專利名稱：電荷域?yàn)V波電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電荷域?yàn)V波電路。
背景技術(shù)：
互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝的微型化有這樣的缺點(diǎn)使用 已知的電漆技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)RF電路以減小電源電壓縮小了信號(hào)振幅的動(dòng)態(tài)范 圍，這是因?yàn)殡妷河嗔亢苄　Ａ硪环矫?，因?yàn)槲⑿突岣吡司w管的截止 頻率，所以適于如必須以精確的定時(shí)來(lái)進(jìn)行的高速切換的操作。另一優(yōu)點(diǎn) 是因?yàn)橐愿呔葋?lái)進(jìn)行平版印刷，所以可準(zhǔn)確地指定電容器的電容比。
數(shù)字RF技術(shù)是解決對(duì)于RF電路來(lái)說由CMOS工藝的微型化產(chǎn)生 的缺點(diǎn)并將缺點(diǎn)轉(zhuǎn)換成優(yōu)點(diǎn)的技術(shù).對(duì)于離散時(shí)間接收機(jī)(discrete time receiver, DTR)使用數(shù)字RT技術(shù)，該離散時(shí)間接收機(jī)(discrete time receiver, DTR)中的主要電路是電荷域?yàn)V波器。電荷域?yàn)V波器包含以指定 周期積蓄和釋放電荷的電容器。在電荷域?yàn)V波電路中，濾波器僅由跨導(dǎo)和 開關(guān)配置而成，因而能夠?qū)ηд缀掌澆ǘ蔚腞F信號(hào)直接進(jìn)行采樣和濾波。
已提出可通過改變電荷域?yàn)V波器的時(shí)鐘信號(hào)的頻率和波形"吏得該電 荷域?yàn)V波器的濾波器特性可重新配置(參見R. Bagheri等人的《An 800MHz to 5GHz Software-Defined Radio Receiver in卯nm CMOS》， IEEE Int. Solid State Circuits Conf. Dig. Tech. Papers, Feb. 2006, pp. 480 ~ 481)。圖20是示出由Bagheri等人提議的已知的具有可重新配置的 濾波器特性的電荷域?yàn)V波電路的說明圖。圖21A、 21B和21C是示出輸入 到圖20的電荷域?yàn)V波電路10中的時(shí)鐘信號(hào)的波形的說明圖。圖21A、21B 和21C所示的時(shí)鐘信號(hào)分別被輸入到圖20的電荷域?yàn)V波電路10中所示的各種開關(guān)。當(dāng)相應(yīng)的時(shí)鐘信號(hào)(由開關(guān)旁邊的字符指示)是"高"時(shí)，各 開關(guān)閉合。
圖20所示的電荷域?yàn)V波電路10是能夠?qū)⑵涑闃颖?decimation ratio) 切換為2和3的SINC濾波器。圖20所示的電荷域?yàn)V波電路10進(jìn)行工作， 使得當(dāng)輸入圖21B所示的時(shí)鐘信號(hào)時(shí)抽樣比成為2，而當(dāng)輸入圖21C所 示的時(shí)鐘信號(hào)時(shí)抽樣比成為3。因而電荷域?yàn)V波電路10具有可重新配置 的濾波器特性。
下面說明電荷域?yàn)V波電路IO的操作。電荷域?yàn)V波電路IO中的四個(gè)電 容器以時(shí)間順序積蓄和釋放電荷。以電容器d為例，當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)甲^變 為"高"時(shí)，電容器d的兩端短路并使電荷重置。當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)A變?yōu)?高" 時(shí)，從輸入端子積蓄電荷。當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)Id變?yōu)?高"時(shí)，電荷從電容器 d被釋放到輸出端子。
在抽樣比為2的情況下，重復(fù)如下IM乍通過時(shí)鐘信號(hào)&和K2同時(shí) ^^放電容器d和C2的電荷，并通過時(shí)鐘信號(hào)K3和Id同時(shí)釋，放電容器 C3和d的電荷。因此，如圖21B所示，時(shí)鐘信號(hào)IQ K4成為簡(jiǎn)單的矩 形波的重復(fù)。
另一方面，在抽樣比為3的情況下，當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)A變?yōu)?高"時(shí)，
通過時(shí)鐘信號(hào)K" K3和K4同時(shí)釋放電容器C2、 C3和d的電荷。當(dāng)時(shí)鐘 信號(hào)甲4變?yōu)?高"時(shí)，通過時(shí)鐘信號(hào)Kp K2和K3同時(shí)釋放電容器d、 Q和C3的電荷。當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)甲3變?yōu)?高"時(shí)，通過時(shí)鐘信號(hào)Kp K2和 K4同時(shí)釋放電容器d、 C2和C4的電荷。當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)甲2變?yōu)?高"時(shí)， 通過時(shí)鐘信號(hào)Id、 K3和K4同時(shí)釋放電容器d、 Cs和C4的電荷。因此，
如圖21C所示，時(shí)鐘信號(hào)~ K4成為具有長(zhǎng)周期的不規(guī)則矩形波的重復(fù)。

發(fā)明內(nèi)容
如圖21C所示輸入到電荷域?yàn)V波電路IO中的時(shí)鐘信號(hào)具有與圖21B 和21C中的信號(hào)完全不同的波形。特別地，圖21C中的時(shí)鐘信號(hào)具有更 長(zhǎng)的周期。因此為了生成這種時(shí)鐘信號(hào)，需要只讀存儲(chǔ)器(ROM)或如多級(jí) 移位寄存器的邏輯電路等。例如，在以千兆赫茲的量級(jí)來(lái)使時(shí)鐘信號(hào)高速 工作的情況下，邏輯電路中消耗的電流的量的增加導(dǎo)致消耗的電力的量的 增加。進(jìn)而，如果時(shí)鐘信號(hào)的周期長(zhǎng)，則信號(hào)中包含低頻頻鐠，這容易造 成這樣的問題時(shí)鐘信號(hào)頻鐠混入到電荷域?yàn)V波器的通頻帶內(nèi)，這在該電荷域?yàn)V波電路用于接收機(jī)中時(shí)妨礙接收。
本發(fā)明解決這些問題，并提供一種具有可重新配置的濾波器特性并能 夠以低電力消耗來(lái)工作的、新穎且改進(jìn)的電荷域?yàn)V波電路。
為了解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種電荷域?yàn)V波電 路，包括第一信號(hào)輸出部、第二信號(hào)輸出部和加法部。第一信號(hào)輸出部輸 出以特定的時(shí)間間隔采樣的第 一信號(hào)。第二信號(hào)輸出部輸出以與第 一信號(hào) 相同的時(shí)間間隔且在不同時(shí)間處釆樣的第二信號(hào)。加法部將第 一信號(hào)和第 二信號(hào)加在一起并輸出結(jié)果。第二信號(hào)輸出部能夠從多個(gè)時(shí)間中選擇對(duì)第
二信號(hào)i^行采樣的時(shí)間。
根據(jù)這一配置，第 一信號(hào)輸出部輸出以指定的時(shí)間間隔采樣的第 一信 號(hào)，第二信號(hào)輸出部輸出以與第 一信號(hào)相同的時(shí)間間隔且在不同時(shí)間處釆 樣的第二信號(hào)，而加法部將由第一信號(hào)輸出部輸出的第一信號(hào)和由第二信
號(hào)輸出部輸出的第二信號(hào)加在一起并輸出結(jié)果。此外，第二信號(hào)輸出部能 夠從多個(gè)時(shí)間中選擇對(duì)第二信號(hào)進(jìn)行采樣的時(shí)間。這使得有可能提供這樣 的電荷域?yàn)V波電路其能夠以低電力消耗來(lái)工作，且在該電荷域?yàn)V波電路 中，通it^多個(gè)時(shí)間中選"^對(duì)第二信號(hào)進(jìn)行釆樣的時(shí)間，可重新配置頻率 特性。
該電荷域電路還可包括時(shí)鐘信號(hào)生成部，其生成輸入到第二信號(hào)輸出 部的多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)。第二信號(hào)輸出部能夠通iti^擇并輸入由時(shí)鐘信號(hào)生成 部生成的時(shí)鐘信號(hào)中的一個(gè)，來(lái)選擇對(duì)第二信號(hào)進(jìn)行采樣的時(shí)間。這使得 有可能提供這樣的電荷域?yàn)V波電路其能夠通過切換輸入到第二信號(hào)輸出 部的時(shí)鐘信號(hào)，來(lái)選擇對(duì)第二信號(hào)進(jìn)行采樣的時(shí)間，且因而能夠通過切換 時(shí)鐘信號(hào)來(lái)改變頻率特性。
指定的時(shí)間間隔也可變化。通過改變進(jìn)行采樣的時(shí)間間隔，使得有可 能改變頻率特性。
