專利名稱：負(fù)阻抗生成電路及其集成電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種負(fù)阻抗生成電路及其集成電路，具體地講是一種負(fù)
互導(dǎo)(negative gm)電路、 一具有負(fù)互導(dǎo)電路的濾波器以及一具有所述的濾波器 的低噪聲放大器，特別是有關(guān)于一種應(yīng)用于頻分雙工傳輸(frequency division duplex communication)系統(tǒng)的濾波器。在此系統(tǒng)中， 一接收器可在一預(yù)知的頻 率下，產(chǎn)生一較大的阻隔信號或干擾信號。
背景技術(shù)：
頻分雙工(frequency division duplex; FDD)傳輸系統(tǒng)系為一種通訊系統(tǒng)。 在此系統(tǒng)中，訊息(information)可雙向傳輸。舉例而言，訊息可由第一節(jié)點(diǎn)傳 送至第二節(jié)點(diǎn)，并且由第二節(jié)點(diǎn)至第一節(jié)點(diǎn)。為了避免訊息在節(jié)點(diǎn)之間傳輸 時，與另一訊息發(fā)生干擾或沖突，可利用兩頻分雙工環(huán)(frequency division duplex link)傳送不同的頻率。使用此技術(shù)的系統(tǒng)包括，多種3G移動電話系統(tǒng) (如UMTS及CDMA 2000)。
傳送器及接收器之間的隔離設(shè)計(jì)是相當(dāng)重要的。這是因?yàn)?，傳送器所?送的信號比供應(yīng)電源還大，但接收器僅能用以檢測到很小的信號。 一般常利 用一雙工器(duplexer)以及多個濾波器，以作為傳送器與接收器之間的隔離。 由于傳送頻率FTx與接收頻率FRx之間的頻率差(AF)減少，使得愈來愈難達(dá)到 大間隔。因此，濾波器的設(shè)計(jì)變得更復(fù)雜，并且需要愈高等級的濾波器。
在一般的裝置中，為了降低阻隔信號范圍以外的影響(其包含F(xiàn)DD傳輸頻 率)，只要在接收器的低噪聲放大器和混頻器之間設(shè)置一外部的濾波器，便可 避免接收器的靈敏度的下降幅度變大。圖1顯示濾波器的示意圖。藉由不同 的技術(shù)，便可完成一濾波器。 一般的常見的技術(shù)為，表面聲波濾波器(surfaceacoustic wave filter)或是大量聲波濾波器(bulk acoustic wave filter)以及電介質(zhì) 濾波器(dielectric filter)。對于作為低噪聲放大器及接收器的集成電路而言，這 些濾波器為外部裝置。這樣的裝置是可達(dá)成功效的。然而，需要額外集成電 路的接腳，方能耦接外部裝置。因此，增加集成電路的成本及尺寸。
超外差接收器(super heterodyne receiver)是使用一 晶片陷波濾波器(on-chip notch filter),以抑制寄生影像效應(yīng)(spurious image response)。陷波濾波器經(jīng)常 被應(yīng)用在被動LC網(wǎng)絡(luò)(network)，并且被嵌入于低噪聲放大器或是混頻器的跨 導(dǎo)級。然而，螺旋電感(spiralinductor)具有相對低的Q因素，Q代表電感的感 抗與阻抗之間的比例。因此，整合于集成電路中的LC陷波濾波器具有高度的 整合性，并且可避免額外增加集成電路的接腳。然而，所需的信號與阻隔信 號或是與干擾信號之間的頻率差，將使得所需要的傳送效能無法被達(dá)成。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種電路，用以生成一負(fù)阻抗。所述的電路包括， 一第一主 動元件以及一第二主動元件。第一主動元件具有一控制端。所述的控制端連 接一第一節(jié)點(diǎn)。第二主動元件具有一電流端。所述的電流端連接所述的第一 節(jié)點(diǎn)。第一及第二主動元件相互影響，用以產(chǎn)生所述的負(fù)阻抗。
本發(fā)明另提供一種集成電路，具有一電感。所述的電感整合于所述的集 成電路之中。所述的電感與一電路相結(jié)合，用以生成一負(fù)阻抗。所述的電路 具有一第一晶體管以及一第二晶體管。所述的第一晶體管具有一控制端，用 以連接所述的電感的第一端。所述的第二晶體管具有一電流端，連接所述的 電感的第一端。所述的第一及第二晶體管相互影響，用以生成一負(fù)阻抗。
