專利名稱：低通濾波器和低通濾波器陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及低通濾波器和低通濾波器陣列。
背景技術(shù)：
隨著數(shù)字家電的增加，高速傳送電路的需要也在增加。對于高速傳送電路而言，有具有ESD保護(hù)功能的低通濾波器。例如，已知有具備π型濾波器和齊納二極管的低通濾波器，其中π型濾波器具備線圈和兩個電容器，齊納二極管與該π型濾波器所具備的一個電容器并聯(lián)連接(例如，參照日本特開平10-191555號公報)。
現(xiàn)在，為了實(shí)現(xiàn)日本特開平10-191555號公報所記載的低通濾波器，需要在基板上分別安裝線圈部件、電容器部件和齊納二極管。因此，日本特開平10-191555號公報所記載的低通濾波器，安裝面積較大。特別是齊納二極管，其高度尺寸大，所以安裝所需要的區(qū)域也變大。

發(fā)明內(nèi)容
于是，本發(fā)明為了解決上述問題而做出，目的是提供既具有ESD保護(hù)功能又提高安裝密度的低通濾波器和低通濾波器陣列。
本發(fā)明的低通濾波器，具備具有互相相對的第1面和第2面的電介體，包含配置在該電介體內(nèi)的第1～第3內(nèi)部電極的電容器，配置在第1面上的第1可變電阻和第2可變電阻，配置在第1面上的電阻元件，配置在第2面上的第1～第3外部電極；第1內(nèi)部電極，物理連接且電連接于第3外部電極，同時，在與第1面和第2面的相對方向平行的方向上延伸配置；第2內(nèi)部電極，物理連接且電連接于第2外部電極，同時，至少其一部分夾著電介體的至少一部分，與第1內(nèi)部電極相對配置；第3內(nèi)部電極，物理連接且電連接于第1外部電極，同時，至少其一部分夾著電介體的至少一部分，與第1內(nèi)部電極相對配置；第1可變電阻，并聯(lián)連接于由第1內(nèi)部電極和第3內(nèi)部電極構(gòu)成的電容器；第2可變電阻，并聯(lián)連接于由第1內(nèi)部電極和第2內(nèi)部電極構(gòu)成的電容器；電阻元件分別電連接于第2內(nèi)部電極和第3內(nèi)部電極。
本發(fā)明的低通濾波器中，利用由第1內(nèi)部電極和第3內(nèi)部電極構(gòu)成的電容器、由第1內(nèi)部電極和第2內(nèi)部電極構(gòu)成的電容器以及電阻元件構(gòu)成π型RC濾波器。而且，第1可變電阻并聯(lián)連接于由第1內(nèi)部電極和第3內(nèi)部電極構(gòu)成的電容器、第2可變電阻并聯(lián)連接于由第1內(nèi)部電極和第2內(nèi)部電極構(gòu)成的電容器，由此構(gòu)成具有ESD保護(hù)功能的低通濾波器。另外，在電介體的第1面上配置有第1和第2可變電阻和電阻元件，在第2面上配置有第1～第3外部電極，因此能夠用一塊芯片實(shí)現(xiàn)上述結(jié)構(gòu)的低通濾波器。由此，可以提高具有ESD保護(hù)功能的低通濾波器的安裝密度。
優(yōu)選，第1可變電阻具有第1和第2電極以及包括位于第1和第2電極之間的區(qū)域且表現(xiàn)出電流電壓非線性特性(nonlinearcurrent-voltage characteristic)的第1可變電阻層，第2可變電阻具有第3和第4電極以及包括位于第3電極和第4電極之間的區(qū)域且表現(xiàn)出電流電壓非線性特性的第2可變電阻層。
這種情況下，能夠在第1電極和第2電極之間顯現(xiàn)出可變電阻功能，在第3電極和第4電極之間也顯現(xiàn)出可變電阻功能。
優(yōu)選，第1～第4電極配置在第1面上，第1可變電阻層配置成覆蓋第1電極和第2電極各自的至少一部分，第2可變電阻層配置成覆蓋第3電極和第4電極各自的至少一部分，第1內(nèi)部電極物理連接且電連接于第2電極和第4電極，第2內(nèi)部電極物理連接且電連接于第3電極，第3內(nèi)部電極物理連接且電連接于第1電極，電阻元件物理連接且電連接于第1電極和第3電極。
這種情況下，第1～第4電極配置在第1面上，第1、第2可變電阻層配置成覆蓋對應(yīng)的兩個電極，因此可以簡單地構(gòu)成第1和第2可變電阻。另外，能夠進(jìn)一步減小與第1面垂直的方向的尺寸，并能夠?qū)⑸鲜鼋Y(jié)構(gòu)的低通濾波器制成一塊更加小型的芯片。
優(yōu)選，第1可變電阻進(jìn)一步具有夾著第1可變電阻層且與第1和第2電極相對配置的電極，第2可變電阻進(jìn)一步具有夾著第2可變電阻層且與第3和第4電極相對配置的電極。
這種情況下，在第1可變電阻中，由于第1和第2電極和與該第1和第2電極相對配置的電極之間的領(lǐng)域顯現(xiàn)出電流電壓非線性特性，所以第1可變電阻在第1電極和第2電極之間作為串聯(lián)連接的兩個可變電阻成分起作用。另外，在第2可變電阻中，由于第3和第4電極和與該第3和第4電極相對配置的電極之間的領(lǐng)域顯現(xiàn)出電流電壓非線性特性，所以第2可變電阻在第3電極和第4電極之間作為串聯(lián)連接的兩個可變電阻成分起作用。
本發(fā)明的低通濾波器陣列，具備具有互相相對的第1面和第2面的電介體，包括配置在該電介體內(nèi)且具有第1～第3內(nèi)部電極的N個(N≥2的整數(shù))內(nèi)部電極群的電容器，分別對應(yīng)于N個內(nèi)部電極群而配置在第1面上的N個第1可變電阻和N個第2可變電阻，分別對應(yīng)于N個內(nèi)部電極群而配置在第1面上的N個電阻元件，分別對應(yīng)于N個內(nèi)部電極群而配置在第2面上并具有第1～第3外部電極的N個外部電極群；在各內(nèi)部電極群中，第1內(nèi)部電極，物理連接且電連接于對應(yīng)的外部電極群的第3外部電極，同時，在與第1面和第2面的相對方向平行的方向上延伸配置；第2內(nèi)部電極，物理連接且電連接于對應(yīng)的外部電極群的第2外部電極，同時，配置成至少其一部分夾著電介體的至少一部分且與對應(yīng)的第1內(nèi)部電極相對；第3內(nèi)部電極，物理連接且電連接于對應(yīng)的外部電極群的第1外部電極，同時，配置成至少其一部分夾著電介體的至少一部分且與對應(yīng)的第1內(nèi)部電極相對；各第1可變電阻，并聯(lián)連接于由對應(yīng)的內(nèi)部電極群的第1內(nèi)部電極和第3內(nèi)部電極構(gòu)成的電容器；各第2可變電阻，并聯(lián)連接于由對應(yīng)的內(nèi)部電極群的第1內(nèi)部電極和第2內(nèi)部電極構(gòu)成的電容器；各電阻元件分別電連接于對應(yīng)的內(nèi)部電極群的第2內(nèi)部電極和第3內(nèi)部電極。
