專利名稱：聲表面波濾波器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及聲表面波濾波器件，在比如移動通信裝置中用作為帶通
濾波器。具體地說，本發(fā)明涉及一種5-IDT縱向結(jié)合諧振器型的聲表面波 器件。
io
背景技術(shù)：
近年來，縱向結(jié)合諧振器型的聲表面波器件被廣泛用作比如移動電 話類移動通信裝置中的射頻段帶通濾波器。下面的專利文獻1描述作為這 種類型的縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件，即如圖16中所表示的5-IDT 縱向結(jié)合諧振器型的聲表面波器件501。
15 所述5-IDT縱向結(jié)合諧振器型的聲表面波器件501具有5個沿表面
波傳播方向配置的IDT 511-515。沿配置有5個IDT的表面波傳播方向任 何一側(cè)的那部分，配置有反射器516和517。位置在5個IDT511-515中 心處的IDT被稱作第一 IDT511。位于該第一 IDT511兩側(cè)的一對IDT被稱 為第二和第三IDT512和513，而沿表面波傳播方向為最外面的IDT稱為
20 第四和第五IDT514和515。在這樣的情況下，分別用Nl和Pl表示第一 IDT的電極指數(shù)目和電極指間距;分別用N2和P2表示第二和第三IDT512 和513的電極指數(shù)目和電極指間距；以及分別用N3和P3表示第四和第五 IDT514和515的電極指數(shù)目和電極指間距。按照專利文獻1，滿足關(guān)系 N1>N2>N3和P1>P2>P3。采用這樣的結(jié)構(gòu)，多個IDT511-515輻射特性的
25峰值頻率實際上是彼此相等的，并可得到寬帶濾波特性。 專利文獻1:日本未審專利申請公開JP-2003-92527。

發(fā)明內(nèi)容
然而，按照專利文獻1中所揭示的5-IDT縱向結(jié)合諧振器型的聲表
面波器件501，雖然通頻帶的帶寬可以增大，但帶域外衰減量不能充分地 增大。特別是在通頻帶低頻側(cè)附近的阻止帶域內(nèi)，不能得到足夠大的衰減
量，也不能得到陡峭(sharp)的濾波特性。
本發(fā)明克服了相關(guān)技術(shù)的上述缺點，提供一種5-IDT縱向結(jié)合諧振 器型聲表面波器件，它在通頻帶的阻止帶域內(nèi)具有大的衰減量和陡峭的濾
波特性。
本發(fā)明提供一種縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件，它包括壓電基板; 設(shè)在壓電基板上的第一 IDT、沿表面波傳播方向設(shè)在第一 IDT兩側(cè)的第二 和第三IDT、沿表面波傳播方向設(shè)置有第一至第三IDT的兩側(cè)配置第四和 第五IDT;以及沿表面波傳播方向設(shè)置有第一至第五IDT的兩側(cè)配置的第 一和第二反射器。其中，當(dāng)分別用Nl和Pl表示第一 IDT的電極指數(shù)目和 電極指間距；分別用N2和P2表示第二和第三IDT512和513的電極指數(shù) 目和電極指間距；以及分別用N3和P3表示第四和第五IDT514和515的 電極指數(shù)目和電極指間距時，確定第一至第五電極指數(shù)目和電極指間距滿 足關(guān)系N1^2， N1<N3， P1〈P2和P1〈P3。
按照本發(fā)明的一種具體方案，所述濾波器件還包括不平衡信號接線 端和第一、第二平衡信號接線端，其中，第二 IDT與第三IDT的相位差 180°，第二和第三IDT各自的一端與所述不平衡信號接線端相連，第一 IDT沿表面波傳播方向被分成第一分割的IDT部分和第二分割的IDT部 分，所述第一分割的IDT部分及第四IDT與第一平衡信號接線端相連，而 所述第二分割的IDT部分及第五IDT與第二平衡信號接線端相連。在這種 情況下，本發(fā)明給出一種聲表面波濾波器件，在通頻帶低頻側(cè)附近的阻止 帶域中具有增大的衰減量，并具有平衡-不平衡轉(zhuǎn)換特性。
按照本發(fā)明的另一種具體方案，所述濾波器件還包括不平衡信號接 線端和第一、第二平衡信號接線端，其中，第二 IDT與第三IDT的相位差 180°，第一、第四和第五IDT各自的一端與所述不平衡信號接線端相連， 第二 IDT與第一平衡信號接線端相連，第三IDT與第二平衡信號接線端相 連。在這種情況下，本發(fā)明給出一種聲表面波濾波器件，在通頻帶低頻側(cè) 附近的阻止帶域中具有增大的衰減量，并具有平衡-不平衡轉(zhuǎn)換特性。