本發(fā)明可節(jié)省空間，特別是當(dāng)可變電容由切換電容陣列所構(gòu)成時，另外， 本發(fā)明用來產(chǎn)生負(fù)阻抗的偏壓電路小于一般的偏壓電路。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出 較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下
圖1顯示一般頻分雙工傳輸裝置。
圖2顯示考比次胞的示意圖。
圖3為本發(fā)明的負(fù)互導(dǎo)胞結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖4為本發(fā)明的具有濾波器的接收器的示意圖。
圖5為偏壓電流的效能比較曲線圖。 圖6為噪聲效能曲線圖。
附圖標(biāo)號
1:傳輸裝置；2:雙工器；
4:功率放大器；5:天線；
6:接收器；7:低噪聲放大器；
8:混頻器；9:表面聲波濾波器；
L:電感；T廣T3、 M廣M6:晶體管;
Cs、 Csi、 Cs2、 Cp、CD、Cc、 28:電容；
Ib、 50:電流源；20、 52、 58:漏極；
22:正電壓源；24、 60:柵極；
30、 32、 54、 56:源極;36:負(fù)載；
38:地；Rb、 80:電阻；
100:放大級； 102:共振電路；
104:負(fù)互導(dǎo)胞。
具體實(shí)施例方式
圖1顯示一般頻分雙工傳輸裝置。傳輸裝置1利用雙工器2，從天線5所 接收的一信號中，分離出電源(power)，其中所述的信號被傳送至一接收器(如 符號6所示)，并且所分離出的電源由功率放大器4傳送至天線5。 一般而言， 接收器具有一低噪聲放大器7，用以接收輸入信號。低噪聲放大器7將輸入信號放大后，再傳送至混頻器8。由于雙工器的隔離效果有限，因而使得功率放 大器造成干擾。為了提高接收器的選擇性，以及抵制功率放大器所造成的干 擾，需要在低噪聲放大器7與混頻器8之間設(shè)置一濾波器，如表面聲波濾波
器(surface acoustic wave filter)9。表面聲波濾波器9并非必要元件，并且低噪 聲放大器7可與混頻器8整合在一集成電路中。因此，表面聲波濾波器9具 有兩接腳，用以連接至所述的集成電路，并且需要額外增加元件。
為了有效地濾除干擾頻率， 一般使用由電感及電容所構(gòu)成的陷波濾波器 (notch filter)。藉由使用圖2所示的Q升壓電路(boosting circuit),可改善陷波 濾波器的濾除能力。晶體管Ti代表單端RF放大器的主要放大裝置。晶體管 1\及T2構(gòu)成一迭接(cascade)結(jié)構(gòu)。迭接結(jié)構(gòu)為本領(lǐng)域人士所深知。在晶體管 T2的柵極上施加一偏壓Vb，以使晶體管T2能夠被操作在其飽和區(qū)(saturatkm region)中。電感L串聯(lián)電容CS1及CS2，并且亦連接晶體管丁3，以形成一串聯(lián) 共振電路(series resonant circuit)。串聯(lián)共振電路連接晶體管T及T2之間的節(jié) 點(diǎn)。晶體管T3的柵極與源極之間具有一寄生的容值。由電感L、電容Cs,、 CS2、以及晶體管T3的柵極與源極之間寄生電容所構(gòu)成的串聯(lián)共振電路的阻抗 需大于由晶體管T2的源極看入的阻抗。由電感L、電容Cs,、 &2所構(gòu)成的共 振電路，在阻隔信號的頻率開始共振，因此，在所述的頻率的信號會被短路 至地。根據(jù)陷波濾波器的品質(zhì)因素(quality factor),便可決定短路至地的信號 的量。如圖2所示，晶體管T3與電容Cs,、 CS2、電流源Ib形成考比次負(fù)互導(dǎo) 胞(colpitts negative gm cell)?？急却呜?fù)互導(dǎo)胞一般作為振蕩器(osciUator)。由于 在集成電路中，用于實(shí)現(xiàn)電感(甚至電容)的導(dǎo)體阻抗有限，故自主產(chǎn)生的負(fù)阻 抗可部分地補(bǔ)償損失。因此，提高陷波濾波器的品質(zhì)因素。
在電感L與電容Cp之間的共振可看成一并聯(lián)共振。并聯(lián)共振所產(chǎn)生的頻 率符合接收信號的頻率。若電感的阻抗降低時，共振所產(chǎn)生的頻率亦會同時 被修正。
