專利名稱：壓電振動(dòng)器的制造方法、壓電振動(dòng)器、振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在接合的兩個(gè)基板之間所形成的空腔內(nèi)密封了壓電振動(dòng)片的表面安裝型(SMD)的壓電振動(dòng)器及其制造方法、具有壓電振動(dòng)器的振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘。
背景技術(shù)：
近年來，在便攜電話或便攜信息終端上，采用利用了水晶等作為時(shí)刻源或控制信號等的定時(shí)源、參考信號源等的壓電振動(dòng)器。已知各式各樣的這種壓電振動(dòng)器，但作為其中之一，眾所周知表面安裝型(SMD:Surface Mount Device)的壓電振動(dòng)器。圖19是拆下現(xiàn)有技術(shù)的壓電振動(dòng)器的蓋基板的狀態(tài)的平面圖，圖20是沿著圖19 的D-D線的剖視圖。如圖20所示，作為表面安裝型的壓電振動(dòng)器200，提出用基底基板201 和蓋基板202形成封裝件(package) 209，并在封裝件209的內(nèi)部形成的空腔C收納壓電振動(dòng)片203的壓電振動(dòng)器?；谆?01和蓋基板202在兩者間配置接合膜207并通過陽極接合來接合。壓電振動(dòng)器一般要求抑制等效電阻值(有效電阻值，Re)為低值。等效電阻值低的壓電振動(dòng)器可以用低電力來使壓電振動(dòng)片振動(dòng)，因此成為能量效率良好的壓電振動(dòng)器。作為抑制等效電阻值的一般的方法之一，眾所周知如圖19所示那樣使密封壓電振動(dòng)片203的空腔C內(nèi)接近真空，從而降低與等效電阻值有比例關(guān)系的串聯(lián)諧振電阻值 (Rl)的方法。作為使空腔C內(nèi)接近真空的方法，眾所周知在空腔C內(nèi)密封由鋁等構(gòu)成的吸氣材料(吸氣部件)220,并從外部照射激光而使吸氣材料220激活的方法(吸氣法)(參照下述專利文獻(xiàn)1和幻。依據(jù)該方法，利用成為激活狀態(tài)的吸氣材料220，能夠吸收陽極接合之際產(chǎn)生的氧，因此能夠使空腔C內(nèi)接近真空。專利文獻(xiàn)1 日本特開2006-86585號公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特表2007-511102號公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開2003-133879號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
吸氣材料220在壓電振動(dòng)片203的寬度方向上的一對振動(dòng)腕部210的兩外側(cè)，沿著振動(dòng)腕部210的長度方向而形成。在使該吸氣材料220吸氣時(shí)，生成物附著到振動(dòng)腕部 210，存在壓電振動(dòng)片203的頻率會(huì)變動(dòng)的問題。此外，在吸氣工序之后，一般對設(shè)置在振動(dòng)腕部210的前端的金屬重錘材料211 照射激光，從而對金屬重錘材料211進(jìn)行切邊而進(jìn)行壓電振動(dòng)片203的頻率的微調(diào)(微調(diào)工序)。但是，在吸氣工序后的頻率大幅脫離容許范圍的情況下，微調(diào)工序中使壓電振動(dòng)片 203的頻率落入容許范圍內(nèi)是有困難或者不可能的。于是，本發(fā)明鑒于上述問題構(gòu)思而成，其目的在于提供能夠調(diào)整吸氣后的頻率的壓電振動(dòng)器及其制造方法、振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘。
本申請的發(fā)明人，通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)以下的技術(shù)。在壓電振動(dòng)片的與振動(dòng)腕部的前端部鄰接的區(qū)域進(jìn)行了吸氣的情況下，伴隨吸氣的生成物主要附著到振動(dòng)腕部的前端部。在該情況下，前端部的重量(相當(dāng)于彈簧-質(zhì)量系的質(zhì)量)增加，所以壓電振動(dòng)片的頻率降低。另一方面，在與振動(dòng)腕部的基端部鄰接的區(qū)域進(jìn)行吸氣的情況下，生成物主要附著到振動(dòng)腕部的基端部。在該情況下，基端部的剛性(相當(dāng)于彈簧-質(zhì)量系的彈簧常數(shù))的增加占主導(dǎo)，壓電振動(dòng)片的頻率增加。于是，本發(fā)明提供以下方案。本發(fā)明的壓電振動(dòng)器的制造方法，制造這樣的壓電振動(dòng)器，其包括具備一對振動(dòng)腕部的音叉型壓電振動(dòng)片、收容所述壓電振動(dòng)片的封裝件、及對應(yīng)于所述振動(dòng)腕部并沿著所述振動(dòng)腕部的長度方向形成的調(diào)整膜，通過對所述調(diào)整膜照射激光而使所述調(diào)整膜的一部分蒸發(fā)，從而能夠提高所述封裝件內(nèi)的真空度，所述制造方法的特征在于，包括頻率測量工序，測量所述壓電振動(dòng)片的頻率；以及吸氣工序，在測量的所述頻率高于容許范圍時(shí)使對應(yīng)于所述振動(dòng)腕部的前端側(cè)的位置的調(diào)整膜的一部分蒸發(fā)，在測量的所述頻率低于所述容許范圍時(shí)使對應(yīng)于所述振動(dòng)腕部的基部側(cè)的位置的調(diào)整膜的一部分蒸發(fā)。依據(jù)本發(fā)明的壓電振動(dòng)器的制造方法，通過使調(diào)整膜的一部分蒸發(fā)，將封裝件內(nèi)的真空度調(diào)整到一定水平以上的同時(shí)，利用調(diào)整膜能夠?qū)㈩l率調(diào)整到容許范圍內(nèi)。在此，一定水平是指即便將真空度提高到該水平以上，串聯(lián)諧振電阻值也沒有大變動(dòng)的狀態(tài)。由此， 能夠確保適宜的串聯(lián)諧振電阻值。此外，頻率的容許范圍是指用于確保質(zhì)量的壓電振動(dòng)器的標(biāo)稱頻率。對除去調(diào)整膜的一部分而調(diào)整頻率的方法進(jìn)行說明，則首先在平面上看時(shí)調(diào)整膜形成為與振動(dòng)腕部的附近鄰接的狀態(tài)。因而，對調(diào)整膜照射激光而使之蒸發(fā)時(shí)，對位于照射位置附近的振動(dòng)腕部的側(cè)面局部蒸鍍調(diào)整膜。