專利名稱：：雙端口調(diào)制器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明主要涉及頻率調(diào)制領(lǐng)域，具體地涉及雙端口頻率調(diào)制器。技術(shù)背景諸如蜂窩、無繩以及數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)的許多數(shù)字無線電通信系統(tǒng)使用FSK、GFSK(高斯頻移鍵控)或GMSK(高斯最小頻移鍵控)調(diào)制技術(shù)。實(shí)際上，這些類型的調(diào)制技術(shù)僅是射頻(RF)信號(hào)包絡(luò)恒定的頻率調(diào)制(FM)。由于在此類調(diào)制技術(shù)中不涉及振幅調(diào)制(AM)，因此發(fā)射機(jī)的壓控振蕩器(VCO)頻率可以由基帶信號(hào)直接調(diào)制，這在模擬通信系統(tǒng)之類的常規(guī)模擬FM發(fā)射機(jī)中是非常典型的。通過直接調(diào)制VCO頻率，可以獲得顯著的成本降低。在低成本是關(guān)鍵因素的數(shù)字應(yīng)用中，這種方案是相當(dāng)理想的。舉個(gè)例子，對(duì)DECT之類的數(shù)字解決方案來說，其總體成本必須非常低，以便與CTO之類的眾所周知的模擬系統(tǒng)進(jìn)行竟?fàn)帯榱吮苊饪赡芷茐难蹐D(eyespattern)并且使數(shù)字系統(tǒng)中的傳輸?shù)恼`碼率劣化的任何符號(hào)間干擾，在基帶信號(hào)的整個(gè)頻譜中，調(diào)制路徑上的群組延遲以及振幅傳遞函數(shù)必須保持恒定。這要求鎖相環(huán)(PLL)的傳遞函數(shù)足夠高，以便使整個(gè)調(diào)制頻語通過。此外，為了滿足適用的無線電規(guī)范，出于對(duì)相位噪聲和調(diào)制精度的考慮，應(yīng)將RF信號(hào)源的要傳送的頻語純度保持成盡可能接近載波信號(hào)，并且應(yīng)將其保持成盡可能遠(yuǎn)離栽波信號(hào)以減少諧波、噪聲本底(noisefloor)以及離散雜散信號(hào)。因此，PLL的傳遞函數(shù)必須足夠低，以便對(duì)噪聲進(jìn)行過濾。眾所周知，一種被稱為雙端口調(diào)制的技術(shù)提供了用于產(chǎn)生低端口調(diào)制信號(hào)以及高端口調(diào)制的能力。低端口調(diào)制信號(hào)通常被用于驅(qū)動(dòng)噪聲整形電路，該電路對(duì)PLL的分頻器進(jìn)行控制，同時(shí)，高端口頻率調(diào)制信號(hào)被用作高端口路徑的輸入，該高端口路徑使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)來直接驅(qū)動(dòng)壓控振蕩器(VCO)的輸入電壓。雙端口調(diào)制的效果是為基準(zhǔn)時(shí)鐘和噪聲整形電路所產(chǎn)生的噪聲提供低通傳遞函數(shù)，并且為輸入頻偏提供全通函數(shù)。但是，由于這些電路中的電容器和電感器之類的組件的實(shí)際制造容差，因此在一定范圍的傳輸頻率上，VCO的調(diào)制靈敏度響應(yīng)可能是高度非線性的。該響應(yīng)還會(huì)受到將高端口信號(hào)耦合到VCO的方法的影響。該高端口信號(hào)通常是在環(huán)路濾波器處與VCO相耦合的，從而它會(huì)調(diào)制給VCO的控制電壓(或稱操縱電壓，steeringvoltage)，或者另選地用于調(diào)制直接耦合到VCO的儲(chǔ)能電路中的外部變?nèi)荻O管的電容。在圖la中示出了仿真的雙端口頻率調(diào)制器的調(diào)制靈敏度響應(yīng)，其中該調(diào)制器在環(huán)路濾波器處耦合高端口信號(hào)?？