按照本發(fā)明聲表面波濾波器件的又一種具體方案，至少一個單接線
端對(one-terminal-pair)的聲表面波諧振器與第一和第二平衡信號接線 端和/或不平衡信號接線端相連。由于至少一個單接線端對的聲表面波諧 振器按上述方式相連，所以，可以在通頻帶高頻側(cè)得到大的衰減量。
按照本發(fā)明聲表面波濾波器件的再一種具體方案，在第一和第二 IDT 彼此相鄰的以及第二和第四IDT彼此相鄰的的兩個部分，或者在第一和第 三IDT彼此相鄰的以及第三和第五IDT彼此相鄰的的兩個部分當(dāng)中的任意 兩個相鄰的IDT中的一個和/或另一個中，把對多個電極指實行串聯(lián)加權(quán) (series weighting),其中包括與其它IDT最鄰近的最外面的電極指。在 這種情況下，使設(shè)置在實行串聯(lián)加權(quán)的部分、且在下面有述的浮置電極兩 側(cè)的激勵被弱化，從而可使平衡度得到提高。
按照本發(fā)明的聲表面波濾波器件，它是具有第一至第五IDT的5-IDT 縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件，其中，當(dāng)分別用Nl和PI表示第一 IDT 的電極指數(shù)目和電極指間距;分別用N2和P2表示第二和第三IDT的電極 指數(shù)目和電極指間距；以及分別用N3和P3表示第四和第五IDT的電極指 數(shù)目和電極指間距時，確定所述各電極指數(shù)目和電極指間距滿足關(guān)系 N1<N2， N1<N3， PKP2和P1〈P3。從而，在通頻帶低頻側(cè)附近的阻止帶域 中得到增大的衰減量，還得到陡峭的濾波特性。進而，可以降低通頻帶內(nèi) 的插入損耗。
因此，按照本發(fā)明，可以給出一種具有大的帶域外衰減量和低損耗 的5-IDT縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件。


圖1是本發(fā)明第一優(yōu)選實施例縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件的平 面示意圖2是表示相關(guān)技術(shù)縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件在N1二N2二N3且 P1=P2=P3時的傳輸特性，以及具有IQ終端時傳輸特性的示意圖3是表示相關(guān)技術(shù)縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件在N1>N2,N3， 以及P1>P2， P3時的傳輸特性，以及具有IQ終端時傳輸特性的示意圖4是表示本發(fā)明第一優(yōu)選實施例縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件
的傳輸特性，以及具有1Q終端時傳輸特性的示意圖5是表示在電極指間距Pl按0. 005nm階式變化時，在通頻帶低頻 側(cè)出現(xiàn)的"阱"和諧振峰變化的示意圖6是表示第一 IDT的電極指數(shù)目按4階式減少時，"阱"和諧振峰 5位置改變的示意圖7(a)和(b)是表示當(dāng)電極指間距Pl變化時，第一 IDT的電極指間 距P1的改變量，以及"阱"D和峰值E的頻率位置變化的示意圖8(a)和(b)是表示當(dāng)電極指間距Pl變化時，第一 IDT的電極指間 距P1的改變量，以及"阱"D和峰值E的衰減量變化的示意圖； io 圖9是表示當(dāng)?shù)谝?IDT的電極指間距Pl變化時的改變量與通頻帶低
頻側(cè)出現(xiàn)的"阱"D和峰值E的衰減量間的差之間關(guān)系的示意圖10是表示沿表面波傳播方向配置的第一至第五IDT中電流的能量 分布方式的示意圖11是表示第二優(yōu)選實施例縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件的傳輸 15特性，以及具有1Q終端時傳輸特性的示意圖12是表示本發(fā)明一種改型的縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件電極 結(jié)構(gòu)的平面示意圖13是表示本發(fā)明另一種改型的縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件電 極結(jié)構(gòu)的平面示意圖； 20 圖14是表示本發(fā)明又一種改型的縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件電