這時(shí)，如果蒸鍍了調(diào)整膜的位置為振動(dòng)腕部的基端側(cè)，則有頻率升高的傾向，如果為前端側(cè)，則有頻率降低的傾向。因而，通過變更調(diào)整膜的激光照射位置，能夠增減壓電振動(dòng)片的頻率。因而，比較實(shí)際測量的頻率與容許范圍， 確定調(diào)整膜的激光照射位置，并且通過對振動(dòng)腕部的側(cè)面局部蒸鍍所蒸發(fā)的調(diào)整膜，能夠使振動(dòng)腕部的振動(dòng)特性發(fā)生變化。因而，與吸氣同時(shí)，能夠?qū)弘娬駝?dòng)片的頻率調(diào)整到容許范圍內(nèi)。此外，本發(fā)明的特征在于，對應(yīng)于所述一對振動(dòng)腕部的每一個(gè)，具備沿著所述振動(dòng)腕部的長度方向形成的一對調(diào)整膜，在使所述調(diào)整膜的一部分蒸發(fā)之際，向隔著所述一對調(diào)整膜中的所述一對振動(dòng)腕部的中心軸對稱的位置照射所述激光而使所述調(diào)整膜的一部分蒸發(fā)。通過這樣構(gòu)成，在平面上看時(shí)，一對調(diào)整膜形成為與一對振動(dòng)腕部的附近(外側(cè)) 鄰接的狀態(tài)。因而，在對調(diào)整膜照射激光而使之蒸發(fā)時(shí)，調(diào)整膜會(huì)局部蒸鍍到位于照射位置附近的振動(dòng)腕部的側(cè)面。此外，通過向隔著一對調(diào)整膜中的所述一對振動(dòng)腕部的中心軸對稱的位置照射所述激光，能夠使蒸鍍到一對振動(dòng)腕部的側(cè)面的調(diào)整膜大致均勻。因而，在吸氣工序后也能得到穩(wěn)定的振動(dòng)特性，并能減輕振動(dòng)泄漏。結(jié)果，能夠提高成品率。此外，本發(fā)明的壓電振動(dòng)器，其特征在于，用上述制造方法來制造。通過這樣構(gòu)成，能夠得到這樣的壓電振動(dòng)器，S卩，在進(jìn)行吸氣工序之際，將封裝件內(nèi)的真空度調(diào)整到一定水平以上的同時(shí)，利用調(diào)整膜來將頻率調(diào)整到容許范圍內(nèi)。即，能夠提供頻率確實(shí)被調(diào)整到容許范圍內(nèi)的高精度的壓電振動(dòng)器。此外，能夠提高成品率。此外，本發(fā)明的振蕩器，其特征在于，使上述壓電振動(dòng)器，作為振子與集成電路電連接。而且，本發(fā)明的電子設(shè)備，其特征在于，使上述壓電振動(dòng)器，與計(jì)時(shí)部電連接。再者，本發(fā)明的電波鐘，其特征在于，使上述壓電振動(dòng)器，與濾波部電連接。在本發(fā)明的振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘中，由于具備能夠調(diào)整吸氣后的頻率的壓電振動(dòng)器，所以能夠提高振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘的成品率并能減少成本，并且能夠得到高精度的振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘。(發(fā)明效果)依據(jù)本發(fā)明的壓電振動(dòng)器的制造方法，比較實(shí)際測量的頻率與容許范圍，從而確定調(diào)整膜的激光照射位置，并且通過在振動(dòng)腕部的側(cè)面局部地蒸鍍所蒸發(fā)的調(diào)整膜，能夠使振動(dòng)腕部的振動(dòng)特性發(fā)生變化。因而，在吸氣的同時(shí)，能夠?qū)弘娬駝?dòng)片的頻率調(diào)整到容許范圍內(nèi)。


圖1是表示本發(fā)明的壓電振動(dòng)器的實(shí)施方式的外觀斜視圖。圖2是圖1所示的壓電振動(dòng)器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖，并且是在拆下蓋基板的狀態(tài)下俯視壓電振動(dòng)器的圖。圖3是沿著圖2所示的A-A線的壓電振動(dòng)器的剖視圖。圖4是圖1所示的壓電振動(dòng)器的分解斜視圖。圖5是構(gòu)成圖1所示的壓電振動(dòng)器的壓電振動(dòng)片的俯視圖。圖6是圖5所示的壓電振動(dòng)片的仰視圖。圖7是圖5所示的剖面向視B-B圖。圖8是制造圖1所示的壓電振動(dòng)器時(shí)的流程的流程圖。圖9是表示圖8的吸氣工序的子程序的流程圖。圖10是表示沿著圖8所示的流程圖制造壓電振動(dòng)器時(shí)的一個(gè)工序的圖，并且是表示在成為蓋基板的本原的蓋基板用圓片形成多個(gè)凹部及接合膜的狀態(tài)的圖。圖11是表示沿著圖8所示的流程圖制造壓電振動(dòng)器時(shí)的一個(gè)工序的圖，并且是表示在成為基底基板的本原的基底基板用圓片形成吸氣材料、貫通電極、迂回電極及接合膜的狀態(tài)的圖。圖12是圖11所示的狀態(tài)的基底基板用圓片的整體圖。圖13是表示沿著圖8所示的流程圖制造壓電振動(dòng)器時(shí)的一個(gè)工序的圖，并且是以空腔內(nèi)收容壓電振動(dòng)片的狀態(tài)陽極接合基底基板用圓片和蓋基板用圓片的圓片體的分解斜視圖。圖14是表示沿著圖8所示的流程圖制造壓電振動(dòng)器時(shí)的一個(gè)工序的圖，并且是說明吸氣工序中吸氣材料的激光照射部位的圖。圖15是表示沿著圖8所示的流程圖制造壓電振動(dòng)器時(shí)的一個(gè)工序的圖，并且是表示加熱吸氣材料而使之蒸發(fā)的狀態(tài)的圖。圖16是表示本發(fā)明的振蕩器的一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。
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圖17是表示本發(fā)明的電子設(shè)備的一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。圖18是表示本發(fā)明的電波鐘的一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。圖19是拆下現(xiàn)有技術(shù)的壓電振動(dòng)器的蓋基板的狀態(tài)的平面圖。圖20是沿著圖19的D-D線的剖視圖。附圖標(biāo)記說明1壓電振動(dòng)器；2基底基板(封裝件)；3蓋基板(封裝件)；4壓電振動(dòng)片；10振動(dòng)腕部；11振動(dòng)腕部；34吸氣材料(調(diào)整膜)；40基底基板用圓片(封裝件)；50蓋基板用圓片(封裝件)；100振蕩器；101振蕩器的集成電路；110便攜信息設(shè)備(電子設(shè)備)；113電子設(shè)備的計(jì)時(shí)部；130電波鐘；131電波鐘的濾波部；L中心軸。
