專利名稱：控制裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供一種控制裝置，尤指 一種可防止于漏電情形下 開(kāi)啟電子裝置的控制裝置。
背景技術(shù)：
隨著科技的進(jìn)步與工商繁榮的結(jié)果，各種電器化產(chǎn)品不斷 推陳出新，已持續(xù)改善人們的生活，然而，各種電器的使用， 皆需利用電力方能發(fā)揮功能，因此，電力在現(xiàn)代生活中實(shí)在具 有舉足輕重的地位。
在電子裝置并未開(kāi)啟的情形下，電子裝置內(nèi)部的電子元件， 由于其內(nèi)部具有電源供應(yīng)端，即使電子裝置未開(kāi)啟，電子元件
一樣有可能會(huì)自電源供應(yīng)端獲得部分的電源，而造成不必要的 電源損耗，此外，當(dāng)所述電源達(dá)到可以足以開(kāi)啟后端的電子元 件時(shí)，即會(huì)觸發(fā)后端的電子元件，使后端的電子元件在非正常 啟動(dòng)的狀態(tài)下被開(kāi)啟。以下舉一馬達(dá)控制裝置為例，當(dāng)使用者 并未啟動(dòng)馬達(dá)系統(tǒng)內(nèi)部的馬達(dá)進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，馬達(dá)系統(tǒng)中的控制 裝置可能會(huì)因?yàn)槠渥陨韮?nèi)部的漏電狀況，自電源供應(yīng)端汲取電 源，當(dāng)電源的大小達(dá)到足以控制馬達(dá)轉(zhuǎn)動(dòng)的臨界值時(shí)，則會(huì)進(jìn) 一步啟動(dòng)馬達(dá)進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，此種狀況下，不僅會(huì)造成不必要的電 源耗損，更會(huì)給使用者帶來(lái)極大的困擾。
因此，如何減低電子裝置于斷開(kāi)狀態(tài)下的漏電，或者進(jìn)一 步防止電子裝置在發(fā)生漏電的狀態(tài)下，造成漏電(低電壓)觸發(fā) 開(kāi)啟的問(wèn)題，已成為一種重要的課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種控制裝置，其包括一電壓源、 一控制單元 以及一啟動(dòng)單元。控制單元耦接于該電壓源，用以接收一輸入 信號(hào)，產(chǎn)生一輸出信號(hào)。啟動(dòng)單元耦接于該電壓源、該控制單 元以及一接地端，用以根據(jù)一啟動(dòng)信號(hào)，控制控制單元是否產(chǎn) 生該輸出信號(hào)，其中啟動(dòng)單元包括有一第一開(kāi)關(guān)、 一第二電阻、 一第三電阻以及一第三晶體管。第 一開(kāi)關(guān)的 一端耦接于該電壓 源，用以根據(jù)該啟動(dòng)信號(hào)選擇性的導(dǎo)通或斷開(kāi)。第二電阻的一 端耦接于該第 一 開(kāi)關(guān)的另 一 端。第三電阻的 一 端耦接于該第二 電阻的另一端，其另一端則耦接于該接地端。第三晶體管的源 極耦接于該接地端，其柵極耦接于該第二電阻以及該第三電阻 之間。
本發(fā)明所述的控制裝置，該控制單元包括 一第一電阻， 其一端耦接于該電壓源； 一第一晶體管，其漏極耦接于該第一 電阻的另一端，其柵極耦接于該電壓源； 一第二晶體管，其漏 極耦接于該第 一 晶體管的源極，其源極耦接于該第三晶體管的 漏極，其柵極用以接收該輸入信號(hào)；以及一第一輸出端，耦接 于該第 一 電阻以及該第 一 晶體管的漏極之間，用以產(chǎn)生并輸出 該輸出信號(hào)。
本發(fā)明所述的控制裝置，當(dāng)該第一開(kāi)關(guān)受該啟動(dòng)信號(hào)的控 制而導(dǎo)通時(shí)，該控制單元產(chǎn)生該輸出信號(hào)。
本發(fā)明所述的控制裝置，當(dāng)該第 一 開(kāi)關(guān)受該啟動(dòng)信號(hào)的控 制而斷開(kāi)時(shí)，該控制單元停止產(chǎn)生該輸出信號(hào)。
本發(fā)明所述的控制裝置，該第一晶體管、該第二晶體管以 及該第三晶體管為NMOS晶體管。
本發(fā)明所述的控制裝置，該第一開(kāi)關(guān)為一PMOS開(kāi)關(guān)，其 源極耦接于該電壓源，其漏極耦接于該第二電阻，該第一開(kāi)關(guān)根據(jù)其柵極所接收的該啟動(dòng)信號(hào)，選擇性的導(dǎo)通或斷開(kāi)。
本發(fā)明所述的控制裝置，該控制裝置另包括一調(diào)整單元， 耦接于該控制單元，用以調(diào)整該輸出信號(hào)，并進(jìn)一步輸出調(diào)整 后的輸出信號(hào)。
本發(fā)明所述的控制裝置，該調(diào)整單元包括一電容，耦接
