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電流模式邏輯-互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器的制作方法

文檔序號(hào):7513305閱讀:261來源:國知局
專利名稱:電流模式邏輯-互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器的制作方法
電流模式邏輯-互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本發(fā)明要求于2007年9月4日提交的韓國專利申請(qǐng) No.10-2007-0089532的優(yōu)先權(quán),該申請(qǐng)通過引用全部結(jié)合于此。
背景技術(shù)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件,更特別地,涉及用于將電流模式邏輯(CML) 電平信號(hào)轉(zhuǎn)換成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)電平信號(hào)的CML-CMOS 轉(zhuǎn)換器。更具體地,本發(fā)明涉及能夠在轉(zhuǎn)換過程中防止占空比變化的 CML-CMOS轉(zhuǎn)換器。
在半導(dǎo)體器件中,CML電平信號(hào)通常用作高速信號(hào)如時(shí)鐘信號(hào)的輸 7W輸出(1/0)接口信號(hào)。CML電平是指由預(yù)定直流(DC)電平或指定 參考確定的平均電平。CML電平信號(hào)是在稱為CML電平的預(yù)定DC電 平周圍以預(yù)定振幅或預(yù)定擺動(dòng)范圍切換的信號(hào)。
例如,在用于輸A/輸出CML電平信號(hào)的裝置中,當(dāng)電源電壓(VDD) 電平為1.5V且地電壓(VSS)電平為0V時(shí),CML電平信號(hào)的CML電 平為1.25V且其擺動(dòng)范圍為0.5V。
由于在用于輸>^/輸出CML電平信號(hào)的裝置中CML電平信號(hào)的擺動(dòng) 范圍與電源電壓(VDD)電平和地電壓(VSS)電平之間的差相比相對(duì)較 小,所以,用于輸V輸出CML電平信號(hào)的裝置能夠以相對(duì)較4氐的電源工 作,并且能夠以GHz或幾十GHz的極高切換速度工作。
由于用于輸V輸出CML電平信號(hào)的裝置同時(shí)傳遞具有不同相位的 兩個(gè)信號(hào),所以,其對(duì)在信號(hào)傳遞時(shí)產(chǎn)生的噪聲不敏感.但是,由于相對(duì) 較小的擺動(dòng)范圍,CML電平信號(hào)不能用于根據(jù)電壓電平來確定數(shù)據(jù)的邏 輯電平的裝置。也就是說,CML電平信號(hào)能用于時(shí)鐘信號(hào),但是不能用 于其它數(shù)據(jù)信號(hào)。
因此,具有相對(duì)較大擺動(dòng)范圍的CMOS電平信號(hào)被用于用來輸入/ 輸出數(shù)據(jù)信號(hào)的裝置。類似于CML電平,CMOS電平是指由預(yù)定DC電
平或特定參考確定的平均電平。CMOS電平信號(hào)是在稱為CMOS電平的 預(yù)定DC電平周圍以預(yù)定振幅或預(yù)定擺動(dòng)范圍切換的信號(hào),
CMOS電平信號(hào)在基于參考電平的振幅或擺動(dòng)范圍方面與CML電 平信號(hào)不同。
在以上示例中,當(dāng)CML電平信號(hào)的擺動(dòng)范圍大約為0.5V時(shí),CMOS 電平信號(hào)主要為全擺動(dòng)信號(hào),其在輸入到裝置的電源電壓(VDD)與地 電壓VSS之間擺動(dòng),且因此與CML電平信號(hào)相比具有相對(duì)較大的擺動(dòng) 范圍。
例如,在上述裝置中,當(dāng)電源電壓VDD電平為1.5V且地電壓VSS 電平為0V時(shí),CMOS電平信號(hào)具有在0.75V的CMOS電平周圍的1.5V 的擺動(dòng)范圍。
當(dāng)然,CMOS電平信號(hào)不一定是全擺動(dòng)信號(hào)。但是,由于CMOS電 平主要用于輸V輸出數(shù)據(jù)信號(hào),所以,其具有在電壓電平發(fā)生變化的情 況下足夠確切地確定邏輯電平的振幅或擺動(dòng)范圍。
同時(shí),當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)從半導(dǎo)體器件,尤其是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器 (SDRAM)輸出時(shí),該數(shù)據(jù)信號(hào)通常與時(shí)鐘同步。類似地,當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào) 被輸入SDRAM時(shí),該數(shù)據(jù)信號(hào)應(yīng)該與時(shí)鐘同步。也就是說,如上所述, 在CMOS電平周圍擺動(dòng)的數(shù)據(jù)信號(hào)應(yīng)與在CML電平周圍擺動(dòng)的時(shí)鐘信 號(hào)同步,以便執(zhí)行輸入或輸出操作。
因此,SDRAM的輸AJ輸出緩沖器包括用于將CML電平信號(hào)轉(zhuǎn)換成 CMOS電平信號(hào)的CML-CMOS轉(zhuǎn)換器。
圖1是用于將CML電平信號(hào)轉(zhuǎn)換成CMOS電平信號(hào)的常規(guī) CML-CMOS轉(zhuǎn)換器的電路圖。參考圖1,常規(guī)CML-CMOS轉(zhuǎn)換器100 具有通常的OP放大器的結(jié)構(gòu)。