梢钥闯龅氖牵琕CO的調(diào)制靈敏度會(huì)在一定范圍的輸出頻率上發(fā)生變化。對(duì)傳輸設(shè)備來說，這是不可接受的，并且通常是通過使用高端口信號(hào)的可變?cè)鲆婊蛩p來"調(diào)諧，，所述電路而被解決的。在從制造商那里配送之前，通過調(diào)整高端口信號(hào)的增益，調(diào)制靈敏度可以變平到可接受的等級(jí)。在圖lb中顯示了仿真的雙端口頻率調(diào)制器的調(diào)制靈敏度響應(yīng)，其中該調(diào)制器具有由高端口信號(hào)調(diào)制并且直接耦合到VCO儲(chǔ)能電路中的外部變?nèi)荻O管?？梢钥闯龅氖牵@個(gè)響應(yīng)同樣會(huì)在一定范圍的傳輸頻率上發(fā)生變化，因此這種設(shè)備安排同樣需要在制造之后通過使用高端口信號(hào)的可變?cè)鲆鎭磉M(jìn)行調(diào)諧。對(duì)于調(diào)諧處理的需要增加了制造頻率調(diào)制器單元所需的時(shí)間，由此增加了它們的每單元成本。此外，由于調(diào)制靈敏度會(huì)在所關(guān)注的傳輸頻率上顯著變化，因此需要對(duì)高端口信號(hào)的增益進(jìn)行相當(dāng)大的調(diào)整，為此，在調(diào)制器中需要大且昂貴的可變?cè)鲆娼M件。
發(fā)明內(nèi)容概括地說，在一個(gè)方面中，本發(fā)明提供了一種雙端口頻率調(diào)制器，該調(diào)制器以如下方式將高端口信號(hào)耦合到鎖相環(huán)(PLL)電路中使得與上述高端口耦合方法相比，在調(diào)諧之前，VCO的調(diào)制靈敏度響應(yīng)平均而言要更為平坦。這減少了將所述調(diào)制響應(yīng)完全平坦化所需要的調(diào)諧時(shí)間，并且還降低了對(duì)高端口信號(hào)的可變?cè)鲆娼M件的范圍需求，并且由此降低了其大小和成本。調(diào)諧前響應(yīng)平坦化是通過如下步驟實(shí)現(xiàn)的將用于調(diào)制控制電壓的高端口信號(hào)耦合到VCO儲(chǔ)能電路的輸入中，此外使用高端口信號(hào)來改變耦合到儲(chǔ)能電路中的外部可變電容。通過組合這兩種將高端口信號(hào)耦合到VCO的方法，其反向調(diào)制靈敏度響應(yīng)特性在一定程度上被抵消。由此，這種配置的組合調(diào)制靈敏度響應(yīng)要比其它方式更為平坦，因而導(dǎo)致調(diào)諧時(shí)間和調(diào)諧范圍減小，這繼而降低了高端口信號(hào)路徑中的可變?cè)鲆娌考囊?guī)格。在一個(gè)實(shí)施例中，高端口信號(hào)路徑之一耦合到環(huán)路濾波器的非輸入節(jié)點(diǎn)中，另一高端口信號(hào)路徑耦合到變?nèi)荻O管以改變其電容，而所述變?nèi)荻O管繼而耦合到VCO的儲(chǔ)能電路。這樣，該儲(chǔ)能電路的總電容是通過高端口信號(hào)對(duì)從環(huán)路濾波器輸入的控制電壓進(jìn)行調(diào)制以及通過調(diào)制耦合到儲(chǔ)能電路的外部電容而被調(diào)制的。在一個(gè)方面中，本發(fā)明提供了一種頻率調(diào)制器，包括鎖相環(huán)電路，用于接收栽波信號(hào)并且根據(jù)調(diào)制信號(hào)的低頻分量來調(diào)制該栽波信號(hào)，該鎖相環(huán)電路包括用于輸出經(jīng)調(diào)制的載波信號(hào)的壓控振蕩器(VCO)以及用于向VCO輸出控制電壓的環(huán)路濾波器，該VCO具有包含壓控電容的儲(chǔ)能電路；外部壓控電容，其被布置成根據(jù)調(diào)制信號(hào)的高頻分量來調(diào)制其電容，該外部壓控電容與儲(chǔ)能電路相耦合；其中鎖相環(huán)電路還被布置成使用調(diào)制信號(hào)的高頻分量來調(diào)制到vco的控制電壓。