本發(fā)明的低通濾波器陣列，利用由N個第1內(nèi)部電極和N個第3內(nèi)部電極構(gòu)成的N個電容器、由N個第1內(nèi)部電極和N個第2內(nèi)部電極構(gòu)成的N個電容器、N個電阻元件，構(gòu)成N個π型RC濾波器。并且，N個第1可變電阻分別并聯(lián)連接于由N個第1內(nèi)部電極和N個第3內(nèi)部電極構(gòu)成的N個電容器，N個第2可變電阻分別并聯(lián)連接于由N個第1內(nèi)部電極和N個第2內(nèi)部電極構(gòu)成的N個電容器。因此，本發(fā)明的低通濾波器陣列，構(gòu)成具有ESD保護(hù)功能的N個低通濾波器。此外，由于在電介體的第1面上配置有N個第1和第2可變電阻和N個電阻元件，在第2面上配置有N個第1～第3外部電極，因此可以用一塊芯片實(shí)現(xiàn)上述結(jié)構(gòu)的低通濾波器陣列。因此，可以提高具有ESD保護(hù)功能的低通濾波器陣列的安裝密度。
優(yōu)選，N個內(nèi)部電極群進(jìn)一步具備內(nèi)部電極，該內(nèi)部電極，在電介體內(nèi)，沿著第1內(nèi)部電極與第2和第3內(nèi)部電極相對的方向并設(shè)，在互相相鄰的內(nèi)部電極群之間，在與第1面和第2面相對的方向平行的方向上延伸配置，同時電連接于第3外部電極的任何一個。
這種情況下，內(nèi)部電極，由于在互相相鄰的內(nèi)部電極間配置且電連接于第3外部電極的任何一個，因而發(fā)揮屏蔽效應(yīng)。因此，能夠抑制互相相鄰的內(nèi)部電極群間的串?dāng)_。
優(yōu)選，各第1可變電阻具有，第1和第2電極，和包含位于第1和第2電極之間的區(qū)域且表現(xiàn)電流電壓非線性特性的第1可變電阻層；各第2可變電阻具有，第3和第4電極，和包含位于第3和第4電極之間的區(qū)域且表現(xiàn)電流電壓非線性特性的第2可變電阻層。
這種情況下，各第1可變電阻能夠在第1電極和第2電極之間表現(xiàn)出可變電阻功能。另外，各第2可變電阻能夠在第3電極和第4電極之間表現(xiàn)出可變電阻功能。
優(yōu)選，第1～第4電極配置在第1面上，第1可變電阻層配置成覆蓋第1電極和第2電極各自的至少一部分，第2可變電阻層配置成覆蓋第3電極和第4電極各自的至少一部分，第1內(nèi)部電極物理連接且電連接于第2電極和第4電極，第2內(nèi)部電極物理連接且電連接于第3電極，第3內(nèi)部電極物理連接且電連接于第1電極，電阻元件物理連接且電連接于第1電極和第3電極。
這種情況下，由于第1～第4電極配置在第1面上，第1、第2可變電阻層配置成覆蓋對應(yīng)的兩個電極，所以能夠簡易地構(gòu)成各第1和各第2可變電阻。另外，能夠進(jìn)一步減小與第1面垂直的方向上的尺寸，并將上述結(jié)構(gòu)的低通濾波器制成一塊更加小型的芯片部件。
優(yōu)選，各第1可變電阻進(jìn)一步具有夾著第1可變電阻層且與第1和第2電極相對配置的電極，各第2可變電阻進(jìn)一步具有夾著第2可變電阻層且與第3和第4電極相對配置的電極。
這種情況下，在各第1可變電阻中，在第1和第2電極與相對于該第1和第2電極配置的電極之間的區(qū)域顯現(xiàn)出電流電壓非線性特性，所以各第1可變電阻在第1電極和第2電極之間作為串聯(lián)連接的兩個可變電阻成分起作用。另外，在各第2可變電阻中，由于在第3和第4電極與相對于該第3和第4電極配置的電極之間的區(qū)域顯現(xiàn)出電流電壓非線性特性，所以各第2可變電阻在第3電極和第4電極之間作為串聯(lián)連接了上述區(qū)域的兩個可變電阻成分起作用。
優(yōu)選，N個內(nèi)部電極群，在電介體內(nèi)，沿著第1內(nèi)部電極與第2和第3內(nèi)部電極相對的方向并設(shè)；各第1可變電阻的第1和第2電極分別沿著N個內(nèi)部電極群的并設(shè)方向并設(shè)；各第1可變電阻的第1可變電阻層一體化形成；各第2可變電阻的第3和第4電極分別沿著N個內(nèi)部電極群的并設(shè)方向并設(shè)；各第2可變電阻的第2可變電阻層一體化形成。
這種情況下，第1、第2可變電阻層能夠發(fā)揮作為增強(qiáng)材料的功能，能夠增強(qiáng)低通濾波器的機(jī)械強(qiáng)度。
優(yōu)選，各外部電極群的第3外部電極，一體化形成。
根據(jù)本發(fā)明，能夠提供既具有ESD保護(hù)功能又提高了安裝密度的低通濾波器和低通濾波器陣列。


圖1是表示與第1實(shí)施方式相關(guān)的低通濾波器的平面示意圖。
圖2是表示與第1實(shí)施方式相關(guān)的低通濾波器中包含的可變電阻部的圖。
圖3是表示與第1實(shí)施方式相關(guān)的低通濾波器的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖4是表示與第1實(shí)施方式相關(guān)的低通濾波器中包含的電容器部的分解圖。
圖5是表示沿著圖3中的V-V線的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖6是表示沿著圖3中的VI-VI線的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖7是與第1實(shí)施方式相關(guān)的低通濾波器的等效電路圖。
圖8是表示與第2實(shí)施方式相關(guān)的低通濾波器陣列中包含的可變電阻部的圖。
圖9是表示與第2實(shí)施方式相關(guān)的低通濾波器陣列的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖10是表示沿著圖9中的X-X線的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖11是與第2實(shí)施方式相關(guān)的低通濾波器陣列的等效電路圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖，詳細(xì)說明實(shí)施本發(fā)明的最佳方式。另外，在圖的說明中，對同一要素用同一符號表示，省略重復(fù)的說明。
