專利名稱：模擬變?nèi)荻O管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明 一般說來涉及沖莫擬變?nèi)荻O管。
技術(shù)背景變?nèi)荻O管是其電容量隨加到該器件的控制電壓而變的電子器 件。變?nèi)荻O管一般用來在振蕩器中控制它的振蕩頻率。作為更具體的示例，所述振蕩器可以是鎖相環(huán)(PLL)的壓控振 蕩器(VCO)。 VCO—般產(chǎn)生用于PLL的振蕩輸出信號，而PLL控 制VCO的振蕩頻率以便把所述輸出信號鎖定在基準(zhǔn)信號上。關(guān)于這 一點，PLL —般調(diào)節(jié)提供給反饋回路中的VCO的變?nèi)荻O管的頻率 控制信號以便實現(xiàn)所迷鎖定。頻率控制信號隨基準(zhǔn)信號和PLL的輸出 信號之間的相位差而改變。因此，通過利用頻率控制信號控制變?nèi)荻?極管的電容量，PLL精細(xì)地調(diào)諧VCO的振蕩頻率以便實現(xiàn)所述鎖定。發(fā)明內(nèi)容在本發(fā)明的實施例中，振蕩器包括用以接收控制信號以便控制振 蕩器的頻率的多個變?nèi)荻O管單元。每一個變?nèi)荻O管單元包括開 關(guān)，所述開關(guān)包括用以接收控制信號的第一端子以及第二端子，使得 所述開關(guān)響應(yīng)第 一和第二端子之間的電壓而操作以控制變?nèi)荻O管 單元的電容量。振蕩器包括用以向每一個第二端子提供不同偏壓的電 路和耦合到變?nèi)荻O管單元的放大器，以便產(chǎn)生振蕩信號。在本發(fā)明的另一個實施例中，鎖相環(huán)包括鑒相器和振蕩器。鑒相 器產(chǎn)生頻率控制信號，而振蕩暴響應(yīng)頻率控制信號而產(chǎn)生振蕩信號。 振蕩器包括用以共同確定(establish)振蕩信號的頻率的多個變?nèi)荻O 管單元。每一個變?nèi)荻O管單元包括開關(guān)，所述開關(guān)包括用以接收頻 率控制信號的第一端子以及笫二端子，使得所述開關(guān)響應(yīng)笫一和第二 端子之間的電壓.而操作以控制變?nèi)荻O管單元的電容量。所述第二端子4矣收不同的偏壓。在本發(fā)明的另 一個實施例中，無線電裝置包括混頻器和本機振蕩 器?；祛l器接收由本機振蕩器產(chǎn)生的本機振蕩信號。本機振蕩器電路 包括用以共同確定本機振蕩頻率的多個變?nèi)荻O管單元。每一個變?nèi)?二極管單元包括開關(guān)，所述開關(guān)包括用以接收頻率控制信號的第一端 子以及第二端子，使得所述開關(guān)響應(yīng)第一和第二端子之間的電壓差而操作以控制變?nèi)荻O管單元的電容量。所述第二端子接收不同的偏 壓。在本發(fā)明的又一個實施例中， 一種方法包括提供多個變?nèi)荻O管 單元并響應(yīng)所述多個變?nèi)荻O管單元的電容量而控制振蕩器的頻率。 對于每一個變?nèi)荻O管單元，響應(yīng)所述變?nèi)荻O管單元的用以接收控制信號的第一端子與所述變?nèi)荻O管單元的笫二端子之間的電壓而 確定所述變?nèi)荻O管單元的電容量。所述方法包括向變?nèi)荻O管單元 的第二端子提供不同偏壓。從以下的附圖、描述和權(quán)利要求書將明白本發(fā)明的優(yōu)點和其他特征。


圖1是按照本發(fā)明實施例的鎖相環(huán)的示意圖。圖2是圖1的按照本發(fā)明實施例的鎖相環(huán)的壓控振蕩器的可變電 容器示意圖。 ；，圖3是圖2的按照本發(fā)明實施例的單端變?nèi)荻O管單元的示意圖。圖4是圖解說明按照本發(fā)明實施例的變?nèi)荻O管單元的電容量與 向所述變?nèi)荻O管單/t提供的電壓的關(guān)系的轉(zhuǎn)換函數(shù)。圖5A圖解說明按照本發(fā)明實施例的變?nèi)荻O管電容量與控制電 壓的關(guān)系曲線的偏移。圖5B是圖解說明按照本發(fā)明實施例的圖1的可變電容器的電容 量與控制電壓的關(guān)系曲線的轉(zhuǎn)換。函數(shù)。