在另一個(gè)方面中，本發(fā)明提供了一種在鎖相環(huán)電路中使用調(diào)制信號(hào)來調(diào)制載波信號(hào)的方法，該鎖相環(huán)電路具有壓控振蕩器，該壓控振蕩器包含接收控制電壓的儲(chǔ)能電路，該方法包括根據(jù)調(diào)制信號(hào)的低頻分量來調(diào)制鎖相環(huán)電路的輸出頻率；根據(jù)調(diào)制信號(hào)的高頻分量來調(diào)制控制電壓；以及根據(jù)調(diào)制信號(hào)的高頻分量來調(diào)制與儲(chǔ)能電路相耦合的外部壓控電容的電容。為了使本發(fā)明便于理解和實(shí)施，現(xiàn)在將參考附圖來描述所例示的示例性實(shí)施例，其中相同的附圖標(biāo)記在所有附圖中指示相同或功能上相似的部件。附圖連同下文中的詳細(xì)描述一起被并入說明書并且構(gòu)成說明書的一部分，用來進(jìn)一步說明實(shí)施例并且對(duì)根據(jù)本發(fā)明的各種原理和優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行說明，在附圖中圖la是將高端口信號(hào)耦合在環(huán)路濾波器處的VCO的調(diào)制靈敏度響應(yīng)的曲線圖；圖lb是將高端口信號(hào)耦合以對(duì)外部變?nèi)荻O管進(jìn)行控制的VCO的調(diào)制靈敏度響應(yīng)的曲線圖，其中該外部變?nèi)荻O管與VCO的儲(chǔ)能電路相耦合；圖2是同時(shí)將高端口信號(hào)耦合在環(huán)路濾波器處以及將高端口信號(hào)耦合以對(duì)外部變?nèi)荻O管進(jìn)行控制的VCO的調(diào)制靈敏度響應(yīng)的曲線圖，其中該外部變?nèi)荻O管與VCO的儲(chǔ)能電路相耦合；圖3是例示了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的頻率調(diào)制器設(shè)備的電路的示意性電路框圖；以及圖4是例示了圖3中的頻率調(diào)制器設(shè)備的環(huán)路濾波器、儲(chǔ)能電路以及雙高端口調(diào)制電路的電路圖。熟練技術(shù)人員將會(huì)明白，附圖中的部件是出于簡(jiǎn)明的目的而示出的，并且這些部件不一定是按比例繪制的。例如，為了幫助提高對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的理解，附圖中的一些部件的尺寸相對(duì)于其它部件被放大了。具體實(shí)施方式在詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例之前，應(yīng)該注意的是，這些實(shí)施例主要存在于與栽波頻率的頻率調(diào)制相關(guān)的方法步驟和設(shè)備組件的組合之中。相應(yīng)地，這些設(shè)備組件和方法步驟是酌情使用附圖中的常規(guī)符號(hào)表示的，僅顯示那些與理解本發(fā)明實(shí)施例有關(guān)的具體細(xì)節(jié)，以免本公開與易于被得益于這里的描述的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所理解的細(xì)節(jié)相混淆。在本文中，諸如第一和第二、頂部和底部等相關(guān)術(shù)語僅用于將一個(gè)實(shí)體或操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定需要或者暗示在此類實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際關(guān)聯(lián)或順序。