(第1實(shí)施方式)說明與第1實(shí)施方式相關(guān)的低通濾波器。圖1是表示與第1實(shí)施方式相關(guān)的低通濾波器F1的平面圖。與本實(shí)施方式相關(guān)的低通濾波器F1，具備電容器部1、可變電阻部3、一對輸入輸出端子電極5、7(第1、第2外部電極)、接地端子電極9(第3外部電極)。
電容器部1，形成為大致呈長方體形狀，具有互相相對的第1面1a和第2面1b，及與第1、第2面1a、1b垂直且互相相對的端面1c和端面1d?？勺冸娮璨?，在電容器部1的第1面1a上配置。電容器部1和可變電阻部3構(gòu)成本體4。本體4，大致呈長方體形狀。例如，本體4，縱向尺寸為0.5mm左右，橫向尺寸為1.6mm左右，厚度尺寸為0.6mm左右。
一對輸入輸出端子電極5、7，一個發(fā)揮作為輸入端子電極的功能，另一個發(fā)揮作為輸出端子電極的功能。接地端子電極9連接于安裝有低通濾波器F1的外部基板(未圖示)的接地圖形(ground pattern)。
輸入輸出端子電極5、7及接地端子電極9，互相電絕緣地配置在第2面1b上。輸入輸出端子電極5在端面1c側(cè)配置。輸入輸出端子電極7在端面1d側(cè)配置。接地端子電極9，配置在輸入輸出端子電極5和輸入輸出端子電極7之間。由輸入輸出端子電極5、7及接地端子電極9，構(gòu)成了球柵陣列結(jié)構(gòu)。
輸入輸出端子電極5，具備在第2面1b上形成的金屬墊片(pad)5a和與金屬墊片5a物理連接且電連接的焊球5b。金屬墊片5a形成為從與第2面1b垂直的方向看大致呈矩形狀。
輸入輸出端子電極7，具備在第2面1b上形成的金屬墊片7a和與金屬墊片7a物理連接且電連接的焊球7b。金屬墊片7a形成為從與第2面1b垂直的方向看大致呈矩形狀。
接地端子電極9，具備在第2面1b上形成的金屬墊片9a和與金屬墊片9a物理連接且電連接的焊球9b。金屬墊片9a形成為從與第2面1b垂直的方向看大致呈矩形狀。
圖2是表示與第1實(shí)施方式相關(guān)的低通濾波器中包含的可變電阻部的圖。圖3是與第1實(shí)施方式相關(guān)的低通濾波器的截面圖。可變電阻部3具備，保護(hù)層30、第1可變電阻V40、第2可變電阻V50、電阻元件R60。第1、第2可變電阻V40、V50及電阻元件R60配置在電容器部1的第1面1a上。
保護(hù)層30在第1面1a上形成為覆蓋第1、第2可變電阻V40、V50及電阻元件R60。保護(hù)層30，形成可變電阻部3的外形，使第1、第2可變電阻V40、V50和電阻元件R60配置在保護(hù)層30的內(nèi)部。
保護(hù)層30是以玻璃為主要成分的絕緣體。保護(hù)層30具有使第1、第2可變電阻V40、V50和電阻元件R60與外部電絕緣的功能。另外，保護(hù)層具有保護(hù)第1、第2可變電阻V40、V50和電阻元件R60的功能。圖2是可變電阻部的平面圖，保護(hù)層30被省略。
第1可變電阻V40配置在第1面1a上的端面1c側(cè)。第2可變電阻V50配置在第1面1a上的端面1d側(cè)。電阻元件R60配置在第1面1a上的第1可變電阻V40和第2可變電阻V50之間。
第1可變電阻V40，具備第1可變電阻電極41(第1電極)、第2可變電阻電極42(第2電極)、第3可變電阻電極43(電極)、第1可變電阻層44。
第1可變電阻電極41，配置在第1面1a上的電阻元件R60側(cè)。第2可變電阻電極42，配置在第1面1a上的端面1c側(cè)。第1可變電阻電極41和第2可變電阻電極42互相電絕緣。第1、第2可變電阻電極41、42，從與第1面1a垂直的方向看分別大致呈長方形狀。
第1可變電阻層44，配置在第1面1a上，同時，形成為覆蓋第1可變電阻電極41的端面1c側(cè)的一部分和第2可變電阻電極42的全部。即，第1可變電阻層44，具有覆蓋第1可變電阻電極41的部分、覆蓋第2可變電阻電極42的部分、以及覆蓋第1面1a的部分。第1可變電阻層44的覆蓋第1面1a的部分中的一部分，位于第1可變電阻電極41和第2可變電阻電極42之間。第1可變電阻層44，從與第1面1a垂直的方向看，大致呈長方形狀。第1可變電阻層44，表現(xiàn)出電流電壓非線性特性。第1可變電阻層44，以ZnO為主要成分，且含有Co。
第3可變電阻電極43，配置在第1可變電阻層44上。第3可變電阻電極43，從與第1面1a垂直的方向看，大致呈長方形狀。第3可變電阻電極43，在中間夾著第1可變電阻層44而與第1可變電阻電極41的一部分相對配置。另外，第3可變電阻電極43，在中間夾著第1可變電阻層44而與第2可變電阻電極42的一部分相對配置。
第1可變電阻層44，從與第1面1a垂直的方向看，具有與第1可變電阻電極41和第3可變電阻電極43相互重疊的區(qū)域。因此，第1可變電阻電極41、第3可變電阻電極43和第1可變電阻層44，作為一個可變電阻成分發(fā)揮作用。另外，第1可變電阻層44，從與第1面1a垂直的方向看，具有與第2可變電阻電極42和第3可變電阻電極43相互重疊的區(qū)域。因此，第2可變電阻電極42、第3可變電阻電極43和第1可變電阻層44，作為一個可變電阻成分發(fā)揮作用。即，第1可變電阻V40，在第1可變電阻電極41和第2可變電阻電極42之間，作為串聯(lián)連接的兩個可變電阻成分發(fā)揮作用。
第2可變電阻V50，具備第1可變電阻電極51(第3電極)、第2可變電阻電極52(第4電極)、第3可變電阻電極53(電極)、以及第2可變電阻層54。
第1可變電阻電極51，配置在第1面1a上的電阻元件R60側(cè)。第2可變電阻電極52，配置在第1面1a上的端面1d側(cè)。第1可變電阻電極51和第2可變電阻電極52互相電絕緣。第1、第2可變電阻電極51、52，從與第1面1a垂直的方向看，分別呈長方形狀。
第2可變電阻層54，配置在第1面1a上，同時，形成為覆蓋第1可變電阻電極51的端面1d側(cè)的一部分和第2可變電阻電極52的全部。即，第2可變電阻層54具有，覆蓋第1可變電阻電極51的部分、覆蓋第2可變電阻電極52的部分、以及覆蓋第1面1a的部分。第2可變電阻層54的覆蓋第1面1a的部分中的一部分，位于第1可變電阻電極51和第2可變電阻電極52之間。第2可變電阻層54，從與第1面1a垂直的方向看，大致呈長方形狀。第2可變電阻層54，表現(xiàn)出電流電壓非線性特性。第2可變電阻層54，以ZnO為主要成分，且含有Co。