極結(jié)構(gòu)的平面示意圖15是表示本發(fā)明再一種改型的縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件電 極結(jié)構(gòu)的平面示意圖16是表示相關(guān)技術(shù)的5-IDT縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件電極 25結(jié)構(gòu)的平面示意圖。
縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件
壓電基板
不平衡接線端
參考標(biāo)記
1
2
30 3
4和5第一和第二平衡接線端
11-15第一至第五IDT
IIA和11B第一和第二分割的IDT部分
16和17反射器
101縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件
102聲表面波諧振器
111縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件
112和113聲表面波諧振器
121縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件
131-135IDT
141縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件
142IDT
143和144浮置電極指
具體實施例方式
以下在描述專利文獻1所述相關(guān)技術(shù)中的問題之后，將以更詳細(xì)的 資料參照附圖描述本發(fā)明實施例。
圖2中的實線指的是圖16中所示5-IDT縱向結(jié)合諧振器型聲表面波 器件501，在聲表面波濾波器件的電極指數(shù)目N1，N2和N3以及電極指間 距Pl， P2和P3滿足關(guān)系N1=N2=N3和P1=P2=P3時的傳輸特性，虛線指的 是具有1Q終端時的傳輸特性。所述具有1Q終端時的傳輸特性是一種為 研究通過聲表面波濾波器件的結(jié)合模式所得峰值頻率的有效模式分析技 術(shù)。
圖2表示在N1=N2=N3=41和P1=P2=P3=1. 024|nm時所得的特性。其它 特性如下
縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件501的描述在40土5。Y-切割X傳播 的LiTa03基板上,利用多個Al電極限定的5-IDT縱向結(jié)合諧振器型聲表
面波器件。
IDT的電極指交叉長度45Mm 各反射器的電極指數(shù)目=100
金屬化比率=0.7
電極膜厚=0.08^00~表示反射器的電極指間距所限定的波長，即反 射器電極指間距的兩倍〉
正如由圖2中所示虛線表示的具有1Q終端時的傳輸特性所能看到 5的，發(fā)現(xiàn)通頻帶中存在A1峰，而在阻止帶域中存在A2峰。也就是說，發(fā) 現(xiàn)在阻止帶域中存在由模式結(jié)合所感應(yīng)的峰。
圖3表示縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件501在Nl=55， N2=51 ，N3=27 Pl=1.027nm， P2二1.026)mn,P34.022)Lim時的傳輸特性，有如實線所表示的 那樣；以及有如虛線所表示的具有1Q終端時的傳輸特性。也就是說，滿 io.足關(guān)系N1>N2,N3， P1〉P2，P3時的傳輸特性。
有如圖3所能看到的，發(fā)現(xiàn)由虛線表示的具有1Q終端時的傳輸特性 中，在阻止帶域中出現(xiàn)模式結(jié)合所感應(yīng)的B峰，就像在圖2所示的情況那 樣。
由模式結(jié)合所感應(yīng)的A峰等都需要限定通頻帶。然而，正如從圖2 15和圖3所示的傳輸特性所看出的，發(fā)現(xiàn)如果在阻止帶域中，特別是在通頻 帶附近的阻止帶域中存在A2峰或B峰，就會引發(fā)在通頻帶的低頻側(cè)附近 的阻止帶域中的衰減量不夠大的問題。
圖1是表示本發(fā)明第一實施例為克服上述問題所構(gòu)造的聲表面波濾 波器件的電極結(jié)構(gòu)的平面示意圖。 20 聲表面波濾波器件1是一個5-IDT縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件，