術(shù)語"包含"、"包括"或是其任何其它變型旨在包含非排他性的包含關(guān)系，從而包含一系列元素的方法或設(shè)備并不是只包含這些元素，而是還可以包含并未明確列舉或是此類方法或設(shè)備所固有的其它元素。在沒有更多約束的情況下，跟隨在"包含一個(gè)......"之后的元素并不排除在包含該元素的處理、方法、制品或設(shè)備中還存在另外的相同元素。應(yīng)該明白，這里,述的本發(fā)明實(shí)施例可以包括一個(gè)或多個(gè)常規(guī)處理器以及唯一存儲(chǔ)的程序指令，這些指令結(jié)合某些非處理器電路對(duì)一個(gè)或多個(gè)處理器進(jìn)行控制，以實(shí)現(xiàn)這里描述的載波頻率的頻率調(diào)制的一些、大多數(shù)或所有功能。所述非處理器電路可以包括但不局限于無線電接收機(jī)、無線電發(fā)射機(jī)、信號(hào)驅(qū)動(dòng)器、時(shí)鐘電路、電源電路以及用戶輸入設(shè)備。同樣，這些功能可以被解釋成是用于執(zhí)行栽波頻率的頻率調(diào)制的方法的步驟。作為替代方案，一些或所有功能可以由沒有存儲(chǔ)的程序指令的狀態(tài)機(jī)來實(shí)現(xiàn)，或者在一個(gè)或多個(gè)專用集成電路(ASIC)中實(shí)現(xiàn)，在該電路中，每個(gè)功能或是特定功能的一些組合被實(shí)現(xiàn)為定制邏輯。當(dāng)然，可以使用兩種方法的組合。此外，可以預(yù)期的是，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員雖然有可能受到例如可用時(shí)間、當(dāng)前技術(shù)以及經(jīng)濟(jì)考慮的驅(qū)動(dòng)而花費(fèi)相當(dāng)多的勞動(dòng)并作出很多設(shè)計(jì)選擇，但是在受到這里公開的概念和原理的指引的時(shí)候，他們很容易就能夠以最少的實(shí)驗(yàn)來產(chǎn)生此類軟件指令、程序以及IC。應(yīng)該明白，這里公開的本發(fā)明的實(shí)施例還可以包括作為處理器控制代碼而實(shí)現(xiàn)的一個(gè)或多個(gè)軟件程序，其中舉例來說，所述處理器控制代碼可以處于磁盤、CD-ROM或DVD-ROM之類的栽體介質(zhì)、諸如只讀存儲(chǔ)器(固件)的編程存儲(chǔ)器、或諸如光或電信號(hào)載體的數(shù)據(jù)栽體(例如因特網(wǎng)下栽)上。本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)明白，所述代碼可以分布在多個(gè)相互通信的耦合組件之間。再次參考圖la和圖lb，這些附圖分別示出了在將高端口信號(hào)耦合到環(huán)路濾波器(的非輸入節(jié)點(diǎn))或直接與VCO的儲(chǔ)能電路相耦合的外部變?nèi)荻O管時(shí)的雙端口頻率調(diào)制器電路中的VCO調(diào)制靈敏度響應(yīng)。這兩種類型的電路都使用高端口信號(hào)來調(diào)制儲(chǔ)能電路的總電容，并且由此調(diào)制VCO的輸出頻率。但是，它們是以不同的方式來這樣做的，并且這其中的一個(gè)效果是可以從調(diào)制靈敏度響應(yīng)存在差異的這兩幅圖中看出的。在將高端口信號(hào)耦合在環(huán)路濾波器并且從而使其對(duì)VCO儲(chǔ)能電路的驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行調(diào)制時(shí)，如圖la所示，VCO的調(diào)制靈敏度或每單位控制電壓變化的頻偏量將會(huì)隨著輸出頻率的增大而降低。