第3可變電阻電極53，配置在第2可變電阻層54上。第3可變電阻電極53，從與第1面1a垂直的方向看，大致呈長方形狀。第3可變電阻電極53，在中間夾著第2可變電阻層54而與第1可變電阻電極51的一部分相對配置。另外，第3可變電阻電極53，在中間夾著第2可變電阻層54而與第2可變電阻電極52的一部分相對配置。
第2可變電阻層54，從與第1面1a垂直的方向看，具有與第1可變電阻電極51和第3可變電阻電極53相互重疊的區(qū)域。因此，第1可變電阻電極51、第3可變電阻電極53和第2可變電阻層54，作為一個可變電阻成分發(fā)揮作用。另外，第2可變電阻層54，從與第1面1a垂直的方向看，具有與第2可變電阻電極52和第3可變電阻電極53相互重疊的區(qū)域。因此，第2可變電阻電極52、第3可變電阻電極53和第2可變電阻層54，作為一個可變電阻成分發(fā)揮作用。即，第2可變電阻V50，在第1可變電阻電極51和第2可變電阻電極52之間，作為串聯(lián)連接的兩個可變電阻成分發(fā)揮作用。
電阻元件R60，配置在第1面1a上，同時，配置成覆蓋第1可變電阻電極41的電阻元件R60側(cè)的一部分和第1可變電阻電極51的電阻元件R60側(cè)的一部分。電阻元件R60物理連接且電連接于第1可變電阻電極41、51。另外，電阻元件R60，從與第1面1a垂直的方向看，大致呈長方形狀。
圖4是表示與第1實(shí)施方式相關(guān)的低通濾波器中包含的電容器部的分解圖。圖5是表示沿著圖3中的V-V線的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖6是表示沿著圖3中的VI-VI線的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
電容器部1，通過層疊電介體11和多層(在本實(shí)施方式中為6層)電介體12～17而構(gòu)成，多層電介體12～17形成有第1內(nèi)部電極21、23、25、第2內(nèi)部電極22、24以及第3內(nèi)部電極26。實(shí)際的低通濾波器F1，多個電介體11～17適當(dāng)一體化到該電介體11～17間的邊界無法目視辯認(rèn)。電介體11～17，以BaTiO3為主要成分，且含有Co。
各電介體11～17為大致長方形的板狀。通過層積電介體11～17，構(gòu)成了大致呈長方體形狀的電介體10。該電介體10形成電容器部1的外形。即，電介體10具有，互相相對的第1面1a和第2面1b以及互相相對的端面1c和端面1d。電介體11～17的層積方向是，與電容器部1的第1面1a和第2面1b相對的方向垂直且與電容器部1的端面1c和端面1d相對的方向垂直的方向。即，各電介體11～17為，與長度方向平行且互相相對的側(cè)面分別構(gòu)成了電容器部1的第1面1a和第2面1b。另外，電介體11～17為，與寬度方向平行且互相相對的側(cè)面分別構(gòu)成了電容器部1的端面1c和端面1d。
第1內(nèi)部電極21、23、25，通過分別在電介體12、14、16上印刷大致長方形狀的圖形而形成。第1內(nèi)部電極21、23、25包括主電極部21a、23a、25a，第1引出部21b、23b、25b，第2引出部21c、23c、25c，第3引出部21d、23d、25d。主電極部21a、23a、25a呈大致長方形狀。另外，主電極部21a、23a、25a形成為，中央部位于電介體12、14、16的中央部。
第1引出部21b、23b、25b，從主電極部21a、23a、25a的第1面1a側(cè)的靠近端面1c側(cè)的部分，向第1面1a引出，露出于第1面1a。第2引出部21c、23c、25c，從主電極部21a、23a、25a的第2面1b側(cè)的中央部分，向第2面1b引出，露出于第2面1b。第3引出部21d、23d、25d，從主電極部21a、23a、25a的第1面1a側(cè)的端面1d側(cè)的部分，向第1面1a引出，露出于第1面1a。
第2內(nèi)部電極22、24，通過在電介體13、15上印刷大致長方形狀的圖形而形成。第2內(nèi)部電極22、24含有，主電極部22a、24a，第1引出部22b、24b，第2引出部22c、24c。主電極部22a、24a，呈大致長方形狀。另外，主電極部22a、24a形成為，中央部位于電介體13、15的中央部。
第1引出部22b、24b，從主電極部22a、24a的第1面1a側(cè)的中央部分和端面1d側(cè)的部分之間的中間附近，向第1面1a引出，露出于第1面1a。第2引出部22c、24c，從主電極部22a、24a的第2面1b側(cè)的中央部分和靠近端面1d側(cè)的部分之間的中間附近，向第2面1b引出，露出于第2面1b。
第3內(nèi)部電極26，通過在電介體17上印刷線狀的圖形而形成。第3內(nèi)部電極26，在電介體17的中央部和端面1c側(cè)的部分之間的中間附近，與電介體17的端面1c側(cè)的邊緣平行形成。第3內(nèi)部電極26，一個端部26a露出于第1面1a，另一個端部26b露出于第2面1b。
第1內(nèi)部電極21和第2內(nèi)部電極22層積為，夾著電介體12而使主電極部21a和主電極部22a互相相對。第2內(nèi)部電極22和第1內(nèi)部電極23層積為，夾著電介體13而使主電極部22a和主電極部23a互相相對。第1內(nèi)部電極23和第2內(nèi)部電極24層積為，夾著電介體14而使主電極部23a和主電極部24a互相相對。第2內(nèi)部電極24和第1內(nèi)部電極25層積為，夾著電介體15而使主電極部24a和主電極部25a互相相對。第1內(nèi)部電極25和第3內(nèi)部電極26層積為，夾著電介體16而使一部分互相相對。
第1～第3內(nèi)部電極21～26配置成，互相相對的面與第1和第2面1a、1b垂直。即，第1～第3內(nèi)部電極21～26，在與第1面1a和第2面1b的相對方向平行的方向上延伸配置。另外，第1、第2內(nèi)部電極21～25配置成，主電極部21a～25a從層積方向看互相重疊。
如圖5所示，在第2面1b上，在第2引出部21c、23c、25c露出的位置，配置有金屬墊片9a，第2引出部21c、23c、25c和金屬墊片9a互相物理連接且電連接。即，第1內(nèi)部電極21、23、25和接地端子電極9互相物理連接且電連接。
