專利名稱：用于一混頻裝置的噪聲抑制電路及其相關(guān)混頻裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系指一種用于一混頻裝置的噪聲抑制電路及其相關(guān)混頻裝置，尤 指一種可大幅降低閃爍噪聲，提升信息接收質(zhì)量的噪聲抑制電路及其相關(guān)混 頻裝置。
背景技術(shù)：
混頻器是無線通信系統(tǒng)中必要的組件，用以進(jìn)行頻率合成，以達(dá)到升頻 或降頻的目的。在現(xiàn)有混頻器電路中，采用直接轉(zhuǎn)換架構(gòu)的混頻器具有成本 低、能耗低、便于系統(tǒng)微小化等諸多優(yōu)勢，其中一例為吉爾伯特雙平# 混頻 器。
請參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一吉爾伯特雙平衡混頻器IO的示意圖。 吉爾伯特雙平衡混頻器10包含有一射頻輸入級電路100、 一混頻電路102及 一輸出級電^各104。射頻輸入級電路100由場效晶體管Ml、 M2所組成，用 以透過柵極接收天線(或低噪聲放大器)所傳送來的差動射頻信號VRF+、 VRF-，并由漏極產(chǎn)生對應(yīng)的電流IRF+、 IRF-?；祛l電路102由場效晶體管 M3、 M4、 M5、 M6所組成，用以根據(jù)差動本地振蕩信號VLO+、 VLO-，控 制場效晶體管M3、 M4、 M5、 M6的啟閉，以進(jìn)^f亍混頻處理。其4喿作原理如 下，場效晶體管M1、 M2所發(fā)出的電流IRF+、 IRF-的大小變化可分別控制場 效晶體管M3、 M4與M5、 M6的增益；于是，當(dāng)差動本地振蕩信號VLO+、 VLO-的電壓亦呈高低起伏變化時，混頻電路102輸出至輸出級電路104的電 流IIF+、 IIF-為場效晶體管M3-M6的柵極電壓VLO+、 VLO-與源極電流 IRF+、 IRF-的相乘結(jié)果。最后，輸出級電路104的電阻R1、 R2將電流IIF+、 IIF-轉(zhuǎn)換為一組差動低頻信號VIF+、 VIF-。換言之，差動低頻信號VIF+、 VIF-可-見為差動射頻信號VRF+、 VRF-與差動本地振蕩信號VLO+、 VLO-的相乘 結(jié)果。
在吉爾伯特雙平衡混頻器10中，混頻電路102 四個場效晶體管(M3 ~ M6 )可因混頻電路102的場效晶體管本身的特性及場效晶體管源級耦合處所寄生的電容的影響，而產(chǎn)生r閃爍噪聲」。閃爍噪聲會大幅降低接收機(jī)電路的 信號噪聲比，導(dǎo)致系統(tǒng)效能降低。閃爍噪聲與真實(shí)信號的頻語重迭，無法經(jīng) 由其頻譜特性的差異，以濾波器濾除閃爍噪聲。同時，閃爍噪聲的頻i普響應(yīng) 大約是與頻率成反比，造成頻率越小時，其能量值越大。換言之，閃爍噪聲 愈接近直流時其值愈大，使得接近直流頻率且有意義的基頻信號埋沒在以閃 爍噪聲為主的噪聲中。因此，欲提升信息接收的質(zhì)量，降低信息接收的錯誤 率，必須有效降低真實(shí)信號被閃爍噪聲污染的程度。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的主要目的即在于提供一種可用于一混頻裝置的噪聲抑制 電路及其相關(guān)的混頻裝置。
本發(fā)明揭露一種可用于一混頻裝置的噪聲抑制電路，包含有一第一信號 端，耦接于該混頻裝置的一射頻輸入級的一第一輸出端； 一第二信號端，耦 接于該混頻裝置的該射頻輸入級的一第二輸出端； 一第一可變電流源，包含 有一第一端耦接于該第一信號端， 一第二端耦接于該第二信號端，及一第三 端耦接于一第一電源，該第一可變電流源用來根據(jù)該第二端的信號，調(diào)整該 第一端至該第三端的電流大??； 一第二可變電流源，包含有一第一端耦接于 該第二信號端， 一第二端，及一第三端耦接于該第一電源揭露，該第二可變 電流源用來4艮據(jù)該第二端的信號，調(diào)整該第一端至該第三端的電流大?。灰?及一相位移轉(zhuǎn)(shift)裝置，耦接于該第一信號端與該第二可變電流源的該 第二端之間，用來將該第一信號端的一第一信號轉(zhuǎn)換為一第二信號，并將該 第二信號輸出至該第二可變電流源的該第二端。
本發(fā)明另揭露一種可抑制噪聲的混頻裝置，包含有一射頻輸入級電路， 包含有一第一接收端、 一第二接收端、 一第一輸出端及一第二輸出端，用來
由該第一接收端及該第二接收端接收一差動輸入信號，以由該第一輸出端及 該第二輸出端輸出一前級差動信號； 一混頻電路，耦接于該射頻輸入級電路