根據(jù)以上說明的本發(fā)明的實(shí)施例，可提供能夠以低電力消耗來(lái)工作的 且頻率特性可重新配置的、新穎且改進(jìn)的電荷域?yàn)V波電路。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的第 一 實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路100的配置的 說明5圖2是示出在圖1中所示的電荷域?yàn)V波電路100中僅開關(guān)S3閉合的 情況下的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性的說明圖3是示出電荷域?yàn)V波電路100中的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性的陷波位置的變 化的說明圖4是示出在將根據(jù)本發(fā)明的第 一實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路100作為 實(shí)際電路而實(shí)施的情況下的電路的例子的說明圖5是示出輸入到圖4所示的根據(jù)本發(fā)明的第 一實(shí)施例的電荷域?yàn)V波 電路IOO中的時(shí)鐘信號(hào)的波形的說明圖6是示出對(duì)輸入到圖4所示的根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的電荷域?yàn)V 波電路100中的時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行選擇的電路的說明圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路200的配置的 說明圖8是示出圖7所示的電荷域?yàn)V波電路200的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性的例子 的說明圖9是示出圖7所示的電荷域?yàn)V波電路200的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性的另一 例子的說明圖10是示出在將根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路200作 為實(shí)際電路而實(shí)現(xiàn)的情況下的電路的例子的說明圖ll是示出輸入到圖IO所示的根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電荷域?yàn)V 波電路200中的時(shí)鐘信號(hào)的波形的說明圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路200的標(biāo)準(zhǔn) 化頻率特性的說明圖13是示出根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路300的配置 的i兌明圖14是示出圖13所示的電荷域?yàn)V波電路300的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性的例 子的說明圖15是示出圖13所示的電荷域?yàn)V波電路300的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性的另 一例子的說明圖16是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路400的配置 的說明圖；圖17是示出在將根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路400作 為實(shí)際電路而實(shí)現(xiàn)的情況下的電路的例子的說明圖18是示出輸入到圖17所示的根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的電荷域?yàn)V 波電路400中的時(shí)鐘信號(hào)的波形的說明圖19是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路400的標(biāo)準(zhǔn) 化頻率特性的說明圖20是示出已知的具有可重新配置的濾波器特性的電荷域?yàn)V波電路 的i兌明圖21A是示出輸入到圖20的電荷域?yàn)V波電路10中的時(shí)鐘信號(hào)的波 形的說明圖21B是示出輸入到圖20的電荷域?yàn)V波電路10中的時(shí)鐘信號(hào)的波 形的說明圖21C是示出輸入到圖20的電荷域?yàn)V波電路10中的時(shí)鐘信號(hào)的波 形的說明圖22是示出用于實(shí)現(xiàn)式2所示的轉(zhuǎn)移函數(shù)的SINC濾波器的方框圖 的i兌明圖；以及
圖23是示出圖22所示的SINC濾波器的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性的說明圖。
具體實(shí)施例方式
以下將參照附圖來(lái)詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。注意，在本說明書 和附圖中，具有基本上相同的功能和結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)要素被標(biāo)以同 一附圖標(biāo) 記，并省略對(duì)這些結(jié)構(gòu)要素的重復(fù)i兌明。
第一實(shí)施例
首先，說明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路。圖l是使用 方框圖來(lái)說明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路100的配置的 說明圖。以下使用圖1來(lái)說明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路 100。
如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路100是有限 脈沖響應(yīng)(FIR)濾波器的例子，并被配置成包含延遲寄存器110a、 110b、 110c、 110d、 110e、 110f、開關(guān)S1、 S2、 S3、 S4、 S5、乘法器120a、 120b和加法器130。
從連續(xù)時(shí)間信號(hào)以采樣間隔T采樣的離散時(shí)間信號(hào)被從輸入端子IN 輸入到電荷域?yàn)V波電路100。將采樣頻率表示為fs(l/T)。延遲寄存器U0a、 110b、 110c、 110d、 110e、 110f各自>^輸入信號(hào)進(jìn)行采樣的時(shí)間^1遲 時(shí)間T后再輸出釆樣的輸入信號(hào)。將延遲寄存器110a的輸出輸入到乘法 器120a。如后面說明的那樣，僅選擇來(lái)自延遲寄存器110b~110f的輸出 中的一個(gè)，并將其輸入到乘法器120b。注意，采樣間隔T是可隨意設(shè)定 的可變值。還可為了得到期望的頻率特性改變采樣間隔T。
僅開關(guān)S1、 S2、 S3、 S4、 S5中的一個(gè)被選擇為改變成閉合狀態(tài)。通 過僅選擇開關(guān)S1、 S2、 S3、 S4、 S5中的一個(gè)以改變成閉合狀態(tài)，使得有 可能僅選擇延遲寄存器110b~110f的輸出中的一個(gè)，以輸出到乘法器 120b。
乘法器120a使M遲寄存器110a的輸出減半并將其輸出。乘法器 120b使M遲寄存器110b ~ 110f的所選的一個(gè)的輸出減半并將其輸出。 從乘法器120a、 120b的輸出被輸入到加法器130。來(lái)自乘法器120a、 120b 的輸出輸入加法器130，加法器130將兩項(xiàng)輸入加在一起并輸出總和。
如圖1所示配置的電荷域?yàn)V波電路100的轉(zhuǎn)移函數(shù)由以下式1來(lái)表
示
式l<formula>formula see original document page 8</formula>(注意11=2， 3, 4， 5, 6。)
例如，在n=4的情況下，電荷域?yàn)V波電路100 i^僅開關(guān)S3閉合的 狀態(tài)。這種情況下的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性如圖2所示。在圖2所示的圖形中， 以dB—H(f)指示的線表示僅開關(guān)S3閉合的狀態(tài)中的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性。如 圖2戶f示，在n=4的情況下，可見在作為信號(hào)頻率f除以采樣頻率fs的標(biāo) 準(zhǔn)化頻率f/f;是0.167(l/6)和0.5的位置處形成陷波。
在使用SINC濾波器、且在標(biāo)準(zhǔn)化頻率為1/6的位置處形成陷波的情 況下，需要如式2這樣的轉(zhuǎn)移函數(shù)。
式2在圖22中示出了用于實(shí)現(xiàn)式2所示的轉(zhuǎn)移函數(shù)的SINC濾波器的方 框圖。在圖23中示出了圖22所示的SINC濾波器的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性。將 圖2的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性與圖23的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性作比較，可看出在直到 標(biāo)準(zhǔn)化頻率0.167的低頻范圍中，二者顯示出相同的頻率特性。然而，式 1和式2的比^明式2所示的SINC濾波器的轉(zhuǎn)移函數(shù)需要將帶有6 個(gè)不同延遲時(shí)間的6個(gè)樣值加在一起，與此不同，式l所示的電荷域?yàn)V波 電路100的轉(zhuǎn)移函數(shù)僅需要將2個(gè)樣值加在一起。進(jìn)而，在直到標(biāo)準(zhǔn)化頻 率0.167的低頻范圍中，圖1所示的電荷域?yàn)V波電路100具有這樣的優(yōu)點(diǎn) 可以以要素少于圖22所示的SINC濾波器的配置而達(dá)到與圖22所示的 SINC濾波器相同的頻率特性。
此夕卜，圖1所示的電荷域?yàn)V波電路IOO的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性的陷波位置 對(duì)應(yīng)于轉(zhuǎn)移函數(shù)的零點(diǎn)，使得電荷域?yàn)V波電路100具有以下優(yōu)點(diǎn)通過改 變式l的n值，即通過僅使開關(guān)S1 S5中的一個(gè)閉合，能夠改變標(biāo)準(zhǔn)化 頻率特性的陷波位置。圖3是示出如何通過改變n值來(lái)改變電荷域?yàn)V波電 路IOO中的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性的陷波位置的說明圖。在圖3中，dB_Hl(f) 表示當(dāng)n=2時(shí)的特性，38_112(0表示當(dāng)n=3時(shí)的特性，dB—H3(f)i示當(dāng) n=4時(shí)的特性，dB—H4(f)^^示當(dāng)n=5時(shí)的特性，且dB—H5(f)表示當(dāng)n=6 時(shí)的特性。如圖3^f示，通過改變式l的n值，即通if僅4吏開關(guān)SI ~ S5 中的一個(gè)閉合，可改變標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性的陷波位置。