另外，在第2面1b上，在第2引出部22c、24c露出的位置，配置有金屬墊片7a，第2引出部22c、24c和金屬墊片7a互相物理連接且電連接。即，第2內(nèi)部電極22、24與輸入輸出端子電極7互相物理連接且電連接。
另外，在第2面1b上，在第3內(nèi)部電極26的端部26b露出的位置，配置有金屬墊片5a，第3內(nèi)部電極26的端部26b和金屬墊片5a互相物理連接且電連接。即，第3內(nèi)部電極26和輸入輸出端子電極5互相物理連接且電連接。
如圖6所示，在第1面1a上，在第1引出部21b、23b、25b露出的位置，配置第2可變電阻電極42，第1引出部21b、23b、25b和第2可變電阻電極42互相物理連接且電連接。即，第1內(nèi)部電極21、23、25和第2可變電阻電極42互相物理連接且電連接。
另外，在第1面1a上，在第3引出部21d、23d、25d露出的位置，配置有第2可變電阻電極52，第3引出部21d、23d、25d和第2可變電阻電極52互相物理連接且電連接。即，第1內(nèi)部電極21、23、25和第2可變電阻電極52互相物理連接且電連接。
另外，在第1面1a上，在第1引出部22b、24b露出的位置，配置有第1可變電阻電極51，第1引出部22b、24b和第1可變電阻電極51互相物理連接且電連接。即，第2內(nèi)部電極22、24和第1可變電阻電極51互相物理連接且電連接。
另外，在第1面1a上，在第3內(nèi)部電極26的端部26a露出的位置，配置有第1可變電阻電極41，端部26a和第1可變電阻電極41互相物理連接且電連接。即，第3內(nèi)部電極26和第1可變電阻電極41互相物理連接且電連接。
由上所述，第1內(nèi)部電極25、第3內(nèi)部電極26和電介體16，構(gòu)成第1電容器C1。第1和第2內(nèi)部電極21～25和電介體12～15，構(gòu)成第2電容器C2。
另外，第1內(nèi)部電極21、23、25與第2可變電阻電極42物理連接且電連接，第3內(nèi)部電極26與第1可變電阻電極41物理連接且電連接。即，第1電容器C1和第1可變電阻V40互相并聯(lián)連接。另外，第1電容器C1的第3內(nèi)部電極26，通過第1可變電阻電極41與電阻元件R60電連接。
第1內(nèi)部電極21、23、25與第2可變電阻電極52物理連接且電連接，第2內(nèi)部電極22、24與第1可變電阻電極51物理連接且電連接。即，第2電容器C2和第2可變電阻V50互相并聯(lián)連接。另外，第2電容器C2的第2內(nèi)部電極22、24，通過第1可變電阻電極51與電阻元件R60電連接。
第1內(nèi)部電極21、23、25與接地端子電極9物理連接且電連接。因此，第1可變電阻V40的第2可變電阻電極42通過第1內(nèi)部電極21、23、25與接地端子電極9物理連接且電連接。另外，第2可變電阻V50的第2可變電阻電極52，通過第1內(nèi)部電極21、23、25，與接地端子電極9物理連接且電連接。
即，如圖7所示，在低通濾波器F1中，由第1電容器C1和第2電容器C2與電阻元件R60構(gòu)成π型RC濾波器，同時，構(gòu)成具備與第1電容器C1并聯(lián)連接的第1可變電阻V40和與第2電容器C2并聯(lián)連接的第2可變電阻V50而具有ESD保護(hù)功能的低通濾波器。
接著，說明低通濾波器F1的制造方法。首先，準(zhǔn)備將要構(gòu)成電介體11～17的電介體生片。電介體生片可以使用如下得到的生片用刮刀法，在薄膜上涂布以在主成分BaTiO3中含有Co的混合粉為原料的漿料而形成。
其次，在將要構(gòu)成電介體12～17的電介體生片上，分別形成對應(yīng)于第1～第3內(nèi)部電極21～26的導(dǎo)體圖形。各導(dǎo)體圖形，例如，通過絲網(wǎng)印刷以銀或鎳為主成分的導(dǎo)電膏后干燥而形成。然后，依次層積并壓接各生片，切斷成芯片單元后，在規(guī)定的溫度(例如800～900℃)下燒結(jié)。由此，形成電容器部1。
接下來，按照規(guī)定的順序通過在電容器1的第1面1a上印刷并燒接而形成對應(yīng)于第1～第3可變電阻電極41～43、51～53的電極部分和對應(yīng)于第1和第2可變電阻層44、54的部分。第1和第2可變電阻層44、54由以ZnO為主要成分且含有Co的材料形成。第1和第2可變電阻層44、54和電介體11～17，二者都含有Co，所以能夠防止Co在第1和第2可變電阻層44、54與電介體11～17的界面上擴(kuò)散。由此，能夠防止第1和第2可變電阻層44、54和電介體11～17的特性的變化。
接著，在第1面1a上形成電阻元件R60后，形成報護(hù)層30使其覆蓋第1和第2可變電阻V40、V50和電阻元件R60。保護(hù)層30由以玻璃為主要成分的材料形成。其次，在第2面1b上，印刷金屬墊片5a、7a、9a用的導(dǎo)電膏后，燒接，形成金屬墊片5a、7a、9a。然后，形成焊球5b、7b、9b，從而形成輸入輸出端子電極5、7及接地端子電極9。如上所述，完成低通濾波器F1。
在本實(shí)施方式的低通濾波器F1中，由第1內(nèi)部電極21、23、25和第3內(nèi)部電極26構(gòu)成第1電容器C1。另外，由第1內(nèi)部電極21、23、25和第2內(nèi)部電極22、24構(gòu)成第2電容器C2。由該第1、第2電容器C1、C2和電阻元件R60構(gòu)成π型RC濾波器。然后，通過使第1可變電阻V40并聯(lián)連接于第1電容器C1，第2可變電阻V50并聯(lián)連接于第2電容器C2，構(gòu)成具有ESD保護(hù)功能的低通濾波器。而且，在電容器部1的第1面1a上配置第1和第2可變電阻V40、V50及電阻元件R60，在第2面1b上配置輸入輸出端子電極5、7及接地端子電極9。由此，能夠以一個芯片實(shí)現(xiàn)上述結(jié)構(gòu)的低通濾波器。即，能夠提高具有ESD保護(hù)功能的低通濾波器的安裝密度。
另外，在本實(shí)施方式的低通濾波器F1中，第1、第2可變電阻電極41、42、51、52在第1面1a上配置，第1、第2可變電阻層44、54配置成覆蓋對應(yīng)的兩個可變電阻電極41、42、51、52。由此，能夠簡便地構(gòu)成第1和第2可變電阻V40、V50。另外，能夠進(jìn)一步減小與第1面1a垂直的方向的尺寸，能夠?qū)⑸鲜鼋Y(jié)構(gòu)的低通濾波器制成更加小型的一個芯片部件。
