)，并且面對(duì)部分起到寄生電容的作用。因此，所述壓電諧振器的有效機(jī)電耦合系數(shù)(壓電特征)變得更低。結(jié)果，反諧振頻率變得更低。特別是，在通過蝕刻基板的底面形成所述空腔的情況下，由于空腔圖形和電極圖形之間的位置差異、被蝕刻空腔的形狀差異，或者蝕刻處理中的變化導(dǎo)致反諧振頻率變化。反諧振頻率的變化不僅導(dǎo)致利用壓電諧振器形成的帶通濾波器的帶移，還影響了中心頻率的鄰域中的濾波器形狀。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到前述情形提出本發(fā)明，并且，本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜壓電諧振器以及一種濾波電路，所述濾波電路具有這樣的諧振器結(jié)構(gòu)，即使由于制造過程的變化導(dǎo)致在所述空腔和所述上下電極之間出現(xiàn)位置差異時(shí)，也不會(huì)導(dǎo)致反諧振頻率的變動(dòng)。
根據(jù)本發(fā)明第一方面的薄膜壓電諧振器包括具有空腔的基板，所述空腔從該基板的主面穿透到底面；在所述基板的主面上設(shè)置的下電極，用以覆蓋所述空腔；在所述下電極上設(shè)置的壓電膜，位于所述空腔上方；以及在所述壓電膜上設(shè)置的上電極，其包括主體部分，其在平面圖上與所述空腔的一部分重疊，突起部分，其連接到所述主體部分，所述突起部分的一部分與所述空腔相重疊，而其剩余部分不與所述空腔重疊，卻與所述下電極相重疊，在所述主體部分相對(duì)于所述突起部分的相對(duì)側(cè)設(shè)置的擴(kuò)展部分，以及連接部分，其連接所述主體部分和所述擴(kuò)展部分，該連接部分被設(shè)置以使得至少它的一部分不與所述空腔相重疊，卻與所述下電極相重疊，在與連接到所述主體部分的方向相垂直的方向上的所述突起部分的長(zhǎng)度與在與連接到所述主體部分的方向相垂直的方向上的所述連接部分的長(zhǎng)度基本上相同。
可以關(guān)于所述空腔的中心線對(duì)稱地放置所述突起部分的所述剩余部分以及所述連接部分的所述部分。
可以關(guān)于所述空腔的中心線非對(duì)稱地放置所述突起部分的所述剩余部分以及所述連接部分的所述部分。
在與連接到所述主體部分的方向相垂直的方向上的所述突起部分的長(zhǎng)度可以小于在與連接到所述突起部分的方向相垂直的方向上的所述主體部分的長(zhǎng)度。
根據(jù)本發(fā)明第二方面的薄膜壓電諧振器具有空腔的基板，所述空腔從該基板的主面穿透到其底面；在所述基板的主面上設(shè)置的下電極，用以覆蓋所述空腔；在所述下電極上設(shè)置的壓電膜，位于所述空腔上方；以及在所述壓電膜上設(shè)置的上電極，其包括主體部分，其與所述空腔的一部分重疊，第一部分，其被設(shè)置以連接到所述主體部分的一側(cè)，第二部分，其被設(shè)置以連接到所述主體部分的另一側(cè)，以及連結(jié)部分，其連結(jié)(link)所述第一部分和所述第二部分，所述連結(jié)部分在平面圖上不與所述下電極相重疊，在與連接到所述主體部分的方向相垂直的方向上的所述第一部分的長(zhǎng)度與在與連接到所述主體部分的方向相垂直的方向上的所述第二部分的長(zhǎng)度基本上相同。
可以關(guān)于所述空腔的中心線對(duì)稱地放置所述上電極的所述第一部分和所述第二部分。
可以關(guān)于所述空腔的中心線非對(duì)稱地放置所述上電極的所述第一部分和所述第二部分。
在與連接到所述主體部分的方向相垂直的方向上的所述上電極的所述第一部分的長(zhǎng)度可以小于在所述相垂直的方向上的所述主體部分的長(zhǎng)度。
根據(jù)本發(fā)明第三方面的濾波電路，包括如以上第一和第二方面中任何一個(gè)所述的薄膜壓電諧振器。
可以關(guān)于所述空腔的中心線對(duì)稱地放置所述薄膜壓電諧振器的所述突起部分的所述剩余部分以及所述連接部分的所述部分。