圖6是按照本發(fā)明實施例的圖2的可變電容器的更詳細(xì)的示意圖。圖7是按照本發(fā)明實施例的描述補償體積效應(yīng)的技術(shù)的流程圖。 圖8是按照本發(fā)明另一個實施例的差動變?nèi)荻O管單元的示意圖。圖9是利用按照本發(fā)明另一個實施例的圖1的差動變?nèi)荻O管單 元的可變電容器的示意圖。圖10圖解說明按照本發(fā)明實施例的增量電容量對增量偏壓的比 率與可變電容器的控制電壓的關(guān)系曲線。圖11是描述按照本發(fā)明實施例的擴展可變電容器的頻率增益的 可控范圍的技術(shù)的流程圖。圖12^j安照本發(fā)明實施例的無線系統(tǒng)的示意圖。
具體實施方式
參考圖1,按照本發(fā)明的實施例，各才莫擬變?nèi)荻O管單元電耦合 在一起形成可變電容器30。如下面描述的，可以利用^^莫擬頻率控制信 號(在圖1中稱為"Vc")在與傳統(tǒng)電容裝置相比的較大的信號范圍內(nèi) 以線性方式控制可變,電容器30的電容量。雖然圖l把可變電容器30 描繪成鎖相環(huán)(PLL) 1Q的壓控振蕩器(VCO) 24的一部分，但是， 應(yīng)該明白，按照本發(fā)明的許多可能的實施例，不同于PLL的其它電路 和系統(tǒng)以及包括PLL的系統(tǒng)也可以使用基于變?nèi)荻O管的可變電容 器30?，F(xiàn)參考可變電容器30的示范性應(yīng)用，VCO 24在PLL 10的輸出 端子39產(chǎn)生振蕩信號(在圖1中稱為"LO")。為了將PLL IO鎖定在 基準(zhǔn)時鐘信號(圖1中稱為"REF一CLK")上，VC0 24響應(yīng)頻率控制 信號Vc (如其名稱所暗示的)來控制VC0 24的頻率。如圖1所示， PLL10可以包括鑒相器14，為了在(鑒相器14的)輸出端子產(chǎn)生表 示信號FB和CLK之間的相位關(guān)系的信號，鑒相器14把反饋信號(圖 1中稱為"FB")與從REF一CLK基準(zhǔn)時鐘信號中得出的時鐘信號(圖1中稱為"CLK")相，匕爭支。鑒相器14可以包括用以響應(yīng)相位比較而產(chǎn)生這種信號的電荷泵 (未示出)。隨后，來自鑒相器14的信號經(jīng)過PLL IO的環(huán)路濾波器 20以便產(chǎn)生頻率控制信號Vc。如圖1中所描繪的，在本發(fā)明的某些 實施例中，可以借助于分頻器40將反饋信號FB的頻率從信號LO的 頻率降下來；并且由于分頻器12的緣故，基準(zhǔn)時鐘信號CLK可以具 有與基準(zhǔn)時鐘信號REF一CLK不同^!頻率。為了把信號LO鎖定在基準(zhǔn)時鐘信號REF一CLK上，頻率控制信 號Vc調(diào)整VC024的電容量。更具體地說，在本發(fā)明的某些實施例中， VCO 24可以由例—耦合到諧振回路(resonant tank)36 (例如圖中所示 的LC振蕩回路)的放大器38構(gòu)成。諧振回路36粗略地確定信號LO 的頻率，而通過使用耦合到(通過其輸出端子31和33 )諧振回路36 的可變電容器30來完成對信號LO的頻率微調(diào)。因此，為了微調(diào)VCO 24以便把信號LO鎖定在基準(zhǔn)時鐘信號REF—CLK上，PLL 10調(diào)整可 變電容器30的頻率。應(yīng)該指出，在本發(fā)明的其他實施例中，VCO 24可以是另一種類型的振蕩器(例如環(huán)形振蕩器)。此外，在本發(fā)明的其它實施例中， 基于變?nèi)荻O管的可變電容器可以用于除了受控振蕩器以外的振蕩器中，并且在本發(fā)明的又一些實施例中，基于變?nèi)荻O管的可變電容 器可以用于不同于振蕩器的電路中。參考圖2，可變電容器30由N個變?nèi)荻O管單元50 (如圖2中 作為例子繪出的變?nèi)荻O管單元50h 502、 ...50n)形成，所述各變?nèi)?二極管單元耦合在一起(例如并聯(lián))以便在可變電容器30的輸出端 子31和33之間形成有效的總電容量。每一個變?nèi)荻O管單元50從 偏壓電路60 4妻收頻率控制信號Ve和偏壓。