另外，本實(shí)施方式的低通濾波器F1，使用可變電阻作為ESD保護(hù)用的部件，能夠比使用齊納二極管的情況更加廉價地進(jìn)行制造。
另外，也可以考慮，用具備兩個可變電阻和電阻的π型濾波器實(shí)現(xiàn)具有ESD保護(hù)功能的低通濾波器的方法。然而，使用可變電阻得到所希望的容量是困難的。由此，如本實(shí)施方式所述，通過將第1和第2電容器C1、C2并聯(lián)連接于可變電阻，能夠可靠地確保容量。
本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施方式，可以進(jìn)行各種變形。例如，在上述實(shí)施例中，低通濾波器F1具備電阻元件R60，但也可以具備電感器來代替它。這種情況下，構(gòu)成由電感器和兩個電容器形成的π型LC濾波器。
另外，第1、第2可變電阻V40、V50的結(jié)構(gòu)，只要是配置在第1面1a上并分別與第1、第2電容器C1、C2并聯(lián)連接，就不限于上述結(jié)構(gòu)。例如，也可以沒有第3可變電阻電極43、53。
(第2實(shí)施方式)說明與第2實(shí)施方式相關(guān)的低通濾波器陣列。圖8是表示與第2實(shí)施方式相關(guān)的低通濾波器陣列中含有的可變電阻部的圖。圖9是表示與第2實(shí)施方式相關(guān)的低通濾波器陣列的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖10是表示沿著圖9中的X-X線的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。與本實(shí)施方式相關(guān)的低通濾波器陣列F3具備電容器部100、可變電阻部300、N(N≥2的整數(shù)；在本實(shí)施方式中，N＝4)對輸入輸出端子電極5、7(第1、第2外部電極)和接地端子電極90(第3外部電極)。
電容器部100，形成為大致呈長方體形狀，具有互相相對的第1面100a和第2面100b，及與第1、第2面100a、100b垂直且互相相對的面100c和面100d。可變電阻部300，在電容器部100的第1面100a上配置。由電容器部100和可變電阻部300構(gòu)成本體400。本體400，呈大致長方體形狀。例如，本體400，縱向尺寸為2.1mm左右，橫向尺寸為1.6mm左右，厚度尺寸為0.6mm左右。
電容器部100，具有4個電容器部1和3個(在本實(shí)施方式中為3個)第4內(nèi)部電極70。即，電容器部100具有具有電介體11～17的N個電介體10，具有第1～第3內(nèi)部電極21～26的N個內(nèi)部電極群，以及3個第4外部電極70。
4個電容器部1，在電容器部100中，配置成4組第1～第3內(nèi)部電極21～26從層積方向看互相重疊。即，在電容器部100中，4個內(nèi)部電極群沿著第1～第3內(nèi)部電極21～26的相對方向并設(shè)。這個內(nèi)部電極群的并設(shè)方向，與電介體11～17的層積方向平行。另外，互相相鄰的一個電容器部1的電介體17和另外一個電容器部1的電介體11，一體化到邊界無法目視辨認(rèn)的程度。
另外，電容器部100，具有互相相對的第1面100a和第2面100b。第1面100a，由4個電容器部1的4個第1面1a構(gòu)成。第2面100b，由4個電容器部1的4個第2面1b構(gòu)成。
3個第4內(nèi)部電極70，以主面平行于第1、第2內(nèi)部電極21～25的主面的方式分別配置在各電容器部1之間。第4內(nèi)部電極70，配置于互相相鄰的一個電容器部1的電介體17和另外一個電容器部1的電介體11之間。即，第4內(nèi)部電極70，在互相相鄰的各組第1～第3內(nèi)部電極21～26之間配置。
第4內(nèi)部電極70包括主電極部70a和引出部70b。主電極部70a，形成為大致長方形狀，形成為其中央部和各電介體11的中央部重疊。引出部70b從主電極部70a的中央部的第2面100b的一側(cè)引出，在第2面100b上露出。
4對輸入輸出端子電極5、7，分別與4個電容器部1對應(yīng)，同時，一個作為輸入端子電極起作用，另一個作為輸出端子電極起作用。接地端子電極90，與4個電容器部1完全對應(yīng)，同時，連接于安裝有低通濾波器陣列F3的外部基板(未圖示)的接地圖形。
各輸入輸出端子電極5、7和接地端子電極90，如上所述，通過具備金屬墊片5a、7a、90a和焊球5b、7b、90b而構(gòu)成。4對輸入輸出端子電極5、7及接地端子電極90，互相電絕緣，配置于電容器部100的第2面100b上。4個輸入輸出端子電極5，在第2面100b上的面100c一側(cè)，沿著層積方向排列成一列地配置。4個輸入輸出端子電極7，在第2面100b上的面100d一側(cè)，沿著層積方向排列成一列地配置。一對輸入輸出端子電極5、7，在第2面100b上，沿著與層積方向垂直的方向并排配置。
各輸入輸出端子電極5，物理連接且電連接于對應(yīng)的電容器部1所具有的第3內(nèi)部電極26。各輸入輸出端子電極7，物理連接且電連接于對應(yīng)的第2內(nèi)部電極22、24。
接地端子電極90的金屬墊片90a，從與第2面100b垂直的方向看，形成為大致長方形狀。金屬墊片90a配置成，在輸入輸出端子電極5的列和輸入輸出端子電極7的列之間，長度方向平行于層積方向。金屬墊片90a，從輸入輸出端子電極5、7的列的一端延伸到另一端。
接地端子電極90的金屬墊片90a形成為，覆蓋4個第1內(nèi)部電極21、23、25的第2引出部21c、23c、25c和3個第4內(nèi)部電極70的引出部70b在第2面100b上露出的區(qū)域。金屬墊片90a，分別物理連接且電連接于4個第2引出部21c、23c、25c及3個引出部70b。即，接地端子電極90，物理連接且電連接于4個第1內(nèi)部電極21、23、25及3個第4內(nèi)部電極70。
可變電阻部300，具備保護(hù)層30、對應(yīng)于4個電容器部1的4個第1可變電阻40、4個第2可變電阻V50及4個電阻元件R60。4個第1、第2可變電阻V40、V50及電阻元件R60，配置于電容器部100的第1面100a上。