與之相反，在使用高端口信號(hào)來改變與儲(chǔ)能電路相耦合的變?nèi)荻O管的電容時(shí)，如圖lb所示，VCO的輸出電壓隨著調(diào)制靈敏度的增大而增大。圖2顯示的是在將高端口信號(hào)同時(shí)耦合在環(huán)路濾波器以及與儲(chǔ)能電路相耦合的外部變?nèi)荻O管時(shí)對(duì)VCO調(diào)制靈敏度響應(yīng)的影響?？梢钥闯龅氖牵瑘Dla和圖lb的反向響應(yīng)在一定程度上會(huì)被抵消，由此組合的響應(yīng)在所關(guān)注的傳輸頻率上要平坦得多。在下面的表l中給出了示例仿真圖數(shù)字。<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>可以看出的是，對(duì)于高端口信號(hào)僅耦合環(huán)路濾波器的情況，從低端頻率到高端頻率的調(diào)制靈敏度變化是2:1。使用變?nèi)荻O管調(diào)制方案的話，從低端頻率到高端頻率的調(diào)制靈敏度變化是1:5.5(取決于耦合點(diǎn))。根據(jù)圖4的實(shí)施例(在下文中將會(huì)詳細(xì)描述)的雙高端口調(diào)制方案在傳輸頻率上將調(diào)制響應(yīng)變平為小于ldB的偏差。圖3顯示的是將兩個(gè)高端口信號(hào)引入頻率調(diào)制器的鎖相環(huán)(PLL)電路108并且接收和調(diào)制來自基準(zhǔn)頻率源IIO的載波信號(hào)的電路配置的框圖。該鎖相環(huán)電路108包括相位檢測(cè)器112、電荷泵114、環(huán)路濾波器116、壓控振蕩器(VCO)118以及可控小數(shù)分頻器106。VCO118接收從環(huán)路濾波器116輸入的控制電壓，并且包含具有一個(gè)或多個(gè)電感器和電容器的儲(chǔ)能電路120，其中至少某些電感器或電容器可以根據(jù)施加于VCO118的輸入端的控制電壓而改變。通常，使用一個(gè)或多個(gè)壓控的電容或變?nèi)荻O管器件，并且這些器件會(huì)根據(jù)施加在其兩端的電壓而改變其電容。因此，在控制電壓輸入改變時(shí)，儲(chǔ)能電路120的總電容會(huì)改變，并且由此VCO118的諧振或輸出頻率會(huì)改變。這個(gè)VCO輸出就是經(jīng)調(diào)制的栽波信號(hào)。該電路塊還包括通常在數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)中實(shí)現(xiàn)或者受其控制而將調(diào)制信號(hào)分離成高頻(HP)和低頻(LP)分量的調(diào)制頻率分離器102、與高端口相耦合的可變?cè)鲆骐娐?04、以及與可變?cè)鲆骐娐?04相耦合的雙高端口信號(hào)調(diào)制電路124。該雙高端口調(diào)制電路124與環(huán)路濾波器116以及外部壓控電容122相耦合，該外部壓控電容122耦合到儲(chǔ)能電路120中。將PLL108調(diào)整為用調(diào)制信號(hào)的低端口信號(hào)或低頻分量來調(diào)制栽波信號(hào)。在本實(shí)施例中，這是通過控制PLL反饋環(huán)路內(nèi)的可變分頻器106而實(shí)現(xiàn)的。該可變分頻器106通常用預(yù)定標(biāo)器以及累加器實(shí)現(xiàn)，以便實(shí)現(xiàn)依賴于低端口信號(hào)的小數(shù)分頻比，這一點(diǎn)是本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的。舉個(gè)例子，低端口信號(hào)以數(shù)字方式調(diào)制該分頻器，此外，所述低端口信號(hào)采樣被映射到累加器的輸入比特，從而與來自分頻器的頻率字相加。