可以關(guān)于所述空腔的中心線非對(duì)稱地放置所述薄膜壓電諧振器的所述突起部分的所述剩余部分以及所述連接部分的所述部分。
在與連接到所述薄膜壓電諧振器的主體部分的方向相垂直的方向上的所述突起部分的長(zhǎng)度可以小于在與連接到所述突起部分的方向相垂直的方向上的所述主體部分的長(zhǎng)度。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜壓電諧振器的平面圖；圖2是所述第一實(shí)施例的薄膜壓電諧振器的截面圖，沿著圖1的線A-A獲得；圖3是根據(jù)第一實(shí)施例的變型例的薄膜壓電諧振器的平面圖；圖4是根據(jù)第一實(shí)施例的比較例的薄膜壓電諧振器的平面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的濾波電路的平面圖；
圖6是所述第二實(shí)施例的濾波電路的等效電路。
具體實(shí)施例方式
在描述本發(fā)明的實(shí)施例之前，先解釋本發(fā)明的原理。發(fā)明人研究了不太被制造過程期間的特征變動(dòng)影響的諧振器結(jié)構(gòu)。結(jié)果，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)空腔形狀的變動(dòng)顯著影響諧振器特征以及用諧振器形成的濾波器的選通特征。這種空腔形狀的變動(dòng)是在利用犧牲層形成空腔的處理期間引起的，并且這在通過蝕刻每個(gè)底面形成空腔的處理中問題更加嚴(yán)重。空腔形狀的變動(dòng)可以分為兩種類型空腔大小的變動(dòng)；以及空腔位置的變動(dòng)。后者具有更不利的影響。為了消除所述不期望的影響，發(fā)明人對(duì)電極和空腔的二維形狀進(jìn)行了深入研究，發(fā)現(xiàn)可以通過這樣的結(jié)構(gòu)解決所述問題，在該結(jié)構(gòu)中，在所述空腔外部互相面對(duì)的上電極和下電極的寄生電容的總和不隨空腔位置的移動(dòng)而變化。
以下參考附圖，描述本發(fā)明的實(shí)施例。
(第一實(shí)施例)圖1和2闡明了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜壓電諧振器。圖1是此實(shí)施例的薄膜壓電諧振器1的平面圖，而圖2是沿著圖1的線A-A獲得的薄膜壓電諧振器的截面圖。
此實(shí)施例的薄膜壓電諧振器1包括在基板10上形成的下電極11，在下電極11上形成的壓電膜12，在壓電膜12上形成的上電極13，以及在基板10中形成的空腔(開口)14，并且所述空腔與下電極11和壓電膜12相反的表面相接觸。
下電極11覆蓋空腔14。壓電膜12覆蓋下電極11的大部分。上電極13具有主體部分13a、突起部分13b、連接部分13c，以及擴(kuò)展部分13d。主體部分13a被設(shè)計(jì)以位于空腔14的正上方，并且整個(gè)主體部分13a與空腔14的一部分相重疊。在主體部分13a與連接部分13c的相對(duì)側(cè)設(shè)置突起部分13b。突起部分13b的一部分與空腔14相重疊，而突起部分13b的剩余部分與下電極11相重疊。于是，突起部分13b的所述剩余部分作為寄生電容15。連接部分13c連接主體部分13a和擴(kuò)展部分13d。連接部分13c的一部分與空腔14相重疊，而連接部分13c的剩余部分的一部分與下電極11相重疊。于是，連接部分13c的剩余部分的所述部分作為寄生電容15。在此實(shí)施例中，突起部分13b和連接部分13c具有相同的寬度(圖1中垂直方向上的長(zhǎng)度)，并且其被對(duì)稱地放置。突起部分13b和連接部分13c的每一個(gè)的寬度小于主體部分13a的寬度。擴(kuò)展部分13d被放置以不與空腔14相重疊，并且具有與主體部分13a基本上相同的寬度。