于該控制單元以及該接地端之間，用以消除該輸出信號(hào)的噪聲； 以及一反相器，耦接于該電壓源、該控制單元以及該接地端之 間，用以對(duì)該輸出信號(hào)進(jìn)行信號(hào)調(diào)整，并輸出該調(diào)整后的輸出 信號(hào)。
本發(fā)明所述的控制裝置，該反相器包括 一第四晶體管， 其源極耦接于該電壓源，其柵極耦接于該控制單元的該第 一輸 出端，用以接收該輸出信號(hào)； 一第五晶體管，其漏極耦接于該 第四晶體管的漏極，其柵極耦接于該控制單元的該第 一輸出端， 用以接收該輸出信號(hào)，其源極耦接于該接地端；以及一第二輸 出端，耦接于該第四晶體管的漏極以及該第五晶體管的漏極之 間，用以輸出該調(diào)整后的輸出信號(hào)；其中該第四晶體管以及該 第五晶體管分別對(duì)該輸出信號(hào)進(jìn)行信號(hào)波形調(diào)整后，于該第二 輸出端輸出該調(diào)整后的輸出信號(hào)。
本發(fā)明所述的控制裝置，該第四晶體管為P M O S晶體管。 本發(fā)明所述的控制裝置，該第五晶體管為NMOS晶體管。 本發(fā)明所述的控制裝置，可以有效的防止電子設(shè)備于漏電 的情況下，發(fā)生誤開(kāi)啟電子設(shè)備的問(wèn)題。


圖l為本發(fā)明的控制裝置的示意圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖1,圖l為本發(fā)明的控制裝置的示意圖。如圖l所示，
本發(fā)明的控制裝置10包括有一電壓源Vcc、 一控制單元12以及 一啟動(dòng)單元14。控制單元12耦接于電壓源Vcc,用以接收一輸
入信號(hào)Sw,產(chǎn)生一輸出信號(hào)Soun。啟動(dòng)單元14耦接于電壓源
Vcc、控制羊元12以及一接地端Vgnd,用以才艮據(jù)一啟動(dòng)信號(hào)SEN， 控制控制單元12是否輸出該輸出信號(hào)S 0ut1 。
其中控制單元12包括一第一電阻Ri、 一第一晶體管Tp — 第二晶體管丁2以及一第一輸出端16。第一電阻R!的一端耦接于 電壓源Vcc。第一晶體管Ti的漏極耦接于第一電阻Ri的另 一端， 第 一 晶體管L的柵極耦接于電壓源Vcc。第二晶體管丁2的漏極耦 接于第一晶體管L的源極，第二晶體管T2的柵極則用以接收該 輸入信號(hào)SIN。第 一輸出端16耦接于第 一 電阻&以及第 一 晶體管
T!的漏極之間，用以產(chǎn)生并輸出該輸出信號(hào)Soun。
其中啟動(dòng)單元14包括一第一開(kāi)關(guān)SW!、 一第二電阻R2、 一 第三電阻R3以及一第三晶體管T3。第一開(kāi)關(guān)SWi的一端耦接于
電壓源Vcc,根據(jù)啟動(dòng)信號(hào)SEN的控制，第一開(kāi)關(guān)SWi可以選擇
性的導(dǎo)通(ON)或斷開(kāi)(OFF)。第二電阻R2的一端耦接于第 一開(kāi) 關(guān)SWi的另 一端。第三電阻R3的一端耦接于第二電阻R2的另一
端，第三電阻R3的另一端則耦接于接地端V(jND。第三晶體管T3
的漏極耦接于第二晶體管丁2的源極，第三晶體管T3的源極耦接
于接地端Vgnd,第三晶體管T3的柵極則耦接于第二電阻R2以及 第三電阻R3之間。
當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)SWi受啟動(dòng)信號(hào)SEN的控制而導(dǎo)通時(shí)，啟動(dòng)單元
H可啟動(dòng)該控制單元12開(kāi)始產(chǎn)生該輸出信號(hào)SouTi。而當(dāng)?shù)谝婚_(kāi) 關(guān)SWi受啟動(dòng)信號(hào)SEN的控制而斷開(kāi)時(shí)，啟動(dòng)單元14可啟動(dòng)該控 制單元12停止產(chǎn)生該輸出信號(hào)Scum。如此一來(lái)，當(dāng)使用者欲斷開(kāi)電子裝置時(shí)，僅需利用啟動(dòng)信號(hào)SEN控制第一開(kāi)關(guān)SA^斷開(kāi)， 即可確保控制單元1 2不會(huì)產(chǎn)生輸出信號(hào)S o u t i ,因此后端的電子 裝置即不會(huì)在此種狀態(tài)下被開(kāi)啟。
于一實(shí)施例中，第一晶體管Tp第二晶體管丁2以及第三晶
體管T3為NMOS晶體管。而第一開(kāi)關(guān)SW!為一PMOS開(kāi)關(guān)，其源 極耦接于電壓源Vcc,其漏極耦接于第二電阻R2，第一開(kāi)關(guān)SW
根據(jù)其柵極所接收的啟動(dòng)信號(hào)S EN,選擇性的導(dǎo)通(O N)或斷開(kāi) (OFF)。