具體實(shí)施例方式以下，參照圖1至圖18，對本發(fā)明的壓電振動(dòng)器的實(shí)施方式進(jìn)行說明。如圖1至圖4所示，壓電振動(dòng)器1，形成為由基底基板2和蓋基板3層疊為2層的箱狀，是在內(nèi)部的空腔C內(nèi)收容了壓電振動(dòng)片4的表面安裝型的壓電振動(dòng)器。此外，在圖4 中為了方便圖示而省略了后面描述的激振電極15、引出電極19、20、裝配電極16、17及重錘金屬膜21的圖示。如圖5至圖7所示，壓電振動(dòng)片4是由水晶、鉭酸鋰或鈮酸鋰等的壓電材料形成的音叉型振動(dòng)片，在被施加既定電壓時(shí)振動(dòng)。該壓電振動(dòng)片4具有平行配置的一對振動(dòng)腕部10、11 ；將所述一對振動(dòng)腕部10、11的基端側(cè)固定成一體的基部12 ；形成在一對振動(dòng)腕部10、11的外表面上并使一對振動(dòng)腕部10、11振動(dòng)的由第一激振電極13和第二激振電極 14構(gòu)成的激振電極15 ；以及與第一激振電極13及第二激振電極14電連接的裝配電極16、 17。此外，本實(shí)施方式的壓電振動(dòng)片4具備在一對振動(dòng)腕部10、11的兩主表面上沿著所述振動(dòng)腕部10、11的長度方向分別形成的溝部18。該溝部18從振動(dòng)腕部10、11的基端一側(cè)形成至大致中間附近。由第一激振電極13和第二激振電極14構(gòu)成的激振電極15，是使一對振動(dòng)腕部 IOUl以既定的諧振頻率在彼此接近或分離的方向上振動(dòng)的電極，在一對振動(dòng)腕部10、11 的外表面，以分別電性切斷的狀態(tài)構(gòu)圖而形成。具體而言，如圖7所示，第一激振電極13主要形成在一個(gè)振動(dòng)腕部10的溝部18上和另一振動(dòng)腕部11的兩側(cè)面上，第二激振電極14 主要形成在一個(gè)振動(dòng)腕部10的兩側(cè)面上和另一振動(dòng)腕部11的溝部18上。此外，第一激振電極13及第二激振電極14，如圖5及圖6所示，在基部12的兩主表面上，分別經(jīng)由引出電極19、20電連接至裝配電極16、17。再者壓電振動(dòng)片4成為經(jīng)由該裝配電極16、17被施加電壓。此外，上述的激振電極15、裝配電極16、17及引出電極19、 20，通過例如鉻(Cr)、鎳(Ni)、鋁(Al)或鈦(Ti)等的導(dǎo)電膜的覆蓋膜來形成。此外，在一對振動(dòng)腕部10、11的前端側(cè)，為了以使本身的振動(dòng)狀態(tài)在既定頻率的范圍內(nèi)振動(dòng)的方式進(jìn)行調(diào)整(頻率調(diào)整)，覆蓋有重錘金屬膜21。再者，該重錘金屬膜21 分為在粗調(diào)頻率時(shí)使用的粗調(diào)膜21a和在微調(diào)時(shí)使用的微調(diào)膜21b。利用這些粗調(diào)膜21a 及微調(diào)膜21b進(jìn)行頻率調(diào)整，從而能夠使一對振動(dòng)腕部10、11的頻率落在器件的標(biāo)稱頻率范圍內(nèi)。這樣構(gòu)成的壓電振動(dòng)片4，如圖3及圖4所示，利用金等的凸點(diǎn)(bump)B，凸點(diǎn)接合到基底基板2的上表面。更具體地說，以在基底基板2的上表面構(gòu)圖的后述的迂回電極36、 37上形成的2個(gè)凸點(diǎn)B上分別接觸的狀態(tài)凸點(diǎn)接合一對裝配電極16、17。由此，壓電振動(dòng)片4以從基底基板2的上表面浮起的狀態(tài)被支撐，并且成為分別電連接有裝配電極16、17 和迂回電極36、37的狀態(tài)。此外，壓電振動(dòng)片4的接合方法并不限于凸點(diǎn)接合。例如，利用導(dǎo)電粘接劑接合壓電振動(dòng)片4也可。但是，通過凸點(diǎn)接合，能夠使壓電振動(dòng)片4從基底基板 2的上表面浮起，并能自然確保振動(dòng)所需的最低限的振動(dòng)間隙。因而，優(yōu)選凸點(diǎn)接合。上述蓋基板3是用玻璃材料例如堿石灰玻璃構(gòu)成的透明絕緣基板，如圖1、圖3及圖4所示，形成為板狀。并且，在接合基底基板2的接合面一側(cè)，形成有收容壓電振動(dòng)片4 的矩形狀的凹部3a。該凹部3a是疊合兩基板2、3時(shí)成為收容壓電振動(dòng)片4的空腔C的空腔用的凹部。而且，蓋基板3以使該凹部3a與基底基板2 —側(cè)對置的狀態(tài)對該基底基板2 陽極接合。此外，基底基板2與蓋基板3的接合方法，并不限于陽極接合。但是，通過陽極接合，能夠使兩基板2、3牢固地接合，因此是優(yōu)選的。上述基底基板2是用與蓋基板3相同的玻璃材料例如堿石灰玻璃構(gòu)成的透明絕緣基板，如圖1至圖4所示，以能對蓋基板3疊合的大小形成為板狀。在基底基板2形成有貫通所述基底基板2的一對貫通孔30、31。這時(shí)，一對貫通孔30、31形成為被收納于空腔C 內(nèi)。更詳細(xì)地說，本實(shí)施方式的貫通孔30、31形成為使一個(gè)貫通孔30位于所裝配的壓電振動(dòng)片4的基部12側(cè)，并使另一貫通孔31位于振動(dòng)腕部10、11的前端側(cè)。然后，在這些一對貫通孔30、31中，形成為以埋入所述貫通孔30、31的方式形成的一對貫通電極32、33。這些貫通電極32、33，如圖3所示，完全堵塞貫通孔30、31而維持空腔C內(nèi)的氣密，并且承擔(dān)使后述的外部電極38、39與迂回電極36、37導(dǎo)通的作用。如圖1至圖4所示，在基底基板2的上表面?zhèn)?接合蓋基板3的接合面?zhèn)?，構(gòu)圖有通過激光照射提高空腔C內(nèi)的真空度的吸氣材料(調(diào)整膜)34、陽極接合用的接合膜35、 和一對迂回電極36、37。此外，接合膜35及一對迂回電極36、37用導(dǎo)電材料(例如，鋁)形成。在平面上看時(shí)，吸氣材料34以與一對振動(dòng)腕部10、11的附近鄰接的狀態(tài)，沿著所述振動(dòng)腕部10、11的長度方向以從基端側(cè)延伸到前端側(cè)的方式用鋁等來形成。更具體地說，吸氣材料34如圖2及圖4所示，在一對振動(dòng)腕部10、11的外側(cè)面?zhèn)龋腋糁粚φ駝?dòng)腕部10、11的中心軸L對稱的位置形成。此外，接合膜35以包圍形成在蓋基板3的凹部3a周圍的方式沿著基底基板2的周邊形成。此外，一對迂回電極36、37構(gòu)圖成為使一對貫通電極32、33之中的一個(gè)貫通電極 32與壓電振動(dòng)片4的一個(gè)裝配電極16電連接，并且使另一貫通電極33與壓電振動(dòng)片4的另一裝配電極17電連接。更詳細(xì)地說，一個(gè)迂回電極36以位于壓電振動(dòng)片4的基部12的正下方的方式形成在一個(gè)貫通電極32的正上方。此外，另一迂回電極37形成為從鄰接一個(gè)迂回電極36的位置，沿著振動(dòng)腕部10、11迂回到所述振動(dòng)腕部10、11的前端側(cè)后，位于另一貫通電極33的正上方。然后，在這些一對迂回電極36、37上分別形成有凸點(diǎn)B，利用所述凸點(diǎn)B裝配壓電振動(dòng)片4。由此，壓電振動(dòng)片4的一個(gè)裝配電極16經(jīng)由一個(gè)迂回電極36而與一個(gè)貫通電極 32導(dǎo)通，并且另一裝配電極17經(jīng)由另一迂回電極37而與另一貫通電極33導(dǎo)通。