然而，修正過后的品質(zhì)因素Q會造成，較大的噪聲、較大的功率損耗、以及增加復(fù)雜度。在此修正下，額外的噪聲由晶體管丁3以及其它構(gòu)成電流源 Ib的晶體管(或電阻)所造成。藉由調(diào)整電容的容值，便可調(diào)整陷波頻率。可使 用可變電容或是電容切換陣列，以達(dá)到調(diào)整容值的需求。
本發(fā)明使LC濾波器產(chǎn)生負(fù)阻抗，其所產(chǎn)生的噪聲相對于圖2而言，是比
較少的。圖2所示的結(jié)構(gòu)由J.A， Macedo等人于1998年3月在JSSC所刊登， 其豐示題為"A 1.9GHz Silicon Receiver with Monolithic Image Filtering"。
圖3為本發(fā)明的負(fù)互導(dǎo)胞的一可能實(shí)施例。如圖所示，晶體管M,為N型 元件，其漏極20連接正電壓源22，晶體管M,的柵極24通過耦合電容28， 連接至輸入節(jié)點(diǎn)26。晶體管的源極30連接至晶體管M2的源極32。晶體 管M2為P型元件。負(fù)載36具有阻抗Zl，并且連接在晶體管M2的漏極與本 地38之間。
晶體管M3及M4串聯(lián)在一起。如圖所示， 一電流符號(如電流源50)連接 晶體管M3的漏極52。因而使得電流Ib流經(jīng)晶體管M3及MU。晶體管M3的源 極54連接晶體管M4的源極56。晶體管M4的漏極58連接至地38。晶體管 M3為N型元件，而晶體管M4為P型元件。
晶體管M3的柵極60連接至晶體管M3的漏極52。因此，晶體管M3可等
效成一二極管。
晶體管M3及M4的柵極均連接本身的漏極。另外，為了提供偏壓于晶體
管Mp晶體管M!的柵極通過電阻80，連接至晶體管M3的柵極60。電阻80 具有大阻抗(如K^)。晶體管M3及M4使得晶體管M,進(jìn)入一操作區(qū)，并且使 晶體管M,維持在正確的偏壓。在集成電路制造時，若發(fā)生制造工藝變化，或 是溫度發(fā)生變化，均會改變電路的靜止?fàn)顟B(tài)(quiescentconditkm)。然而，若晶
體管MHM4的通道寬度比例為^ = ^時，則晶體管M,及M2的靜止漏極電流 /"且
為"SS;其中Sl為晶體管M,的通道寬度，S2為晶體管M2的通道寬度，S3 為晶體管M3的通道寬度，S4為晶體管M4的通道寬度。輸入節(jié)點(diǎn)26接收一交替信號。此信號的振幅相對地較小，并且假設(shè)此信 號不會干擾電路的直流準(zhǔn)位。
假定，輸入節(jié)點(diǎn)26具有微小的增量+V。此增量經(jīng)過耦合電容28，并且 使得晶體管M,的柵極24的電壓上升。由于晶體管M,為共漏極結(jié)構(gòu)，因此， 使得晶體管的源極30的電壓亦會增加。
另外，晶體管M,的源極30耦接到晶體管M2的源極32，因此，晶體管 M2的源極32的電壓亦會有相對應(yīng)的改變。晶體管M4的柵極62的電壓固定(在 本實(shí)施例中，柵極62耦接到地)。當(dāng)晶體管M2的柵極電壓愈負(fù)時，晶體管
M2的柵極與源極之間的壓差便會隨著改變。由于晶體管M2為P型元件，因
此，流經(jīng)負(fù)載36的電壓便會上升。
然而，電流由輸入節(jié)點(diǎn)流入此電路，并且由晶體管M2的漏極流出。因此， 當(dāng)輸入節(jié)點(diǎn)連接至晶體管M2的漏極34時，可能會造成產(chǎn)生負(fù)阻抗而形成交 流(AC)信號。
若分析此電路，由于晶體管M2的柵極接地，故利用小信號模型，可得到 下式-
Vi=VgSl+Vsg2 ..........................................(1)
其中，Vi為輸入節(jié)點(diǎn)的電壓；Vgs,為晶體管M,的柵極與源極之間的壓差； Vsg2為晶體管M2的源極與柵極之間的壓差。
若加入晶體管M,的柵極與源極之間的寄生電容sCgsl，以及晶體管M2的 柵極與源極之間的寄生電容sCgs2，則晶體管及M2的源極電流為.-
Vgsl.sCgsl+gml*Vgsl=VSg2'sCgS2+gm2*VSg2............(2)
其中，s=j ， co代表角頻(angular frequency), gml為晶體管Ml的跨導(dǎo) (transconductance)， gm2晶體管M2的跨導(dǎo)(transconductance)。
輸出電流i。如下式所示
i0=-gm2'Vsg2 (3)
整理式(2)后，可得到下式(g)nl + sCgjl) .........