具體而言,CML-CMOS轉(zhuǎn)換器100包括第一 NMOS晶體管Nl、第 二 NMOS晶體管N2、第三NMOS晶體管N3以及第一 PMOS晶體管PI 和第二 PMOS晶體管P2。第一 NMOS晶體管Nl具有接收CML電平信 號(hào)CML一S的柵極、連接到驅(qū)動(dòng)節(jié)點(diǎn)DN的漏極和連接到公共節(jié)點(diǎn)COMN 的源極。、一 NMOS晶體管Nl響應(yīng)于CML電平信號(hào)CML一S控制在驅(qū) 動(dòng)節(jié)點(diǎn)DN與公共節(jié)點(diǎn)COMN之間流過的電流的量。第二 NMOS晶體管 N2具有接收CML電平反相信號(hào)CML一SB的柵極、連接到輸出節(jié)點(diǎn) OUT_ND的漏極和連接到公共節(jié)點(diǎn)COMN的源極。第二 NMOS晶體管 N2響應(yīng)于CML電平反相信號(hào)CML—SB控制在輸出節(jié)點(diǎn)OUT一ND與公 共節(jié)點(diǎn)C'OMN之間流過的電流的量。第三NMOS晶體管N3具^"接收偏 壓BIAS的柵極、連接到公共節(jié)點(diǎn)COMN的漏極和連接到地電壓(VSS ) 端子的源極。第三NMOS晶體管N3響應(yīng)于偏壓BIAS控制y〉共節(jié)點(diǎn) COMN與地電壓VSS端子之間的連接,以將吸收電流(sink current)提 供給公共節(jié)點(diǎn)COMN。第一 PMOS晶體管PI和第二 PMOS晶體管P2 以電流鏡結(jié)構(gòu)連接在驅(qū)動(dòng)節(jié)點(diǎn)DN與輸出節(jié)點(diǎn)OUT一ND之間,以將源電 流提供給驅(qū)動(dòng)節(jié)點(diǎn)DN和輸出節(jié)點(diǎn)OUT一ND,且同時(shí)進(jìn)行控制,使得相 同量的電5/L^其中流過。
現(xiàn)在,將描述用于將CML電平信號(hào)轉(zhuǎn)換成CMOS電平信號(hào)的常規(guī) CML-CMOS轉(zhuǎn)換器100的操作。
第一 NMOS晶體管Nl和第二 NMOS晶體管N2分別響應(yīng)于CML 電平信號(hào)CML一S的電平和CML電平反相信號(hào)CML_SB的電平來控制 在驅(qū)動(dòng)節(jié)點(diǎn)DN與公共節(jié)點(diǎn)COMN之間流過的電流的量以及在輸出節(jié)點(diǎn) OUT—ND與ziS共節(jié)點(diǎn)COMN之間流過的電流的量。CML電平信號(hào) CML一S的電平始終具有與CML電平反相信號(hào)CML一SB的電平相反的相 位。因此,當(dāng)CML電平信號(hào)CML一S的電平增加時(shí),CML電平及j目信 號(hào)CMI^SB減小。因此,第一NMOS晶體管Nl的驅(qū)動(dòng)力增加,從而增 加在驅(qū)^節(jié)點(diǎn)DN與7〉共節(jié)點(diǎn)COMN之間流過的電流的量,而第二 NMOS晶體管的驅(qū)動(dòng)力減小,從而減小在輸出節(jié)點(diǎn)OUT一ND與公共節(jié)點(diǎn) COMN之間流過的電流的量。也就是說,驅(qū)動(dòng)節(jié)點(diǎn)DN的電壓電平減小, 而輸出節(jié)點(diǎn)OUT—ND的電壓電平增加。
另一方面,當(dāng)CML電平信號(hào)CML一S的電平減小時(shí),CML電平反 相信號(hào)CML一SB的電平增加。因此,在驅(qū)動(dòng)節(jié)點(diǎn)DN與公共節(jié)點(diǎn)COMN 之間流過的^流的量減小,而在輸出節(jié)點(diǎn)OUT一ND與公共節(jié)點(diǎn)COMN 之間流過的電流的量增加。也就il說,驅(qū)動(dòng)節(jié)點(diǎn)DN的電壓電平增加,而 輸出節(jié)點(diǎn)OUT一ND的電壓電平減小。
CML-CMOS轉(zhuǎn)換器100將CML電平信號(hào)CML—S放大多達(dá)由其內(nèi) 部晶體管(第一到第三NMOS晶體管Nl、 N2和N3以及第一 PMOS晶 體管PI和第二 PMOS晶體管P2 )的大小所確定的放大率,以輸出放大 信號(hào)作為CMOS電平信號(hào)CMOS_S。
但是,因?yàn)镃ML-CMOS轉(zhuǎn)換器100被提供電源電壓VDD和地電壓 VSS,所以通過輸出節(jié)點(diǎn)OUT ND輸出的CMOS電平信號(hào)CMOS_S的
電平不能偏離電源電壓VDD與地電壓VSS之間的電平。同時(shí),由于用于 將吸收電流提供給公共節(jié)點(diǎn)COMN的第三NMOS晶體管N3的閾值電壓 VTH,通過輸出節(jié)點(diǎn)OUT_ND輸出的CMOS電平信號(hào)CMOS—S的電平 不能減小到低于地電壓VSS電平加上第三NMOS晶體管N3的閾值電壓 VTH電平。
也就是說,通過CML-CMOS轉(zhuǎn)換器100的輸出節(jié)點(diǎn)OUT—ND輸出 的CMOS電平信號(hào)CMOS一S具有如圖2所示的波形。
圖2是根據(jù)圖1的常規(guī)CML-CMOS轉(zhuǎn)換器的操作的信號(hào)的時(shí)序圖。
參考圖2,在根據(jù)常規(guī)CML-CMOS轉(zhuǎn)換器100的操作的信號(hào)的波形 中,CMOS電平信號(hào)CMOS_S未設(shè)置在電源電壓VDD與地電壓VSS之 間的中心,而是向電源電壓VDD傾斜。
具體而言,當(dāng)電源電壓VDD電平為1.5V且地電壓VSS電平為0V 時(shí),CML電平信號(hào)CML_S在1.25V的CML電平周圍以0.5V的擺動(dòng)范 圍(即,在1.5V與IV之間)擺動(dòng)。
當(dāng)適當(dāng)調(diào)整通it^t大CML電平信號(hào)CML—S產(chǎn)生的CMOS電平信 號(hào)CMOS_S的放大率時(shí),最大電平達(dá)到電源電壓VDD 1.5V。但是,最 小電平不fi達(dá)到地電壓VSS 0V,而是保持在(UV,這是第三NMOS晶 體管N3的閾值電壓電平VTH。也就是說,CMOS電平信號(hào)CMOS—S在 1.5V與0.3V之間擺動(dòng)。
因此,從常規(guī)CML-CMOS轉(zhuǎn)換器100輸出的CMOS電平信號(hào) CMOS_S的CMOS電平為0.9V,這高于0.75V (即VDD/2 )。