以上已說明了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路100。接下 來(lái)說明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路100的實(shí)現(xiàn)的例子。
圖4是示出在將圖1所示的根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電 路100作為由開關(guān)和電容器配置而成的實(shí)際電路而實(shí)現(xiàn)的情況下的電路 的例子的說明圖。以下參照?qǐng)D4來(lái)說明才艮據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的電荷域 濾波電路IOO的配置。
如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路100具有8 層配置，其中各層包括6個(gè)開關(guān)和2個(gè)電容器。通過按需要切換圖4所示 的開關(guān)，使電荷反復(fù)從輸入端子IN輸入到電容器、并使電荷反復(fù)從電容 器釋放到輸出端子OUT。
圖5是示出輸入到圖4所示的根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路IOO中的時(shí)鐘信號(hào)的波形的說明圖。在圖5所示的時(shí)鐘信號(hào)中，相鄰 時(shí)鐘信號(hào)的上升沿之間的間隔對(duì)應(yīng)于上述采樣間隔T。圖5的時(shí)鐘信號(hào) (h-(J)8分別對(duì)應(yīng)于圖4的各開關(guān)的記號(hào)((Jh、小2、小3、小4、 (|)5、小6、小7、小8)。 當(dāng)圖5的時(shí)鐘信號(hào)(Jh (J)8中的任一個(gè)變成"高"時(shí)，圖4所示的與時(shí)鐘信 號(hào)對(duì)應(yīng)的開關(guān)閉合。例如，當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)(h變成"高"時(shí)，圖4的開關(guān)151a、 151b、 158c和158d閉合。因此，通過反復(fù)地使圖5的時(shí)鐘信號(hào)(^ ~小8成 為"高"和"低"，使得電荷積蓄在圖4所示的各電容器中，并使得進(jìn)行 信號(hào)采樣。
圖4中使用記號(hào)\|/以表示通過一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)閉合的開關(guān)。例如，\|/1{1((|)4， <|>5，小6，小7，小8)表示當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)<|)4~(|)8中的任一個(gè)變成"高"時(shí)，開關(guān)151f 閉合，且\|/115((|)3)表示當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)(h變成"高"時(shí)，開關(guān)151e閉合。進(jìn)而，
Vi廣V8a表示當(dāng)相應(yīng)位置所示的時(shí)鐘信號(hào)變成"高"時(shí)變成閉合的開關(guān)。 例如，在當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)小6變成"高"時(shí)開關(guān)151f閉合的情況下，當(dāng)時(shí)鐘信 號(hào)小7變成"高"時(shí)開關(guān)152f閉合，且當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)(|)8變成"高"時(shí)開關(guān)153f 閉合。下文中以上說明適用于對(duì)于以記號(hào)\|/標(biāo)識(shí)的所有開關(guān)。
圖6是示出對(duì)輸入到圖4所示的根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的電荷域?yàn)V 波電路IOO中的時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行選擇的電路的說明圖。如圖6所示，用于將 時(shí)鐘信號(hào)輸入到電荷域?yàn)V波電路100中的各開關(guān)可由互補(bǔ)型金屬氧化物 半導(dǎo)體(CMOS)傳輸門配置而成。通過由CMOS傳輸門來(lái)配置各開關(guān)， 使得有可能將所有開關(guān)調(diào)整至相同的延遲時(shí)間。圖6中的電路被配置成使 得當(dāng)開關(guān)S1 S5中的任一個(gè)閉合時(shí)，\|/13的一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)變成"高"、而 開關(guān)151f閉合。圖6示出了開關(guān)S3閉合且時(shí)鐘信號(hào)(|)6變成"高"的情況。
注意，圖4所示的16個(gè)電容器優(yōu)選地各具有相同的電容。對(duì)于圖4 所示的根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路100中的各開關(guān)，也可 使用金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和CMOSFET中的一個(gè)。
圖4所示的電荷域?yàn)V波電路100是對(duì)于輸入和輸出具有相同采樣率的 濾波器，使得有可能通過切換所輸入的時(shí)鐘信號(hào)從而以5種不同的方式來(lái) 切換標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性的陷波位置。以上已說明了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例 的電荷域?yàn)V波電路100的配置。接下來(lái)說明根據(jù)本發(fā)明的第 一實(shí)施例的電 荷域?yàn)V波電路100的工作。
首先關(guān)注電容器da、 Clb，當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)([h變成"高"時(shí)，開關(guān)151a、 151b都閉合，使電容器da、 C化接地。因此釋放電容器da、 C化中的殘 留電荷，并^f吏電容器Cla、 C化重置。當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)(|>2變成"高"時(shí)，開關(guān)151a、 151b都斷開且開關(guān)151c、 151d都閉合，將電容器Cla、 C化連接至 輸入端子IN，從而電荷積蓄在電容器da、 db中。
當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)(h變成"高"時(shí)，開關(guān)151c、 151d都斷開且開關(guān)151e閉 合，使得積蓄在電容器db中的電荷輸出到輸出端子OUT。進(jìn)一步，當(dāng) 時(shí)鐘信號(hào)(|)4~(|>8中的任一個(gè)變成"高"時(shí)，開關(guān)151f閉合，使得積蓄在 電容器Cla中的電荷被輸出到輸出端子OUT。在該例中，當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)小6 變成"高"時(shí)開關(guān)151f閉合，從而將積蓄在電容器Qa中的電荷輸出到輸 出端子OUT。
僅當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)(|)6變成"高"時(shí)才閉合的開關(guān)是開關(guān)154e。當(dāng)開關(guān)154e 閉合時(shí)，將電容器C4b中的電荷輸出到輸出端子OUT。當(dāng)在與時(shí)鐘信號(hào) 小6變成"高"時(shí)之前的1個(gè)采樣周期等同的時(shí)間時(shí)鐘信號(hào)(()5變成"高"時(shí)， 電荷積蓄在電容器C樸中。
在一個(gè)采樣操作中，電荷積蓄在具有相同電容的2個(gè)電容器中，因而 對(duì)于電容器C4b來(lái)說的轉(zhuǎn)移函數(shù)是z力2，對(duì)于電容器da來(lái)說的轉(zhuǎn)移函數(shù)
是Z力2。因此，當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)(|)6變成"高，，時(shí)，積蓄在電容器da中的電荷
和積蓄在電容器C4b中的電荷被同時(shí)輸出到輸出端子OUT，從而這種情 況等價(jià)于上述式1中n=4的情況。因而轉(zhuǎn)移函數(shù)變成對(duì)于電容器Qb來(lái)說
的轉(zhuǎn)移函數(shù)和對(duì)于電容器da來(lái)說的轉(zhuǎn)移函數(shù)之和，如以下的式3所示。
式3
說這種情況等價(jià)于上述式1中n=4的情況等于^1說圖1所示的電荷 域?yàn)V波電路100處在僅開關(guān)S3閉合的狀態(tài)中。因此可見，圖l所示的電 荷域?yàn)V波電路100可由圖4所示的開關(guān)和電容器的電路配置來(lái)實(shí)現(xiàn)。
即使對(duì)于電容器C2a、 C2b等也以同樣方式在每一采樣周期中反復(fù)進(jìn)
行電荷的積蓄和釋放，因而對(duì)于輸入和輸出采樣率相同。圖4所示的電路 作為整個(gè)電路等價(jià)于在圖1所示的電荷域?yàn)V波電路100中僅開關(guān)S3閉合 的狀態(tài)。因此，在僅開關(guān)S3閉合的情況下，圖4所示的電荷域?yàn)V波電路 100的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性具有與圖2所示的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性相同的屬性。