整理式(3)后，可得到下式:
.(4)
V堪2 二 '
一Zo
g加2
.(5)
將式(4)及式(5)代入式(1)后，可得到下式:
+ 1
+ 1
'(6)
其中， (gml + gm2).................................⑦
s為(complex frequency;復(fù)合頻率)=jw = j2兀f， Cgsl為晶體管Ml之柵極 與源極間的電容，Cw為晶體管Ml之柵極與源極間的電容。
另外，將O放置在轉(zhuǎn)移函數(shù)中，便可補(bǔ)償轉(zhuǎn)移函數(shù)的主要極點(diǎn)(dominant pole)。
當(dāng)晶體管M,的源極30連接至地時，其阻抗是相對的高，因此，此狀態(tài) 可產(chǎn)生相對寬頻，甚至可在低偏壓電流下。
倘若考慮噪聲，則一階近似(first order approximation)的輸出熱噪聲電流頻 譜密度(thermal noise current spectral density)如下所不
其中，"。為噪聲電流的平方的平均，Af為頻率范圍，K為波子曼常數(shù) (Boltzmann's constant), T為克氏(Kelvin)溫度，y為MOS晶體管的噪聲參數(shù)， Gm0為負(fù)互導(dǎo)胞的跨導(dǎo)(transconductance)。
因此，就算負(fù)互導(dǎo)胞具有四個晶體管，其仍可與具有相同跨導(dǎo)的單一晶體管一樣，產(chǎn)生相同的熱噪聲。
電阻80與電容CD所構(gòu)成的低通濾波器可濾除由偏壓電路(即電流源50)、
晶體管M3及M4所產(chǎn)生的噪聲。這就是圖3與圖2的差異。
圖4顯示低噪聲放大器。放大器耦接一LC共振電路(一般會設(shè)計(jì)成如符 號102所示)，并且耦接至如圖3所示的負(fù)互導(dǎo)胞(如符號104所示)。
放大級100為本領(lǐng)域人士所深知。一信號將被放大并輸入至晶體管M5的 柵極。此信號用以調(diào)整流經(jīng)晶體管Ms的一輸出電流，并且所述的輸出電流由 串迭(cascade)晶體管M6的漏極插入。
晶體管Ms的負(fù)載包含LC共振電路102。事實(shí)上，LC共振電路102可看 成具有兩個共振電路。具體而言，由電感L和電容Cp所構(gòu)成的并聯(lián)共振電路， 共振在接收頻率Frx，而由電感L和電容Cs所構(gòu)成的串聯(lián)共振電路，共振在 接收頻率FTX。串聯(lián)共振電路的共振頻率低于并聯(lián)共振電路的共振頻率。因此， 這樣的濾波器架構(gòu)被限制應(yīng)用在網(wǎng)絡(luò)(netword)。在it匕網(wǎng)絡(luò)中，傳送頻率小于 接收頻率。這樣的架構(gòu)可應(yīng)用于UMTS系統(tǒng)(如使用者的移動電話)的使用者
A山頓。
在理想狀態(tài)中，當(dāng)共振電路共振時，并聯(lián)共振電路的阻抗會接近無窮大， 而串聯(lián)共振電路的阻抗會接近零。在此條件下，當(dāng)接收器的一信號的頻率為 Ftx吋，此信號會被短路至地，而當(dāng)接收器的另一^f言號的頻率為FRx時，此信 號會經(jīng)過串迭晶體管，用以使接收器停止，而不需要藉由陷波網(wǎng)絡(luò)衰減接收 器。然而，由于在集成電路內(nèi)部的電感的Q有限，故共振電路102無法操作 在理想狀態(tài)中。
雖然集成電路內(nèi)部的電感很容易被視為包含一理想電感串聯(lián)一電阻，然 而，理想電感的頻率范圍卻看作是一理想電感與電阻并聯(lián)后的結(jié)果。由于干
擾信號FTx只會發(fā)生在范圍較小或是固定的頻寬中，因此，這樣的轉(zhuǎn)換結(jié)果是
令人滿意的，并且與電感并聯(lián)的實(shí)際并聯(lián)阻抗R亦可被估測出。換言之，當(dāng) 并聯(lián)阻抗R為負(fù)阻抗-R，若陷波濾波器接近理^i陷波濾波器時，則陷波濾波器的品質(zhì)因素將會增加，并且干擾信號會逐漸地被陷波濾波器濾除。所生成 的負(fù)阻抗與實(shí)際電感的尺寸可由電路設(shè)計(jì)者所決定，以避免振動。若使用考