的該第一輸出端及該第二輸出端，用來對該前級差動信號及一差動振蕩頻率 進(jìn)行乘法運(yùn)算，以輸出一差動混頻信號； 一輸出級電路，耦接于該混頻電路， 用來根據(jù)該差動混頻信號，產(chǎn)生一差動低頻信號；以及一噪聲抑制電路，包 括有一第一信號端，耦接于該射頻輸入級的該第一輸出端； 一第二信號端， 耦接于該射頻輸入級的該第二輸出端； 一第一可變電流源，包含有一第一端 10耦接于該第一信號端， 一第二端耦接于該第二信號端，及一第三端耦接于一 第一電源，該第一可變電流源用來才艮據(jù)該第二端的信號，調(diào)整該第一端至該
第三端的電流大??； 一第二可變電流源，包含有一第一端耦^"于該第二信號 端， 一第二端，及一第三端耦接于該第一電源，該第二可變電流源用來根據(jù) 該第二端的信號，調(diào)整該第一端至該第三端的電流大小；以及一相位移轉(zhuǎn)裝 置，耦接于該第一信號端與該第二可變電流源的該第二端之間，用來將該第 一信號端的一第一信號轉(zhuǎn)換為一第二信號，并將該第二信號輸出至該第二可 變電流源的該第二端。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一吉爾伯特雙平衡混頻器的示意圖。
圖2為本發(fā)明實(shí)施例一混頻裝置的示意圖。
圖3為圖2中噪聲抑制電路的一實(shí)施例示意圖。
圖4為圖3的噪聲抑制電路的較佳實(shí)施例示意圖。
圖5為本發(fā)明實(shí)施例一混頻裝置的示意圖。
圖6為一噪聲指數(shù)示意圖。
圖7為一轉(zhuǎn)換電壓增益示意圖。
圖8至圖13為本發(fā)明的變化實(shí)施例示意圖。
圖14為本發(fā)明實(shí)施例一噪聲抑制電路的示意圖。
主要組件符號說明
10吉爾伯特雙平衡混頻器
100射頻輸入級電路
102混頻電路
104輸出級電路
20混頻裝置
200射頻輸入級電路
202混頻電路
204輸出級電路
206、 1206噪聲抑制電路
300第一可變電流源302 第二可變電流源
304 相位移轉(zhuǎn)裝置
Ml-M6 PMOS晶體管 M7~M12、 M31-M36畫OS晶體管
Cl、 C2、 C3 電容
Rl、 R2 電阻
VRF+、 VRP- 差動射頻信號
VLO+、 VLO- 差動本地振蕩信號
VIF+、 VIF- 差動低頻信號
MUL+、 MUL- 差動混頻信號
INP—1 第一接收端
INP—2 第二接收端
MRF—1 第一輸出端
MRF—2 第二輸出端
FNC—1 第一信號端
FNC—2 第二信號端
SIG—1 第一信號
SIG—2 第二信號
II、 12 電流
GND 地端
具體實(shí)施例方式
請參考圖2，圖2為本發(fā)明實(shí)施例一混頻裝置20的示意圖?；祛l裝置20 可抑制噪聲，其包含有一射頻輸入級電路200、 一混頻電路202、 一輸出級電 路204及一噪聲抑制電路206。射頻輸入級電路200包含有一第一接收端 INP—1、 一第二接收端INP_2、 一第一輸出端MRF—1及一笫二輸出端MRF—2， 用來由第一接收端INP一1及第二接收端INP_2接收差動射頻信號VRF+及 VRF-,并由第 一輸出端MRF—1及第二輸出端MRF—2輸出前級差動信號IRF+ 及IRF-?；祛l電路202耦接于第 一輸出端MRF—1及第二輸出端MRF_2,用 來接收前級差動信號IRF+及IRF-，以對前級差動信號IRF+及IRF-及差動本 地振蕩信號VLO+、 VLO-進(jìn)行乘法運(yùn)算，從而輸出差動混頻信號MUL+、
12MUL-。輸出級電路204耦接于混頻電路202,用來根據(jù)差動混頻信號MUL+、 MUL-，產(chǎn)生差動低頻信號VIF+、 VIF-。噪聲抑制電路206耦接于射頻輸入 級電路200與混頻電路202之間，用來調(diào)整前級差動信號IRF+及IRF-中閃爍 噪聲的相位，以抑制噪聲對差動低頻信號VIF+、 VIF-的影響。
簡單來說，在混頻裝置20中，噪聲抑制電路206透過調(diào)整前級差動信號 IRF+及IRF-的相位，使得前級差動信號IRF+及IRF-中閃爍噪聲得以共模信 號方式呈現(xiàn)。由于差動混頻信號MUL+、 MUL-為差動信號，因此可透過相減 運(yùn)算，去除其中的共模信號成分，以消除閃爍噪聲。