但是,從常規(guī)CML-CMOS轉(zhuǎn)換器100輸出的CMOS電平信號(hào) CMOS—S不用作模擬信號(hào),而是轉(zhuǎn)換成被確定為邏輯"高"或邏輯"低" 的數(shù)字i號(hào)。也就是說,從CML-CMOS轉(zhuǎn)換器100輸出的CMOS電平 信號(hào)CMOS一S被輸入到把電源電壓VDD和地電壓VSS用作電源的反相 器,且使用i相器的輸出。
反相器通常用于半導(dǎo)體器件中,且包括一個(gè)NMOS晶體管和一個(gè) PMOS晶體管。反相器的邏輯確定電平為0.75V,即1.5V的電源電壓VDD 與0V地電壓VSS之間的差的一半。邏輯確定電平是用于確定輸入信號(hào)的 哪一個(gè)邏輯電平具有邏輯"高"或邏輯"低"的參考電平。例如,當(dāng)輸入 低于邏輯確定電平的電壓電平的信號(hào)時(shí),輸出邏輯"低"電平(等于VSS) 的信號(hào),而當(dāng)輸入高于邏輯確定電平的電壓電平的信號(hào)時(shí),輸出邏輯"高"
電平(等于VDD)的信號(hào)。
當(dāng)在0.9V周圍擺動(dòng)的CMOS電平信號(hào)CMOS—S (其為常規(guī) CML一CMOS轉(zhuǎn)換器100的輸出信號(hào))被輸入到上述反相^時(shí),其占空比
與輸入在0.75V周圍全擺動(dòng)的cmos電平信號(hào)cmos一s的情;;U目比發(fā)生變化。
也就是說,根據(jù)常規(guī)CML-CMOS轉(zhuǎn)換器100,在用于將CML電平 信號(hào)CML_S轉(zhuǎn)換成CMOS電平信號(hào)CMOS_S的^Mt期間,CMOS電 平不能對(duì)i于電源電壓VDD電平與地電壓VSS電平之間的差的一半,從 而導(dǎo)致CML電平信號(hào)CML—S的占空比變化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例涉及提供一種在用于將CML電平信號(hào)轉(zhuǎn)換成 CMOS電平信號(hào)的操作期間防止占空比改變以穩(wěn)定地操作的 CML_CMOS轉(zhuǎn)換器。
根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供一種電流模式邏輯(CML)-互補(bǔ)金屬氧 化物半導(dǎo)體(CMOS)轉(zhuǎn)換器,其包括參考電平偏移單元,被配置成接 收在第一參考電平周圍擺動(dòng)的CML信號(hào)以i更將擺動(dòng)參考電平偏移到第二 參考電平;以及放大單元,被配置成放大參考電平偏移單元的輸出信號(hào)以 便將放大信號(hào)作為CMOS信號(hào)輸出。
才艮據(jù)本發(fā)明的一方面,提供一種電流模式邏輯(CML)-互補(bǔ)金屬氧 化物半導(dǎo)體(CMOS)轉(zhuǎn)換器,其包括第一參考電平偏移單元,被配置 成接收在第 一參考電平周圍擺動(dòng)的正CML信號(hào)以便將擺動(dòng)參考電平偏移 到第二參考電平;第二參考電平偏移單元,被配置成接收在第一參考電平 周圍擺動(dòng)的負(fù)CML信號(hào)以便將擺動(dòng)參考電平偏移到第二參考電平;第一 CMOS反相單元,被配置成將第一參考電平偏移單元的輸出信號(hào)的擺動(dòng) 范圍放大到CMOS電平;第二CMOS反相單元,被配置成將第二參考電 平偏移單元的輸出信號(hào)的擺動(dòng)范圍放大到CMOS電平,以l更將放大的第 二參考電平偏移單元輸出信號(hào)作為CMOS信號(hào)輸出;第一偏置單元,被 配置成響應(yīng)于第一 CMOS反相單元的輸出信號(hào),將源電流提供給第一 CMOS反相單元和第二 CMOS反相單元;以及第二偏置單元,被配置成 響應(yīng)于第一 CMOS v^相單元的輸出信號(hào),將吸收電流4l/映給第一 CMOS 反相單元和第二 CMOS反相單元。


圖1是用于將CML電平信號(hào)轉(zhuǎn)換成CMOS電平信號(hào)的常規(guī) CML-CMOS轉(zhuǎn)換器的電路圖。
圖2是根據(jù)圖1的常規(guī)CML-CMOS轉(zhuǎn)換器的操作的信號(hào)的時(shí)序圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于將CML電平信號(hào)轉(zhuǎn)換成CMOS電 平信號(hào)的CML-CMOS轉(zhuǎn)換器的電路圖。
圖4是依照根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3的CML-CMOS轉(zhuǎn)換器的操作 的信號(hào)的時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中,將參考附圖具^S述根據(jù)本發(fā)明的CML-CMOS轉(zhuǎn)換器。 在附圖中,同樣的參考數(shù)字或參考符號(hào)表示同樣的元件。
圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于將CML電平信號(hào)轉(zhuǎn)換成CMOS電 平信號(hào)的CML-CMOS轉(zhuǎn)換器的電路圖。
參考圖3, CML-CMOS轉(zhuǎn)換器300包括第一參考電平偏移單元320、 第二參考電平偏移單元330、第一 CMOS反相單元360、第二CMOS反 相單元370、第一偏置單元380和第二偏置單元3卯。笫一參考電平偏移 單元320接收在第一參考電平周圍擺動(dòng)的正CML信號(hào)CML_S以便將擺 動(dòng)參考電平偏移到第二參考電平。第二參考電平偏移單元330接收在第一 參考電平周圍擺動(dòng)的負(fù)CML信號(hào)CML_SB以便將擺動(dòng)參考電平偏移到 第二參考電平。第一 CMOS ^^相單元360將第一參考電平偏移單元320 的輸出信號(hào)SH一CML的擺動(dòng)范圍放大到CMOS電平。第二 CMOS反相 單元370將第二參考電平偏移單元330的輸出信號(hào)SH_CMLB的擺動(dòng)范 圍放大到CMOS電平,以便將輸出信號(hào)SH—CMLB輸出為CMOS信號(hào) CMOS一S。第一偏置單元380響應(yīng)于第一 CMOS反相單元360的輸出信 號(hào),將源電流提供給第一 CMOS反相單元360和第二 CMOS反相單元 370。第二偏置單元390響應(yīng)于第一 CMOS ^J+目單元360的輸出信號(hào),將 吸收電流提供給第一 CMOS反相單元360和第二 CMOS反相單元370。