以上已說明了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路100的操 作。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，有可能通過僅將二個(gè)電荷加在一起而實(shí)現(xiàn)與必須將大量電荷加在一起的SINC濾波器等價(jià)的標(biāo)準(zhǔn)化頻 率特性。進(jìn)一步，可以通過控制時(shí)鐘信號(hào)的輸出而控制電荷的釋放的定時(shí)， 這使得容易改變頻率特性。此外，輸入到電荷域?yàn)V波電路IOO中的時(shí)鐘信 號(hào)是具有相同波形且似目位不同的短周期的時(shí)鐘信號(hào)，因而容易生成時(shí)鐘 信號(hào)，且即使當(dāng)電路高速地工作時(shí)也可使消耗的電力的量保持為低。最后， 輸入到電荷域?yàn)V波電路100中的時(shí)鐘信號(hào)的波形是簡(jiǎn)單的、周期短的矩形 波，且時(shí)鐘信號(hào)頻鐠中不含低頻成分。因此，即使時(shí)鐘信號(hào)頻鐠暫時(shí)混入 濾波器的通頻帶中，也容易去除。
第二實(shí)施例
在本發(fā)明的第一實(shí)施例中說明的電荷域?yàn)V波電路100通過將在不同 時(shí)間處釆樣的二個(gè)信號(hào)合成并切換其中一個(gè)信號(hào)的采樣定時(shí)，從而可改變 頻率特性。在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，將說明可通過合成在不同時(shí)間處采 樣的三個(gè)信號(hào)來(lái)改變頻率特性的電荷域?yàn)V波電路。
圖7是使用方框圖來(lái)說明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電 路200的配置的說明圖。以下使用圖7來(lái)說明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的 電荷域?yàn)V波電路200。
如圖7所示，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路200是FIR 濾波器的例子，并被配置成包含延遲寄存器210a、 210b、 210c、乘法器 220a、 220b、 220c和加法器230。
以與根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路100相同的方式，從 連續(xù)時(shí)間信號(hào)以采樣間隔T進(jìn)行釆樣的離散時(shí)間信號(hào)被從輸入端子IN輸 入到電荷域?yàn)V波電路200。以相同的方式，將采樣頻率表示為fs(l/T)。延 遲寄存器210a^輸入信號(hào)進(jìn)行采樣的時(shí)間fel遲時(shí)間T后再輸出釆樣 的輸入信號(hào)。M遲寄存器210a輸出的信號(hào)被輸入到延遲寄存器210b 和乘法器220a。注意，采樣間隔T是可隨意設(shè)定的可變值。還可為了得 到所期望的頻率特性而改變采樣間隔T。
在延遲了時(shí)間nxT (T的n倍，其中n是1或更大的整數(shù))后，延遲寄 存器210b輸出^JEl遲寄存器210a輸出的信號(hào)。即，M遲"^存器210b 輸出的信號(hào)是從對(duì)信號(hào)進(jìn)行采樣的時(shí)間起延遲了 T(n+1)的信號(hào)。從延遲 寄存器210b輸出的信號(hào)被輸入到延遲寄存器210c和乘法器220b。在延 遲了另外的時(shí)間nxT后，延遲寄存器210c輸出M遲寄存器210b輸出 的信號(hào)。即，M遲寄存器210c輸出的信號(hào)是從對(duì)信號(hào)進(jìn)行采樣的時(shí)間
12起延遲了 T(2n+1)的信號(hào)。從延遲寄存器210c輸出的信號(hào)被輸入到乘法 器220c。
乘法器220a將M遲寄存器210a輸出的信號(hào)乘以1/(2+|01|)并輸出結(jié) 果。以相同方式，乘法器220b將從延遲寄存器210b輸出的信號(hào)乘以 a/(2+lal)并輸出結(jié)果，而乘法器220c將M遲寄存器210c輸出的信號(hào)乘 以1/(2+lal)并輸出結(jié)果。加法器230將從乘法器220a、 220b、 220c輸出 的信號(hào)加在一起并輸出結(jié)果。
注意，將a的值作為絕對(duì)值來(lái)對(duì)待的原因是對(duì)ot可能得到負(fù)值。具體 地，通過使圖7所示的電荷域?yàn)V波電路200差動(dòng)化(differentiate)并將反相 信號(hào)輸入到延遲寄存器210b，可使a的值為負(fù)值。
在這種情況下，a滿足以下式4。
式4
a = -2cos(w(9)，其中"~~^~
此處，frel是在o^O的情況下，形成陷波的最低頻率為1.0時(shí)的相對(duì) 頻率。這就意味著圖7所示的電荷域?yàn)V波電路200的轉(zhuǎn)移函數(shù)如以下的式 5所示。
式5
z—1 + az—+ (2"+1)
響
2 + a
例如，在當(dāng)n=l時(shí)設(shè)系數(shù)a為0的情況下，上述式5變成以下的式6。 式6
、7 2
在當(dāng)n=l時(shí)設(shè)式5中系數(shù)a為0的情況下，被釆樣頻率fs標(biāo)準(zhǔn)化的 頻率特性如圖8所示。由圖8的dB—H3(f)所示的線表示這種情況下的頻 率特性。如圖8所示，在當(dāng)n=l時(shí)設(shè)系數(shù)a為0的情況下，可見在標(biāo)準(zhǔn) 化頻率f/fs是0.25(1/4)處形成陷波。當(dāng)系數(shù)a是0時(shí)來(lái)自乘法器220b的 輸出也是0，這使得電荷域?yàn)V波電路200成為合成并輸出二個(gè)信號(hào)的電荷 域?yàn)V波器。當(dāng)合成并輸出二個(gè)信號(hào)時(shí)，形成陷波位置的頻率(陷波頻率)限于采樣頻率的整數(shù)部分為1處的頻率。
接下來(lái)，考慮將該陷波頻率提高20%的情況。為了將陷波頻率提高 20%，在式4中設(shè)frel的值為1.2而求得a(n的值為1不變)。這導(dǎo)致a 的值為0.618。當(dāng)a的值為0.618時(shí)的電荷域?yàn)V波電路200的轉(zhuǎn)移函數(shù)如 以下的式7所示。
式7
^ 、 ^ + 0.618z—("+" + f (2"+1) \ 7 2.618
在這種情況下，被采樣頻率fs標(biāo)準(zhǔn)化的頻率特性如圖9所示。由圖9 的dB一H3(f)所示的線表示這種情況下的頻率特性。可見，陷波頻率的位 置(0,3)比圖8高了 20%。
注意，從式4可知，對(duì)于oc可獲得的值在從-2到2的范圍內(nèi)。在該范 圍內(nèi)改變a的值使得有可能使得在不被采樣頻率fs限定的情況下改變陷波 頻率。
以上已說明了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路200。接下 來(lái)說明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路200的配置例子。
圖10是示出在將圖7所示的根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電荷域?yàn)V波 電路200作為由開關(guān)和電容器配置而成的實(shí)際電路而實(shí)施的情況下的電 路的例子的說明圖。以下參照?qǐng)DIO來(lái)說明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電 荷域?yàn)V波電路200的配置。
圖10所示的電荷域?yàn)V波電路200是在圖7所示的配置中設(shè)n的值為 1的情況下，由開關(guān)和電容器配置而成的實(shí)際電路這一形式的配置的例 子。如圖IO所示，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路200具有 6層配置，其中各層包括12個(gè)開關(guān)和4個(gè)電容器。通過按需要切換各個(gè) 開關(guān)，從而使電荷反復(fù)從輸入端子IN輸入到電容器，并使電荷反復(fù)從電 容器釋放到輸出端子OUT。
圖ll是示出輸入到圖IO所示的根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電荷域?yàn)V 波電路200中的時(shí)鐘信號(hào)的波形的說明圖。在圖ll所示的時(shí)鐘信號(hào)中， 相鄰時(shí)鐘信號(hào)的上升沿之間的間隔對(duì)應(yīng)于上述采樣間隔T。圖11的時(shí)鐘 信號(hào)小廣小6分別對(duì)應(yīng)于圖lO的各開關(guān)的記號(hào)O)h、 (h、 (h、小4、小5、小6)。以 與本發(fā)明的第一實(shí)施例相同的方式，當(dāng)圖11的時(shí)鐘信號(hào)(K (I)6中的任一個(gè)變成"高"時(shí)，圖IO所示的與時(shí)鐘信號(hào)對(duì)應(yīng)的開關(guān)閉合。因此，通過
反復(fù)地使圖U的時(shí)鐘信號(hào)(h (l)6成為"高"和"低"，使得電荷積蓄在圖
IO所示的各電容器中，并使得進(jìn)行信號(hào)采樣。
在一些開關(guān)附近除了用于開關(guān)并與時(shí)鐘信號(hào)對(duì)應(yīng)的記號(hào)外，還置有字
母A和B。例如，開關(guān)251e的標(biāo)記A+表示由控制邏輯A對(duì)時(shí)鐘信號(hào)(lh 進(jìn)行時(shí)鐘門控。具體地，如果控制邏輯A是1，則根據(jù)時(shí)鐘信號(hào)(h是高還 是低狀態(tài)而使開關(guān)251e閉合和斷開，如果控制邏輯A是O,則與時(shí)鐘信 號(hào)(Jh是高還是低狀態(tài)無(wú)關(guān)地使開關(guān)251e斷開。
注意，對(duì)于圖10所示的24個(gè)電容器，優(yōu)選地對(duì)于所有垂直排列的電 容器具有相同的電容。例如，優(yōu)選地所有電容器da、 C2a、 C3a、 C4a、 C5a、 C6a具有相同電容。而且，優(yōu)選地對(duì)于各層中的c和d電容器，電容器Ck