以如下方式制造此實(shí)施例的薄膜壓電諧振器1。首先，在由硅(Si)制成的基板10上形成熱氧化膜(未示出)。然后，通過濺射操作形成由鋁(Al)等制成的下電極材料膜，并且通過基于氯的RIE(反應(yīng)離子蝕刻)進(jìn)行成形，從而形成下電極11。在此，控制處理?xiàng)l件，從而使下電極11的端面成錐形。然后，也通過濺射操作形成由AIN制成的壓電膜12，并且通過基于氯的RIE進(jìn)行處理。然后形成由鉬(Mo)等制成的上電極膜，并進(jìn)行成形，從而形成上電極13。最后，在基板10的底面進(jìn)行干蝕刻或濕蝕刻，從而形成空腔(開口)14。
由于此實(shí)施例的薄膜壓電諧振器1具有如圖1所示對(duì)稱地放置的寄生電容15，即使所述空腔14的位置從一側(cè)移動(dòng)到另一側(cè)，寄生電容15的總和也不會(huì)改變。于是，反諧振頻率不會(huì)改變。
并且，由于在圖1的上區(qū)域和下區(qū)域中沒有寄生電容，上下移動(dòng)的空腔14不影響所述寄生電容15。對(duì)于2GHz的諧振器，在制造過程中可能導(dǎo)致的最大可能的位置差異通常是15μm，并且，位置差異大于此的可能性非常低。于是，如果上電極13的連接部分13c的長(zhǎng)度(圖1中水平方向上連接部分13c的大小)比突起部分13b的長(zhǎng)度大15μm，則在制造過程期間所述空腔14從一側(cè)移動(dòng)到另一側(cè)不會(huì)改變寄生電容的總和。在此，突起部分13b的長(zhǎng)度應(yīng)該是15μm或更長(zhǎng)。
在此實(shí)施例中，盡管擴(kuò)展部分13d的寬度比連接部分13c的寬度更大，但是，其可以與連接部分13c的寬度相同。
并且，在圖1中主體部分13a的右側(cè)和左側(cè)上放置寄生電容15。然而，如圖3所示的變型，可以在主體部分13a的頂部和底部放置寄生電容15。在這種情況下，利用具有凹口的環(huán)形結(jié)構(gòu)形成擴(kuò)展部分13d，并且主體部分13a位于所述凹口部分。擴(kuò)展部分13d直接連接到主體部分13a。擴(kuò)展部分13d具有第一部分13d1，其在縱方向平行于下電極11伸展，并且被設(shè)計(jì)為連接到主體部分13a的一側(cè)，第二部分13d2，其被設(shè)計(jì)為連接到主體部分13a的另一側(cè)，以及連結(jié)部分13d3，其連結(jié)第一部分13d1和第二部分13d2并且在平面圖上不與下電極11相重疊。下電極11的“縱方向”是在下電極11的與空腔14相重疊的部分和下電極11被連接到外部電源的部分(圖3中，與空腔14相重疊的部分的左側(cè)部分)之間伸展的方向，這是圖3中的水平方向。一般而言，所述縱方向上的下電極11的長(zhǎng)度大于與該縱方向相垂直的方向上的下電極11的長(zhǎng)度。與連接到主體部分13a的方向相垂直的方向上的第一部分13d1的尺寸(寬度)基本上相同于與連接到主體部分13a的方向相垂直的方向上的第一部分13d2的尺寸(寬度)。在連接到主體部分13a的方向上的上電極13a的第一和第二部分13d1和13d2的每一個(gè)的尺寸優(yōu)選為15μm或更大。在這種方式中，在圖3中，即使在制造處理期間空腔14的位置在垂直方向移動(dòng)，寄生電容15的總和也可以不變。因此，可以防止反諧振頻率的變動(dòng)。
與圖1中闡明的第一實(shí)施例不同，主體部分13a直接連接到擴(kuò)展部分13d，并且在此變型中不采用比主體部分13a更窄的連接部分。于是，串聯(lián)電阻變小，并且諧振Q值大于圖1中闡明的第一實(shí)施例。然而，圖1中闡明的第一實(shí)施例具有比圖3中闡明的變型例尺寸小的優(yōu)點(diǎn)。
在上述的第一實(shí)施例和變型例中，關(guān)于主體部分13a的中心線對(duì)稱地放置兩個(gè)寄生電容15。然而，也可以非對(duì)稱地放置所述兩個(gè)寄生電容15。