CML-CMOS轉(zhuǎn)換器300進(jìn)一步包括第一操作控制單元340和第二操 作控制單元350。第一操作控制單元340響應(yīng)于偏壓BIAS控制第一參考
電平偏移單元320的接通/關(guān)斷操作.第二^Mt控制單元350響應(yīng)于偏壓 BIAS控制第二參考電平偏移單元330的接通/關(guān)斷INt。
第一參考電平偏移單元320包括第一 NMOS晶體管Nl,該第一 NMOS晶體管Nl具有接收正CML信號(hào)CML_S的柵極、連接到電源電 壓VDD端子的漏極和連接到第一輸出節(jié)點(diǎn)OUN1的源極。第一 NMOS 晶體管Nl響應(yīng)于正CML信號(hào)CML一S控制在電源電壓VDD端子與第一 輸出節(jié)點(diǎn)OUN1之間流過的電流的i「。
第二參考電平偏移單元330包括第二 NMOS晶體管N3,該第二 NMOS晶體管N3具有接收負(fù)CML信號(hào)CML一SB的柵極、連接到電源 電壓VDD端子的漏極和連接到第二輸出節(jié)點(diǎn)OUN2的源極。第二NMOS 晶體管N3響應(yīng)于負(fù)CML信號(hào)CML一SB控制在電源電壓VDD端子與第 二輸出節(jié)點(diǎn)OUN2之間流過的電流的量。
第一 CMOS反相單元360包括第一 PMOS晶體管Pl和第三NMOS 晶體管N5。第一 PMOS晶體管PI具有接收第一參考電平偏移單元320 的輸出信號(hào)SH一CML的柵極、連接到源節(jié)點(diǎn)SOURCE一ND的源極以及 連接到偏置控制節(jié)點(diǎn)BIAS_ND的漏極。第一 PMOS晶A管PI響應(yīng)于第 一參考電平偏移單元320的輸出信號(hào)SH一CML控制在源節(jié)點(diǎn) SOURCE_ND與偏置控制節(jié)點(diǎn)BIAS一ND之間流過的電流的量。第三 NMOS晶體管N5具有接收第一參每電平偏移單元320的輸出信號(hào) SH一CML的柵極、連接到偏置控制節(jié)點(diǎn)BIAS一ND的漏極以及連接到吸 收侖點(diǎn)SINK_ND的源極。第三NMOS晶體管N5響應(yīng)于第一參考電平偏 移單元320的輸出信號(hào)SH_CML控制在偏置控制節(jié)點(diǎn)BIAS一ND與吸收 節(jié)點(diǎn)SINK_ND之間流過的電流的量。
第二 CMOS反相單元370包括第二 PMOS晶體管P2和第四NMOS 晶體管N6。第二 PMOS晶體管P2具有接收第二參考電平偏移單元330 的輸出信號(hào)SH_CMLB的柵極、連接到源節(jié)點(diǎn)SOURCE_ND的源極以及 連接到輸出節(jié)點(diǎn)OUT_ND的漏極。第二 PMOS晶體管P2響應(yīng)于第二參 考電平偏移單元330的輸出信號(hào)SH—CMLB控制在源節(jié)點(diǎn)SOURCE一ND 與輸出節(jié)點(diǎn)OUT—ND之間流過的電流的量。第四NMOS晶體管N6具有 接收第二參考電不偏移單元330的輸出信號(hào)SH_CMLB的柵極、連接到 輸出節(jié)點(diǎn)OUT_ND的漏極以及連接到吸收節(jié)點(diǎn)SINK一ND的源極。第四 NMOS晶體f N6響應(yīng)于第二參考電平偏移單元330的輸出信號(hào) SH一CMLB控制在輸出節(jié)點(diǎn)OUT一ND與吸收節(jié)點(diǎn)SINK一ND之間流過的 電流的量。
第一偏置單元380包括第三PMOS晶體管P3,該笫三PMOS晶體 管P3具有接收偏置控制節(jié)點(diǎn)BIAS—ND的電壓的柵極、連接到電源電壓 VDD端子的源極以及連接到源節(jié)點(diǎn)SOURCE一ND的漏極。第三PMOS 晶體管P3響應(yīng)于偏置控制節(jié)點(diǎn)BIAS一ND的電壓,控制在電源電壓VDD 端子與源節(jié)點(diǎn)SOURCE_ND之間流i£的電流的量。
第二偏置單元390包括第五NMOS晶體管N7,該笫五NMOS晶體 管N7具有接收偏置控制節(jié)點(diǎn)BIAS一ND的電壓的柵極、連接到吸收節(jié)點(diǎn) SINK一ND的漏極以及連接到地電壓VSS端子的源極。第五NMOS晶體 管N7響應(yīng)于偏置控制節(jié)點(diǎn)BIAS一ND的電壓,控制在吸收節(jié)點(diǎn)SINK—ND 與地電壓VSS端子之間流過的電流的量。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的CML-CMOS轉(zhuǎn)換器300的結(jié)構(gòu)可以分類如下。
CML-CMOS轉(zhuǎn)換器300包括參考電平偏移單元(320和330 ),用 于響應(yīng)于在第一參考電平周圍擺動(dòng)的CML信號(hào)CML一S和CML—SB,將 擺動(dòng)參考電平偏移到第二參考電平;以及放大單元(360、370、380和390 ), 用于放大參考電平偏移單元320和330的輸出信號(hào)SH_CML和 SH—CMLB的擺動(dòng)范圍,以4更將這些信號(hào)輸出為CMOS信號(hào)CMOS—S。
CML-CMOS轉(zhuǎn)換器300進(jìn)一步包括用于響應(yīng)于偏壓BIAS控制參考
下面,將描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的CML-CMOS轉(zhuǎn)換器300的操作。