此外，控制裝置10另包括一調(diào)整單元18,耦接于控制單元 12,用以調(diào)整該輸出信號(hào)Scnm,并進(jìn)一 步將調(diào)整后的輸出信號(hào) S。uTi加以輸出。調(diào)整單元18包括有一電容d以及一反相器20。 電容d耦接于控制單元12的第 一輸出端16以及接地端Vgnd之 間，用以消除第一輸出端16所輸出的輸出信號(hào)SouTt的噪聲。反 相器20耦接于電壓源Vcc、控制單元12的第 一輸出端16以及接 地端Vgnd,用以對(duì)第一輸出端16所輸出的輸出信號(hào)SouTi進(jìn)行信
號(hào)調(diào)整，并進(jìn)一步輸出調(diào)整后的輸出信號(hào)SouT2。
于一實(shí)施例中，反相器20包括有一第四晶體管T4、 一第五 晶體管Ts以及一 第二輸出端22。第四晶體管丁4的源極耦接于電 壓源Vcc,其柵極耦接于控制單元12的第一輸出端16，第四晶 體管T4用以接收輸出信號(hào)Scnm。第五晶體管丁5的漏極耦接于第 四晶體管丁4的漏極，第五晶體管丁5的柵極耦接于控制單元12的
第一輸出端16,第五晶體管Ts的源極耦接于接地端vgnd。第二
輸出端22耦接于第四晶體管T4的漏極以及第五晶體管Ts的漏極
之間，用以輸出調(diào)整后的該輸出信號(hào)SouT2。其中，第四晶體管
丁4以及第五晶體管Ts分別對(duì)輸出信號(hào)Scnm進(jìn)行信號(hào)波形調(diào)整
后，于第二輸出端22輸出調(diào)整后的輸出信號(hào)SouT2。
于一實(shí)施例中，第四晶體管T4為PMOS晶體管。而第五晶體管Ts為NMOS晶體管。
本發(fā)明的控制裝置可應(yīng)用于馬達(dá)系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)裝置的后端放 大電路中，于原先的驅(qū)動(dòng)電路中加入啟動(dòng)單元，并利用控制信
號(hào)控制PMOS開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通或斷路，借此可在馬達(dá)不需動(dòng)作時(shí)， 利用控制信號(hào)將PMOS開(kāi)關(guān)進(jìn)行斷路，以確保驅(qū)動(dòng)電路不會(huì)發(fā) 生因漏電情形而開(kāi)啟，進(jìn)一步導(dǎo)致馬達(dá)進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，而造成整個(gè) 馬達(dá)系統(tǒng)誤觸發(fā)的問(wèn)題。因此，本發(fā)明的控制裝置可以有效的 防止電子設(shè)備于漏電的情況下，發(fā)生誤開(kāi)啟電子設(shè)備的問(wèn)題。
以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā) 明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神 和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明 的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。
附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說(shuō)明如下
10:控制裝置
12:控制單元
14:啟動(dòng)單元
16:第一輸出端
18:調(diào)整單元
20:反相器
22:第二輸出端
SW"第一開(kāi)關(guān)
Vcc:電壓源
Vgnd:接地端 SIN: 輸入信號(hào) SEN:啟動(dòng)信號(hào)
Souti、 S0UT2:輸出信號(hào) R!、 R2、 R3:電阻
T2、 T3、 T4、 T5:晶體管 CI:電容
權(quán)利要求
1.一種控制裝置，其特征在于，該控制裝置包括一電壓源；一控制單元，耦接于該電壓源，用以接收一輸入信號(hào)，產(chǎn)生一輸出信號(hào)；以及一啟動(dòng)單元，耦接于該電壓源、該控制單元以及一接地端，用以根據(jù)一啟動(dòng)信號(hào)，控制該控制單元是否產(chǎn)生該輸出信號(hào)，其中該啟動(dòng)單元包括一第一開(kāi)關(guān)，其一端耦接于該電壓源，用以根據(jù)該啟動(dòng)信號(hào)選擇性的導(dǎo)通或斷開(kāi)；一第二電阻，其一端耦接于該第一開(kāi)關(guān)的另一端；一第三電阻，其一端耦接于該第二電阻的另一端，其另一端則耦接于該接地端；以及一第三晶體管，其源極耦接于該接地端，其柵極耦接于該第二電阻以及該第三電阻之間。