關(guān)于噪聲抑制電路206的實(shí)現(xiàn)方式，請繼續(xù)參考圖3，圖3為噪聲抑制 電路206的示意圖。噪聲抑制電路206包含有一第一信號端FNC—1、 一第二 信號端FNC—2、 一第一可變電流源300、 一第二可變電流源302及一相位移 轉(zhuǎn)裝置304。第一信號端FNC—1及第二信號端FNC一2分別耦接于射頻輸入級 200的第一輸出端MRF—1及第二輸出端MRF一2，用以接收前級差動信號 IRF+、 IRF-。相位移轉(zhuǎn)裝置304耦接于第一信號端FNC—1與第二可變電流源 302之間，用來將第一信號端FNC—1的一第一信號SIG—1轉(zhuǎn)換為一第二信號 SIG—2，并將第二信號SIG—2輸出至第二可變電流源302。第一可變電流源 300耦接于第一信號端FNC一1、第二信號端FNC—2及一地端GND,用來根 據(jù)第二信號端FNC_2的信號，調(diào)整一電流Il的大小。第二可變電流源302 耦接于第二信號端FNC一2、相位移轉(zhuǎn)裝置304及地端GND，用來根據(jù)相位移 轉(zhuǎn)裝置304所輸出的信號SIG_2,調(diào)整一電流12的大小。
在噪聲抑制電路206中，較佳地，相位移轉(zhuǎn)裝置304轉(zhuǎn)換第一信號SIG一1 的相位以產(chǎn)生第二信號SIG_2，使得第二信號SIG—2與第一信號SIG—1呈共 軛關(guān)系，如相位差為90°或270°。在此情形下，當(dāng)噪聲抑制電路206于穩(wěn)態(tài) 操作情況時，第一信號端FNC一1與第二信號端FNC—2相位差會呈180°關(guān)系。 換言之，前級差動信號IRF+及IRF沖閃爍噪聲得以共模信號方式呈現(xiàn)。如此 一來，可透過相減運(yùn)算，去除其中的共才莫信號成分，以消除閃爍噪聲。
特別注意的是，圖3所示為噪聲抑制電路206的實(shí)施例示意圖，本領(lǐng)域 普通技術(shù)人員當(dāng)可據(jù)以做不同的修飾，而不限于此。舉例來說，請參考圖4， 圖4為噪聲抑制電路206的較佳實(shí)施例示意圖。在圖4中，噪聲抑制電路206 的第一可變電流源300由NMOS晶體管M11、M12及一旁路電容C1所組成。 NMOS晶體管M12的功用為一增益開關(guān)，用以控制電流Il的大小。NMOS晶體管Mil與旁路電容C1可形成一電流源，以才艮據(jù)一電壓產(chǎn)生器(未繪于 圖4中)所產(chǎn)生的電壓VB1,提供NMOS晶體管M12適當(dāng)?shù)牟僮麟娏?。?圖4中，第二可變電流源302由NMOS晶體管M9、 M10及一旁路電容C3 所組成，其架構(gòu)與第一可變電流源300相同，故不贅述。
另一方面，在圖4中，相位移轉(zhuǎn)裝置由NMOS晶體管M7、 M8、 一旁路 電容C2及一負(fù)載電阻R3所組成。NMOS晶體管M8及負(fù)載電阻R3將第一 信號SIG一1的相位延遲，使得第二信號SIG一2與第一信號SIG一1呈共軛關(guān)系， 而達(dá)到相位移轉(zhuǎn)的目的。NMOS晶體管M7及旁路電容C2可形成一電流源， 以提供NMOS晶體管M8適當(dāng)?shù)牟僮麟娏鳎溥\(yùn)作方式與第一可變電流源300 中的NMOS晶體管Mil與旁路電容Cl的組合或第二可變電流源302中 NMOS晶體管M9與旁路電容C3的組合相同，在此不贅述。
因此，透過圖4所示的噪聲抑制電路206,相位移轉(zhuǎn)裝置304可轉(zhuǎn)換第 一信號SIG—1的相位，使得第二信號SIG一2與第一信號SIG一1呈共軛關(guān)系。 如此一來，當(dāng)噪聲抑制電路206于穩(wěn)態(tài)操作情況肘，噪聲抑制電路206即達(dá) 共振現(xiàn)象，而第一信號端FNC—1與第二信號端FNC—2相位差會呈180°。換 言之，前級差動信號IRF+及IRF沖閃爍噪聲得以因共振現(xiàn)象而以共模信號方 式呈現(xiàn)，因而可透過相減運(yùn)算，去除其中的共模信號成分，以消除閃爍噪聲。
在圖2中，射頻輸入級電路200、混頻電路202及輸出級電路204為混 頻裝置20的基礎(chǔ)架構(gòu)，其可以是現(xiàn)有技術(shù)中常見的混頻器電路，如圖l所示 的吉爾伯特雙平衡混頻器10,且不限于此。舉例來說，請參考圖5，圖5為 本發(fā)明較佳實(shí)施例一混頻裝置50的示意圖?；祛l裝置50為圖l的吉爾伯特 雙平衡混頻器10與圖4的噪聲抑制電路206的組合，因此，為方便清楚解釋 電路的操作原理，圖5仍沿用圖1與圖4所使用的符號與定義。在圖5中， NMOS晶體管M12的漏極耦接于場效晶體管Ml的漏才及及場效晶體管M3、 M4的源極；NMOS晶體管M12的柵極耦接于場效晶體管M2的漏極及場效 晶體管M5、 M6的源極；NMOS晶體管M10的漏極耦接于場效晶體管M2 的漏極及場效晶體管M5、 M6的源極；以及NMOS晶體管M8的柵極耦接于 場效晶體管Ml的漏才及及場效晶體管M3、 M4的源極。