因此，低端口信號(hào)的變化改變了分頻器106的小數(shù)分頻比，這將導(dǎo)致在來自分頻器106的反饋信號(hào)與來自基準(zhǔn)頻率源110的載波頻率之間出現(xiàn)相位差.該相位差是在相位檢測(cè)器112上檢測(cè)到的，該檢測(cè)器112將會(huì)根據(jù)反饋頻率是小于還是大于基準(zhǔn)頻率而對(duì)電荷泵114進(jìn)行充電或放電。從電荷泵114輸出的相應(yīng)電壓信號(hào)被環(huán)路濾波器116進(jìn)行低通濾波，以產(chǎn)生VCO控制電壓。調(diào)制信號(hào)的高端口信號(hào)或高頻分量是在頻率分離器102處與低端口分量分離的，并且是從那里開始被可變?cè)鲆骐娐?04放大或衰減的。該高端口信號(hào)路徑還包括一個(gè)提供了兩個(gè)高端口信號(hào)的雙高端口調(diào)制電路124。取決于實(shí)施方式，這兩個(gè)高端口信號(hào)可被衰減或者以其它方式進(jìn)行進(jìn)一步處理。高端口信號(hào)之一被施加于環(huán)路濾波器116的非輸入節(jié)點(diǎn)。這可以包括環(huán)路濾波器116的輸出節(jié)點(diǎn)，從而高端口信號(hào)被有效地直接施加于VCO輸入端或控制電壓信號(hào)。在其它實(shí)施例中，通過將高端口信號(hào)路徑連接到環(huán)路濾波器116的輸入和輸出節(jié)點(diǎn)之間的一節(jié)點(diǎn)，可以用環(huán)路濾波器116對(duì)高端口信號(hào)進(jìn)行部分濾波。另一高端口信號(hào)被施加于外部壓控電容122，以根據(jù)調(diào)制信號(hào)的高頻分量來調(diào)制其電容。通常，該外部壓控電容是使用外部變?nèi)荻O管實(shí)現(xiàn)的，該變?nèi)荻O管的電容隨著施加在其兩端的電壓而改變。該外部變?nèi)荻O管122與儲(chǔ)能電路120相耦合，由此儲(chǔ)能電路120的總電容是根據(jù)外部變?nèi)荻O管122中的電容變化來調(diào)制的。這樣，調(diào)制信號(hào)的高頻分量將借助外部變?nèi)荻O管122的電容調(diào)制以及借助VCO118的控制電壓調(diào)制來調(diào)制儲(chǔ)能電路的諧振頻率。圖4顯示的是圖3中的環(huán)路濾波器116、儲(chǔ)能電路120以及雙高端口調(diào)制電路124的電路圖。該環(huán)路濾波器包括多個(gè)電阻器Rl、R2和R3以及多個(gè)電容器C5、C6、C7和C8。這些電阻器和電容器被排列成低通濾波器，用于對(duì)來自電荷泵的輸入執(zhí)行濾波。來自節(jié)點(diǎn)C5-C6-R1的輸出即為提供給儲(chǔ)能電路120的控制電壓。儲(chǔ)能電路120包括多個(gè)變?nèi)荻O管VAR1、VAR2、VAR3和VAR4,多個(gè)固定電容器C1、C2、C3和C4，以及多個(gè)電感器L1、L2和L3。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的那樣，這些電路組件的確切排列及其值將取決于設(shè)計(jì)需要。變?nèi)荻O管VAR1~VAR4的電容隨著來自環(huán)路濾波器116的輸入控制電壓而改變，因此儲(chǔ)能電路的諧振頻率是由該控制電壓調(diào)制的。這里示出了一個(gè)負(fù)電阻(-R)，該負(fù)電阻形成了VCO118的剩余部分的一部分。雙高端口調(diào)制電路124在高端口信號(hào)路徑中接收來自可變?cè)鲆骐娐?04的輸入，并且具有兩個(gè)輸出，其中一個(gè)輸出給予環(huán)路濾波器116，而另一個(gè)輸出給予儲(chǔ)能電路120。該雙高端口調(diào)制電路124還包括外部變?nèi)荻O管122，電阻器R4、R5和R6，以及固定電容器C9和CIO。