保護(hù)層30，如上所述，保護(hù)第1、第2可變電阻V40、V50及電阻元件R60，同時，具有與外部電絕緣的功能。另外，圖8是可變電阻部的平面圖，省略了保護(hù)層30。
4個第1可變電阻V40，在第1面100a的端面100c側(cè)，沿著層積方向排列成一列地配置。4個第2可變電阻V50，在第1面100a的端面100d側(cè)，沿著層積方向排列成一列地配置。4個電阻元件R60，在第1面100a上的第1可變電阻V40和第2可變電阻V50之間，沿著層積方向排列成一列配置?；ハ鄬?yīng)的第1可變電阻V40、第2可變電阻V50和電阻元件R60，在第2面100b上，沿著與層積方向垂直的方向并排排列。
各第1可變電阻V40、各第2可變電阻V50和各電阻元件R60，分別具有上述結(jié)構(gòu)。另外，如上所述，各電阻元件R60與對應(yīng)的第1可變電阻42、52物理連接且電連接。
但是，各第1可變電阻V40所具有的第1可變電阻層44，一體化形成。各第2可變電阻V50所具有的第2可變電阻層54，一體化形成。第1、第2可變電阻層44、54，從與第1面100a垂直的方向看，形成為大致長方形狀，同時形成為長度方向與層積方向平行。這樣，能夠進(jìn)一步提高可變電阻300的機(jī)械強(qiáng)度。即，能夠提高本體400的機(jī)械強(qiáng)度。
另外，各第1可變電阻電極41，物理連接且電連接于對應(yīng)的電容器部1所具有的第3內(nèi)部電極26。各第2可變電阻電極42，物理連接且電連接于對應(yīng)的電容器部1所具有的第1內(nèi)部電極21、23、25。各第1可變電阻電極51，物理連接且電連接于對應(yīng)的電容器部1所具有的第2內(nèi)部電極22、24。各第2可變電阻電極52，物理連接且電連接于對應(yīng)的電容器部1所具有的第1內(nèi)部電極21、23、25。
即，如圖11所示，低通濾波器陣列F3，由4個第1電容器C1及4個第2電容器C2和4個電阻元件R60構(gòu)成4組π型RC濾波器，同時，構(gòu)成具備分別并聯(lián)連接于4個第1電容器C1的4個第1可變電阻V40和分別并聯(lián)連接于4個第2電容器C2的4個第2可變電阻V50的低通濾波器。
本實(shí)施方式的低通濾波器陣列F3，分別由4個第1內(nèi)部電極21、23、25和4個第3內(nèi)部電極26構(gòu)成4個第1電容器C1。由各4個第1內(nèi)部電極21、23、25和各4個第2內(nèi)部電極22、24構(gòu)成4個第2電容器C2。由這4個第1電容器C 1、4個第2電容器C2和4個電阻元件R60，構(gòu)成4個π型RC濾波器。于是，通過使4個第1可變電阻V40分別并聯(lián)連接于4個第1電容器C1，4個第2可變電阻V50并聯(lián)連接于4個第2電容器C2，包含了具有ESD保護(hù)功能的4個低通濾波器。另外，在電容器部100的第1面100a上配置4個第1和第2可變電阻V40、V50和4個電阻元件R60，在第2面100b配置4對輸入輸出端子電極5、7和接地端子電極90，因此，能夠以一塊芯片實(shí)現(xiàn)上述結(jié)構(gòu)的低通濾波器陣列。因此，能夠提高具有ESD保護(hù)功能的低通濾波器陣列的安裝密度。
本實(shí)施方式的低通濾波器陣列F3，在互相相鄰的電容器部1之間分別配置有電連接于接地端子電極90的第4內(nèi)部電極70，因而可以抑制各低通濾波器之間的串?dāng)_。
本實(shí)施方式的低通濾波器陣列F3，對應(yīng)于4個第1可變電阻V40的第1可變電阻層44一體化形成，對應(yīng)于4個第2可變電阻V50的第2可變電阻層54一體化形成。由此，第1、第2可變電阻層44、54作為增強(qiáng)材料起作用，能夠增強(qiáng)本體400的機(jī)械強(qiáng)度。
本實(shí)施方式的低通濾波器陣列F3，第1～第4可變電阻電極41、42、51、52在第1面100a上配置，第1、第2可變電阻層44、54配置成覆蓋對應(yīng)的兩個電極，因而，可以簡便地構(gòu)成各第1和第2可變電阻層V40、V50。另外，能夠進(jìn)一步減小與第1面100a垂直的方向的尺寸，將具有上述電路結(jié)構(gòu)的低通濾波器陣列制作成更加小型化的一塊芯片部件。
本發(fā)明，不限定于上述實(shí)施方式，能夠進(jìn)行各種變形。例如，在上述實(shí)施例中，雖然低通濾波器陣列F3具備第4內(nèi)部電極70，但并不限于此。
另外，上述實(shí)施例中，將4個第1、第2可變電阻V40、V50中包含的第1、第2可變電阻層44、54一體化形成，但并不限于此。也可以將第1、第2可變電阻層44、54分割為4個，使4個第1、第2可變電阻V40、V50分別包含各第1、第2可變電阻層。這種情況下，能夠抑制4個第1、第2可變電阻間的串?dāng)_。
權(quán)利要求
1.一種低通濾波器，其特征在于具備具有互相相對的第1面和第2面的電介體，包含配置在該電介體內(nèi)的第1～第3內(nèi)部電極的電容器，在所述第1面上配置的第1可變電阻和第2可變電阻，在所述第1面上配置的電阻元件，在所述第2面上配置的第1～第3外部電極，所述第1內(nèi)部電極，物理連接且電連接于所述第3外部電極，同時，配置成在平行于所述第1面和所述第2面相對的方向的方向上延伸，所述第2內(nèi)部電極，物理連接且電連接于所述第2外部電極，同時，配置成至少其一部分夾著所述電介體的至少一部分而與所述第1內(nèi)部電極相對，所述第3內(nèi)部電極，物理連接且電連接于所述第1外部電極，同時，配置成其至少一部分夾著所述電介體的至少一部分而與所述第1內(nèi)部電極相對，所述第1可變電阻，并聯(lián)連接于由所述第1內(nèi)部電極和所述第3內(nèi)部電極構(gòu)成的電容器，所述第2可變電阻，并聯(lián)連接于由所述第1內(nèi)部電極和所述第2內(nèi)部電極構(gòu)成的電容器，所述電阻元件，分別電連接于所述第2內(nèi)部電極和所述第3內(nèi)部電極。
2.如權(quán)利要求1所述的低通濾波器，其特征在于所述第1可變電阻具有第1和第2電極，和包含位于所述第1和第2電極間的區(qū)域且表現(xiàn)出電流電壓非線性特性的第1可變電阻層，所述第2可變電阻具有第3和第4電極，和包含位于所述第3和第4電極間的區(qū)域且表現(xiàn)出電流電壓非線性特性的第2可變電阻層。