參考圖3，,按照本發(fā)明的某些實施例，變?nèi)荻O管單元50可以是 "單端"單元，所述單端單元由兩個電容器68 (其電容量在圖3中稱為 "CA")和70 (其電容量在圖3中稱為"CB")以及開關(guān)(諸如由n溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(NMOSFET ) 74構(gòu)成的開關(guān))形成。 更具體地說，電,容器68耦合在輸出端子33和節(jié)點69之間，而電容 器70耦合在節(jié)點69和地之間(所述地作為單端單元50的輸出端子 31)。NMOSFET 74的漏極端子耦合到節(jié)點69, NMOSFET 74的源極 端子接收偏壓(圖3中從偏壓電路60接收稱為"Vs"的偏壓)， NMOSFET 74的柵極端子接收頻率控制信號Vc，而NMOSFET 74的 村底端子耦合到地。參考圖3和圖4，若NMOSFET 74是理想開關(guān)， 那么，呈現(xiàn)在變?nèi)荻O管單元50的輸出端子33的電容量將或者是電 容量CA (當(dāng)所述開關(guān)接通而將電容器70短路時)或者是由電容器68 和70的串聯(lián)組合形成的電容量(當(dāng)所述開關(guān)斷開時)。但是，因為 NMOSFET 74不是理想的開關(guān)，所以由變?nèi)荻O管單元50呈現(xiàn)的電 容量一般說來落在三個區(qū)域之一低電容量區(qū)82 (見圖4)，其中的 電容量是當(dāng)NMOSFET 74完全截止時由電容器68和70的組合形成 的電容量；高電容量區(qū)88,其中變?nèi)荻O管單元50呈現(xiàn)NMOSFET 74 完全接通并且飽和時的電容量CA;以及一般線性過渡區(qū)84,該區(qū)域 延伸在兩個區(qū)域82和88之間并且代表NMOSFET 74的截止和飽和 狀態(tài)之間的由變?nèi)荻O管單元50呈現(xiàn)的電容量。因此，如圖4中所描繪的，隨著NMOSFET 74的柵-源電壓(用 信號Vc和Vs的差表示)超過其閾電壓(在圖4中稱為"VT"),變?nèi)?二極管單元50從低電容量區(qū)82過渡到過渡區(qū)84。隨著NMOSFET 74 的柵-源電壓增大，NMOSFET 74最后飽和，使變?nèi)荻偶肮軉卧?0從 過渡區(qū)84過渡到高電容量區(qū)88。在PLL10正常工作期間，每一個變 容二極管單元50工作在過渡區(qū)84以-便控制VCO 24的頻率。參考圖5A和圖3，偏移提供給源極端子的偏壓以便偏移變?nèi)荻?極管單元50的電容量與頻率控制信號的波形。在本發(fā)明的某些實施 例中，因為各變?nèi)荻O管單元50是并聯(lián)連接在一起的，所以，所述 偏壓的偏移有效地擴展了可變電容器30的線性控制范圍91,如圖5B的可變電容器電容量(稱為"Coyr")對頻率控制信號Vc的轉(zhuǎn)換函數(shù) 卯中所描繪的。因此，作為示例，按照圖中描繪的電壓偏移(AV!、AV2、 AV3、…AV^)使加到變?nèi)?；極管單元50的源極端子的偏壓彼 此偏移，以便將變?nèi)荻O管電容量與頻率控制信號Vc的N個轉(zhuǎn)換函 數(shù)80 (圖5中作為例子描繪的轉(zhuǎn)換函數(shù)8(h、 802、 803、 804、 ...80N) 組合起來，產(chǎn)生圖5B中所示的波形90。這里假定通過稱為"AV"的均勻偏移電壓來偏移轉(zhuǎn)換函數(shù)80。因 此，假設(shè)相同的偏移電壓AV把每一對相鄰的轉(zhuǎn)換函數(shù)80 (諸如轉(zhuǎn)換 函數(shù)802和803 )隔開。參考圖6,按照本發(fā)明的某禁實施例，偏壓電路60可以由耦合成 從電流源98接收電流的電阻梯形電路構(gòu)成。更具體地說，如圖6中 所描繪的，按照本發(fā)明的某些實施，，電阻梯形電路可以由電阻器94 (作為示例，圖中示出電阻器94、 942、 943、 ...94N)構(gòu)成，所述各 電阻器有效地串聯(lián)耦合成從耦合到例如電源電壓VoD的電流源98接 收電流。