電阻器R5是分壓器，它會(huì)減小去往環(huán)路濾波器116以及儲(chǔ)能電路的分離的高端口信號(hào)的電壓擺動(dòng)，以便減小其對(duì)控制電壓以及儲(chǔ)能電路電容的調(diào)制影響。引入這種配置的原因在于儲(chǔ)能電路現(xiàn)在經(jīng)受兩個(gè)高端口信號(hào)的影響而不是一個(gè)高端口信號(hào)的影響，因此，在本實(shí)施例中，這兩個(gè)高端口信號(hào)中的每一個(gè)信號(hào)的"影響"需要被有效地減半。電容器C9是一個(gè)耦合電容器，該電容器在主濾波電容器C8與電容器C6之間的節(jié)點(diǎn)處將所分離的高端口信號(hào)耦合到環(huán)路濾波器。通過與環(huán)路濾波器116的該非輸出節(jié)點(diǎn)相耦合，減少了進(jìn)入儲(chǔ)能電路的噪聲，或是因?yàn)榄h(huán)路濾波器阻抗所導(dǎo)致的其它任何不希望的頻率整形。作為替代方案，高端口信號(hào)可以更為接近地與環(huán)路濾波器116的輸入節(jié)點(diǎn)相耦合，以便部分過濾該高端口信號(hào)。電阻器R6是一個(gè)RF阻擋器，它會(huì)阻擋借助外部變?nèi)荻O管耦合而進(jìn)入儲(chǔ)能電路的射頻(RF)信號(hào)。高端口信號(hào)會(huì)改變經(jīng)由耦合電容器CIO而耦合到儲(chǔ)能電路120中的外部變?nèi)荻O管122的電容值。同樣，在不脫離本發(fā)明的概念的情況下，針對(duì)該雙高端口調(diào)制電路124和/或儲(chǔ)能電路120的詳細(xì)電路，可以進(jìn)行各種改變。與具有與環(huán)路濾波器或外部變?nèi)荻O管的常規(guī)單端口耦合的調(diào)制器相比，根據(jù)實(shí)施例制造的雙高端口頻率調(diào)制器的調(diào)制靈敏度響應(yīng)要更為平坦。這意味著制造之后每單元的調(diào)諧時(shí)間減少，由此降低了調(diào)制器的每單元成本。此外，由于響應(yīng)更為平坦，因此，所需調(diào)諧范圍減小。這意味著與常規(guī)的電路配置相比，可變?cè)鲆骐娐?04的范圍或大小也可以減小，這使得能夠進(jìn)一步減少根據(jù)實(shí)施例的調(diào)制器的每單元成本。本實(shí)施例非常適合寬帶應(yīng)用，例如在多個(gè)信道上進(jìn)行發(fā)射的對(duì)講機(jī)或雙向無線電設(shè)備之類的UHF設(shè)備。由于這些設(shè)備需要在寬的傳輸頻率范圍上工作，因此，這些設(shè)備對(duì)使用雙端口直接頻率調(diào)制器所經(jīng)歷的非線性調(diào)制靈敏度是特別敏感的。在先前的說明書中，已對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了描述。但是，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該明白的是，在不脫離在所附權(quán)利要求中闡述的本發(fā)明的范圍的情況下，可以進(jìn)行各種修改和改變。因此，說明書和附圖應(yīng)被視為說明性而不是限制性的，并且所有這些修改都應(yīng)該包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。各種益處、優(yōu)點(diǎn)、問題解決方案以及會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生任何益處、優(yōu)點(diǎn)或解決方案或者使之更為顯著的任何元素不應(yīng)該被解釋成是任一或所有權(quán)利要求的重要、必要或關(guān)鍵特征或元素。