3.如權(quán)利要求2所述的低通濾波器，其特征在于所述第1～第4電極，配置在所述第1面上，所述第1可變電阻層配置成，覆蓋所述第1電極和所述第2電極各自的至少一部分，所述第2可變電阻層配置成，覆蓋所述第3電極和所述第4電極各自的至少一部分，所述第1內(nèi)部電極，物理連接且電連接于所述第2電極和所述第4電極，所述第2內(nèi)部電極，物理連接且電連接于所述第3電極，所述第3內(nèi)部電極，物理連接且電連接于所述第1電極，所述電阻元件，物理連接且電連接于所述第1電極和所述第3電極。
4.如權(quán)利要求3所述的低通濾波器，其特征在于所述第1可變電阻，還具有夾著所述第1可變電阻層而與所述第1和第2電極相對配置的電極，所述第2可變電阻，還具有夾著所述第2可變電阻層而與所述第3和第4電極相對配置的電極。
5.一種低通濾波器陣列，其特征在于具備具有互相相對的第1面和第2面的電介體，包含配置在該電介體內(nèi)且具有第1～第3內(nèi)部電極的N個(N≥2的整數(shù))內(nèi)部電極群的電容器，分別對應(yīng)于N個所述內(nèi)部電極群而配置在所述第1面上的N個第1可變電阻和N個第2可變電阻，分別對應(yīng)于N個所述內(nèi)部電極群而配置在所述第1面上的N個電阻元件，分別對應(yīng)于N個所述內(nèi)部電極群而配置在所述第2面上且具有第1～第3外部電極的N個外部電極群；在所述各內(nèi)部電極群中，所述第1內(nèi)部電極，物理連接且電連接于對應(yīng)的所述外部電極群的所述第3外部電極，同時，配置成在平行于所述第1面和所述第2面的相對方向的方向上延伸，所述第2內(nèi)部電極，物理連接且電連接于對應(yīng)的所述外部電極群的所述第2外部電極，同時，配置成至少其一部分夾著所述電介體的至少一部分而與對應(yīng)的所述第1內(nèi)部電極相對，所述第3內(nèi)部電極，物理連接且電連接于對應(yīng)的所述外部電極群的所述第1外部電極，同時，配置成至少其一部分夾著所述電介體的至少一部分而與對應(yīng)的所述第1內(nèi)部電極相對，所述各第1可變電阻，并聯(lián)連接于由對應(yīng)的所述內(nèi)部電極群的所述第1內(nèi)部電極和所述第3內(nèi)部電極構(gòu)成的電容器，所述各第2可變電阻，并聯(lián)連接于由對應(yīng)的所述內(nèi)部電極群的所述第1內(nèi)部電極和所述第2內(nèi)部電極構(gòu)成的電容器，所述各電阻元件，分別電連接于對應(yīng)的所述內(nèi)部電極群的所述第2內(nèi)部電極和所述第3內(nèi)部電極。
6.如權(quán)利要求5所述的低通濾波器陣列，其特征在于N個所述內(nèi)部電極群，在所述電介體內(nèi)，沿著所述第1內(nèi)部電極與所述第2和第3內(nèi)部電極的相對方向并設(shè)，進(jìn)一步具備內(nèi)部電極，該內(nèi)部電極在互相相鄰的所述內(nèi)部電極群間配置成，在與所述第1面和所述第2面的相對方向平行的所述方向上延伸，同時電連接于所述第3外部電極中的任何一個。
7.如權(quán)利要求5所述的低通濾波器陣列，其特征在于所述各第1可變電阻具有第1和第2電極，和包含位于所述第1和第2電極間的區(qū)域且表現(xiàn)出電流電壓非線性特性的第1可變電阻層，所述各第2可變電阻具有第3和第4電極，和包含位于所述第3和第4電極間的區(qū)域且表現(xiàn)出電流電壓非線性特性的第2可變電阻層。
8.如權(quán)利要求7所述的低通濾波器陣列，其特征在于所述第1～第4電極，配置在所述第1面上，所述第1可變電阻層配置成，覆蓋所述第1電極和所述第2電極各自的至少一部分，所述第2可變電阻層配置成，覆蓋所述第3電極和所述第4電極各自的至少一部分，所述第1內(nèi)部電極，物理連接且電連接于所述第2電極和所述第4電極，所述第2內(nèi)部電極，物理連接且電連接于所述第3電極，所述第3內(nèi)部電極，物理連接且電連接于所述第1電極，所述電阻元件，物理連接且電連接于所述第1電極和所述第3電極。
9.如權(quán)利要求8所述的低通濾波器陣列，其特征在于所述各第1可變電阻，還具有夾著所述第1可變電阻層而與所述第1和第2電極相對配置的電極，所述各第2可變電阻，還具有夾著所述第2可變電阻層而與所述第3和第4電極相對配置的電極。
10.如權(quán)利要求8所述的低通濾波器陣列，其特征在于N個所述內(nèi)部電極群，在所述電介體內(nèi)，沿著所述第1內(nèi)部電極與所述第2和第3內(nèi)部電極的相對方向并設(shè)，所述各第1可變電阻的所述第1和第2電極，分別沿著N個所述內(nèi)部電極群的并設(shè)方向并設(shè)，所述各第1可變電阻的所述第1可變電阻層一體化形成，所述各第2可變電阻的所述第3和第4電極，分別沿著N個所述內(nèi)部電極群的并設(shè)方向并設(shè)，所述各第2可變電阻的所述第2可變電阻層一體化形成。
11.如權(quán)利要求5所述的低通濾波器陣列，其特征在于所述各外部電極群的所述第3外部電極一體化形成。
全文摘要
低通濾波器，具備電容器、第1可變電阻和第2可變電阻、電阻元件、和第1～第3外部電極。電容器包括，具有互相相對的第1面和第2面的電介體、和第1～第3內(nèi)部電極。第1可變電阻、第2可變電阻和電阻元件，配置于電介體的第1面。第1～第3外部電極，配置于電介體的第2面。第1內(nèi)部電極，物理連接且電連接于第3外部電極。第2內(nèi)部電極，物理連接且電連接于第2外部電極。第3內(nèi)部電極，物理連接且電連接于第1外部電極。第1可變電阻，并聯(lián)連接于由第1內(nèi)部電極和第3內(nèi)部電極構(gòu)成的電容器。第2可變電阻，并聯(lián)連接于由第1內(nèi)部電極和第2內(nèi)部電極構(gòu)成的電容器。電阻元件，分別電連接于第2內(nèi)部電極和第3內(nèi)部電極。
文檔編號H03H7/06GK101047363SQ20071009132
公開日2007年10月3日 申請日期2007年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月29日
發(fā)明者齋藤洋, 相馬出, 田中均 申請人:Tdk株式會社