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的控制裝置，其特征在于，該控制 單元包括一第一電阻，其一端耦接于該電壓源； 一第一晶體管，其漏極耦接于該第一電阻的另一端，其柵極耦4妄于該電壓源；一第二晶體管，其漏極耦接于該第一晶體管的源極，其源極耦接于該第三晶體管的漏極，其柵極用以接收該輸入信號(hào)；以及一第一輸出端，耦接于該第一電阻以及該第一晶體管 的漏極之間，用以產(chǎn)生并輸出該輸出信號(hào)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的控制裝置，其特征在于，當(dāng)該第 一開(kāi)關(guān)受該啟動(dòng)信號(hào)的控制而導(dǎo)通時(shí)，該控制單元產(chǎn)生該輸出 信號(hào)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的控制裝置，其特征在于，當(dāng)該第 一開(kāi)關(guān)受該啟動(dòng)信號(hào)的控制而斷開(kāi)時(shí)，該控制單元停止產(chǎn)生該 輸出信號(hào)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的控制裝置，其特征在于，該第一 晶體管、該第二晶體管以及該第三晶體管為NMOS晶體管。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的控制裝置，其特征在于，該第一 開(kāi)關(guān)為一PMOS開(kāi)關(guān)，其源極耦接于該電壓源，其漏極耦接于 該第二電阻，該第一開(kāi)關(guān)根據(jù)其柵極所接收的該啟動(dòng)信號(hào)，選 擇性的導(dǎo)通或斷開(kāi)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的控制裝置，其特征在于，該控制 裝置另包括一調(diào)整單元，耦接于該控制單元，用以調(diào)整該輸出 信號(hào)，并進(jìn)一步輸出調(diào)整后的輸出信號(hào)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的控制裝置，其特征在于，該調(diào)整 單元包括一電容，耦接于該控制單元以及該接地端之間，用以 消除該輸出信號(hào)的噪聲；以及一反相器，耦接于該電壓源、該控制單元以及該接地 端之間，用以對(duì)該輸出信號(hào)進(jìn)行信號(hào)調(diào)整，并輸出該調(diào)整后的 輸出信號(hào)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的控制裝置，其特征在于，該反相 器包括一第四晶體管，其源極耦接于該電壓源，其柵極耦接 于該控制單元的該第一輸出端，用以接收該輸出信號(hào)；一第五晶體管，其漏極耦接于該第四晶體管的漏極， 其柵極耦接于該控制單元的該第一輸出端，用以接收該輸出信 號(hào)，其源極耦接于該接地端；以及一第二輸出端，耦接于該第四晶體管的漏極以及該第五晶體管的漏極之間，用以輸出該調(diào)整后的輸出信號(hào)；其中該第四晶體管以及該第五晶體管分別對(duì)該輸出信號(hào)進(jìn) 行信號(hào)波形調(diào)整后，于該第二輸出端輸出該調(diào)整后的輸出信號(hào)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的控制裝置，其特征在于，該第四 晶體管為PMOS晶體管。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的控制裝置，其特征在于，該第五 晶體管為NMOS晶體管。
全文摘要
一種控制裝置，其包含一電壓源、一控制單元以及一啟動(dòng)單元?？刂茊卧罱佑陔妷涸矗靡越邮找惠斎胄盘?hào)，產(chǎn)生一輸出信號(hào)。啟動(dòng)單元耦接于電壓源、控制單元以及一接地端，用以根據(jù)一啟動(dòng)信號(hào)，控制控制單元是否產(chǎn)生輸出信號(hào)。啟動(dòng)單元包含一第一開(kāi)關(guān)、一第二電阻、一第三電阻以及一第三晶體管。第一開(kāi)關(guān)用以根據(jù)啟動(dòng)信號(hào)選擇性的導(dǎo)通或斷開(kāi)。第二電阻的一端耦接于第一開(kāi)關(guān)。第三電阻的一端耦接于第二電阻的另一端，其另一端則耦接于接地端。第三晶體管的源極耦接于接地端，其柵極耦接于第二電阻以及第三電阻之間。本發(fā)明所述的控制裝置，可以有效的防止電子設(shè)備于漏電的情況下，發(fā)生誤開(kāi)啟電子設(shè)備的問(wèn)題。
文檔編號(hào)H03K17/56GK101309076SQ20071010780
公開(kāi)日2008年11月19日 申請(qǐng)日期2007年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月15日
發(fā)明者高鵬豐 申請(qǐng)人:普誠(chéng)科技股份有限公司