本發(fā)明僅由所附權(quán)利要求限定，該權(quán)利要求包括在本申請(qǐng)待決期間作出的任何修改以及這些權(quán)利要求的所有等同物。權(quán)利要求1.一種頻率調(diào)制器，包括鎖相環(huán)電路，用于接收載波信號(hào)并且根據(jù)調(diào)制信號(hào)的低頻分量來調(diào)制該載波信號(hào)，該鎖相環(huán)電路包括用于輸出經(jīng)調(diào)制的載波信號(hào)的壓控振蕩器以及用于向壓控振蕩器輸出控制電壓的環(huán)路濾波器，該壓控振蕩器具有包含壓控電容的儲(chǔ)能電路；外部壓控電容，其被布置成根據(jù)調(diào)制信號(hào)的高頻分量來調(diào)制其電容，該外部壓控電容與儲(chǔ)能電路相耦合；其中鎖相環(huán)電路還被布置成使用調(diào)制信號(hào)的高頻分量來調(diào)制到壓控振蕩器的控制電壓。2.如權(quán)利要求1所述的頻率調(diào)制器，其中，環(huán)路濾波器被布置成在環(huán)路濾波器的非輸入節(jié)點(diǎn)處接收調(diào)制信號(hào)的高頻分量。3.如權(quán)利要求1所述的頻率調(diào)制器，還包括分壓器，其耦合在環(huán)路濾波器的非輸入節(jié)點(diǎn)與用于調(diào)制信號(hào)的高頻分量的輸入端口之間；RF阻擋器件，其耦合在外部壓控電容與用于調(diào)制信號(hào)的高頻分量的輸入端口之間；其中鎖相環(huán)電路包括耦合到壓控振蕩器的輸出端的可變分頻器，該可變分頻器被布置成根據(jù)調(diào)制信號(hào)的低頻分量來改變其分頻比。4.如權(quán)利要求3所述的頻率調(diào)制器，還包括耦合在用于調(diào)制信號(hào)的高頻分量的輸入端口、環(huán)路濾波器的非輸入節(jié)點(diǎn)以及外部壓控電容之間的可變?cè)鲆骐娐?，該可變?cè)鲆骐娐繁徊贾贸呻S著調(diào)制信號(hào)的高頻分量的增益來改變壓控振蕩器的調(diào)制靈敏度響應(yīng)。5.—種在鎖相環(huán)電路中使用調(diào)制信號(hào)來調(diào)制栽波信號(hào)的方法，該鎖相環(huán)電路具有壓控振蕩器，該壓控振蕩器包含接收控制電壓的儲(chǔ)能電路，該方法包括根據(jù)調(diào)制信號(hào)的低頻分量來調(diào)制鎖相環(huán)電路的輸出頻率；根據(jù)調(diào)制信號(hào)的高頻分量來調(diào)制控制電壓；以及根據(jù)調(diào)制信號(hào)的高頻分量來調(diào)制與儲(chǔ)能電路相耦合的外部壓控電容的電容。全文摘要本發(fā)明涉及雙端口調(diào)制器。提供了一種頻率調(diào)制器，包括鎖相環(huán)電路(108)，用于接收載波信號(hào)并且根據(jù)調(diào)制信號(hào)的低頻分量來調(diào)制該載波信號(hào)，該鎖相環(huán)電路包括用于輸出經(jīng)調(diào)制的載波信號(hào)的壓控振蕩器(118)以及用于向VCO輸出控制電壓的環(huán)路濾波器(116)，該VCO具有包含壓控電容(VAR1)的儲(chǔ)能電路(120)。該頻率調(diào)制器還包括外部壓控電容(122)，該電容被布置成根據(jù)調(diào)制信號(hào)的高頻分量來調(diào)制其電容，該外部壓控電容與儲(chǔ)能電路相耦合。該鎖相環(huán)電路(108)還被布置成使用調(diào)制信號(hào)的高頻份量來調(diào)制到VCO(118)的控制電壓。文檔編號(hào)H03C3/06GK101243608SQ200680029855公開日2008年8月13日申請(qǐng)日期2006年6月23日優(yōu)先權(quán)日2005年8月15日發(fā)明者伊福林·L.·錢,林安燕,福德·哈吉·默克塔爾申請(qǐng)人:摩托羅拉公司