設(shè)置在電阻器94的各端子處的節(jié)點95 (作為示例，圖中示 出節(jié)點95^952、953、…95N)向變?nèi)荻O管單元50的每一個NMOSFET 源極端子提供不同的偏壓。罔此，節(jié)點95i (對于這個示例，節(jié)點95！ 接地)向變?nèi)荻O管單元5(^的源極端子提供偏壓，節(jié)點953向變?nèi)?二極管單元503的源極端子提供偏壓，等等?！慈舨皇怯绊慛MOSFET74的網(wǎng)電壓的體積效應(yīng)(bulkeffect)(下面 描述)，各電阻器94的相等的電阻在每對相鄰節(jié)點95之間產(chǎn)生相同 電壓并且產(chǎn)生用以分隔轉(zhuǎn)換函數(shù)80的均勻偏移電壓AV (見圖5A)。 但是，由于體積效應(yīng)的緣故，各電阻器94的相等電阻不產(chǎn)生均勻偏 移電壓AV。更具體地說，在本發(fā)明的某些實施例中， 一般說來，變?nèi)荻O管 單元502-50N的每一個NMOSFET 74的村底端子(見圖3 )不連接到 它的源極端子，而是，每一個源極端子從偏壓電路60接收偏壓，并 且每一個村底端子連接到地。罔此，根據(jù)它們相對于電阻梯形電路的位置， 一些NMOSFET 74比另 一些NMOSFET 74經(jīng)受更大的體積效 應(yīng)。更詳細(xì)地說，特定的源褲端子離地越遠(yuǎn)，相關(guān)聯(lián)的NMOSFET74 經(jīng)受的體積效應(yīng)越明顯(因此,，閾電壓Vt越高)。體積效應(yīng)實質(zhì)上是 由源極端子的電壓高于村底端子電壓引起的閾電壓Vt的増大。因此， 例如，變?nèi)荻O管單元50N的NT4OSFET 74經(jīng)受更明顯的體積效應(yīng)， 因此具有比變?nèi)荻O管單元502的NMOSFET 74高的閾電壓VT。由于體積效應(yīng)的緣故，各NMOSFET 74具有不同的閾電壓VT, 這意味著，若不進(jìn)行補償，在各波形60之間不存在均勻的偏移電壓 AV。因此，按照本發(fā)明的某些實施例，適當(dāng)?shù)馗淖兓?預(yù)偏差(prewarp)" 各電阻器94的電阻，以便補償體積效應(yīng)。更具體地說，根據(jù)電阻器 94在電阻梯形電路中的位置來.逸擇每一個電阻器94的電阻以便補償 體積效應(yīng)，使AV均勻。因此，乂人地朝著電流源68，各電阻器94具 有增大的電阻。因此，參考圖7,按照本發(fā)明的某些實施例，方法120包括提供 偏壓電路，用以產(chǎn)生加到變?nèi)荻O管單元50的源極端子的偏壓，如 方框122中所描述的。接著，按照方法120,不均勻地加偏壓以便適 應(yīng)(accommodate for)體積效應(yīng)，4吏得以均勻的偏壓偏移AV隔開電容量 與頻率控制信號Vc的幹換函數(shù)80(見圖5A)，如方框124中表示的。應(yīng)該指出，在本發(fā)明的其他實施例中，NMOSFET 74的襯底端子 不是全部連接到地。例如，,在本發(fā)明的其他實施例中，每一個 NMOSFET 74使其襯底和源極扭子耦合在一起。對于本發(fā)明的這些實 施例，各電阻器94的電阻的預(yù)偏差是不必要的。參考圖8,按照本發(fā)明的某些實施例，可以用差動變?nèi)荻O管單 元150代替單端變?nèi)荻O管單元50。和單端變?nèi)荻O管單元50不同， 差動變?nèi)荻O管單元150包括兩個輸出端子154和156，變?nèi)荻O管 150的電容量出現(xiàn)在輸出端子154和156。按照本發(fā)明的某些實施例， 變?nèi)荻O管單元150可以包括例如具有接收頻率控制信號Vc的柵極端子的NMOSFET 170。電容器162(具有圖8中稱為"cb/2"的電容量) 耦合在NMOSFET 1.70的源極端子和漏極端子之間。電容器158 (具 有在圖8中稱為"ca"的電容量)連接在源極端子和輸出端子154之間； 而電容器168 (也具有圖8中稱為"ca"的電容量)連接在NMOSFET 170的漏極端子和輸出端子156之間。