比次胞(colpitts cell)時，藉由圖4所示的結(jié)構(gòu)，并不需一拓樸改變(topological change)予被動LC網(wǎng)絡(luò)。
圖4所述的電路具有一放大器或一混頻器，所述的電感L與至少一電容 相結(jié)合，用以形成一帶通濾波器(band pass filter)或是一帶止濾波器(band stop filter)。
圖4所示的電路利用考比次胞生成一負(fù)阻抗。相對于僅有考比次胞時， 圖4所示的電路可改善噪聲效能。由圖2可知，需要三個可變電容(用以達(dá)到 調(diào)整功能)，而本發(fā)明僅需要兩個可變電容。此外，圖2的電容C^或Cs2的尺 寸為圖4的電容Cp的2倍。因此，本發(fā)明可節(jié)省空間，特別是當(dāng)可變電容由 切換電容陣列所構(gòu)成時。另外，本發(fā)明用來產(chǎn)生負(fù)阻抗的偏壓電路比圖2所 示的偏壓電路小。
圖5顯示集成電路內(nèi)的低噪聲放大器的增益示意圖，其中集成電路具有 共振電路。藉由本發(fā)明，放大器具有一負(fù)互導(dǎo)胞。藉由調(diào)整偏壓電流Ib，便可 控制所述的負(fù)互導(dǎo)胞的跨導(dǎo)。
藉由在范圍(band)l操作的一UMTS移動電話接收器測試放大器。接收范 圍為2110MHz 2170MHz，而傳送頻率在1920MHz 1980MHz。與通道(channel) 分隔的雙工頻率間隔為190MHz。
當(dāng)負(fù)互導(dǎo)電路尚未運(yùn)作時，在傳送頻率中的濾除陷波(rejectionnotch)不可 太大。實(shí)際上，在傳送頻率中，被動陷波約衰減3.5dB。然而，當(dāng)偏壓電流增 加時，陷波變得更明顯，并且當(dāng)I^0.5mA時，在傳送頻率中，放大器增益會 被降低約6dB，然而接收頻率的增加亦可些微地被改善。
圖6顯示圖4在不同的靜止電流位準(zhǔn)下的噪聲效能。當(dāng)負(fù)阻抗電路尚未 被致能或是開始運(yùn)作時，在接收頻率范圍內(nèi)的噪聲位準(zhǔn)大致保持不變。在接 收范圍(Rx band)以外的噪聲位準(zhǔn)會微量的增加，并且由于噪聲會陷于干擾信號中，故在傳送頻率(Txband)的額外噪聲范圍是不重要的。
因此，是有可能提供一種結(jié)構(gòu)，用以補(bǔ)償電感的阻抗，并致能集成電路 內(nèi)的LC共振電路。所述的結(jié)構(gòu)可被應(yīng)用于一頻率分割雙工裝置中。所述的頻 率分割雙工裝置可為電信網(wǎng)絡(luò)(如UMTS電話系統(tǒng))中的移動端(mobile terminal)。
雖然本發(fā)明所述的電路是使用場效晶體管，但亦可利用雙載子晶體管取 代之。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些 許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種電路，用以生成一負(fù)阻抗，其特征在于，所述的電路包括一第一主動元件，具有一控制端，所述的控制端連接一第一節(jié)點(diǎn)；以及一第二主動元件，具有一電流端，所述的電流端連接所述的第一節(jié)點(diǎn)，其中所述的第一及第二主動元件相互影響，用以產(chǎn)生所述的負(fù)阻抗。
2. 如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述的第二主動元件具有一 控制端，用以接收一固定電壓。
3. 如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述的第一主動元件為一第 一晶體管，所述的第二主動元件為一第二晶體管，所述的第一晶體管串聯(lián)所述的第二晶體管。