在電源電壓VDD被提供給半導(dǎo)體器件且保持大于預(yù)定電平時(shí),偏壓 BIAS始終保持在邏輯"高"。因此,可假定第一參考電平偏移單元320 和第二參考電平偏移單元330始終操作。
第一參考電平偏移單元320包括第一 NMOS晶體管Nl,第一 NMOS 晶體管Nl具有接收正CML信號(hào)CML_S的柵極和接收電源電壓VDD的 漏極。施加到與第一NMOS晶體管Nl的源極連接的第一輸出節(jié)點(diǎn)OUN1 的電壓電平如以下等式1所示。
等式l
從濃加到第一 NMOS晶體管Nl的柵極的正CML信號(hào)CML_S的電 壓電平減去第一NMOS晶體管Nl的閾值電壓Vi電平而得到的電壓電平 為施加到與第一 NMOS晶體管Nl的源極連接的第一輸出節(jié)點(diǎn)OUN1的
電壓電平。
例如,當(dāng)?shù)谝籒MOS晶體管Nl的閾值電壓Vi電平為0.5V時(shí),正 CML—S的電壓電平在L5V的電源電壓VDD與1V之間擺動(dòng)。因此,施 加到;第一 NMOS晶體管Nl的源^U目連的第一輸出節(jié)點(diǎn)OUN1的電壓 電平在IV與0.5V之間擺動(dòng)。
因此,當(dāng)施加到第一 NMOS晶體管Nl的柵極的正CML信號(hào)CML_S 的電壓電平在L25V的CML電平周圍的1.5V與1V之間擺動(dòng)時(shí),施加到 與第一晶體管Nl的源^目連的第一輸出節(jié)點(diǎn)OUN1的電壓電平在0.75V 周圍的1V與0.5V之間擺動(dòng),0.75V為電源電壓VDD電平與地電壓VSS 電平之間的差的一半。
也就是說,當(dāng)具有在1.25V的CML電平周圍的0.5V的擺動(dòng)范圍的 正CML信號(hào)CML一S輸入到第一參考電平偏移單元320時(shí),輸出信號(hào) SH一CML保持0.5V的擺動(dòng)范圍,且其參考電平被偏移到0.75V。
第二參考電平偏移單元330具有與第 一參考電平偏移單元320類似的 結(jié)構(gòu),但是不同之處在于負(fù)CML信號(hào)CML_SB而不是正CML信號(hào) CML一S被輸入到柵極,且源極被連接到第二輸i節(jié)點(diǎn)OUN2。因?yàn)榈谝?NMOS晶體管Nl的閾值電壓VT電平與第二 NMOS晶體管N3的閾值電 壓VT電平彼此相等,所以實(shí)質(zhì)操作完全相同。也就是說,當(dāng)施加到第二 NMOS晶體管N3的柵極的負(fù)CML信號(hào)CML_SB具有在1.25V的CML 電平周圍的0.5V的擺動(dòng)范圍時(shí),施加到與第二NMOS晶體管N3的源極 相連的第二輸出節(jié)點(diǎn)OUN2的輸出信號(hào)SH—CMLB的電壓電平保持0,5V 的擺動(dòng)范圍,且其參考電平被偏移到0.75V,這與施加到第一輸出節(jié)點(diǎn) OUN1的輸出信號(hào)SH一CML的電壓電平類似。
但是,因?yàn)檎鼵ML信號(hào)CML—S與負(fù)CML信號(hào)CML一SB具有彼此 相反的相位,所以響應(yīng)于正CML ^號(hào)CML一S而從第一參^電平偏移單 元320輸出的信號(hào)SH一CML與響應(yīng)于負(fù)CML信號(hào)CML一SN而從第二參 考電平偏移單元330 ^出的信號(hào)SH一CMLB具有彼此相i的相位。
也就是說,當(dāng)從第一參考電平偏移單元320輸出的信號(hào)SH_CML的 電壓電平為IV時(shí),從第二參考電平偏移單元330輸出的信號(hào)SH_CMLB 的電壓電平為0.5V。另一方面,當(dāng)從第一參考電平偏移單元320輸出的 信號(hào)SH一CML的電壓電平為0.5V時(shí),從第二參考電平偏移單元330輸出 的信號(hào)SH一CMLB的電壓電平為IV。
在該實(shí)施例中,第一 NMOS晶體管Nl和第二 NMOS晶體管N3的 閾值電壓VT為0.5V,但是閾值電壓VT電平可根據(jù)用于制造第一 NMOS 晶體管Nl和第二NMOS晶體管N3的材料的不同而變化。作為替代,在 使用高于1.5V的1.8V的電源電壓VDD電平的半導(dǎo)體器件的情況下,通 過適當(dāng)利用用于第一 NMOS晶體管Nl和第二 NMOS晶體管N3的材料 的特性使得閾值電壓電平VT變?yōu)?.65V,在1.55V的CML電平周圍擺 動(dòng)的信號(hào)可在0.9V的電平周圍擺動(dòng),0.9V的電平為電源電壓VDD電平 與地電壓VSS電平之間的差的一半。也就是_說,可在必要時(shí)控制第一參 考電平偏移單元320和第二參考電平偏移單元330的參考電平的偏移范 圍。
在第一 CMOS反相單元360中,第一 PMOS晶體管PI和第三NMOS 晶體管N5串聯(lián)連接在源節(jié)點(diǎn)SOURCE一ND與吸收節(jié)點(diǎn)SINK—ND之間, 從偏置控制節(jié)點(diǎn)BIAS_ND(即第一 PMOS晶體管PI與第三NMOS晶體 管N5之間的連接節(jié)點(diǎn))產(chǎn)生輸出信號(hào)。因此,笫一 CMOS >^相單元360 具有與一^>^相器類似的結(jié)構(gòu)。
類似地,在第二 CMOS反相單元370中,第二PMOS晶體管P2和 第四NMOS晶體管N6串聯(lián)連接在源節(jié)點(diǎn)SOURCE—ND與吸收節(jié)點(diǎn) SINK—ND之間,從輸出節(jié)點(diǎn)OUT_ND (即第二 PMOS晶體管P2與第四 NMOS晶體管N6之間的連接節(jié)點(diǎn))產(chǎn)生輸出信號(hào)。因此,第二 CMOS 反相單元370具有與一^^相器類似的結(jié)構(gòu)。
因此,第一 CMOS反相單元360與第二 CMOS反相單元370可執(zhí)行 相同的操作。但是,盡管從第一 CMOS反相單元360輸出且施加到偏置 控制節(jié)點(diǎn)BIAS一ND的信號(hào)被用于控制第一偏置單元380和第二偏置單元 3卯的操作,但是,從第二 CMOS反相單元370輸出且施加到輸出節(jié)點(diǎn) OUT一ND的信號(hào)為CMOS電平信號(hào)CMOS一S,其為CML-CMOS轉(zhuǎn)換 器300的最終結(jié)果。