此外，在基底基板2的下表面，如圖1、圖3及圖4所示，形成有與一對貫通電極32、 33分別電連接的外部電極38、39。即，一個(gè)外部電極38經(jīng)由一個(gè)貫通電極32及一個(gè)迂回電極36而與壓電振動(dòng)片4的第一激振電極13電連接。此外，另一外部電極39經(jīng)由另一貫通電極33及另一迂回電極37而與壓電振動(dòng)片4的第二激振電極14電連接。在使這樣構(gòu)成的壓電振動(dòng)器1動(dòng)作時(shí)，對形成在基底基板2的外部電極38、39施加既定的驅(qū)動(dòng)電壓。由此，能夠使電流在壓電振動(dòng)片4的由第一激振電極13及第二激振電極14構(gòu)成的激振電極15中流過，并能使一對振動(dòng)腕部10、11以既定頻率沿著接近/分離的方向振動(dòng)。再者，利用該一對振動(dòng)腕部10、11的振動(dòng)，能夠作為時(shí)刻源、控制信號的定時(shí)源或參考信號源等加以利用。(壓電振動(dòng)器制造方法)接著，參照圖8、圖9所示的流程圖，下面對利用基底基板用圓片(基底基板)40 和蓋基板用圓片(蓋基板)50—次性制造多個(gè)上述壓電振動(dòng)器1的制造方法進(jìn)行說明。此外，在本實(shí)施方式中，利用圓片狀的基板來一次性制造多個(gè)壓電振動(dòng)器1，但并不限于此，預(yù)先加工出尺寸與基底基板2及蓋基板3的外形一致的圓片，一次僅制造一個(gè)等也可。最先，進(jìn)行壓電振動(dòng)片制作工序，制作圖5到圖7所示的壓電振動(dòng)片4 (SlO)。具體而言，首先將未加工的朗伯(Lambert)水晶以既定角度切片而做成一定厚度的圓片。接著， 研磨該圓片而進(jìn)行粗加工后，利用蝕刻來除去加工變質(zhì)層，其后進(jìn)行拋光(polish)等的鏡面研磨加工，做成既定厚度的圓片。接著，對圓片實(shí)施清洗等的適當(dāng)處理后，利用光刻技術(shù)以壓電振動(dòng)片4的外形形狀對所述圓片進(jìn)行構(gòu)圖，并且進(jìn)行金屬膜的成膜及構(gòu)圖，形成激振電極15、引出電極19、20、裝配電極16、17、重錘金屬膜21。由此，能夠制作多個(gè)壓電振動(dòng)片4。此外，在制作壓電振動(dòng)片4之后，先進(jìn)行諧振頻率的粗調(diào)。這是通過對重錘金屬膜 21的粗調(diào)膜21a照射激光使一部分蒸發(fā)，從而改變重量來進(jìn)行的。此外，關(guān)于更高精度調(diào)整諧振頻率的微調(diào)，在裝配后進(jìn)行。對此，在后面進(jìn)行說明。接著，進(jìn)行將在后面成為蓋基板3的蓋基板用圓片50制作到剛要進(jìn)行陽極接合之前的狀態(tài)的第一圓片制作工序(S20)。首先，將堿石灰玻璃研磨加工到既定厚度并加以清洗后，利用蝕刻等來除去最表面的加工變質(zhì)層而形成圓板狀的蓋基板用圓片50(S21)。其次， 如圖10所示，進(jìn)行利用蝕刻等來在蓋基板用圓片50的接合面沿行列方向形成多個(gè)空腔用的凹部3a的凹部形成工序(S22)。在該時(shí)刻，結(jié)束第一圓片制作工序。接著，與上述工序同時(shí)或在上述工序前后的定時(shí)，進(jìn)行將在后面成為基底基板2 的基底基板用圓片40制作到剛要進(jìn)行陽極接合之前的狀態(tài)的第二圓片制作工序(S30)。首先，將堿石灰玻璃研磨加工到既定厚度并加以清洗后，利用蝕刻等來除去最表面的加工變質(zhì)層而形成圓板狀的基底基板用圓片40(S31)。接著，進(jìn)行在基底基板用圓片40形成多個(gè)一對貫通電極32、33的貫通電極形成工序(S3》。具體而言，首先，用噴射法或壓力加工等的方法來形成多個(gè)一對貫通孔30、31。然后，在這些多個(gè)一對貫通孔30、31內(nèi)形成一對貫通電極32、33。通過該一對貫通電極32、33， 密封一對貫通孔30、31，并且確?；谆逵脠A片40的上表面?zhèn)扰c下表面?zhèn)戎g的電導(dǎo)通性。接著，進(jìn)行調(diào)整膜形成工序(S3!3)，即，在基底基板用圓片40的上表面對鋁等進(jìn)行構(gòu)圖，在基底基板用圓片40形成吸氣材料34。這時(shí)，將吸氣材料34形成為從平面上看時(shí)以與一對振動(dòng)腕部10、11的附近鄰接的狀態(tài)，沿著所述振動(dòng)腕部10、11的長度方向從基端側(cè)延伸到前端側(cè)，并且形成在一對振動(dòng)腕部10、11的外側(cè)面?zhèn)取⑶腋糁粚φ駝?dòng)腕部10、11的中心軸L (參照圖2~)對稱的位置。然后，如圖11及圖12所示，進(jìn)行在基底基板用圓片40的上表面對導(dǎo)電材料進(jìn)行構(gòu)圖而形成接合膜35的接合膜形成工序(S34)，并且進(jìn)行形成多個(gè)與各一對貫通電極32、 33分別電連接的迂回電極36、37的迂回電極形成工序(S35)。此外，圖11及圖12所示的虛線M示出在后面進(jìn)行的切斷工序中切斷的切斷線。通過進(jìn)行這些工序，結(jié)束第二圓片作成工序。此外，在圖8中，工序順序?yàn)檎{(diào)整膜形成工序(S33)、接合膜形成工序(S34)、迂回電極形成工序(S35)，但順序上沒有限制，此外將所有工序同時(shí)進(jìn)行也可。無論何種工序順序，都能發(fā)揮相同的作用效果。因此，根據(jù)需要適宜變更工序順序也可。接著，進(jìn)行接合基底基板用圓片40與蓋基板用圓片50的接合工序(S40)。對該接合工序進(jìn)行詳細(xì)說明，則最先進(jìn)行將所制作的多個(gè)壓電振動(dòng)片4通過各迂回電極36、37接合到基底基板用圓片40的上表面的裝配工序(S41)。