和dd、電容器C2c和C2d、電容器C3c和C3d、電容器C4c和C化、電容器 Qc和Csd、以及電容器C6c和C6d分別具有相同電容。以第一層為例，上
述式5的a的值可通過由電容器de的電容對(duì)電容器Ch和C化的電^ii
行標(biāo)準(zhǔn)化來(lái)決定。
以與本發(fā)明第一實(shí)施例相同的方式，對(duì)于圖IO所示的根據(jù)本發(fā)明的 第二實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路200的各開關(guān)，可使用MOSFET和 CMOSFET中的一種。
以與圖4所示的根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路100相同 的方式，圖10所示的電荷域?yàn)V波電路200是對(duì)輸入和輸出具有相同采樣 率的濾波器。電荷域?yàn)V波電路200還能夠根據(jù)電容器的電容和控制邏輯A、 B的狀態(tài)來(lái)切換標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性的陷波位置。以上已說明了根據(jù)本發(fā)明的 第二實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路200的配置。接下來(lái)說明根據(jù)本發(fā)明的第二 實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路200的IMt。
首先關(guān)注電容器C2a、 C2b、 C2c、 C2d，當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)()h變成"高"時(shí)， 開關(guān)252a、 252b、 252c、 252d都閉合，使電容器C2a、 C2b、 C2c、 C"接 地。因此釋放電容器Qa、 C2b、 C2e、 C2d中的殘留電荷，并使電容器C^、
C2b、 C2c、 C2d重置。
當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)(()2變成"高"時(shí)，開關(guān)252a、 252b、 252c、 252d都斷開 且開關(guān)252g、 252h都閉合，將電容器C2c、 C2d連接至輸入端子IN，以致 電荷積蓄在電容器C2c、 Cm中。開關(guān)252e、 252f是否閉合由控制邏輯A、 B的狀態(tài)決定?？刂七壿婣、 B的狀態(tài)還決定電荷是否積蓄在電容器Ch、
15C化中。為使說明容易理解，以控制邏輯A、 B都設(shè)為l來(lái)說明本例。在 控制邏輯A、 B都是l的情況下，當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)(h變成"高"時(shí)，開關(guān)252e、
252f閉合，使電容器C2a、 C2b連接至輸入端子IN，而電荷積蓄在電容器 Ca、 C2b中。
當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)(h變成"高"時(shí)，開關(guān)252e、 252f、 252g、 252h都斷開 且開關(guān)252k閉合,使得存儲(chǔ)在電容器C2c中的電荷輸出到輸出端子OUT。 當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)(|)3變成"高"時(shí)也閉合的其它開關(guān)是開關(guān)251i、 251j和2561。 因而，當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)(h變成"高"時(shí)，存儲(chǔ)在電容器da、 Clb、 C6d中的電 荷也輸出到輸出端子OUT。當(dāng)在時(shí)鐘信號(hào)(|)3之前的二個(gè)采樣周期處時(shí)鐘 信號(hào)f變成"高"時(shí)，存儲(chǔ)在電容器Cla、 db中的電荷被積蓄。當(dāng)在時(shí) 鐘信號(hào)(|)3之前的3個(gè)采樣周期處時(shí)鐘信號(hào)(|)6變成"高"時(shí)，存儲(chǔ)在電容器
C6d中的電荷被積蓄。
即使對(duì)于其它層中的電容器，也以同樣方式在每一采樣周期中反復(fù)進(jìn) 行電荷的積蓄和釋放，從而對(duì)于輸入和輸出采樣率相同。
接下來(lái)，使用a來(lái)說明各層中的電容器的電容比。例如，電容器da 和db的電容總和與電容器Qe的電容t比可以是a:l。在這種情況下， 因?yàn)閮?yōu)選情況是電容器dc的電容和電容器dd的電斜目同，所以電容器 Cla和Clb的電容總和、電容器Cle的電容、電容器Cld的電容之比是a:l:l。 因此，如果電容器Ck的電容是l，則所有層中電容器的電容總計(jì)是2+a, 因而可用于上述式5的分母。
在已說明的n=l的情況下，式5的分子中的第一項(xiàng)代表從釆樣時(shí)間 延遲1個(gè)周期，分子中的第二項(xiàng)代表延遲2個(gè)周期，而分子中的第三項(xiàng)代 M遲3個(gè)周期。因此，式5的分子中的第一項(xiàng)對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)在電容器Qc 中的電荷的輸出，分子中的第二項(xiàng)對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)在電容器Cla和Clb中的電 荷，而分子中的第三項(xiàng)對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)在電容器Qd中的電荷的輸出。因?yàn)殡?容器da和db的電容總和與電容器C^(和電容器C6d)的電容之比是a:l， 所以各電荷可用于上述式5的分子。
因此可見，圖10所示的電荷域?yàn)V波電路200滿足式5，圖7所示的 電荷域?yàn)V波電路200可由圖IO所示的電路配置來(lái)實(shí)現(xiàn)。
注意，式5的a值由電容器Cu和db的電容總和與電容器Ck的電 容t比來(lái)決定。以簡(jiǎn)單的例子來(lái)闡述，假設(shè)對(duì)電容器Cla、 C化的電容進(jìn) 行二進(jìn)制加權(quán)，以使電容器da和電容器Ck的電容比是0.5:1且電容器C化和電容器Ck的電容比是l:l。設(shè)電容器de的電容是l，通過改變控 制邏輯A、 B的狀態(tài)，電容器da和db的電容總和(即，式5的a值)可 設(shè)為0、 0.5、 l和丄5這4個(gè)值中的任一個(gè)。注意，還可通過使用可連續(xù) 地改變電容的可變電容器來(lái)取代電容器Ch和Clb，來(lái)連續(xù)地改變式5的 a值。通過4吏用可變電容器，偵」得有可能連續(xù)地改變標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性。
圖12是示出在使a的值在0、0.5、 1和1.5這4個(gè)值中變化的情況下， 根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路200的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性的說 明圖。在圖12中，dBJH0(f)表示當(dāng)a的值是0時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性， dBJIl(f)表示當(dāng)a的值是0.5時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性，dB一H2(f)表示當(dāng)a的 值il時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性，dBJD①表示當(dāng)a的值是1.5時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)化頻 率特性。如圖12所示，通過改fa的值，有可能實(shí)現(xiàn)對(duì)于陷波頻率具有 不同位置的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性。
以上已說明了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路200的操 作。注意，在本發(fā)明中，通過使電荷域?yàn)V波電路200差動(dòng)化，可將反相信
號(hào)輸入到從電容器Ch和C化到電容器C&和C6b這一系列電容器。通過將 反相信號(hào)輸入到從電容器Ch和C化到電容器C&和C幼這一系列電容器，
可使得a的值為負(fù)值，從而有可能配置電荷域?yàn)V波電路200使得其滿足式 5所示的轉(zhuǎn)移函數(shù)。
如上述，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，通過切換電容器的電容來(lái)改變式 5中的a值，4吏得有可能在不是如第一實(shí)施例中那樣將陷波頻率的位置局 限于采樣頻率的整數(shù)部分為1處的頻率的情況下來(lái)設(shè)定該陷波頻率的位 置。進(jìn)而，以與第一實(shí)施例相同的方式，輸入到電荷域?yàn)V波電路200中的 時(shí)鐘信號(hào)是具有相同波形且似目位不同的短周期的時(shí)鐘信號(hào)，因而容易生 成時(shí)鐘信號(hào)，且即使當(dāng)電路高速地工作時(shí)也可使消耗的電力的量保持為 低。最后，輸入到電荷域?yàn)V波電路200中的時(shí)鐘信號(hào)的波形是簡(jiǎn)單的、周 期短的矩形波，且時(shí)鐘信號(hào)頻謙中不含低頻成分。因此，即使時(shí)鐘信號(hào)頻 鐠暫餘混入濾波器的通頻帶中，也容易去除。
第三實(shí)施例
在本發(fā)明的第二實(shí)施例中說明的電荷域?yàn)V波電路200可通過合成在 不同時(shí)間處采樣的三個(gè)信號(hào)來(lái)改變頻率特性。在本發(fā)明的第三實(shí)施例中， 將說明可通過合成在不同時(shí)間處采樣的四個(gè)信號(hào)來(lái)改變頻率特性的電荷 域?yàn)V波電路。圖13是使用方框圖來(lái)說明根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電 路300的配置的說明圖。以下4吏用圖13來(lái)說明根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例 的電荷域?yàn)V波電路300。