在本實施例中，它被用作PCS接收用的帶通濾波器。因此，采用從1930MHz 至1990 MHz的設(shè)計通頻帶區(qū)域。
利用壓電基板2構(gòu)成所述縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件。由 40±5°Y-切割、X傳播的LiTa03基板形成所述壓電基板2。不過，也可以 25采用任何其它結(jié)晶取向的LiTa03基板，或者任何其它壓電單晶基板或壓 電陶瓷基板形成所述壓電基板2。
在壓電基板2上確定所說明過的電極結(jié)構(gòu)?？v向結(jié)合諧振器型聲表 面波器件1包括不平衡信號接線端3和第一、第二平衡信號接線端4、 5， 因而具有平衡-不平衡轉(zhuǎn)換功能。 30 把沿表面波傳播方向位于5個IDT中心的那個IDT稱為第一 IDTll。
在第一IDT11兩側(cè)配置第二和第三IDT12、 13。沿聲表面波傳播方向配置 有最外面的第四和第五IDT14、 15。
第一 IDT11沿聲表面波傳播方向被分為兩部分，從而有第一分割I(lǐng)DT 部分11A和第二分割I(lǐng)DT部分IIB。 5 沿配置著第一至第五IDT的聲表面波傳播方向兩側(cè)的部分配置有第
一和第二反射器16和17。
第二和第三IDT12和13的第一端共同連到不平衡信號接線端3。第 二和第三IDT12和13的第二端被接到地電位。
第四IDT14的第一端和第一 IDT的第一分割I(lǐng)DT部分11A的第一端 io被連接在一起，并與第一平衡信號接線端4相連。第四IDT14和第一分割 IDT部分11A的第二端被接到地電位。
第一 IDT11的第二分割I(lǐng)DT部分11B和第五IDT15的第一端被連接 在一起，并與第二平衡信號接線端5相連。第二分割I(lǐng)DT部分11B和第五 IDT15的第二端被接到地電位。 15 第三IDT13的極性與第二 IDT12的極性差180°，并因此而從平衡信
號接線端4和5得到相位差180。的信號。
通過IDR11連到地電位的電極，使所述分割I(lǐng)DT部分11A和11B串 聯(lián)連接。
在本實施例的縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件中，分別由Nl和Pl 20 表示第一 IDT11的電極指的數(shù)目和電極指間距;分別用N2和P2表示第二 和第三IDT12和13的電極指數(shù)目和電極指間距；以及分別用N3和P3表 示第四和第五IDT14和15的電極指數(shù)目和電極指間距。由于滿足關(guān)系 N1<N2， N1<N3， PkP2和PkP3，所以，在通頻帶低頻側(cè)附近的阻止帶域 中得到大的衰減量，并可得到陡峭的濾波特性。另外，可以實現(xiàn)通頻帶中 25的低插入損耗。下面將關(guān)于更為特定的實驗數(shù)據(jù)描述這些優(yōu)點。
由反射器16和17的電極指間距所確定的波長被表示為入r，利用與 上述聲表面波濾波器件501同樣的材料制成本實施例的聲表面波濾波器 件l，同時滿足下述規(guī)格-電極指的交叉長度二55i^m 30 各IDT的電極指數(shù)目(按第四IDT14、第二 IDT12、第一 IDTll、第三IDT13和第五IDT15的次序)59、 63、 26、 63、 59 反射器的電極指數(shù)目=100 金屬化比率二0.7 電極膜厚=0. 08入r
5 IDT11的電極指間距Pl=l. 009(im，電極指間距P2=P3=1. 036^
圖4中的實線表示上述實施例的縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件的 傳輸特性，虛線表示具有1Q終端時的傳輸特性。
正如從具有1Q終端時的傳輸特性所清楚看到的，發(fā)現(xiàn)由于模式結(jié)合 而出現(xiàn)CI-C3諧振峰。這就是說，發(fā)現(xiàn)諧振峰Cl出現(xiàn)在1980MHz附近，
io 諧振峰C2出現(xiàn)在1925MHz附近，在1915MHz附近形成"阱"，并在1900MHz 附近出現(xiàn)諧振峰C3。
Cl、 C2峰是限定通頻帶所需的諧振峰。在1915MHz附近形成的"阱" 和在1900MHz附近出現(xiàn)的C3峰限定通頻帶低頻側(cè)的旁瓣，并可發(fā)現(xiàn)通頻 帶低頻側(cè)的衰減量增大。