混頻裝置50的運(yùn)作方式如下。首先，場效晶體管M1及M2接收差動射 頻信號VRF+、 VRF-，并轉(zhuǎn)換為差動電流信號IRF+、 IRF-,用以控制場效晶 體管M3、 M4、 M5及M6的增益，使場效晶體管M3、 M4、 M5及M6實(shí)現(xiàn)差動電流信號IRF+、 IRF-與差動本地振蕩信號VLO+、 VLO-的乘法運(yùn)算，進(jìn) 而輸出差動混頻信號MUL+、 MUL-。在此同時，噪聲抑制電路206達(dá)到穩(wěn)態(tài) 共振的效果，將場效晶體管M3、 M4、 M5及M6的源極所產(chǎn)生的閃爍噪聲以 共模信號方式于差動混頻信號MUL+、 MUL-中呈現(xiàn)。最后，電阻R1、 R2將 差動混頻信號MUL+、 MUL-轉(zhuǎn)變?yōu)椴顒拥皖l信號VIF+、 VIF-。換言之，透 過噪聲抑制電路206，前級差動信號IRF+及IRF-中的閃爍噪聲以共模信號方 式呈現(xiàn)，因而可透過相減運(yùn)算，去除其中的共才莫信號成分，以消除閃爍噪聲， 進(jìn)而有效降低真實(shí)信號被閃爍噪聲污染的程度。
為清楚比較混頻裝置50與現(xiàn)有吉爾伯特雙平衡混頻器10的差異，請繼 續(xù)參考圖6及圖7。圖6為一噪聲指數(shù)(Noise Figure)示意圓，圖7為一轉(zhuǎn) 換電壓增益示意圖。在圖6中，實(shí)線所形成的曲線系對應(yīng)吉爾伯特雙平衡混 頻器10的噪聲指數(shù)，而虛線所形成的曲線則對應(yīng)于混頻裝置50的噪聲指數(shù)。 同樣的，在圖7中，實(shí)線所形成的曲線系對應(yīng)吉爾伯特雙平衡混頻器IO的轉(zhuǎn) 換電壓增益，而虛線所形成的曲線則對應(yīng)于混頻裝置50的轉(zhuǎn)換電壓增益。由 圖6可知，本發(fā)明在噪聲指數(shù)上的低頻部分所呈現(xiàn)的性能較現(xiàn)有技術(shù)所呈現(xiàn) 的性能為佳。例如，混頻裝置50的噪聲指數(shù)于操:作頻率10KHz的值為6.7dB, 而現(xiàn)有吉爾伯特雙平衡混頻器IO于同等情形下所得值為20.5dB。亦即，本發(fā) 明的噪聲指數(shù)較現(xiàn)有技術(shù)降低了有13.8dB之多。同樣的，在噪聲指數(shù)部分， 若合計(jì)操作頻率lKHz至10KHz的綜合值，混頻裝置50的噪聲指數(shù)為5.23dB, 而現(xiàn)有吉爾伯特雙平衡混頻器IO于同等情形下所得值為5.47dB，本發(fā)明的噪 聲指數(shù)較現(xiàn)有技術(shù)P爭低了 0.24dB。由圖7可知，混頻裝置50的轉(zhuǎn)換電壓增益 較現(xiàn)有吉爾伯特雙平衡混頻器IO增加約9.8dB。因此，本發(fā)明無論在低頻部 分的噪聲指數(shù)或轉(zhuǎn)換電壓增益皆較現(xiàn)有吉爾伯特雙平衡混頻器10有顯著改 善。此外，經(jīng)實(shí)驗(yàn)室量測混頻裝置50加上前級低噪聲放大器的操作電流為 7.53mA，現(xiàn)有吉爾伯特雙平衡混頻器10加上前級低噪聲放大器的操作電流 為7.03mA，本發(fā)明較現(xiàn)有技術(shù)的電流消耗約增加0.5mA。此外，上述量測結(jié) 果是依照TSMC 0.18微米制程所制造的成品據(jù)以量測，電紹^喿作電壓為1.8 Volt。
因此，透過噪聲抑制電路206，前級差動信號IRF+及IRF-中的閃爍噪聲 以共模信號方式呈現(xiàn)，使得混頻裝置50可透過相減運(yùn)算，去除其中的共模信 號成分，以消除閃爍噪聲，進(jìn)而有效降低真實(shí)信號被閃爍噪聲污染的程度。特別注意的是，混頻裝置50為圖1的吉爾伯特雙平衡混頻器10與圖4的噪 聲抑制電路206的組合，當(dāng)然，噪聲抑制電路206亦可應(yīng)用于不同混頻器架 構(gòu)中，而不限于此。例如，在混頻裝置50中，吉爾伯特雙平衡混頻器由PMOS 晶體管(M1~M6)所組成，實(shí)際上，亦可如圖8所示，將部分場效晶體管 改由NMOS晶體管(M31-M36)所組成。當(dāng)然，除了圖8的例，噪聲抑制 電路206亦可應(yīng)用于其它不同種類的混頻器，如圖9至圖13所示，混頻器的 相關(guān)運(yùn)作方式應(yīng)為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所熟知。