如圖13所示，根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路300是FIR 濾波器的例子，并被配置為包含延遲寄存器310a、 310b、 310c、 310d、 乘法器320a、 320b、 320c、 320d和加法器330。
與根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路100和根據(jù)本發(fā)明的 笫二實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路200相同的方式，對(duì)連續(xù)時(shí)間信號(hào)以釆樣間 隔T進(jìn)行采樣的離散時(shí)間信號(hào)被從輸入端子IN輸入到電荷域?yàn)V波電路 300。以相同方式，將采樣頻率表達(dá)為fs(l/T)。延遲寄存器310a M輸入 信號(hào)進(jìn)行采樣的時(shí)間起延遲時(shí)間T后再輸出采樣的輸入信號(hào)。從延遲寄 存器310a輸出的信號(hào)被輸入到延遲寄存器310b和乘法器320a。注意， 采樣間隔T是可隨意設(shè)定的可變值，還可為了得到所期望的頻率特性而 改變采樣間隔T。
在延遲了時(shí)間nxT (T的n倍，其中n是1或更大的整數(shù))后，延遲寄 存器310b輸出M遲寄存器310a輸出的信號(hào)。即，vMJ^遲寄存器310b 輸出的信號(hào)是從對(duì)信號(hào)進(jìn)行采樣的時(shí)間起延遲了 T(n+1)的信號(hào)。M遲 寄存器310b輸出的信號(hào)被輸入到延遲寄存器310c和乘法器320b。
在延遲了另外的時(shí)間T后，延遲寄存器310c輸出M遲寄存器310b 輸出的信號(hào)。即，M遲寄存器310c輸出的信號(hào)是M信號(hào)進(jìn)行采樣的 時(shí)間起延遲了 T(n+2)的信號(hào)。vMJ^遲寄存器310c輸出的信號(hào)被輸入到延 遲寄存器310d和乘法器320c。在延遲了時(shí)間nxT后，延遲寄存器310d 輸出從延遲寄存器310c輸出的信號(hào)。即，M遲寄存器310d輸出的信號(hào) 是從對(duì)信號(hào)進(jìn)行采樣的時(shí)間起延遲了 T(2n+2)的信號(hào)。M遲寄存器310d 輸出的信號(hào)被輸入到乘法器320d。
乘法器320a將M遲寄存器310a輸出的信號(hào)乘以1/(2+l2a!)并輸出 結(jié)果。以相同方式，乘法器320b將從延遲寄存器310b輸出的信號(hào)乘以 a/(2+l2al)并輸出結(jié)果，而乘法器320c也將>^遲寄存器310c輸出的信號(hào) 乘以a/(2+l2al)并輸出結(jié)果。乘法器320d將M遲寄存器310d輸出的信 號(hào)乘以1/(2+l2al)并輸出結(jié)果。加法器330將從乘法器320a、 320b、 320c、 320d輸出的信號(hào)加在一起并輸出結(jié)果。
注意，與第二實(shí)施例的方式相同，將a的值作為絕對(duì)值來(lái)對(duì)待的原因是對(duì)a可得到負(fù)值。具體地，可通過使電路差動(dòng)化并將反相信號(hào)輸入到延 遲寄存器310b、 310d，使a的值為負(fù)值。
在這種情況下，a滿足以下式8。
式8
<formula>formula see original document page 19</formula>
其中 2(2W + 1)
"1
此處，frel是在o^0的情況下、令形成陷波的最低頻率為l.O時(shí)的相 對(duì)頻率。這就意味著圖13所示的電荷域?yàn)V波電路300的轉(zhuǎn)移函數(shù)如以下 的式9所示。
式9<formula>formula see original document page 19</formula>
例如，在當(dāng)n=l時(shí)設(shè)系數(shù)a為0的情況下，上述式9變成以下的式
<formula>formula see original document page 19</formula>
在這種情況下，被采樣頻率fs標(biāo)準(zhǔn)化的頻率特性如圖14所示。在圖 14所示的圖形中由dB—H4(f)所示的線表示當(dāng)n=l時(shí)設(shè)系數(shù)a為0的情況 下、被采樣頻率fs標(biāo)準(zhǔn)—化的頻率特性。如圖14所示，在當(dāng)11=1時(shí)設(shè)系數(shù) a為0的情況下，可見在標(biāo)準(zhǔn)化頻率f/fs是0.167(l/6)處形成陷波。當(dāng)系數(shù) a是0時(shí)乘法器320b、 320c的輸出也是0，這使得電荷域?yàn)V波電路300 成為合成并輸出二個(gè)信號(hào)的電荷域?yàn)V波器。當(dāng)合成并輸出二個(gè)信號(hào)時(shí)，形 成陷波位置處的頻率(陷波頻率)局限于采樣頻率的整數(shù)部分為1處的頻 率。
接下來(lái)，考慮將該陷波頻率提高20%的情況。為了將陷波頻率提高 20%,在式8中設(shè)frel的值為1.2而求得a(n的值為1不變)。這導(dǎo)致a2008 的電荷域?yàn)V波電路300的轉(zhuǎn)移函數(shù)如 以下的式ll所示。
式ll
、 z—1 +0.382z_("+1)十0.382z—("+2) +z—(2"+2)
在這種情況下，被釆樣頻率fs標(biāo)準(zhǔn)化的頻率特性如圖15所示。在圖 15所示的圖形中，由dBJI4(f)所示的線表示這種情況下的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特 性?？煽闯鱿莶l率的位i(0.2)比圖14高了 20%。
以上已說明了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路300。
如上述，根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路300，可通過合 成在不同時(shí)間處采樣的四個(gè)信號(hào)并改變采樣時(shí)間以使a的值變化，來(lái)改變 電荷域?yàn)V波電路300的頻率特性。
第四實(shí)施例
接下來(lái)，說明根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路。以下說明 的本發(fā)明的第四實(shí)施例通過將本發(fā)明的第二實(shí)施例所示的電荷域?yàn)V波電 路的二個(gè)組^來(lái)改變頻率特性。
圖16是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路400的說明 圖。圖17是示出在將圖16所示的根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的電荷域?yàn)V波 電路400作為實(shí)際電路而實(shí)施的情況下的電路的例子的說明圖。以下參照 圖16和17來(lái)"^兌明電荷域?yàn)V波電路400的配置。
如圖16所示，作為本發(fā)明的第四實(shí)施例的例子的電荷域?yàn)V波電路400 被配置成包含延遲寄存器410a、 410b、 410c、 410d、 410e、乘法器420a、 420b、 440a、 440b和加法器430a、 430b。
與上述第一 ~第三實(shí)施例相同的方式，對(duì)連續(xù)時(shí)間信號(hào)以采樣間隔T 進(jìn)行采樣的離散時(shí)間信號(hào)被從輸入端子IN輸入到圖16所示的電荷域?yàn)V波 電路400。將采樣頻率表示為fs(l/T)。延遲寄存器410a、 410b、 410c、 410d、 410e各自延遲時(shí)間T后輸出所輸入的信號(hào)。注意，采樣間隔T是可隨意 設(shè)定的可變值。還可為了得到所期望的頻率特性改變采樣間隔T。
乘法器420a、 420b各自將M遲寄存器410c輸出的信號(hào)乘以系數(shù)a 并輸出結(jié)果。加法器430a將延遲寄存器410a、乘法器420a和延遲寄存 器410e的輸出加在一起并輸出結(jié)果。以相同方式，加法器430b將延遲寄存器410b、乘法器420b和延遲寄存器410d的輸出加在一起并輸出結(jié)果。 乘法器440a、 440b分別將從加法器430a、 430b輸出的信號(hào)乘以l/(2+|a|) 并輸出結(jié)果。
通過將開關(guān)S1、 S2切換至閉合和斷開，在將n的值設(shè)為l和2的情 況下，可使圖16所示的電荷域?yàn)V波電路400對(duì)應(yīng)于圖7所示的根據(jù)本發(fā) 明的第二實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路200 。
圖17是示出在將圖16所示的根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的電荷域?yàn)V波 電路400作為由開關(guān)和電容器配置而成的實(shí)際電路而實(shí)施的情況下的電 路的例子的說明圖。如圖17所示，根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的電荷域?yàn)V 波電路400具有8層配置，其中各層由12個(gè)開關(guān)和4個(gè)電容器的組配置 而成。通過按需要切換各個(gè)開關(guān)，使電荷反復(fù)從輸入端子IN輸入到電容 器，并使電荷反復(fù)從電容器釋放到輸出端子OUT。