15 與圖2和3相比，恰如從圖4所能清楚看到的，發(fā)現(xiàn)通頻帶低頻側(cè)
附近的阻止帶域中的衰減量更大，并且通頻帶低頻側(cè)的濾波特性更加陡 峭。這是因為電極指的數(shù)目滿足關(guān)系N1W2和N1^3。另外，電極指的間 距被設(shè)定為滿足PkP2和PkP3，從而實現(xiàn)通頻帶中的低插入損耗。下面 將關(guān)于更為特定的實驗數(shù)據(jù)描述這些優(yōu)點。
20 圖5是表示在上述相關(guān)技術(shù)之縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件501
具有N1二N2:N3并且P1=P2=P3=1. 024|jm結(jié)構(gòu)的情況下，具有1Q終端時的 傳輸特性變化的示意圖，其中按0.005^的步進減小第一中心IDT的電 極指間距Pl的值。正如從圖5所能清楚看到的，發(fā)現(xiàn)隨著第一 IDT511 的電極指間距P1減小，在通頻帶低頻側(cè)產(chǎn)生的"阱"D移向高頻側(cè)。在
25高頻側(cè)相對于"阱"D立刻產(chǎn)生一個E峰。發(fā)現(xiàn)隨著電極指間距Pl減小， E峰移向高頻側(cè)，同時通頻帶的帶寬變窄。
圖6是表示在上述縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件501中第一 IDT511的電極指數(shù)目Nl從N1=N2=N3=41和P1=P2=P3=1.02—并且 P1=P2-0. 01|iim，即Pl二l. 014(im的條件以4的階式減小的情況下，具有
30終端時的傳輸特性變化的示意圖。
正如從圖6所能清楚看到的，發(fā)現(xiàn)電極指的數(shù)目Nl增大，"阱"D和相對于"阱"D在高頻側(cè)附近的E峰都移向高頻側(cè)，同時也使通頻帶的帶寬變窄。
正如從圖6所能清楚看到的，相反的是，隨著第一 IDT的電極指數(shù) 目減少，"阱"D移向低頻側(cè)，實現(xiàn)寬的帶域，并且，峰的衰減量減小， 從而減小插入損耗。
相應(yīng)地，把具有1Q終端時的傳輸特性中所產(chǎn)生的"阱"D和E峰用 于限定通頻帶，從而，在通頻帶低頻側(cè)附近的阻止帶域中給出大的衰減量， 并提高通頻帶低頻側(cè)的陡峭性。在這種情況下，"阱"D的衰減量越大， 衰減量增大的效果越大。另外，通過減小E峰處的衰減量，可使通頻帶中 的插入損耗減小。
圖8(a)表示當(dāng)?shù)谝?IDT的電極指間距Pl和電極指數(shù)目Nl改變時， "阱"D衰減量的變化。圖8(b)表示E峰處衰減量的變化。
從圖8(a)能夠看出，當(dāng)NbN2和N3時，衰減量聚集在-40dB附近， 而當(dāng)N1^N2且N1^N3時，所述衰減量減小得更多。從圖8(b)能夠看出， 當(dāng)N1>N2以及N1>N3時，E峰處的衰減量隨著電極指間距Pl的減小而增 大，而當(dāng)N1^2且NkN3時，可使衰減量保持較低。
圖7(a)表示當(dāng)?shù)谝?IDT的電極指間距P1和電極指數(shù)目Nl改變時， "阱"的頻率的變化。圖7(b)表示當(dāng)?shù)谝籌DT的電極指間距Pl和電極指 數(shù)目N1改變時，峰的頻率的變化。
正如從圖7(b)所清楚看出的，發(fā)現(xiàn)當(dāng)電極指數(shù)目N1為21、 25或31 時，峰值點比NP19時的低，這是尤為可取的。
圖9表示當(dāng)?shù)谝籌DT的電極指間距P1和電極指數(shù)目N1改變時，"阱" 的衰減量與峰值點的衰減量之間的差。當(dāng)N1^2且NkN3時，"阱"的衰 減量大，而峰處的衰減量小，導(dǎo)致它們之間的差變大。因此，可使通頻帶 低頻側(cè)的陡峭性得到改善，并可使通頻帶內(nèi)的插入損失減小。另外，可以 使峰值點處的衰減量比N1=N2=N3=41，且P1=P2=P3=1. 024jom時的小。
于是，從圖7-9表示的結(jié)果可以看出，通過滿足關(guān)系N1<N2且N1<N3， 可以在鄰近通頻帶低頻側(cè)的阻止帶域中得到大的衰減量，并可以得到更為 陡峭的濾波特性。還可以發(fā)現(xiàn)，通過滿足關(guān)系PkP2且PkP3，可使通頻
帶內(nèi)的插入損耗減小。