另夕卜，在圖3及圖4中，噪聲抑制電路206主要由NMOS晶體管所組成。 當(dāng)然，亦可改由PMOS晶體管實(shí)現(xiàn)，如圖14示。圖14為本發(fā)明實(shí)施例一噪 聲抑制電路1206的示意圖。比較圖14及圖4可知，噪聲抑制電路1206與噪 聲抑制電路206不同的處在于噪聲抑制電路1206主要以PMOS晶體管實(shí)現(xiàn)， 其它如結(jié)構(gòu)、運(yùn)作方式等皆相似，故應(yīng)為本領(lǐng)域具通常知識可參考前述說明 而推衍得出，在此不贅述。同樣的，噪聲抑制電路1206亦可取代噪聲抑制電 路206而應(yīng)用于相關(guān)混頻器，如圖5或圖8至圖13所示的混頻器。
其中，如圖8至圖11所示，差動射頻信號VRF+及VRF-是以數(shù)種不同 組態(tài)而功效相似的方式輸入至混頻裝置50。'圖8是以共源極輸入組態(tài) (Common Source Input Stage )的方式輸入差動射頻信號VRF+及VRF-,其 系最常見于現(xiàn)有混波器架構(gòu)中。圖9是以共柵極輸入組態(tài)(Common Gate Input Stage)的方式輸入差動射頻信號VRF+及VRF-，此輸入組態(tài)雖然增益相對較 小，但在增益的線性度及信號隔離度(差動射頻信號VRF+、 VRF-與差動本 地振蕩VLO+、 VLO-之間)等方面表現(xiàn)較好。圖10亦屬于共源極輸入組態(tài)， 是在圖8的基礎(chǔ)上再加上偏壓電流的混波器架構(gòu)。圖11是屬于互補(bǔ)式輸入組 態(tài)(Complementary Input Stage )，差動射頻信號VRF+及VRF-各自先以一互 補(bǔ)式放大器提供信號增益外，還可以有類似于電流導(dǎo)引(Current Steering)的 效果。
如前所述，閃爍噪聲會大幅降低接收機(jī)電路的信號噪聲比，導(dǎo)致系統(tǒng)效 能降低，且其無法以濾波器濾除。同時，閃爍噪聲的頻i普響應(yīng)是與頻率成反 比，造成愈接近直流時其值愈大，以致基頻信號埋沒在以閃爍噪聲為主的噪 聲中。在此情形下，本發(fā)明可透過調(diào)整前級差動信號中閃爍噪聲的相位，使 得閃爍噪聲以共才莫信號方式呈現(xiàn)于前級差動信號中，因而可透過相減運(yùn)算， 去除其中的共模信號成分，以消除閃爍噪聲，進(jìn)而有效降低真實(shí)信號被閃爍噪聲污染的程度，并提升信息接收的質(zhì)量，降低信息接收的錯誤率。
綜上所述，本發(fā)明透過移轉(zhuǎn)信號相位的方式，使混頻電路所產(chǎn)生的閃爍
噪聲于輸出時以共模信號方式呈現(xiàn)，并以相減運(yùn)算消除閃爍噪聲，進(jìn)而提升
信號噪聲比與通信系統(tǒng)的整體效能。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均
等變化與》務(wù)飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于一混頻裝置的噪聲抑制電路，包括有一第一信號端，耦接于該混頻裝置的一射頻輸入級的一第一輸出端；一第二信號端，耦接于該混頻裝置的該射頻輸入級的一第二輸出端；一第一可變電流源，包含有一第一端耦接于該第一信號端，一第二端耦接于該第二信號端，及一第三端耦接于一第一電源，該第一可變電流源用來根據(jù)該第二端的信號，調(diào)整該第一端至該第三端的電流大小；一第二可變電流源，包含有一第一端耦接于該第二信號端，一第二端，及一第三端耦接于該第一電源，該第二可變電流源用來根據(jù)該第二端的信號，調(diào)整該第一端至該第三端的電流大小；以及一相位移轉(zhuǎn)裝置，耦接于該第一信號端與該第二可變電流源的該第二端之間，用來將該第一信號端的一第一信號轉(zhuǎn)換為一第二信號，并將該第二信號輸出至該第二可變電流源的該第二端。
2. 如權(quán)利要求1所述的噪聲抑制電路，其中該第一可變電流源包含有 一增益開關(guān)，包含有一第一端耦接于該第一信號端， 一第二端耦接于該第二信號端，及一第三端，該增益開關(guān)用來根據(jù)該第二端的信號，導(dǎo)通該第 一端至該第三端的信號連結(jié)；以及一電流源，耦接于該增益開關(guān)的該第三端與該第一電源之間，用來提供 電流。
3. 如權(quán)利要求2所述的噪聲抑制電路，其中該電流源包含有 一電壓產(chǎn)生器，用來產(chǎn)生電壓；一晶體管，其一漏極耦接于該增益開關(guān)的該第三端， 一柵極耦接于該電 壓產(chǎn)生器，及一源極耦接于該第一電源；以及一旁路電容，耦接于該增益開關(guān)的該第三端與該第一電源之間。