首先，在一對迂回電極36、37上形成各個(gè)金等的凸點(diǎn)B。然后，將壓電振動(dòng)片4的基部12承載于凸點(diǎn)B上后，一邊將凸點(diǎn)B加熱到既定溫度，一邊使壓電振動(dòng)片4壓上凸點(diǎn)B。由此，壓電振動(dòng)片4被機(jī)械支撐于凸點(diǎn)B 上，并且成為電連接裝配電極16、17和迂回電極36、37的狀態(tài)。因而，在該時(shí)刻壓電振動(dòng)片 4的一對激振電極15成為對于一對貫通電極32、33分別導(dǎo)通的狀態(tài)。此外，由于壓電振動(dòng)片4被凸點(diǎn)接合，因此以從基底基板用圓片40的上表面浮起的狀態(tài)被支撐。在結(jié)束壓電振動(dòng)片4的裝配之后，進(jìn)行將蓋基板用圓片50對基底基板用圓片40 疊合的疊合工序(S42)。具體而言，以未圖示的基準(zhǔn)標(biāo)記等為標(biāo)志，將兩圓片40、50對準(zhǔn)到正確的位置。由此，所裝配的壓電振動(dòng)片4成為被收容于由形成在基底基板用圓片40的凹部3a和兩圓片40、50包圍的空腔C內(nèi)的狀態(tài)。在疊合工序后，將已疊合的2個(gè)圓片40、50置于未圖示的陽極接合裝置，在既定的溫度氣氛施加既定電壓而進(jìn)行陽極接合(S4!3)。具體而言，向接合膜35與蓋基板用圓片50 之間施加既定電壓。這樣，在接合膜35與蓋基板用圓片50的界面產(chǎn)生電化學(xué)反應(yīng)，使兩者分別牢固地密合而被陽極接合。由此，能夠?qū)弘娬駝?dòng)片4密封于空腔C內(nèi)，能夠得到基底基板用圓片40與蓋基板用圓片50接合的圖13所示的圓片體60。此外，在圖13中，為了方便觀看附圖，示出分解圓片體60的狀態(tài)，并且從基底基板用圓片40省略了接合膜35的圖示。此外，圖13所示的虛線M示出在后面進(jìn)行的切斷工序中切斷的切斷線。通過進(jìn)行該陽極接合，結(jié)束接合工序。然后，在結(jié)束上述陽極接合后，進(jìn)行外部電極形成工序(S50)，即，在基底基板用圓片40的下表面對導(dǎo)電材料進(jìn)行構(gòu)圖，形成多個(gè)與一對貫通電極32、33分別電連接的一對外部電極38、39。通過該工序，利用外部電極38、39能夠使密封于空腔C內(nèi)的壓電振動(dòng)片4動(dòng)作。接著，進(jìn)行吸氣工序(S60)，S卩，使密封于空腔C內(nèi)的壓電振動(dòng)片4振動(dòng)，從而測量串聯(lián)諧振電阻值，并對吸氣材料34照射激光而使之蒸發(fā)，調(diào)整空腔C內(nèi)的真空度到一定水平以上。
如圖9所示，首先，對形成在基底基板用圓片40的下表面的一對外部電極38、39 施加電壓而使壓電振動(dòng)片4振動(dòng)。然后，一邊測量串聯(lián)諧振電阻值，一邊穿過基底基板用圓片40(從形成有外部電極38、39的面?zhèn)?照射激光，加熱吸氣材料34而使之蒸發(fā)(S61)。 由此，能夠?qū)⒖涨籆內(nèi)的真空度調(diào)整為一定水平以上，并能確保適宜的串聯(lián)諧振電阻值。此外，將激光對吸氣材料34進(jìn)行照射之際，以固定激光源裝置的狀態(tài)，使基底基板用圓片40 移動(dòng)，從而對吸氣材料34的所希望的位置照射激光。接著，對吸氣材料34的除去一部分之后的壓電振動(dòng)片4的頻率(第一頻率)，判斷該第一頻率是否在預(yù)定的容許范圍內(nèi)(S62)。當(dāng)?shù)谝活l率落在容許范圍內(nèi)時(shí)，結(jié)束吸氣工序 (S60)。另一方面，當(dāng)?shù)谝活l率沒有落在容許范圍內(nèi)時(shí)，進(jìn)入S63。當(dāng)?shù)谝活l率落在容許范圍時(shí)，判定第一頻率比容許范圍是高還是低(S6!3)。當(dāng)?shù)谝活l率為高于容許范圍的頻率時(shí)，進(jìn)入S64，在成為比容許范圍低的頻率的情況下，進(jìn)入S65。在S64中，為了降低壓電振動(dòng)片4的頻率，向一對調(diào)整膜34、34中的與一對振動(dòng)腕部10、11的前端側(cè)(圖14的F部)對應(yīng)的位置照射激光，使吸氣材料34的一部分蒸發(fā)。這樣，吸氣材料34蒸鍍到一對振動(dòng)腕部10、11的前端側(cè)的側(cè)面10a、lla，能夠降低壓電振動(dòng)片 4的頻率。若完成吸氣材料34的蒸鍍，則進(jìn)入S66。此外，空腔C內(nèi)的真空度因S61而保持著一定水平以上，若在S64中使吸氣材料34蒸發(fā)，則能進(jìn)一步提高真空度。此外，根據(jù)壓電振動(dòng)片4的頻率和容許范圍之差，設(shè)定使吸氣材料34蒸發(fā)的位置或量。在S65中，為了提高壓電振動(dòng)片4的頻率，向一對調(diào)整膜34、34中的一對振動(dòng)腕部 IOUl的基端側(cè)(圖14的G部)對應(yīng)的位置照射激光，使吸氣材料34的一部分蒸發(fā)。這樣，吸氣材料34蒸鍍到一對振動(dòng)腕部10、11的基端側(cè)的側(cè)面10a、lla，并且能夠提高壓電振動(dòng)片4的頻率。此外，通過S61，將空腔C內(nèi)的真空度保持在一定水平以上，若在S65中使吸氣材料34蒸發(fā)，則能進(jìn)一步提高真空度。S卩，如圖14所示，最好在S64中使吸氣材料34的F部的區(qū)域蒸發(fā)，而在S65中使吸氣材料；34的G部的區(qū)域蒸發(fā)即可。接著，在S64或S65中測量除去吸氣材料34的一部分后的壓電振動(dòng)片4的頻率 (第二頻率)，判斷該第二頻率是否在預(yù)先設(shè)定的容許范圍內(nèi)(S66)。當(dāng)?shù)诙l率落在容許范圍內(nèi)時(shí)，結(jié)束吸氣工序(S60)。另一方面，當(dāng)?shù)诙l率落在容許范圍內(nèi)時(shí)，返回S63。然后， 重復(fù)S63 S66，直至壓電振動(dòng)片4的頻率落在容許范圍內(nèi)，如果頻率落在容許范圍內(nèi)就結(jié)束吸氣工序(S60)。如此，通過進(jìn)行吸氣工序，能夠?qū)⒖涨籆內(nèi)的真空度確保在一定水平以上，并能預(yù)先跟進(jìn)，以使頻率落在容許范圍內(nèi)。此外，吸氣材料34的加熱位置并不能左右空腔C內(nèi)的