按"第6屆高效能EM電路設(shè)備調(diào)查專門委員會資料一 5-IDT型多 模式結(jié)合諧振濾波器的SAW模式分析"，對發(fā)生峰值點的頻率位置進行SAW 模式分析。結(jié)果發(fā)現(xiàn)有如圖IO所示者，電流分布聚集在第一 IDT處?？?5慮為什么隨著第一 IDT的電極指數(shù)目Nl減小，峰值點處的衰減量減小的 原因在于，當(dāng)電極指數(shù)目Nl小時，第一 IDT處更有效地激勵電流。然而， 如果電極指數(shù)目N1太小，相反地會使電阻增大，從而導(dǎo)致峰值點處的衰 減量大。因此，按照本實施例，最好使電極指數(shù)目N1不小于21。
接下去，除了設(shè)計參數(shù)有如下的變化外，按與圖1所示實施例類似 io的方式制成第二實施例的5-IDT縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件。圖11 表示如此得到的第二實施例縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件的傳輸特性， 以及具有1Q終端時的傳輸特性。
電極指的交叉長度二45^im
各IDT的電極指數(shù)目(按第四IDT14、第二 IDT12、第一 IDTll、第三 15IDT13和第五IDT15的次序):45、 45、 34、 45、 45 反射器的電極指數(shù)目=100 金屬化比率=0.68 電極膜厚=0. 08Xr
第一 IDT11的電極指間距Pl-1.014nm， P2=1.022mhi， P3=1.027iam 20 另外，在第二實施例中，滿足關(guān)系P1〈P2， P1<P3， N1^2且NbcN3。
因此，正如從圖ll所清楚看出的，發(fā)現(xiàn)在通頻帶低頻側(cè)得到陡峭的濾波 特性，并使通頻帶中的插入損耗減小。
本發(fā)明的縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件并不限于具有第一或第二 實施例的電極結(jié)構(gòu)。在圖12所示的改型縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件 25 101中，單接線端對的聲表面波諧振器102還與第一縱向結(jié)合諧振器型聲 表面波器件1相連。具體地說，單接線端對的聲表面波諧振器102串聯(lián)連 接在不平衡信號接線端3與第一縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件1的第二 和第三IDR12、 13的公共接點之間。在圖13所示的縱向結(jié)合諧振器型聲 表面波器件111中，單接線端對的聲表面波諧振器112和113分別串聯(lián)連 30接在第一縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件1和第一平衡信號接線端4之
間，以及第一縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件1和第二平衡信號接線端5 之間。
于是，至少可以將一個聲表面波諧振器串聯(lián)連接在一個縱向結(jié)合諧 振器型聲表面波器件與不平衡信號接線端或平衡信號接線端之間，在這種 5情況下，可以在通頻帶的高頻側(cè)得到大的衰減量。在圖14所示的改型縱
向結(jié)合諧振器型聲表面波器件121中，由不具有分割的IDT部分的普通 IDT形成第一 IDT131。沿表面波傳播方向的第一 IDT131和最外面的第四、 第五IDT134、 135的第一端共同連接在一起，并與不平衡信號接線端3 電連接，而第一、第四和第五IDT131、 134、 135的第二接線端接到地電
io 位。另外，第二和第三IDT132和133的第一端連到地電位，而第二和第 三IDT132和133的第二端分別與第一和第二平衡信號接線端4和5相連。 按照這種方式，采用不帶分割的IDT部分的第一至第五IDT131-135，能 夠?qū)崿F(xiàn)平衡-不平衡轉(zhuǎn)換功能。此外，圖15所示的縱向結(jié)合諧振器型聲表 面波器件141的結(jié)構(gòu)是，其中，單接線端對聲表面波諧振器102與第一縱