更具體地,施加到偏置節(jié)點(diǎn)BIAS一ND的信號(hào)的電壓電平根據(jù)輸入到 第一 CMOS反相單元360的第一i考電平偏移單元320的輸出信號(hào) SH—CML的電壓電平以更高的力(higher force)接通第一 CMOS >^相單元 360的第一PMOS晶體管PI和第三NMOS晶體管N5中的哪一個(gè)而變化。
例如,當(dāng)?shù)谝粎⒖茧娖狡茊卧?20的輸出信號(hào)SH_CML的電壓電 平為IV時(shí),該電壓電平更接近1.5V的電源電壓VDD而不是OV的地電 壓VSS,從而以更高的力接通第三NMOS晶體管N5而不是第一 PMOS
晶體管Pl。也就是說,施加到偏壓節(jié)點(diǎn)BIAS_ND的信號(hào)的電壓電平變 得相對(duì)更接近地電壓VSS。
施加到偏置節(jié)點(diǎn)BIAS_ND的信號(hào)被施加到第一偏置單元380的第三 PMOS晶體管P3的柵極和^二偏置單元390的第五NMOS晶體管N7的 柵極。當(dāng)施加到偏置節(jié)點(diǎn)BIAS_ND的信號(hào)的電壓電平變得相對(duì)更接近地 電壓VSS時(shí),在第一偏置單元380而不是第二偏置單元390中以更高的 力接通第三PMOS晶體管P3。即,施加到源節(jié)點(diǎn)SOURCE_ND的信號(hào) 的電壓電平增加得相對(duì)更多,以變得更接近電源電壓VDD電平。
因?yàn)檩斎氲降诙?CMOS反相單元370的第二參考電平偏移單元330 的輸出信號(hào)SH一CMLB的電壓電平具有與輸入到第一 CMOS反相單元 360的第一參考;平偏移單元320的輸出信號(hào)SH_CML的電壓電平相反 的相位,所以第二參考電平偏移單元330的輸出;號(hào)SH_CMLB的電壓 電平為0.5V,從而以更高的力接通笫二 PMOS晶體管P2和第四NMOS 晶體管N6。
但是,因?yàn)樵垂?jié)點(diǎn)SOURCE_ND被連接到第二 PMOS晶體管P2的 源極,且施加到源節(jié)點(diǎn)SOURCE_ND的信號(hào)的電壓電平由于第一 CMOS 反相單元360的操作而增加得相^更多,且變成接近電源電壓VDD電平 的電平VSUL,所以通過連接到第二 PMOS晶體管P2的漏極的輸出節(jié)點(diǎn) OUT_ND而輸出的CMOS電平信號(hào)CMOS—S具有接近電源電壓VDD電 平的電平VSUL。
另外,甚至在第一參考電平偏移單元320的輸出信號(hào)SH_CML的電 壓電平為0V且第二參考電平偏移單元330的輸出信號(hào)SH_CMLB的電壓 電平為IV時(shí),第一反相單元360和第二反相單元370以及第一偏置單元 380和第二偏置單元390的^Mt也與上述操作相同。因此,CMOS電平信 號(hào)CMOS_S可通過第二偏置單元390而具有接近地電壓VSS電平的電平 VSIX。
也就^I3兌,CMOS電平信號(hào)CMOS_S具有與通過笫一參考電平偏移 單元320輸入的正CML信號(hào)CML一S的擺動(dòng)范圍相比被相對(duì)放大的擺動(dòng) 范圍,且在接近電源電壓VDD電平的電平VSUL與接近地電壓VSS電 平的電平VSLL之間擺動(dòng)。
提供在第一偏置單元380中用以控制電源電壓VDD端子與源節(jié)點(diǎn) SOURCE ND之間流過的電流的量的第三PMOS晶體管P3具有與提供
在第二偏置單元3卯中用以控制地電壓VSS端子與吸收節(jié)點(diǎn)SINK_ND 之間流過的電流的量的第五NMOS晶體管N7的閾值電壓VT電平相*的 閾值電壓Vi電平。
源節(jié)點(diǎn)SOURCE_ND通過第三PMOS晶體管P3的閾值電壓Vi電 平而具有接近電源電壓VDD電平的電平VSUL。吸收節(jié)點(diǎn)SINK_ND通 過第五NMOS晶體管N7的閾值電壓VT電平而具有接近地電壓VSS電平 的電平VSLL。電平VSUL與電平VSLL關(guān)于電源電壓VDD電平與地電 壓VSS電平之間的差的一半對(duì)稱。
也就是說,從第二 CMOS反相單元370輸出且在電平VSUL與電平 VSLL之間擺動(dòng)的CMOS電平信號(hào)CMOS_S的CMOS電平對(duì)應(yīng)于電源 電壓VDD電平與地電壓VSS電平之間的差的一半。
如上所述,從第二 CMOS反相單元370輸出的CMOS電平信號(hào) CMOS_S不能在電源電壓VDD電平與地電壓VSS電平之間完全擺動(dòng)。 這是因^提供在第一偏置單元380中用以控制在電源電壓VDD端子與源 節(jié)點(diǎn)SOURCE_ND之間流過的電流的量的第三PMOS晶體管P3和提供 在第二偏置單元390中用以控制在地電壓VSS端子與吸收節(jié)點(diǎn)SINK_ND 之間流過的電流的量的第五NMOS晶體管N7均保持預(yù)定閾值電壓VT電 平。當(dāng)適當(dāng)調(diào)整形成第三PMOS晶體管P3和第五NMOS晶體管N7的 材料的成分以最小化其閾值VT電平時(shí),接近電源電壓VDD的電平VSUL 和接近地電壓VSS的電平VSLL對(duì)于確定數(shù)據(jù)的邏輯電平的重要性可以 較低'
也就是說,因?yàn)楦鶕?jù)從第二 CMOS反相單元370輸出的用以在電平 VSUL與電平VSLL之間擺動(dòng)的CMOS電平信號(hào)CMOS_S的擺動(dòng)范圍的 電壓電平變化比上述邏輯確定電平大得多,所以,CMOS電平信號(hào) CMOS一S可具有足以確切地確定數(shù)據(jù)的邏輯電平的擺動(dòng)范圍。
圖4是依照根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3的CML-CMOS轉(zhuǎn)換器的操作 的信號(hào)的時(shí)序圖。
參考圖4,在根據(jù)CML-CMOS轉(zhuǎn)換器300的信號(hào)的波形中,CMOS 電平信號(hào)CMOS_S在電源電壓VDD與地電壓VSS之間的中心VDD/2周 圍擺動(dòng).