真空度。而且，在本實(shí)施方式中，對吸氣材料34照射激光之際，在以與一對振動(dòng)腕部10、11 的各振動(dòng)腕部對應(yīng)的方式形成的一對吸氣材料34、34中，使激光照射在隔著一對振動(dòng)腕部 IOUl的中心軸L對稱的位置。具體而言，若對吸氣材料34照射激光，則如圖15所示，在吸氣材料34殘留激光照射痕41，該部分的吸氣材料34蒸發(fā)，并蒸鍍到一對振動(dòng)腕部10、11 的外側(cè)的側(cè)面10a、lla。如本實(shí)施方式那樣，通過使激光照射在隔著中心軸L對稱的位置， 能夠使蒸鍍到側(cè)面IOaUla的吸氣材料34的位置及量大致均勻。因而，這樣形成的壓電振動(dòng)器1能得到穩(wěn)定的振動(dòng)特性，并且能夠減輕振動(dòng)泄漏。
然后，緊接著進(jìn)行微調(diào)工序(S70)，即，一邊測量頻率一邊利用激光等來加熱重錘金屬膜21的微調(diào)膜21b，對調(diào)整到容許范圍內(nèi)的壓電振動(dòng)片4的頻率進(jìn)行微調(diào)，使之接近目標(biāo)值。由此，能夠?qū)弘娬駝?dòng)片4的頻率進(jìn)行微調(diào)，以使頻率落在標(biāo)稱頻率的既定范圍內(nèi)。 即，在吸氣工序中，由于壓電振動(dòng)片4的頻率已經(jīng)調(diào)整到標(biāo)稱頻率的近似范圍(容許范圍)， 所以能夠容易且在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行微調(diào)工序。在結(jié)束頻率的微調(diào)之后，進(jìn)行沿著圖13所示的切斷線M切斷已接合的圓片體60 而小片化的切斷工序(S80)。其結(jié)果，能夠一次性制造多個(gè)在互相陽極接合的基底基板2與蓋基板3之間所形成的空腔C內(nèi)密封有壓電振動(dòng)片4的、圖1所示的2層構(gòu)造式表面安裝型的壓電振動(dòng)器1。此外，進(jìn)行切斷工序(S80)而小片化為各個(gè)壓電振動(dòng)器1之后，進(jìn)行吸氣工序 (S60)及微調(diào)工序(S70)的工序順序也可。但是，如上所述，通過先進(jìn)行吸氣工序(S60)及微調(diào)工序(S70)，能以圓片體60的狀態(tài)進(jìn)行微調(diào)，所以能更加有效率地微調(diào)多個(gè)壓電振動(dòng)器1。因而，能夠謀求提高生產(chǎn)率，所以是優(yōu)選的。其后，進(jìn)行內(nèi)部的電特性檢查(S90)。即，測定壓電振動(dòng)片4的諧振頻率、諧振電阻值、驅(qū)動(dòng)電平特性(諧振頻率及諧振電阻值的激振電力依賴性)等并加以核對。此外，將絕緣電阻特性等一并核對。并且，最后進(jìn)行壓電振動(dòng)器1的外觀檢查，對尺寸或質(zhì)量等進(jìn)行最終核對。由此結(jié)束壓電振動(dòng)器1的制造。依據(jù)本實(shí)施方式，通過使吸氣材料34的一部分蒸發(fā)，能夠?qū)⒖涨籆內(nèi)的真空度調(diào)整到一定水平以上。此外，在使吸氣材料34的一部分蒸發(fā)之后，測量頻率，當(dāng)該頻率沒有落在容許范圍內(nèi)時(shí)，按照頻率的值使吸氣材料34的適宜部位再度蒸發(fā)，以能夠調(diào)整壓電振動(dòng)片4的頻率。S卩，在吸氣工序中，比較實(shí)際測量的頻率與容許范圍，確定吸氣材料34的激光照射位置，并且能夠使振動(dòng)腕部10、11的側(cè)面IOaUla的蒸發(fā)的吸氣材料34局部地蒸鍍， 進(jìn)而調(diào)整壓電振動(dòng)片4的頻率而使之落在容許范圍內(nèi)。因而，與吸氣同時(shí)，能夠?qū)弘娬駝?dòng)片4的頻率調(diào)整到容許范圍內(nèi)。此外，在使吸氣材料34的一部分蒸發(fā)之際，使激光照射到隔著一對振動(dòng)腕部10、 11的中心軸L對稱的位置，使吸氣材料34的一部分蒸發(fā)，從而能夠使蒸鍍到一對振動(dòng)腕部 10、11的側(cè)面IOaUla的吸氣材料34大致均勻。因而，在吸氣工序后也能得到穩(wěn)定的振動(dòng)特性，能夠減輕振動(dòng)泄漏。結(jié)果，能夠提高成品率。(振蕩器)接著，借助圖16，對本發(fā)明的振蕩器的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式的振蕩器100如圖16所示，構(gòu)成為將壓電振動(dòng)器1電連接至集成電路 101的振子。該振蕩器100具備安裝了電容器等的電子部件102的基板103。在基板103 安裝有振蕩器用的上述集成電路101，在該集成電路101的附近安裝有壓電振動(dòng)器1。這些電子部件102、集成電路101及壓電振動(dòng)器1通過未圖示的布線圖案分別電連接。此外，各構(gòu)成部件通過未圖示的樹脂來模制(mould)。在這樣構(gòu)成的振蕩器100中，對壓電振動(dòng)器1施加電壓時(shí)，該壓電振動(dòng)器1內(nèi)的壓電振動(dòng)片4振動(dòng)。通過壓電振動(dòng)片4所具有的壓電特性，將該振動(dòng)轉(zhuǎn)換為電信號，以電信號方式輸入至集成電路101。通過集成電路101對輸入的電信號進(jìn)行各種處理，以頻率信號的方式輸出。從而，壓電振動(dòng)器1作為振子起作用。
此外，根據(jù)需求有選擇地設(shè)定集成電路101的結(jié)構(gòu)，例如RTC(實(shí)時(shí)時(shí)鐘)模塊等， 能夠附加鐘表用單功能振蕩器等的功能之外，還能附加控制該設(shè)備或外部設(shè)備的工作日期或時(shí)刻，或者提供時(shí)刻或日歷等的功能。如上所述，依據(jù)本實(shí)施方式的振蕩器100，由于具備調(diào)整了吸氣后的頻率的壓電振動(dòng)器1，所以提高成品率而能減少成本，并且能夠得到高精度的振蕩器100。(電子設(shè)備) 接著，借助圖17，就本發(fā)明的電子設(shè)備的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明。此外作為電子設(shè)備，舉例說明了具有上述壓電振動(dòng)器1的便攜信息設(shè)備110。最初本實(shí)施方式的便攜信息設(shè)備110為例如以便攜電話為首的，發(fā)展并改良了現(xiàn)有技術(shù)中的手表的設(shè)備。是這樣的設(shè)備外觀類似于手表，在相當(dāng)于文字盤的部分配置液晶顯示器，能夠在該畫面上顯示當(dāng)前的時(shí)刻等。此外，在用作通信機(jī)時(shí)，從手腕取下，通過內(nèi)置于帶的內(nèi)側(cè)部分的揚(yáng)聲器及麥克風(fēng)，可進(jìn)行與現(xiàn)有技術(shù)的便攜電話同樣的通信。