圖18是示出輸入到圖17所示的根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的電荷域?yàn)V 波電路400中的時(shí)鐘信號(hào)的波形的說明圖。在圖18所示的時(shí)鐘信號(hào)中， 相鄰時(shí)鐘信號(hào)的上升沿之間的間隔對(duì)應(yīng)于上述釆樣間隔T。圖18的時(shí)鐘 信號(hào)(K (()8分別對(duì)應(yīng)于圖17的各開關(guān)的記號(hào)((lh、小2、 (h、 *4、如小6、 <h、 小8)。當(dāng)圖18的時(shí)鐘信號(hào)(K (I)8中的任一個(gè)變成"高"時(shí)，圖17所示的與 時(shí)鐘信號(hào)對(duì)應(yīng)的開關(guān)閉合。因此，通過反復(fù)地使圖18的時(shí)鐘信號(hào)(h-(1)8 成為"高"和"低"，使得電荷積蓄在圖17所示的各電容器中，并使得進(jìn) 行信號(hào)采樣。
在一些開關(guān)附近除了用于開關(guān)并與時(shí)鐘信號(hào)對(duì)應(yīng)的記號(hào)外，還置有字 母A和B。例如，開關(guān)451e的標(biāo)記A+表示由控制邏輯A對(duì)時(shí)鐘信號(hào)(lh 進(jìn)行時(shí)鐘門控。具體地，如果控制邏輯A是1，則根據(jù)時(shí)鐘信號(hào)(h是高還 是低狀態(tài)而使開關(guān)451e閉合和斷開，如果控制邏輯A是O，則與時(shí)鐘信 號(hào)(h是高還是低狀態(tài)無(wú)關(guān)地使開關(guān)451e斷開。
圖17中使用記號(hào)\|/來(lái)表示通過一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)閉合的開關(guān)。例如， Vic(小3， (h)表示當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)小2、傘3中的任一個(gè)變成"高"時(shí)，開關(guān)451k
閉合。進(jìn)而，~ We和Vld ~ V8d表示當(dāng)相應(yīng)位置所示的時(shí)鐘信號(hào)變成"高"
時(shí)閉合的開關(guān)。例如，在當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)(|)3變成"高"時(shí)開關(guān)451k閉合的情 況下，當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)小5變成"高"時(shí)開關(guān)4511閉合，當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)小4變成"高" 時(shí)開關(guān)452k閉合，而當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)小6變成"高"時(shí)開關(guān)4521閉合。在下文 中以上適用于標(biāo)有記號(hào)vj/的所有開關(guān)。注意，對(duì)于標(biāo)有記號(hào)\|/的開關(guān)，響應(yīng)于各時(shí)鐘信號(hào)的閉合和斷開對(duì)應(yīng)
于圖16所示的開關(guān)S1、 S2的閉合和斷開。因此，通過選擇開關(guān)所對(duì)應(yīng)的 時(shí)鐘信號(hào)，將n的值設(shè)為1和設(shè)為2的情況每個(gè)都可被選擇。
對(duì)于圖17所示的32個(gè)電容器，與圖IO所示的才艮據(jù)本發(fā)明的第二實(shí) 施例的電荷域?yàn)V波電路200相同的方式，優(yōu)選地所有垂直排列的電容器具 有相同電容。例如，優(yōu)選地所有電容器Cla、 C2a、 C3a、 C4a、 C5a、 C6a、 C7a、 Csa具有相同電容。而且，還優(yōu)選地對(duì)于各層中的c和d電容器，與 圖10所示的根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路200相同的方式，
電容器Ck和dd、電容器C2e和C2d、電容器C3c和C3d、電容器C4c和 C4d、電容器Csc和Csd、以及電容器C&和C6d、電容C7c和C7d、 Csc和
Csd具有相同電容。以第一層為例，上述式5的a的值可通過由電容器dc
的電容對(duì)電容器Ch和db的電容進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化來(lái)決定。
對(duì)于圖17所示的根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路400的 各開關(guān)，可4吏用MOSFET和CMOSFET中的一種。
圖17所示的電荷域?yàn)V波電路400是對(duì)于輸入和輸出具有相同釆樣率 的濾波器，這使得有可能以8種方式來(lái)切換標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性的陷波位置。 以上已說明了根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路400的配置。接 下來(lái)說明根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路400的操作。
首先關(guān)注電容器C2a、 C2b、 C2c、 C2d，當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)(h變成"高"時(shí)， 開關(guān)452a、 452b、 452c、 452d都閉合，4吏電容器C2a、 C2b、 C2c、 Cm接
地。因此釋放電容器C2a、 C2b、 C2c、 C2d中的殘留電荷，并使電容器C2a、 C2b、 C之c、 重置。
當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)(h變成"高"時(shí)，開關(guān)452a、 452b、 452c、 452d都斷開， 且開關(guān)452g、 452h都閉合，將電容器C2e、 C2d連接至輸入端子IN，以致 電荷積蓄在電容器C2c、 Cm中。開關(guān)452e、 452f是否閉合由控制邏輯A、 B的狀態(tài)來(lái)決定?？刂七壿婣、 B的狀態(tài)還決定電荷是否積蓄在電容器 C2a、 C2b + 。為使說明容易理解，以控制邏輯A、 B都設(shè)為l來(lái)說明本例。 在控制邏輯A、 B都是1的情況下，當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)(h變成"高"時(shí)，開關(guān) 452e、 452f閉合，使電容器C2a、 <:21)連接至輸入端子IN,而電荷積蓄在 電容器Ch、 C化中。
當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)小3或(|)4中的一個(gè)變成"高"時(shí)，開關(guān)452e、 452f、 452g、 452h都斷開且開關(guān)452k閉合，使得存儲(chǔ)在電容器C2c中的電荷被輸出到輸出端子OUT。為了進(jìn)行該說明，假設(shè)當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)小4變成"高，，時(shí)，開 關(guān)452k閉合，且存儲(chǔ)在電容器C2c中的電荷被輸出到輸出端子OUT。也 就是說，將說明與在圖7的電荷域?yàn)V波電路200中n=l的情況相對(duì)應(yīng)的情 況。
在這種情況下，當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)(|)4變成"高"時(shí)閉合的其它開關(guān)是開關(guān) 451i、 451j、 4581。因而，當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)(|)4變成"高"時(shí)，存儲(chǔ)在電容器da、 Clb、 C8d中的電荷也^L輸出到輸出端子OUT。當(dāng)在時(shí)鐘信號(hào)小4之前的3 個(gè)采樣周期處時(shí)鐘信號(hào)(h變成"高"時(shí)，存儲(chǔ)在電容器Cla、 C化中的電 荷被積蓄。當(dāng)在時(shí)鐘信號(hào)小4之前的4個(gè)采樣周期處時(shí)鐘信號(hào)(|)8變成"高" 時(shí)，存儲(chǔ)在電容器Csd中的電荷被積蓄。
即使對(duì)于其它層中的電容器，也以同樣方式在每一采樣周期中反復(fù)進(jìn) 行電荷的積蓄和釋放，因而對(duì)于輸入和輸出采樣率相同。
接下來(lái)，使用a來(lái)說明各層中的電容器的電容比。例如，電容器da 和db的電容總和與電容器Ck的電容之比可以是a:l。在這種情況下， 因?yàn)閮?yōu)選地電容器dc的電容和電容器dd的電斜目同，所以電容器Cla 和db的電容總和、電容器de的電容、電容器dd的電容t比是a:l:l。 因此，如果電容器Ck的電容是l，則所有層中電容器的電容總計(jì)是2+a， 因而可用于上述式5的介學(xué)。
在已說明的n=l的情況下，式5的分子中的第一項(xiàng)代表從采樣時(shí)間 延遲1個(gè)周期，分子中的第二項(xiàng)代表延遲2個(gè)周期，而分子中的第三項(xiàng)代 M遲3個(gè)周期。因此，式5的分子中的第一項(xiàng)對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)在電容器C2c 中的電荷的輸出，分子中的第二項(xiàng)對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)在電容器Cla和Clb中的電 荷，而分子中的第三項(xiàng)對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)在電容器Csd中的電荷的輸出。因?yàn)殡?容器Ch和db的電容總和與電容器C&(和電容器Csd)的電容之比是a:l， 所以各電荷可用于上述式5的分子。轉(zhuǎn)移函數(shù)如式12所示。
式12
剛=——
注意，在式12中，與在式5中以l代入n時(shí)相比，所有采樣時(shí)間延 遲了 l個(gè)周期，但因?yàn)閷?duì)于所有釆樣時(shí)間延遲都是l個(gè)周期，所以對(duì)于頻 率特性絕無(wú)影響。