為了不改變寄生電容的總和，在第一實(shí)施例中，將突起部分13b和連接部分13c中的至少一個(gè)劃分為幾個(gè)部分。在所述變型例中，將第一和第二部分13d1和13d2中的至少一個(gè)劃分為幾個(gè)部分。
(比較例)圖4是此實(shí)施例的比較例的平面圖。在此比較例中，從圖1所示的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)中去除突起部分13b和連接部分13c，并且結(jié)合主體部分13a和擴(kuò)展部分13d，形成上電極13。由于僅在空腔14的右側(cè)存在寄生電容15，當(dāng)所述空腔在空腔14的垂直方向移動(dòng)時(shí)，寄生電容15的大小不變化。然而，當(dāng)空腔14從一側(cè)移動(dòng)到另一側(cè)時(shí)，寄生電容15的大小變化，導(dǎo)致反諧振頻率變化。
如目前所述，在此實(shí)施例中，即使所述空腔以及上下電極在制造處理期間移動(dòng)，寄生電容的總和卻不會(huì)變化。因此，所述反諧振頻率不會(huì)改變。
在此實(shí)施例中，各個(gè)電極具有諸如矩形或正方形的四邊形形狀。各個(gè)電極的形狀不限于四邊形形狀，也可以是圓形、橢圓形或者由平滑閉合曲線包圍的形狀。
(第二實(shí)施例)現(xiàn)在參考圖5和圖6，描述根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的濾波電路。圖5是根據(jù)此實(shí)施例的濾波電路的平面圖，且圖6是根據(jù)此實(shí)施例的濾波電路的等效電路。
此實(shí)施例的濾波電路包括七個(gè)薄膜壓電諧振器1A到1G。三個(gè)薄膜壓電諧振器1B、1D和1F串聯(lián)，且四個(gè)薄膜壓電諧振器1A、1C、1E和1G并聯(lián)。此實(shí)施例的濾波電路是梯形帶通濾波電路。薄膜壓電諧振器1A到1G的每一個(gè)是根據(jù)第一實(shí)施例或第一實(shí)施例的變型例的薄膜壓電諧振器。
所述薄膜壓電諧振器1A的上電極或下電極(在此例中，上電極)是電極31，輸入信號(hào)IN將向其輸入，而另一個(gè)(在此例中，下電極)是電極32，其連接到地電位GND。對(duì)稱地放置薄膜壓電諧振器1A的寄生電容15。
所述薄膜壓電諧振器1B的上電極或下電極(在此例中，上電極)是電極31，而另一個(gè)(在此例中，下電極)是電極33。對(duì)稱放置薄膜壓電諧振器1B的寄生電容15。在此，薄膜壓電諧振器1A和1B共用電極31作為上電極。
所述薄膜壓電諧振器1C的上電極或下電極(在此例中，下電極)是電極33，而另一個(gè)(在此例中，上電極)是電極34，其連接到地電位GND。對(duì)稱放置薄膜壓電諧振器1C的寄生電容15。
所述薄膜壓電諧振器1D的上電極或下電極(在此例中，下電極)是電極33，而另一個(gè)(在此例中，上電極)是電極35。非對(duì)稱放置薄膜壓電諧振器1D的寄生電容15。薄膜壓電諧振器1B、1C和1D共用電極33作為下電極。
所述薄膜壓電諧振器1E的上電極或下電極(在此例中，上電極)是電極35，而另一個(gè)(在此例中，下電極)是電極36，其連接到地電位GND。對(duì)稱放置薄膜壓電諧振器1E的寄生電容15。
所述薄膜壓電諧振器1F的上電極或下電極(在此例中，上電極)是電極35，而另一個(gè)(在此例中，下電極)是電極37，從其將輸出輸出信號(hào)0UT。非對(duì)稱地放置薄膜壓電諧振器1F的寄生電容15。薄膜壓電諧振器1D、1E和1F共用電極35作為上電極。
所述薄膜壓電諧振器1G的上電極或下電極(在此例中，下電極)是電極37，而另一個(gè)(在此例中，上電極)是電極38，其連接到地電位GND。對(duì)稱地放置薄膜壓電諧振器1G的寄生電容15。薄膜壓電諧振器1F和1G共用電極37作為下電極。