4. 如權(quán)利要求3所述的噪聲抑制電路，其中該第一電源是一低電壓電源。
5. 如權(quán)利要求4所述的噪聲抑制電路，其中該增益開關(guān)是一N型金屬氧 化半導(dǎo)體晶體管，該第一端是一漏才及，該第二端是一柵才及，及該第三端是一 源極。
6. 如權(quán)利要求4所述的噪聲抑制電路，其中該電流源的該晶體管是一 N 型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管。
7. 如權(quán)利要求3所述的噪聲抑制電路，其中該第一電源是一高電壓電源。
8. 如權(quán)利要求7所述的噪聲抑制電路，其中該增益開關(guān)是一 P型金屬氧 化半導(dǎo)體晶體管，該第一端是一漏極，該第二端是一4冊才及，及該第三端是一 源極。
9. 如權(quán)利要求7所述的噪聲抑制電路，其中該電流源的該晶體管是一 P 型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管。
10. 如權(quán)利要求1所述的噪聲抑制電路，其中該第二可變電流源包含有一增益開關(guān)，包含有一第一端耦接于該第二信號端， 一第二端耦接于該 相位移轉(zhuǎn)裝置，及一第三端，該增益開關(guān)用來根據(jù)該第二端的所接收的該第 二信號，導(dǎo)通該第一端至該第三端的信號連結(jié)；以及一電流源，耦接于該增益開關(guān)的該第三端與該第一電源之間，用來4是供 電流。
11. 如權(quán)利要求IO所述的噪聲抑制電路，其中該電流源包含有 一電壓產(chǎn)生器，用來產(chǎn)生電壓；一晶體管，其一漏極耦接于該增益開關(guān)的該第三端， 一柵極耦接于該電 壓產(chǎn)生器，及一源極耦接于該第一電源；以及一旁路電容，耦接于該增益開關(guān)的該第三端與該第一電源之間。
12. 如權(quán)利要求11所述的噪聲抑制電路，其中該第一電源是一低電壓 電源。
13. 如權(quán)利要求12所述的噪聲抑制電路,其中該增益開關(guān)是一N型金 屬氧化半導(dǎo)體晶體管，該第一端是一漏極，該第二端是一柵極，及該第三端 是一源極。
14. 如權(quán)利要求12所述的噪聲抑制電路，其中該電流源的該晶體管是 一 N型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管。
15. 如權(quán)利要求11所述的噪聲抑制電路，其中該第一電源是一高電壓 電源。
16. 如權(quán)利要求15所述的噪聲抑制電路，其中該增益開關(guān)是一 P型金 屬氧化半導(dǎo)體晶體管，該第一端是一漏極，該第二端是一柵極，及該第三端 是一源極。
17. 如權(quán)利要求15所述的噪聲抑制電路，其中該電流源的該晶體管是一 P型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管。
18. 如權(quán)利要求l所述的噪聲抑制電路，其中該相位移轉(zhuǎn)裝置包含有 一電阻，其一端耦接于一電源，另一端耦接于該第二可變電流源； 一增益開關(guān)，包含有一第一端耦接于該第二可變電流源， 一第二端耦接于第一信號端，及一第三端，該增益開關(guān)用來根據(jù)該第二端的信號，導(dǎo)通該 第一端至該第三端的信號連結(jié)；以及一電流源，耦接于該增益開關(guān)的該第三端與該第一電源之間，用來提供 電流。
19. 如權(quán)利要求18所述的噪聲抑制電路，其中該電流源包含有 一電壓產(chǎn)生器，用來產(chǎn)生電壓；一晶體管，其一漏極耦接于該增益開關(guān)的該第三端， 一柵極耦接于該電 壓產(chǎn)生器，及一源極耦接于該第一電源；以及一旁路電容，耦接于該增益開關(guān)的該第三端與該第一電源之間。
20. 如權(quán)利要求19所述的噪聲抑制電路，其中該第一電源是一低電壓 電源，而該第二電源是一高電壓電源。
21. 如權(quán)利要求20所述的噪聲抑制電路，其中該增益開關(guān)是一N型金 屬氧化半導(dǎo)體晶體管，該第一端是一漏極，該第二端是一^f冊極，及該第三端 是一源極。
22. 如權(quán)利要求20所述的噪聲抑制電路，其中該電流源的該晶體管是 一N型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管。
23. 如權(quán)利要求19所述的噪聲抑制電路，其中該第一電源是一高電壓 電源，而該第二電源是一低電壓電源。