圖9描述差動變?nèi)荻O管單元150的特定應(yīng)用，其中多個變?nèi)荻?極管單元150并聯(lián)耦合在一起形成可變電容器200。按照本發(fā)明的某 些實施例，可變電容器200可以用于代替可變電容器30 (見圖1)。如圖9所,，可變電容器200可以使用相同的偏壓電路60，其中 偏壓電路60的節(jié)點95用來給變?nèi)荻O管單元150 (作為示例，在圖 9中示出變?nèi)荻O管單元150" 1502、 ...150N)加偏壓。為了給各變 容二極管單元150加偏樂，每一個變?nèi)荻O管單元150通過一對耦合 電阻器152和154連接到特定節(jié)點95。例如，對于節(jié)點95！(它處在 偏壓電路60的地位置)，電阻器152連接在NMOSFET 170的源極和 節(jié)點95!之間；而電阻器154連接在節(jié)點95i和NMOSFET 170的漏 極端子之間。按照本發(fā)明的某些實施例，偏壓電路60的電阻器94可以具有與 電阻器152和154相同的電阻值，把電阻器152和154的電阻值選擇 成補償與NMOSFFT 170相關(guān)聯(lián)的體積效應(yīng)以便使AV均勻。在本發(fā) 明的其他實施例中，>可以調(diào)整電阻器94的電阻來補償體積效應(yīng)；而 在本發(fā)明的又一些實施，中，可以調(diào)節(jié)電阻器94的電阻和電阻器152 的電阻以便適應(yīng)體積效應(yīng)。.參考圖10，按照本發(fā)明的采些實施例，可以用曲線300表示可變 電容器30、 200的電容量增量爽化(稱為"Ceff')對AV的比率。如圖 所示， 一般說來，曲線300在頻率控制電壓Vc經(jīng)過閾電壓Vt之后上 升，如波形300的正斜率306所表明的。但是，按照本發(fā)明的某些實 施例，可以擴展低端的頻率控制范圍。例如，按照冬發(fā)明的某些實施例，可以調(diào)節(jié)偏壓電路60的電阻12器94的電阻，以便在轉(zhuǎn)換函數(shù)80的靠近閾電壓Vt的一些部分上(見 圖5A)設(shè)置更大的權(quán)重。在這方面，不是通過均勻的AV來分開，而 是與在所述范圍的較高端相比，可以使AV在頻率控制信號Vc的較低 端較小來更接近地分組(group)轉(zhuǎn)換函數(shù)80，以便提升閾值VT附近的 比率Ceff/AV，如相應(yīng)的調(diào)整后的斜率310所表明的。參考圖ll，因此，按照本發(fā)明的某些實施例，方法350包括提供 用以為變?nèi)荻O管單元的源極端子產(chǎn)生偏壓的偏壓電路(方框352 ), 并且所述方法包括不均勻地加偏壓以便擴展振蕩器的頻率增益，如方 框356中所描繪的。參考圖12，按照本發(fā)明的某些實施例，PLL10可以用作合成器， 用以向無線系統(tǒng)600的混頻器提供本機振蕩信號LO。關(guān)于這一點， 按照本發(fā)明的某些實施例，PLL可以是(無線系統(tǒng)600的)收發(fā)機610 的一部分，它向例》口收發(fā)機610的發(fā)射機620和接收機630提供信號 LO。因此，發(fā)射機620和/或接收機630可以把信號LO用于變換頻 率的目的。按照本發(fā)明的某些實施例，PLL10可以受控于數(shù)字信號處 理器(DSP) 652 (基帶電路、,650的一部分)，它控制頻率增益Kvco, 以便為每一個選定的頻帶保持同一近似的頻率增益Kvco。例如，基帶電路650可以向發(fā)射機620提供基帶信號；并且發(fā)射 機620可以把基帶信號轉(zhuǎn)變成通魂天線開關(guān)640傳遞的射頻(RF )信 號，用于將射頻(RF)信號路由到天線708來傳送。關(guān)于接收，可以 由天線708接收通過天線開關(guān)640路由的RF信號，然后由接收機630 接收所述RF信號。.例如，接收機630可以把接收的RF信號的RF頻 率變換成向基帶電路050提供的基帶信號。