4. 如權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述的第一晶體管為N型元 件，所述的第二晶體管為P型元件。
5. 如權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于，所述的第一及第二晶體管均 為場效晶體管，所述的第一晶體管的源極連接所述的第二晶體管的源極，所 述的第二晶體管的漏極連接所述的第一節(jié)點(diǎn)。
6. 如權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于，所述的電路更包括一偏壓電 路，用以使所述的第一及第二晶體管進(jìn)入一操作區(qū)，所述的偏壓電路具有一 第三及第四晶體管，所述的第三晶體管串聯(lián)所述的第四晶體管。
7. 如權(quán)利要求6所述的電路，其特征在于，所述的電路更包括一電流控 制裝置，串聯(lián)所述的第三晶體管。
8. 如權(quán)利要求7所述的電路，其特征在于，所述的第三晶體管為一場效 晶體管，所述的電流控制裝置串聯(lián)于所述的第三晶體管的漏極。
9. 如權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于，所述的電路更包括一偏壓電 路，所述的偏壓電路具有一第三晶體管，所述的第三晶體管串聯(lián)一電流控制 裝置，并且所述的第三晶體管為一場效晶體管，所述的第三晶體管的柵極連 接其漏極，所述的第一晶體管的柵極電壓與所述的第三晶體管的柵極電壓相同。
10. —種與一負(fù)載相結(jié)合的放大器，其特征在于，所述的放大器包括一電 感，并且所述的放大器更可與一電路相結(jié)合，用以生成如權(quán)利要求1所述的 一負(fù)阻抗。
11. 如權(quán)利要求10所述的放大器，其特征在于，所述的負(fù)載更包括一電 容器，用以與所述的電感組合成一共振電路。
12. —種集成電路，其特征在于，所述的集成電路具有一電感，所述的電 感整合于所述的集成電路之中，所述的電感與一電路相結(jié)合，用以生成一負(fù) 阻抗，所述的電路具有一第一晶體管以及一第二晶體管，所述的第一晶體管 具有一控制端，用以連接所述的電感的第一端，所述的第二晶體管具有一電 流端，連接所述的電感的第一端，其中所述的第一及第二晶體管相互影響， 用以生成一負(fù)阻抗。
13. 如權(quán)利要求12所述的集成電路，其特征在于，所述的集成電路更包括一偏壓配置，用以提供偏壓予第一及第二晶體管，用以流經(jīng)一靜止電流。
14. 如權(quán)利要求12所述的集成電路，其特征在于，所述的集成電路具有 一放大器或一混頻器，所述的電感與至少一電容相結(jié)合，用以形成一帶通濾 波器或是一帶止濾波器。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種負(fù)阻抗生成電路及其集成電路，所述的負(fù)阻抗生成電路用以生成一負(fù)阻抗，所述的電路包括，一第一主動元件以及一第二主動元件，第一主動元件具有一控制端，所述的控制端連接一第一節(jié)點(diǎn)；第二主動元件具有一電流端，所述的電流端連接所述的第一節(jié)點(diǎn)，第一及第二主動元件相互影響，用以產(chǎn)生所述的負(fù)阻抗。本發(fā)明可節(jié)省空間，特別是當(dāng)可變電容由切換電容陣列所構(gòu)成時，另外，本發(fā)明用來產(chǎn)生負(fù)阻抗的偏壓電路小于一般的偏壓電路。
文檔編號H03H11/10GK101309090SQ20081009017
公開日2008年11月19日 申請日期2008年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月6日
發(fā)明者費(fèi)得黎各·亞歷山卓·菲布里奧·貝佛 申請人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司