專利名稱：：Sf225m2型高矩形度低插損聲表面波濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本實用新型涉及一種聲表面波濾波器，尤其涉及一種SF225M2型高矩形度低插損聲表面波濾波器。
背景技術(shù)：
：當(dāng)具有壓電效應(yīng)的晶體受到機械作用時，將產(chǎn)生與壓力成正比的電場的現(xiàn)象；具有壓電效應(yīng)的晶體，在受到電信號的作用時，也會產(chǎn)生彈性形變而發(fā)出機械波(聲波)，即可把電信號轉(zhuǎn)為聲信號。由于這種聲波只在晶體表面?zhèn)鞑?，故稱為聲表面波。聲表面波濾波器(SAWF)具有體積小、重量輕、性能可靠、不需要復(fù)雜調(diào)整的優(yōu)點，是無線通信中信號接收處理的關(guān)鍵器件。現(xiàn)有技術(shù)中的聲表面波器件至少存在以下缺點濾波器的插損大。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種濾波器的插損低的SF225M2型高矩形度低插損聲表面波濾波器。本實用新型的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的本實用新型的SF225M2型高矩形度低插損聲表面波濾波器，包括基片，所述基片上設(shè)有雙?？v向耦合濾波器，所述雙?？v向耦合濾波器連接有梯形濾波器。由上述本實用新型提供的技術(shù)方案可以看出，本實用新型所述的SF225M2型高矩形度低插損聲表面波濾波器，由于基片上設(shè)有雙?？v向耦合濾波器，雙模縱向耦合濾波器連接有梯形濾波器。可以減小損耗，使整個濾波器的插損降低。圖1為本實用新型SF225M2型高矩形度低插損聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)原理圖；圖2為本實用新型SF225M2型高矩形度低插損聲表面波濾波器的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式本實用新型的SF225M2型高矩形度低插損聲表面波濾波器，其較佳的具體實施方式如圖1所示，包括基片8，基片8上設(shè)有雙模縱向耦合濾波器DMS，雙?？v向耦合濾波器連接有梯形濾波器ll。兩者結(jié)合，取得雙方優(yōu)點，可以獲得低損耗，遠端、近端帶外抑制都好。雙?？v向耦合濾波器包括上換能器9、下?lián)Q能器IO，上換能器9和下?lián)Q能器10可以上、下布置且相互耦合，上換能器和下?lián)Q能器可以分別為諧振式單元，帶寬窄、損耗低。基片8可以為鉭酸鋰基片，即基片8用鉭酸鋰為材料制作，可以用36°鉭酸鋰(36°LT)為材料，其溫度系數(shù)為28ppm廣C，根據(jù)需要也可以選用其它的材料。如圖2所示，本實用新型包括封裝結(jié)構(gòu)，封裝結(jié)構(gòu)設(shè)有輸入引腳3和輸出引腳4，還可以設(shè)有多個接地引腳l、2。參見圖l，輸入引腳3和輸出引腳4可以分別與雙?？v向耦合濾波器和梯形濾波器11連接；也可以互換，輸入引腳3和輸出引腳4分別與梯形濾波器11和雙?？v向耦合濾波器連接。上換能器9和下?lián)Q能器10分別與至少一個接地引腳連接。本實用新型的SF225M2型高矩形度低插損聲表面波濾波器，可以為中心頻率為225MHz的濾波器；也可以為一ldB帶寬為1.61.8MHz的濾波器；也可以為一40dB帶寬為5.86.0MHz的濾波器。窄帶、遠端、近端帶外抑制都好，高矩形度、低插損，可以用于無線通信。一個具體實施例的電氣參數(shù)，如表l所示表丄、具體實施例的電氣參數(shù)<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>以上所述，僅為本實用新型較佳的具體實施方式，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本
技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。權(quán)利要求1、一種SF225M2型高矩形度低插損聲表面波濾波器，包括基片，其特征在于，所述基片上設(shè)有雙?？v向耦合濾波器，所述雙?？v向耦合濾波器連接有梯形濾波器。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的SF225M2型高矩形度低插損聲表面波濾波器，其特征在于，所述雙?？v向耦合濾波器包括上換能器、下?lián)Q能器，所述上換能器和下?lián)Q能器上、下布置且相互耦合。3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的SF225M2型高矩形度低插損聲表面波濾波器，其特征在于，所述上換能器和下?lián)Q能器分別為諧振式單元。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的SF225M2型高矩形度低插損聲表面波濾波器，其特征在于，所述基片為鉭酸鋰基片。5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的SF225M2型高矩形度低插損聲表面波濾波器，其特征在于，所述鉭酸鋰為36。鉭酸鋰。6、根據(jù)權(quán)利要求l、2或3所述的SF225M2型高矩形度低插損聲表面波濾波器，其特征在于，該濾波器為中心頻率為225MHz的濾波器。7、根據(jù)權(quán)利要求l、2或3所述的SF225M2型高矩形度低插損聲表面波濾波器，其特征在于，該濾波器為一ldB帶寬為1.61.8MHz的濾波器。8、根據(jù)權(quán)利要求l、2或3所述的SF225M2型高矩形度低插損聲表面波濾波器，其特征在于，該濾波器為一40dB帶寬為5.86.OMHz的濾波器。9、根據(jù)權(quán)利要求l、2或3所述的SF225M2型高矩形度低插損聲表面波濾波器，其特征在于，包括封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)設(shè)有輸入引腳和輸出引腳，所述輸入引腳和輸出引腳分別與所述雙?？v向耦合濾波器和梯形濾波器連接；或者，所述輸入引腳和輸出引腳分別與所述梯形濾波器和雙?？v向耦合濾波器連接。10、根據(jù)權(quán)利要求8所述的SF225M2型高矩形度低插損聲表面波濾波器，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)設(shè)有多個接地引腳，所述雙?？v向耦合濾波器與至少一個接地引腳連接。專利摘要本實用新型公開了一種SF225M2型高矩形度低插損聲表面波濾波器，包括鉭酸鋰基片，基片上設(shè)有雙?？v向耦合濾波器，雙模縱向耦合濾波器連接有梯形濾波器，雙?？v向耦合濾波器包括上換能器、下?lián)Q能器，上換能器和下?lián)Q能器上、下布置且相互耦合，并為諧振式單元。中心頻率為225MHz、-1dB帶寬為1.6～1.8MHz、-40dB帶寬為5.8～6.0MHz。近端、遠端帶外抑制好，高矩形度、低損耗，可以用于無線通信。文檔編號H03H9/64GK201312291SQ20082023376公開日2009年9月16日申請日期2008年12月23日優(yōu)先權(quán)日2008年12月23日發(fā)明者張敬鈞申請人:北京中訊四方科技有限公司