24. 如權(quán)利要求23所述的噪聲抑制電路，其中該增益開關(guān)是一 P型金 屬氧化半導(dǎo)體晶體管，該第一端是一漏極，該第二端是一4冊極，及該第三端 是一源極。
25. 如權(quán)利要求23所述的噪聲抑制電路，其中該電流源的該晶體管是 一 P型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管。
26. 如權(quán)利要求1所述的噪聲抑制電路，其中該第一信號與該第二信號 的相位差為一特定角度。
27. 如權(quán)利要求26所述的噪聲抑制電路，其中該特定角度是卯。。
28. 如權(quán)利要求26所述的噪聲抑制電路，其中該特定角度是-270°。
29. —種可抑制噪聲的混頻裝置，包含有一射頻輸入級電路，包含有一第一接收端、 一第二^:收端、 一第一輸出 端及一第二輸出端，用來由該第一接收端及該第二接收端^妄收一差動輸入信 號，以由該第一輸出端及該第二輸出端輸出一前級差動信號；一混頻電路，耦接于該射頻輸入級電路的該第一輸出端及該第二輸出端， 用來對該前級差動信號及一差動振蕩頻率進(jìn)行乘法運(yùn)算，以輸出一差動混頻 信號；一輸出級電路，耦接于該混頻電路，用來根據(jù)該差動混頻信號，產(chǎn)生一 差動低頻信號；以及一噪聲抑制電路，包括有一第一信號端，耦接于該射頻輸入級的該第一輸出端； 一第二信號端，耦接于該射頻輸入級的該第二輸出端； 一第一可變電流源，包含有一第一端耦接于該第一信號端，一 第二端耦接于該第二信號端，及一第三端耦接于一第一電源，該第 一可變電流源用來才艮據(jù)該第二端的信號，調(diào)整該第一端至該第三端 的電流大??；一第二可變電流源，包含有一第一端耦接于該第二信號端，一 第二端，及一第三端耦接于該第一電源，該第二可變電流源用來根 據(jù)該第二端的信號，調(diào)整該第一端至該第三端的電流大??；以及一相位移轉(zhuǎn)裝置，耦接于該第 一信號端與該第二可變電流源的 該第二端之間，用來將該第一信號端的一第一信號轉(zhuǎn)換為一第二信 號，并將該第二信號輸出至該第二可變電流源的該第二端。
30. 如權(quán)利要求29所述的混頻裝置，其中該第一可變電流源包含有 一增益開關(guān)，包含有一第一端耦接于該第一信號端， 一第二端耦接于該第二信號端，及一第三端，該增益開關(guān)用來根據(jù)該第二端的信號，導(dǎo)通該第 一端至該第三端的信號連結(jié)；以及一電流源，耦接于該增益開關(guān)的該第三端與該第一電源之間，用來提供 電流》
31. 如權(quán)利要求30所述的混頻裝置，其中該電流源包含有 一電壓產(chǎn)生器，用來產(chǎn)生電壓；一晶體管，其一漏極耦接于該增益開關(guān)的該第三端， 一柵極耦接于該電壓產(chǎn)生器，及一源極耦接于該第一電源；以及一旁路電容，耦接于該增益開關(guān)的該第三端與該第一電源之間。
32. 如權(quán)利要求31所述的混頻裝置，其中該第一電源是一低電壓電源。
33. 如權(quán)利要求32所述的混頻裝置，其中該增益開關(guān)是一N型金屬氧 化半導(dǎo)體晶體管，該第一端是一漏極，該第二端是一柵極，及該第三端是一 源極。
34. 如權(quán)利要求32所述的混頻裝置，其中該電流源的該晶體管是一 N 型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管。
35. 如權(quán)利要求31所述的混頻裝置，其中該第一電源是一高電壓電源。
36. 如權(quán)利要求35所述的混頻裝置，其中該增益開關(guān)是一P型金屬氧 化半導(dǎo)體晶體管，該第一端是一漏極，該第二端是一柵極，及該第三端是一 源極。
37. 如權(quán)利要求35所述的混頻裝置，其中該電流源的該晶體管是一 P 型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管。
38. 如權(quán)利要求29所述的混頻裝置，其中該第二可變電流源包含有 一增益開關(guān)，包含有一第一端耦接于該第二信號端， 一第二端耦接于該相位移轉(zhuǎn)裝置，及一第三端，該增益開關(guān)用來根據(jù)該第二端的所接收的該第 二信號，導(dǎo)通該第一端至該第三端的信號連結(jié)；以及一電流源，耦接于該增益開關(guān)的該第三端與該第一電源之間，用來提供 電流。