23以上已說明了 n-l的情況。接下來(lái)，對(duì)于以下情況說明同類^Mt, 該情況為當(dāng)另一時(shí)鐘信號(hào)(h變成"高"時(shí)，開關(guān)452k閉合，且存儲(chǔ)在電 容器C2c中的電荷被輸出到輸出端子OUT，也即與在圖7的電荷域?yàn)V波 電路200中n=2的情況相對(duì)應(yīng)的情況。
當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)(h變成"高"時(shí)閉合的其它開關(guān)是開關(guān)458i、 458j、 4561。
因而，當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)(|)3變成"高"時(shí)，存儲(chǔ)在電容器Csa、 C8b、 C6d中的電
荷也被輸出到輸出端子OUT。當(dāng)在時(shí)鐘信號(hào)小3之前的3個(gè)采樣周期處時(shí) 鐘信號(hào)(|)8變成"高"時(shí)，存儲(chǔ)在電容器C8a、 Qb中的電荷被積蓄。當(dāng)在 時(shí)鐘信號(hào)<|)3之前的5個(gè)采樣周期處時(shí)鐘信號(hào)(|)6變成"高"時(shí)，存儲(chǔ)在電容
器C6d中的電荷被積蓄。
接下來(lái)，使用a來(lái)說明各層中的電容器的電容比。例如，電容器C^ 和db的電容總和與電容器Ck的電容之比可以是a:l。在這種情況下， 因?yàn)閮?yōu)選地電容器Ck的電容和電容器dd的電斜目同，所以電容器Cla 和C化的電容總和、電容器dc的電容、電容器dd的電容之比是a:l:l。 因此，如果電容器Ck的電容是l，則所有層中電容器的電容總計(jì)是2+a， 因而以與n=l的情況相同的方式可用于上述式5的分母。
在已說明的n=2的情況下，式5的分子中的第一項(xiàng)代表從采樣時(shí)間 延遲l個(gè)周期，分子中的第二項(xiàng)代表延遲3個(gè)周期，而分子中的第三項(xiàng)代 表延遲5個(gè)周期。因此，式5的分子中的第一項(xiàng)對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)在電容器C2c 中的電荷的輸出，分子中的第二項(xiàng)對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)在電容器C8a和C8b中的電
荷，而分子中的第三項(xiàng)對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)在電容器C6d中的電荷的輸出。因?yàn)殡?br> 容器Qa和C幼的電容總和與電容器Qe(和電容器C6d)的電備t比是a:l， 所以各電荷可用于上述式5的分子。轉(zhuǎn)移函數(shù)如式13所示。
式13
<formula>formula see original document page 24</formula>
以上已說明了 11=2的情況。于是可見，圖17所示的根據(jù)本發(fā)明的第 四實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路400可用來(lái)配置圖16所示的電荷域?yàn)V波電路 400。
注意，以與式5的a值相同的方式，式12和式13中的a值由電容 器Qa和db的電容總和與電容器de的電容之比來(lái)決定。以簡(jiǎn)單的例子
來(lái)闡述，假設(shè)對(duì)電容器da、 db的電容進(jìn)行二進(jìn)制加權(quán)，以使電容器Ch且電容器Clb和電容器Cle的電容比是1:1 。 設(shè)電容器Ck的電容是1，通過改變控制邏輯A、 B的狀態(tài)，電容器Ch 和db的電容總和(即，式12和式13的a值)可設(shè)為0、 0.5、 1和1.5這4 個(gè)值中的任一個(gè)。注意，通過使用可連續(xù)地改變電容的可變電容器，而不 是電容器da和db，還可連續(xù)地改變式12和式13的a值。使用可變電 容器使得有可能連續(xù)地改變標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性。
在當(dāng)n-l時(shí)將a的值"&為0、 0.5、 1和1.5這一情況下的標(biāo)準(zhǔn)化頻率 特性與在圖12所示的根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路200中 將a的值i殳為O、 0.5、 1和1.5這四個(gè)值的情況下的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性具有 相同特性。圖19是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路400 在使a的值在O、 0.5、 1和1,5這4個(gè)值中變化的情況下的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特 性的說明圖。在圖19中，dB—H4(f)表示當(dāng)a的值是O時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特 性，dB—H5(f)表示當(dāng)01的值;|70.5時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性，dB—H6(f)表示當(dāng) a的值i 1時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性，dB一H7(f)表示當(dāng)a的值是1.5時(shí)的標(biāo)準(zhǔn) 化頻率特性。如圖19所示，通過改f a的值，有可能實(shí)現(xiàn)對(duì)于陷波頻率 具有不同位置的標(biāo)準(zhǔn)化頻率特性。此外，通過改變n的值，從而改變?yōu)V波 器的階數(shù)并大幅改變陷波頻率。
以上已說明了根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路400的操 作。注意，在本發(fā)明中，通過使電荷域?yàn)V波電路400差動(dòng)化，可將^jt目信 號(hào)輸入到從電容器Cla和Clb到電容器C8a和C8b這一系列電容器。通過將
>^相信號(hào)輸入到從電容器da和db到電容器Cm和Csb這一系列電容器，
可使得a的值為負(fù)值，從而有可能配置電荷域?yàn)V波電路400使得其滿足式 12和式13所示的轉(zhuǎn)移函數(shù)。
如上述，根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的電荷域?yàn)V波電路400,通過切換 電容器的電容來(lái)改變式12和式13中的a值使得有可能在不如本發(fā)明的第 一實(shí)施例中那樣被限制到采樣頻率的整數(shù)部分為1處的頻率的情況下來(lái) 設(shè)定陷波頻率的位置。進(jìn)而，以與本發(fā)明的第一實(shí)施例相同的方式，輸入 到電荷域?yàn)V波電路400中的時(shí)鐘信號(hào)是具有相同的波形且似目位不同的 短周期的時(shí)鐘信號(hào)，因而容易生成時(shí)鐘信號(hào)，且即使當(dāng)電路高速地工作時(shí) 也可使消耗的電力的量保持為低。最后，輸入到電荷域?yàn)V波電路400中的 時(shí)鐘信號(hào)的波形是簡(jiǎn)單的、周期短的矩形波，且時(shí)鐘信號(hào)頻鐠中不含低頻 成分。因此，即使時(shí)鐘信號(hào)頻鐠暫時(shí)混入濾波器的通頻帶中，也容易去除。
本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解根據(jù)設(shè)計(jì)需求和其它因素，可出現(xiàn)各種修改、組合、子組合和變形，它們都落入權(quán)利要求書或其等同物的 范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種電荷域電路，包括第一信號(hào)輸出部，其輸出以指定的時(shí)間間隔采樣的第一信號(hào)；第二信號(hào)輸出部，其輸出以與所述第一信號(hào)相同的時(shí)間間隔且在不同時(shí)間處采樣的第二信號(hào)；以及加法部，其將所述第一信號(hào)和所述第二信號(hào)加在一起并輸出結(jié)果，其中所述第二信號(hào)輸出部能夠從多個(gè)時(shí)間中選擇對(duì)所述第二信號(hào)進(jìn)行采樣的時(shí)間。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電荷域電路，進(jìn)一步包括 時(shí)鐘信號(hào)生成部，其生成輸入到所述第二信號(hào)輸出部的多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)，其中所述第二信號(hào)輸出部能夠通過選擇并輸入由所述時(shí)鐘信號(hào)生成 部生成的所述時(shí)鐘信號(hào)，來(lái)選擇對(duì)所述第二信號(hào)進(jìn)行采樣的時(shí)間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電荷域電路， 其中指定的時(shí)間間隔可變化。
全文摘要
一種電荷域?yàn)V波電路，該電路包括第一信號(hào)輸出部、第二信號(hào)輸出部和加法部。第一信號(hào)輸出部輸出以特定的時(shí)間間隔采樣的第一信號(hào)。第二信號(hào)輸出部輸出以與第一信號(hào)相同的時(shí)間間隔且在不同時(shí)間處采樣的第二信號(hào)。加法部將第一信號(hào)和第二信號(hào)加在一起并輸出結(jié)果。第二信號(hào)輸出部能夠從多個(gè)時(shí)間中選擇對(duì)第二信號(hào)進(jìn)行采樣的時(shí)間。
文檔編號(hào)H03H7/12GK101447773SQ200810177699
公開日2009年6月3日 申請(qǐng)日期2008年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月26日
發(fā)明者吉澤淳, 飯?zhí)镄疑?申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社