具體而言,當(dāng)電源電壓VDD電平為1.5V且地電壓VSS電平為0V 時(shí),CML電平信號(hào)CML S的波形在1.25V的CML電平周圍以0.5V的
擺動(dòng)范圍擺動(dòng),即,如現(xiàn)有技術(shù)中所述,在L5V與1V之間擺動(dòng)。
當(dāng)CML電平信號(hào)CML_S被輸入到第一參考電平偏移單元320以便 將1.25V的CML電平偏移至l[0.75V時(shí),第一參考電平偏移單元320的輸 出信號(hào)SH_CML具有在0.75V周圍0.5V的擺動(dòng)范圍,即在IV與0.5V 之間擺動(dòng),0.75V為1.5V的電源電壓VDD與0V的地電壓VSS之間的差 的一半。
第一參考電平偏移單元320的輸出信號(hào)SH一CML被輸入到第一 CMOS反相單元360且被第一偏置單元380和第二偏置單元390放大, 以通過第二 CMOS反相單元370輸出為CMOS電平信號(hào)CMOS_S。 CMOS電平信號(hào)CMOS_S在0.75V周圍擺動(dòng),但其擺動(dòng)范圍為0.9V, 0.75V為1.5V的電源電壓VDD與0V的地電壓VSS之間的差的一半。也 就是說,CMOS電平信號(hào)CMOS—S在1.2V的電平VSUL與0.3V的電平 VSLL之間擺動(dòng)。
如在常規(guī)CML-CMOS轉(zhuǎn)換器中所述,從CML-CMOS轉(zhuǎn)換器300 輸出的CMOS電平信號(hào)CMOS_S不用作模擬信號(hào),而是轉(zhuǎn)換為被確定為 邏輯"高"或邏輯"低"的數(shù)字信號(hào)。用于將模擬信號(hào)的CMOS電平信 號(hào)CMOS一S轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)的反相器的邏輯確定電平為電源電壓VDD 電平與地S壓VSS電平之間的差的一半。
因此,因?yàn)閺腃ML-CMOS轉(zhuǎn)換器300輸出的CMOS電平信號(hào) CMOS_S的CMOS電平對(duì)應(yīng)于反相器的邏輯確定電平,所以當(dāng)從 CML-CMOS轉(zhuǎn)換器300輸出的CMOS電平信號(hào)CMOS一S被輸入到^J+目 器時(shí),CMOS電平信號(hào)CMOS_S具有與全擺動(dòng)的CMOS電平信號(hào) CMOS一S被輸入到反相器的情;X^目同的占空比。即,在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施 例的CML-CMOS轉(zhuǎn)換器300中,CMOS電平信號(hào)CMOS_S的占空比不 改變。
如上所述,在將CML電平信號(hào)CML一S轉(zhuǎn)換成CMOS電平信號(hào) CMOS_S的操作期間,CMOS電平信號(hào)CMOS一S的參考電平可對(duì)應(yīng)于電 源電壓VDD電平與地電壓VSS電平之間的差的一半,從而防止CMOS 電平信號(hào)CMOS_S的占空比改變。即,CML_CMOS轉(zhuǎn)換器可穩(wěn)定操作。
盡管已參考特定實(shí)施例描述了本發(fā)明,但對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言 將顯而易見,在不脫離權(quán)利要求中所限定的本發(fā)明的精神及范圍的情況 下,可進(jìn)行各種變化和修改。例如,上述實(shí)施例的邏輯門和晶體管的位置
和類型可取決于輸入信號(hào)的極性而變化。
權(quán)利要求
1. 一種電流模式邏輯(CML)-互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)轉(zhuǎn)換器,包括:參考電平偏移單元,其被配置成接收在第一參考電平周圍擺動(dòng)的CML信號(hào),以將擺動(dòng)參考電平偏移到第二參考電平;以及放大單元,其被配置成放大所述參考電平偏移單元的輸出信號(hào),以將所放大的信號(hào)輸出為CMOS信號(hào)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的CML-CMOS轉(zhuǎn)換器,還包括被配置成響元。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的CML-CMOS轉(zhuǎn)換器,其中,所述參考電 平偏移單元包括具有接收所述CML信號(hào)的柵極、連接到電源電壓端子的 漏極和連接到輸出節(jié)點(diǎn)的源極的晶體管,以響應(yīng)于所述CML信號(hào)的電壓 電平,控制在所述電源電壓端子與所述輸出節(jié)點(diǎn)之間流過的電流的量。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的CML-CMOS轉(zhuǎn)換器,其中,所述第一參 考電平和第二參考電平之間的電壓電平差^1根據(jù)NMOS晶體管的閾值電 壓電平確定的。
5. —種電流模式邏輯(CML)-互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS) 轉(zhuǎn)換器,包括第一參考電平偏移單元,其被配置成接收在第一參考電平周圍擺動(dòng)的 正CML信號(hào),以便將擺動(dòng)參考電平偏移到第二參考電平;第二參考電平偏移單元,其被配置成接收在所述第一參考電平周圍擺 動(dòng)的負(fù)CML信號(hào),以便將所述擺動(dòng)參考電平偏移到第二參考電平;第一 CMOS反相單元,其被配置成將所述第一參考電平偏移單元的 輸出信號(hào)的擺動(dòng)范圍放大到CMOS電平;第二CMOS^jt目單元,被配置成將所述第二參考電平偏移單元的輸 出信號(hào)的擺動(dòng)范圍放大到CMOS電平,以將所放大的第二參考電平偏移 單元輸出信號(hào)輸出為CMOS信號(hào);第一偏置單元,被配置成響應(yīng)于所述第一 CMOS >!1相單元的輸出信 號(hào),將源電流提供給所述第一 CMOS反相單元和所述第二 CMOS >^相單元;以及第二偏置單元,被配置成響應(yīng)于所述第一 CMOS反相單元的輸出信 號(hào),將吸收電流提供給所述第一 CMOS反相單元和所述第二 CMOS反相 單元。