39. 如權(quán)利要求38所述的混頻裝置，其中該電流源包含有 一電壓產(chǎn)生器，用來產(chǎn)生電壓；一晶體管，其一漏極耦接于該增益開關(guān)的該第三端， 一柵極耦接于該電 壓產(chǎn)生器，及一源極耦接于該第一電源；以及一旁路電容，耦接于該增益開關(guān)的該第三端與該第一電源之間。
40. 如權(quán)利要求39所述的混頻裝置，其中該第一電源是一低電壓電源。
41. 如權(quán)利要求40所述的混頻裝置，其中該增益開關(guān)是一N型金屬氧 化半導(dǎo)體晶體管，該第一端是一漏極，該第二端是一柵極，及該第三端是一 源極。
42. 如權(quán)利要求40所述的混頻裝置，其中該電流源的該晶體管是一 N 型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管。
43. 如權(quán)利要求39所述的混頻裝置，其中該第一電源是一高電壓電源。
44. 如權(quán)利要求43所述的混頻裝置，其中該增益開關(guān)是一 P型金屬氧 化半導(dǎo)體晶體管，該第一端是一漏極，該第二端是一柵極，及該第三端是一 源極。
45. 如權(quán)利要求43所述的混頻裝置，其中該電流源的該晶體管是一 P 型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管。
46. 如權(quán)利要求29所述的混頻裝置，其中該相位移轉(zhuǎn)裝置包含有 一電阻，其一端耦接于一電源，另一端耦接于該第二可變電流源； 一增益開關(guān)，包含有一第一端耦接于該第二可變電流源， 一第二端耦接于第一信號端，及一第三端，該增益開關(guān)用來才艮據(jù)該第二端的信號，導(dǎo)通該 第一端至該第三端的信號連結(jié)；以及一電流源，耦接于該增益開關(guān)的該第三端與該第一電源之間，用來提供 電流。
47. 如權(quán)利要求46所述的混頻裝置，其中該電流源包含有 一電壓產(chǎn)生器，用來產(chǎn)生電壓；一晶體管，其一漏極耦接于該增益開關(guān)的該第三端， 一柵極耦接于該電 壓產(chǎn)生器，及一源極耦接于該第一電源；以及一旁路電容，耦接于該增益開關(guān)的該第三端與該第一電源之間。
48. 如權(quán)利要求47所述的混頻裝置，其中該第一電源是一低電壓電源， 而該第二電源是一高電壓電源。
49. 如權(quán)利要求48所述的混頻裝置，其中該增益開關(guān)是一N型金屬氧 化半導(dǎo)體晶體管，該第一端是一漏極，該第二端是一柵極，及該第三端是一 源極。
50. 如權(quán)利要求48所述的混頻裝置，其中該電流源的該晶體管是一N 型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管。
51. 如權(quán)利要求47所述的混頻裝置，其中該第一電源是一高電壓電源， 而該第二電源是一低電壓電源。
52. 如權(quán)利要求51所述的混頻裝置，其中該增益開關(guān)是一 P型金屬氧 化半導(dǎo)體晶體管，該第一端是一漏極，該第二端是一柵極，及該第三端是一 源極。
53. 如權(quán)利要求51所述的混頻裝置，其中該電流源的該晶體管是一 P型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管。
54. 如權(quán)利要求29所述的混頻裝置 相位差為一特定角度。
55. 如權(quán)利要求54所述的混頻裝置
56. 如權(quán)利要求54所述的混頻裝置其中該第一信號與該第二信號的其中該特定角度是卯。。 其中該特定角度是-270°。
全文摘要
用于一混頻裝置的噪聲抑制電路包括有一第一信號端耦接于一射頻輸入級的一第一輸出端；一第二信號端耦接于該射頻輸入級的一第二輸出端；一第一可變電流源包含有一第一端、一第二端及一第三端，用來根據(jù)該第二端的信號，調(diào)整該第一端至該第三端的電流大?。灰坏诙勺冸娏髟窗幸坏谝欢?、一第二端及一第三端，用來根據(jù)該第二端的信號，調(diào)整該第一端至該第三端的電流大??；以及一相位移轉(zhuǎn)裝置耦接于該第一信號端與該第二可變電流源的該第二端之間，用來將該第一信號端的一第一信號轉(zhuǎn)換為一第二信號，并輸出至該第二可變電流源的該第二端。
文檔編號H03D7/00GK101674049SQ20081021508
公開日2010年3月17日 申請日期2008年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月9日
發(fā)明者楊智勛 申請人:聯(lián)詠科技股份有限公司