但是，與現(xiàn)有的便攜電話相比，明顯小型且輕量。下面，對本實(shí)施方式的便攜信息設(shè)備110的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。如圖17所示，該便攜信息設(shè)備110具備壓電振動(dòng)器1和供電用的電源部111。電源部111例如由鋰二次電池構(gòu)成。該電源部111上并聯(lián)連接有進(jìn)行各種控制的控制部112、進(jìn)行時(shí)刻等的計(jì)數(shù)的計(jì)時(shí)部 113、與外部進(jìn)行通信的通信部114、顯示各種信息的顯示部115、和檢測各功能部的電壓的電壓檢測部116。而且，通過電源部111來對各功能部供電。控制部112控制各功能部，進(jìn)行聲音數(shù)據(jù)的發(fā)送及接收、當(dāng)前時(shí)刻的測量或顯示等的整個(gè)系統(tǒng)的動(dòng)作控制。此外，控制部112具備預(yù)先寫入程序的ROM、讀取寫入到該ROM 的程序并執(zhí)行的CPU、和作為該CPU的工作區(qū)使用的RAM等。計(jì)時(shí)部113具備內(nèi)置了振蕩電路、寄存器電路、計(jì)數(shù)器電路及接口電路等的集成電路和壓電振動(dòng)器1。對壓電振動(dòng)器1施加電壓時(shí)壓電振動(dòng)片4振動(dòng)，通過水晶所具有的壓電特性，該振動(dòng)轉(zhuǎn)換為電信號，以電信號的方式輸入到振蕩電路。振蕩電路的輸出被二值化，通過寄存器電路和計(jì)數(shù)器電路來計(jì)數(shù)。然后，通過接口電路，與控制部112進(jìn)行信號的發(fā)送與接收，在顯示部115顯示當(dāng)前時(shí)刻或當(dāng)前日期或者日歷信息等。通信部114具有與現(xiàn)有的便攜電話相同的功能，具備無線電部117、聲音處理部 118、切換部119、放大部120、聲音輸入/輸出部121、電話號碼輸入部122、來電音發(fā)生部 123及呼叫控制存儲器部124。通過天線125，無線電部117與基站進(jìn)行收發(fā)信息的聲音數(shù)據(jù)等各種數(shù)據(jù)的交換。 聲音處理部118對從無線電部117或放大部120輸入的聲音信號進(jìn)行編碼及解碼。放大部 120將從聲音處理部118或聲音輸入/輸出部121輸入的信號放大到既定電平。聲音輸入 /輸出部121由揚(yáng)聲器或麥克風(fēng)等構(gòu)成，擴(kuò)大來電音或受話聲音，或者將聲音集音。此外，來電音發(fā)生部123響應(yīng)來自基站的呼叫而生成來電音。切換部119僅在來電時(shí)，通過將連接在聲音處理部118的放大部120切換到來電音發(fā)生部123，在來電音發(fā)生部123中生成的來電音經(jīng)由放大部120輸出至聲音輸入/輸出部121。此外，呼叫控制存儲器部IM存放與通信的呼叫及來電控制相關(guān)的程序。此外，電話號碼輸入部122具備例如 0至9的號碼鍵及其它鍵，通過按壓這些號碼鍵等，輸入通話目的地的電話號碼等。電壓檢測部116在通過電源部111對控制部112等的各功能部施加的電壓小于既
12定值時(shí)，檢測其電壓降后通知控制部112。這時(shí)的既定電壓值是作為使通信部114穩(wěn)定動(dòng)作所需的最低限的電壓而預(yù)先設(shè)定的值，例如，3V左右。從電壓檢測部116收到電壓降的通知的控制部112禁止無線電部117、聲音處理部118、切換部119及來電音發(fā)生部123的動(dòng)作。 特別是，停止耗電較大的無線電部117的動(dòng)作是必需的。而且，顯示部115顯示通信部114 由于電池余量的不足而不能使用的提示。S卩，通過電壓檢測部116和控制部112，能夠禁止通信部114的動(dòng)作，并在顯示部 115做提示。該提示可為文字消息，但作為更加直接的提示，在顯示部115的顯示畫面的頂部顯示的電話圖像上打“X (叉)”標(biāo)記也可。此外，通過具備能夠有選擇地截?cái)嗯c通信部 114的功能相關(guān)的部分的電源的電源截?cái)嗖?26，能夠更加可靠地停止通信部114的功能。如上所述，依據(jù)本實(shí)施方式的便攜信息設(shè)備110，不僅提高成品率而能減少成本， 而且能夠得到高精度的電子設(shè)備110。(電波鐘)接著，借助圖18，就本發(fā)明的電波鐘的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明。如圖18所示，本實(shí)施方式的電波鐘130具備電連接到濾波部131的壓電振動(dòng)器 1，是接收包含時(shí)鐘信息的標(biāo)準(zhǔn)電波，并具有自動(dòng)修正為正確的時(shí)刻并加以顯示的功能的鐘表。在日本國內(nèi)，在福島縣(40kHz)和佐賀縣(60kHz)有發(fā)送標(biāo)準(zhǔn)電波的發(fā)送站(發(fā)送局)，分別發(fā)送標(biāo)準(zhǔn)電波。40kHz或60kHz這樣的長波兼有沿地表傳播的性質(zhì)和在電離層和地表邊反射邊傳播的性質(zhì)，因此其傳播范圍寬，且由上述的兩個(gè)發(fā)送站覆蓋整個(gè)日本國內(nèi)。以下，對電波鐘130的功能性結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說明。天線132接收40kHz或60kHz長波的標(biāo)準(zhǔn)電波。長波的標(biāo)準(zhǔn)電波是將稱為定時(shí)碼的時(shí)刻信息AM調(diào)制為40kHz或60kHz的載波的電波。接收的長波的標(biāo)準(zhǔn)電波通過放大器 133放大，通過具有多個(gè)壓電振動(dòng)器1的濾波部131來濾波并調(diào)諧。本實(shí)施方式中的壓電振動(dòng)器1分別具備與上述載波頻率相同的40kHz及60kHz的諧振頻率的水晶振動(dòng)器部138、 139。而且，濾波后的既定頻率的信號通過檢波、整流電路134來檢波并解調(diào)。接著，經(jīng)由波形整形電路135而抽出定時(shí)碼，由CPU136計(jì)數(shù)。在CPU136中，讀取當(dāng)前的年、累積日、 星期、時(shí)刻等的信息。被讀取的信息反映于RTC137，顯示出正確的時(shí)刻信息。載波為40kHz 或60kHz，因此水晶振動(dòng)器部138、139優(yōu)選具有上述的音叉型結(jié)構(gòu)的振動(dòng)器。再者，以上以日本國內(nèi)為例進(jìn)行了說明，但長波的標(biāo)準(zhǔn)電波的頻率在海外是不同的。