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的CML-CMOS反相器,還包括笫一操作控制單元,其被配置成響應(yīng)于偏壓,控制所述第一參考電平 偏移單元的接通/關(guān)斷操作;以及第二操作控制單元,其被配置成響應(yīng)于所述偏壓,控制所述第二參考 電平偏移單元的接通/關(guān)斷^Nt 。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的CML-CMOS反相器,其中,所述第一參 考電平偏移單元包括具有接收所述負(fù)CML信號(hào)的柵極、連接到電源電壓 端子的漏極和連接到第 一輸出節(jié)點(diǎn)的源極的第 一晶體管,以響應(yīng)于所施加 的正CML信號(hào)的電壓電平,控制在所述電源電壓端子與所述第一輸出節(jié) 點(diǎn)之間流過的電流的量。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的CML-CMOS反相器,其中,所述第二參 考電平偏移單元包括具有接收所述負(fù)CML信號(hào)的柵極、連接到所述電源 電壓端子的漏極和連接到笫二輸出節(jié)點(diǎn)的源極的第二晶體管,以響應(yīng)于所 施加的負(fù)CML信號(hào)的電壓電平,控制在所述電源電壓端子與所述第二輸 出節(jié)點(diǎn)之間流過的電流的量。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的CML-CMOS反相器,其中,所述第一晶 體管和所述第二晶體管具有相同的閾值電壓電平,且所述第一參考電平與 所述第二參考電平之間的電壓電平差是根據(jù)所述閾值電壓電平確定的。
10. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的CML-CMOS反相器,其中,所述第一 CMOS反相單元包括第一晶體管,具有接收所述第一參考電平偏移單元的輸出信號(hào)的柵 極、連接到源節(jié)點(diǎn)的源極和連接到偏置控制節(jié)點(diǎn)的漏極,以響應(yīng)于所述第 一參考電平偏移單元的輸出信號(hào),控制在所述源節(jié)點(diǎn)和所述偏置控制節(jié)點(diǎn) 之間流過的電流的量;以及第二晶體管,具有接收所述第一參考電平偏移單元的輸出信號(hào)的柵 極、連接到所述偏置控制節(jié)點(diǎn)的漏極和連接到吸收節(jié)點(diǎn)的源極,以便響應(yīng) 于所述第一參考電平偏移單元的輸出信號(hào),控制在所述偏置控制節(jié)點(diǎn)與所 述吸收節(jié)點(diǎn)之間流過的電流的量。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的CML-CMOS反相器,其中,所述第二 CMOS反相單元包括第三晶體管,具有接收所述第二參考電平偏移單元的輸出信號(hào)的柵 極、連接到所述源節(jié)點(diǎn)的源極和連接到輸出節(jié)點(diǎn)的漏極,以響應(yīng)于所述第 二參考電平偏移單元的輸出信號(hào),控制在所述源節(jié)點(diǎn)和所述輸出節(jié)點(diǎn)之間 流過的電流的量;以及第四晶體管,具有接收所述第二參考電平偏移單元的輸出信號(hào)的柵 極、連接到所述輸出節(jié)點(diǎn)的漏極和連接到所述吸收節(jié)點(diǎn)的源極,以響應(yīng)于 所述第二參考電平偏移單元的輸出信號(hào),控制在所述輸出節(jié)點(diǎn)與所述吸收 節(jié)點(diǎn)之間流過的電流的量。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的CML-CMOS反相器,其中,所述第一 偏置單元包括具有接收所述偏置控制節(jié)點(diǎn)的電壓的柵極、連接到電源電壓 端子的源極和連接到所述源節(jié)點(diǎn)的漏極的第三晶體管,以控制在所述電源 電壓端子和所述源節(jié)點(diǎn)之間流過的電流的量。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的CML-CMOS反相器,其中,所述第二 偏置單元包括具有接收所述偏置控制節(jié)點(diǎn)的電壓的柵極、連接到所述吸收 節(jié)點(diǎn)的漏極和連接到地電壓端子的源極的第三晶體管,以控制在所述吸收 節(jié)點(diǎn)和所述地電壓端子之間流過的電流的量。
全文摘要
一種電流模式邏輯(CML)-互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)轉(zhuǎn)換器,在用于將CML電平信號(hào)轉(zhuǎn)換成CMOS電平信號(hào)的過程中防止占空比變化,以穩(wěn)定地操作。CML-CMOS轉(zhuǎn)換器包括參考電平偏移單元,其被配置成接收在第一參考電平周圍擺動(dòng)的CML信號(hào),以便將擺動(dòng)參考電平偏移到第二參考電平;以及放大單元,其被配置成放大所述參考電平偏移單元的輸出信號(hào),以便將所放大的信號(hào)輸出為CMOS信號(hào)。
文檔編號(hào)H03K19/0185GK101383612SQ200810085730
公開日2009年3月11日 申請(qǐng)日期2008年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月4日
發(fā)明者權(quán)大漢, 金敬勛 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司
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