在具有上述結(jié)構(gòu)的此實(shí)施例的濾波電路中，各個(gè)薄膜壓電諧振器是第一實(shí)施例或第一實(shí)施例的變型例的薄膜壓電諧振器。于是，即使由于制造過程中的變動(dòng)導(dǎo)致所述空腔以及所述上下電極移動(dòng)，所述寄生電容的總和不變。因此，所述反諧振頻率不變化。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，即使所述空腔以及所述上電極和下電極移動(dòng)，也可以實(shí)現(xiàn)這樣的諧振器結(jié)構(gòu)，其不會(huì)導(dǎo)致反諧振頻率變化。
本領(lǐng)域技術(shù)人員將很容易得到其它優(yōu)點(diǎn)和變型。因此，本發(fā)明就其廣義方面不限于在此示出和描述的具體細(xì)節(jié)和代表性實(shí)施例。于是，無需脫離由所附權(quán)利要求及其等同所定義的一般發(fā)明概念的精神和范圍，可以得到各種變型。
權(quán)利要求
1.一種薄膜壓電諧振器，包括具有空腔的基板，所述空腔從其主面穿透到底面；在所述基板的主面上設(shè)置的下電極，用以覆蓋所述空腔；在所述下電極上設(shè)置的壓電膜，位于所述空腔上方；以及在所述壓電膜上設(shè)置的上電極，其包括主體部分，其在平面圖上與所述空腔的一部分重疊，突起部分，其連接到所述主體部分，所述突起部分的一部分與所述空腔相重疊，且其剩余部分不與所述空腔重疊，卻與所述下電極相重疊，在所述主體部分相對(duì)于所述突起部分的相對(duì)側(cè)設(shè)置的擴(kuò)展部分，以及連接部分，其連接所述主體部分和所述擴(kuò)展部分，該連接部分被設(shè)置以使得至少其一部分不與所述空腔相重疊，卻與所述下電極相重疊，在與連接到所述主體部分的方向相垂直的方向上的所述突起部分的長(zhǎng)度和在與連接到所述主體部分的方向相垂直的方向上的所述連接部分的長(zhǎng)度基本上相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜壓電諧振器，其中，關(guān)于所述空腔的中心線對(duì)稱地放置所述突起部分的所述剩余部分以及所述連接部分的所述部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜壓電諧振器，其中，關(guān)于所述空腔的中心線非對(duì)稱地放置所述突起部分的所述剩余部分以及所述連接部分的所述部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜壓電諧振器，其中，在與連接到所述主體部分的方向相垂直的方向上的所述突起部分的長(zhǎng)度小于在與連接到所述突起部分的方向相垂直的方向上的所述主體部分的長(zhǎng)度。
5.一種薄膜壓電諧振器，包括具有空腔的基板，所述空腔從其主面穿透到底面；在所述基板的主面上設(shè)置的下電極，用以覆蓋所述空腔；在所述下電極上設(shè)置的壓電膜，位于所述空腔上方；以及在所述壓電膜上設(shè)置的上電極，其包括主體部分，其與所述空腔的一部分重疊，第一部分，其被設(shè)置以連接到所述主體部分的一側(cè)，第二部分，其被設(shè)置以連接到所述主體部分的另一側(cè)，以及連結(jié)部分，其連結(jié)所述第一部分和所述第二部分，所述連結(jié)部分在平面圖上不與所述下電極相重疊，在與連接到所述主體部分的方向相垂直的方向上的所述第一部分的長(zhǎng)度和在與連接到所述主體部分的方向相垂直的方向上的所述第二部分的長(zhǎng)度基本上相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜壓電諧振器，其中，關(guān)于所述空腔的中心線對(duì)稱地放置所述上電極的所述第一部分和所述第二部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜壓電諧振器，其中，關(guān)于所述空腔的中心線非對(duì)稱地放置所述上電極的所述第一部分和所述第二部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜壓電諧振器，其中，在與連接到所述主體部分的方向相垂直的方向上的所述上電極的所述第一部分的長(zhǎng)度小于所述垂直方向上的所述主體部分的長(zhǎng)度。