按照本發(fā)明的某些實施例，和收發(fā)機610的其他特征一起，收發(fā) 機610可以包括微控制器單元(MCU) 660，微控制器單元660耦合 到收發(fā)機610的基帶電路650和其他電路，用于協(xié)調(diào)收發(fā)機610的總,、'體活動。此外，按照本發(fā)明的某些實施例，MCU660可以結(jié)合到小鍵 盤掃描器670和顯示器驅(qū)動器68Q,小鍵盤掃描器670可以例如從無線系統(tǒng)600的小鍵盤714接收,^I、鍵盤信號；而顯示器驅(qū)動器680可以 例如產(chǎn)生驅(qū)動無線系統(tǒng)600的顯;示器716的信號。另外，按照本發(fā)明 的某些實施例，基帶電路650可^產(chǎn)生用以驅(qū)動無線系統(tǒng)600的揚聲 器710的音頻輸出信號；并且基帶電路650可以處理從無線系統(tǒng)600 的麥克風(fēng)710接收的音頻模擬信號。
根據(jù)本發(fā)明的特定實施例，可以在單一半導(dǎo)體芯片上制造收發(fā)機 610。雖然在本發(fā)明的其他實施例中可以在多個芯片上制造收發(fā)機 610。在本發(fā)明的某些實雄例中，可以把形成收發(fā)機610的一個或多 個芯片包含在單一半導(dǎo)體封裝中。但是，在本發(fā)明的其他實施例中， 可以由多個半導(dǎo)體封裝形成收泉機610。因此，許多變型是可能的并 且都在所附的權(quán)利要求書的范風(fēng).內(nèi)。
作為示.例，無線系統(tǒng)600可'以是例如蜂窩電話、個人數(shù)字助理 (PDA)、筆記本計算機等等。因此，按照本發(fā)明的某些實施例，無 線系統(tǒng)600可以是手持式或便攜式裝置。但是，在本發(fā)明的其他實施 例中，無線系統(tǒng)600可以是次便攜式裝置，例如，臺式計算機。因此， 許多變型是可能的并且都在所附的權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
雖然已經(jīng)就數(shù)目有限的實施例描述了本發(fā)明，但是，得益于本公 開的本專業(yè)的技術(shù)人員將由此意識到許多修改和變化。后附的權(quán)利要 求書企圖覆蓋屬于本發(fā)明的真實精神和范圍的所有這樣的修改和變 化。
權(quán)利要求
1.一種振蕩器，包括用以接收控制信號以便控制所述振蕩器的頻率的多個變?nèi)荻O管單元，所述變?nèi)荻O管單元中的每一個均包括開關(guān)，所述開關(guān)包括用以接收所述控制信號的第一端子以及第二端子，使得所述開關(guān)響應(yīng)所述第一和第二端子之間的電壓差而操作以控制所述變?nèi)荻O管單元的電容量；偏壓電路，用以向每一個第二端子提供不同的偏壓；和耦合到所述變?nèi)荻O管單元用以產(chǎn)生周期信號的放大器。
2. 如權(quán)利要求1所述的振蕩器，其中所述不同的偏壓偏移所述變 容二極管單元的電容量與控制信號的波形。
3. 如權(quán)利要求1所述的振蕩器，其中網(wǎng)絡(luò)包括具有用以提供所述 偏壓的節(jié)點的電阻梯形電路。
4. 如權(quán)利要求1所述的振蕩器，其中所述變?nèi)荻O管單元中的至 少一個變?nèi)荻O管單元的所述開關(guān)包括金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，其柵極端子接收所述控制信 號，而其源極端子接收所述偏壓。
5. 如權(quán)利要求1所述的振蕩器，其中所述變?nèi)荻O管單元中的至 少一個變?nèi)荻O管單元在所述變?nèi)荻O管單元的單一輸出端子和地 之間產(chǎn)生電容量。
6. 如權(quán)利要求1所述的振蕩器，其中所述變?nèi)荻O管單元中的至 少一個變?nèi)荻O管竽元在所述變?nèi)荻O管單元的輸出端子之間產(chǎn)生 電容量。
7. 如權(quán)利要求1所述的振蕩器，其中所述偏壓適合于補償與所述 開關(guān)相關(guān)聯(lián)的體積效應(yīng)。