15向結(jié)合諧振器型聲表面波器件1相連，其中實行串聯(lián)加權(quán)。通過設(shè)置浮置 電極指143和144，使得沿聲表面波傳播方向到達第三IDR142兩側(cè)的電 極指和位于其間的電極指之間所限定的區(qū)域，而實行所述串聯(lián)加權(quán)。按與 圖12所示的縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件101同樣的方式，構(gòu)造其余 部件。
20 因而，按照本發(fā)明，如果需要，可以對5-IDT縱向結(jié)合諧振器型聲
表面波器件實行串聯(lián)加權(quán)。這種串聯(lián)加權(quán)使得能夠削弱浮置電極指143 和144兩側(cè)的激勵，并使平衡度得到提高。
本發(fā)明并不限于上述具有平衡-不平衡轉(zhuǎn)換功能的縱向結(jié)合諧振器 型聲表面波器件，而可以包括沒有平衡-不平衡轉(zhuǎn)換功能的縱向結(jié)合諧振
25器型聲表面波器件，如圖16所示的5-IDT縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器 件。在任何一種縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件中，通過滿足有如上面所 述的關(guān)系N1W2、 N1<N3、 Pl〈P2和PkP3，在通頻帶的低頻側(cè)附近的阻止 帶域中，可以得到大的衰減量，并可以得到陡峭的濾波特性。另外，可以 降低通頻帶內(nèi)的插入損耗。
權(quán)利要求
1.一種縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件，它包括壓電基板；設(shè)在壓電基板上的第一IDT；沿表面波傳播方向設(shè)在第一IDT兩側(cè)的第二和第三IDT；沿表面波傳播方向設(shè)置有第一至第三IDT的兩側(cè)配置的第四和第五IDT；以及沿表面波傳播方向設(shè)置有第一至第五IDT的兩側(cè)配置的第一和第二反射器；其中，分別用N1和P1表示第一IDT的電極指數(shù)目和電極指間距，分別用N2和P2表示第二和第三IDT和的電極指數(shù)目和電極指間距，且分別用N3和P3表示第四和第五IDT的電極指數(shù)目和電極指間距，確定第一至第五電極指數(shù)目和電極指間距滿足關(guān)系N1＜N2，N1＜N3，P1＜P2和P1＜P3。
2.
3. 如權(quán)利要求1所述的聲表面波濾波器件，其中，還包括不平衡信號接 線端和第一、第二平衡信號接線端； 第二 IDT與第三IDT的相位差180°;第一、第四和第五IDT各自的一端與所述不平衡信號接線端相連； 第二 IDT與第一平衡信號接線端相連，第三IDT與第二平衡信號接 線端相連。
4. 如權(quán)利要求2或3所述的聲表面波濾波器件，其中，至少一個單接線 端對聲表面波諧振器與第一和第二平衡信號接線端和/或不平衡信號接線 端相連。
5.如權(quán)利要求1至4任一項所述的聲表面波濾波器件，其中，在彼此相鄰的第一和第二 IDT以及彼此相鄰的第二和第四的兩個部分，或者彼此相 鄰的第一和第三IDT以及彼此相鄰的第三和第五的兩個部分當(dāng)中的任意 兩個相鄰的IDT中的一個和/或另一個中，把串聯(lián)加權(quán)加給多個電極指， 這當(dāng)中包括與其它電極指最鄰近的最外面的電極指。
全文摘要
一種具有足夠通頻帶寬的縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件，其中在通頻帶低頻側(cè)附近的阻止帶域內(nèi)可以得到大的衰減量，并且可以實現(xiàn)通頻帶內(nèi)的低插入損耗。一種5-IDT縱向結(jié)合諧振器型聲表面波器件1包括第一IDT11、沿表面波傳播方向設(shè)在第一IDT11兩側(cè)的第二和第三IDT12和13，以及沿表面波傳播方向的最外IDT14和15。其中，當(dāng)?shù)谝籌DT11具有電極指數(shù)目N1和電極指間距P1，第二和第三IDT12和13具有電極指數(shù)目N2和電極指間距P2，第四和第五IDT14和15具有電極指數(shù)目N3和電極指間距P3時，滿足關(guān)系N1＜N2，N1＜N3，P1＜P2和P1＜P3。
文檔編號H03H9/145GK101107777SQ20068000245
公開日2008年1月16日 申請日期2006年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月20日
發(fā)明者大內(nèi)峰文 申請人:株式會社村田制作所