9.一種濾波電路，包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜壓電諧振器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的濾波電路，其中，關(guān)于所述空腔的中心線對(duì)稱地放置所述薄膜壓電諧振器的所述突起部分的所述剩余部分以及所述連接部分的所述部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的濾波電路，其中，關(guān)于所述空腔的中心線非對(duì)稱地放置所述薄膜壓電諧振器的所述突起部分的所述剩余部分以及所述連接部分的所述部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的濾波電路，其中，在與連接到所述薄膜壓電諧振器的主體部分的方向相垂直的方向上的所述突起部分的長(zhǎng)度小于在與連接到所述突起部分的方向相垂直的方向上的所述主體部分的長(zhǎng)度。
13.一種濾波電路，包括根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜壓電諧振器。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的濾波電路，其中，關(guān)于所述空腔的中心線對(duì)稱地放置所述薄膜壓電諧振器的所述上電極的所述第一部分和所述第二部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的濾波電路，其中，關(guān)于所述空腔的中心線非對(duì)稱地放置所述薄膜壓電諧振器的所述上電極的所述第一部分和所述第二部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的濾波電路，其中，在與連接到所述薄膜壓電諧振器的主體部分的方向相垂直的方向上的所述上電極的所述第一部分的長(zhǎng)度小于在所述垂直方向上的所述主體部分的長(zhǎng)度。
全文摘要
一種薄膜壓電諧振器，包括在基板(10)的主面上設(shè)置的下電極(11)，用以覆蓋空腔(14)；在下電極(11)上設(shè)置的壓電膜(12)，位于空腔(14)上方；以及上電極(13)。上電極(13)具有與空腔(14)的一部分重疊的主體部分(13a)，連接到主體部分(13a)的一側(cè)的突起部分(13b)，在主體部分(13a)的相對(duì)側(cè)設(shè)置的連接部分(13c)以及連接到連接部分(13c)的擴(kuò)展部分(13d)。突起部分(13b)的長(zhǎng)度與連接部分(13c)的長(zhǎng)度基本上相同，從而使得相對(duì)于空腔(14)位置的移動(dòng)，空腔區(qū)域外部的上電極(13)和下電極(11)的重疊面積不變。結(jié)果，在空腔(14)外部相互面對(duì)的上(13)下(11)電極中的寄生電容的總和不隨空腔(14)位置的移動(dòng)而變化。
文檔編號(hào)H03H9/00GK101091311SQ200680001608
公開日2007年12月19日 申請(qǐng)日期2006年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月24日
發(fā)明者尾原亮一, 梁瀨直子, 佐野賢也, 安本恭章, 板谷和彥 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