8. 如權(quán)利要求1所述的振蕩器，其中所述變?nèi)荻O管單元耦合在'7"起以便確定關(guān)于所述振蕩器的頻率增益與控制信號的函數(shù)，和使各偏壓不均勻地隔開以便增大所述函數(shù)的范圍。
9. 一種鎖相環(huán)，包括鑒相器，用以產(chǎn)生頻率控制信號；和振蕩器，用以響應(yīng)所述頻率控制信號而產(chǎn)生周期信號，所述振蕩 器包括用以共同確定所述周期信號的頻率的多個變?nèi)荻O管單元，所 述變?nèi)荻O管單元中的每一個均包括開關(guān)，所述開關(guān)包括用以接收所 述頻率控制信號的第 一端子以及第二端子，使得所述開關(guān)響應(yīng)所述第 一和第二端子之間的電壓差而操作以控制所述變?nèi)荻O管單元的電容量，其中所述第二端子接收不同的偏壓。
10. 如權(quán)利要求9所述的鎖相環(huán)，其中不同的偏壓偏移所述變?nèi)?二極管單元的電容量與控制信號的波形。
11. 如權(quán)利要求9所述的鎖相^f、，其中還包括 具有用以提供所述偏壓的節(jié)點的電阻梯形電路。
12. —種方法，包括 提供多個變?nèi)?；極管單元；響應(yīng)所述多個變?nèi)荻O管單元的電容量而控制振蕩器的頻率； 對于每一個變?nèi)荻肮軉卧?，響?yīng)所述變?nèi)荻O管的接收控制信號的第一端子與所述變?nèi)荻O管單元的第二端子之間的電壓而確定所述變?nèi)荻O管單元的電容量;、和向所述變?nèi)荻O管單元的所漆第二端子提供不同的偏壓。
13. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中確定每一個變?nèi)荻O管單元 的電容量的動作包括響應(yīng)所述電銀而操作開關(guān)。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中還包括 把所述偏壓設(shè)置成補償與所述開關(guān)相關(guān)聯(lián)的體積效應(yīng)。
15. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中還包括 把所述偏壓設(shè)置成擴展所述控制信號影響所述多個變?nèi)荻O管單元的所述電容量的.范圍。
16. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述提供動作包括 把電阻梯形電路耦合到所述變?nèi)荻O管單元。
17. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述確定動作包括 對于每一個變?nèi)荻O管單元，響應(yīng)所述電壓而操作開關(guān)。
18. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述開關(guān)包括金屬氧化物半 導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
19. 如權(quán)利秉求18所述的方法，其中所述晶體管包括接收所述控 制信號的柵極端子和接收所述偏壓之一的源極端子。
全文摘要
一種振蕩器包括用以接收控制信號以便控制振蕩器的頻率的多個變?nèi)荻O管單元。每一個變?nèi)荻O管單元包括開關(guān)，所述開關(guān)包括用以接收控制信號的第一端子以及第二端子，使得所述開關(guān)用于響應(yīng)第一和第二端子之間的電壓而控制變?nèi)荻O管單元的電容量。所述振蕩器包括偏壓電路，用以向每一個第二端子提供不同的偏壓；和放大器，所述放大器耦合到變?nèi)荻O管單元以便產(chǎn)生振蕩信號。
文檔編號H03L7/099GK101263653SQ200680033459
公開日2008年9月10日 申請日期2006年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月14日
發(fā)明者A·M·馬克斯, L·林, P·范科倫蘭, S·D·威林厄姆 申請人:硅實驗室公司