例如，在德國使用77. 5KHz的標(biāo)準(zhǔn)電波。因而，在便攜設(shè)備組裝也可以應(yīng)對海外的電波鐘130的情況下，還需要不同于日本的頻率的壓電振動(dòng)器1。如上所述，依據(jù)本實(shí)施方式的電波鐘130，不僅提高成品率而能減少成本，而且能夠得到高精度的電波鐘130。此外，本發(fā)明的技術(shù)范圍并不局限于上述實(shí)施的方式，在不超出本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)可進(jìn)行各種變更。例如，在上述實(shí)施方式中，壓電振動(dòng)器1為2層構(gòu)造式表面安裝型的壓電振動(dòng)器1， 但并不限于此。也可以為3層構(gòu)造型的壓電振動(dòng)器。即，利用具有包圍壓電振動(dòng)片4的周圍的框狀部的壓電振動(dòng)器板，將該壓電振動(dòng)器板裝配到基底基板2的上表面之后，隔著壓電振動(dòng)器板接合基底基板2和蓋基板3，將壓電振動(dòng)片4密封于空腔內(nèi)，從而作為壓電振動(dòng)器也可。此外，在上述實(shí)施方式中，作為重錘金屬膜21而形成微調(diào)膜21b，并且加熱微調(diào)膜 21b來進(jìn)行微調(diào)工序，但并不限于此。例如，將激振電極15在一對振動(dòng)腕部10、11的前端側(cè)形成為延伸至粗調(diào)膜21a的附近，加熱所述激振電極15的一部分來進(jìn)行微調(diào)工序也可。 即，在該情況下，激振電極15的一部分作為重錘金屬膜21起作用。此外，在上述實(shí)施方式中，舉例說明了將吸氣材料34形成在基底基板2的情況，但在基底基板2和蓋基板3中的至少任一個(gè)基板上形成也可。即，既可以形成在蓋基板3，也可以形成在兩基板2、3。此外，在上述實(shí)施方式中，作為壓電振動(dòng)片4的一個(gè)例子，舉例說明了在振動(dòng)腕部 IOUl的兩面形成溝部18的帶溝的壓電振動(dòng)片4，但沒有溝部18的類型的壓電振動(dòng)片也可。但是，通過形成溝部18，能夠在對一對激振電極15施加既定電壓時(shí)，提高一對激振電極15間的電場效率，因此能夠進(jìn)一步抑制振動(dòng)損耗而進(jìn)一步改善振動(dòng)特性。即，能夠進(jìn)一步降低CI值(Crystal Impedance)，并能將壓電振動(dòng)片4進(jìn)一步高性能化。在這一點(diǎn)上，優(yōu)選形成溝部18。此外，在上述實(shí)施方式中，形成了一對貫通電極33、34，但并不限于此。但是，在利用圓片來制造壓電振動(dòng)器1的情況下，通過形成貫通電極33、34，能夠以圓片狀使各個(gè)壓電振動(dòng)片4振動(dòng)，因此能夠在小片化之前進(jìn)行吸氣工序及微調(diào)工序。因而，優(yōu)選形成貫通電極 33,34ο此外，在上述實(shí)施方式中，凸點(diǎn)接合了壓電振動(dòng)片4，但并不限于凸點(diǎn)接合。例如， 用導(dǎo)電粘接劑來接合壓電振動(dòng)片4也可。但是，通過凸點(diǎn)接合，能夠使壓電振動(dòng)片4從基底基板2的上表面浮起，并能自然確保振動(dòng)所需的最低限的振動(dòng)間隙。因而，在這方面優(yōu)選凸點(diǎn)接合。此外，在上述實(shí)施方式中，說明了在將激光源裝置固定的狀態(tài)下，使基底基板用圓片40移動(dòng)，向吸氣材料34的所希望的位置照射激光的情況，但相反地，固定基底基板用圓片40，一邊移動(dòng)激光源裝置一邊對吸氣材料34照射激光也可。而且，在本實(shí)施方式中，平面圖中，將吸氣材料設(shè)置在一對振動(dòng)腕部的外側(cè)，但設(shè)在一對振動(dòng)腕部之間也可。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性本發(fā)明的壓電振動(dòng)器的制造方法，能夠適用于在接合的兩個(gè)基板之間所形成的空腔內(nèi)密封有壓電振動(dòng)片的表面安裝型(SMD)的壓電振動(dòng)器。
權(quán)利要求
1.一種壓電振動(dòng)器的制造方法，制造這樣的壓電振動(dòng)器，其包括具備一對振動(dòng)腕部的音叉型壓電振動(dòng)片、收容所述壓電振動(dòng)片的封裝件、及對應(yīng)于所述振動(dòng)腕部并沿著所述振動(dòng)腕部的長度方向形成的調(diào)整膜，通過對所述調(diào)整膜照射激光而使所述調(diào)整膜的一部分蒸發(fā)，從而能夠提高所述封裝件內(nèi)的真空度，所述制造方法的特征在于，包括頻率測量工序，測量所述壓電振動(dòng)片的頻率；以及吸氣工序，在測量的所述頻率高于容許范圍時(shí)使對應(yīng)于所述振動(dòng)腕部的前端側(cè)的位置的調(diào)整膜的一部分蒸發(fā)，在測量的所述頻率低于所述容許范圍時(shí)使對應(yīng)于所述振動(dòng)腕部的基部側(cè)的位置的調(diào)整膜的一部分蒸發(fā)。
2.如權(quán)利要求1所述的壓電振動(dòng)器的制造方法，其特征在于，對應(yīng)于所述一對振動(dòng)腕部的每一個(gè)，具備沿著所述振動(dòng)腕部的長度方向形成的一對調(diào)整膜，在使所述調(diào)整膜的一部分蒸發(fā)之際，向隔著所述一對調(diào)整膜中的所述一對振動(dòng)腕部的中心軸對稱的位置照射所述激光而使所述調(diào)整膜的一部分蒸發(fā)。
3.一種壓電振動(dòng)器，其特征在于，用權(quán)利要求1或2所述的方法來制造。
4.一種振蕩器，其特征在于，使通過權(quán)利要求1或2所述的方法來制造的壓電振動(dòng)器， 作為振子與集成電路電連接。
5.一種電子設(shè)備，其特征在于，使通過權(quán)利要求1或2所述的方法來制造的壓電振動(dòng)器，與計(jì)時(shí)部電連接。
6.一種電波鐘，其特征在于，使通過權(quán)利要求1或2所述的方法來制造的壓電振動(dòng)器， 與濾波部電連接。
全文摘要
本發(fā)明的壓電振動(dòng)器的制造方法，制造這樣的壓電振動(dòng)器，其包括具備一對振動(dòng)腕部的音叉型壓電振動(dòng)片、收容所述壓電振動(dòng)片的封裝件、和對應(yīng)于所述振動(dòng)腕部并沿著所述振動(dòng)腕部的長度方向形成的調(diào)整膜，通過對所述調(diào)整膜照射激光而使所述調(diào)整膜的一部分蒸發(fā)，從而能夠提高所述封裝件內(nèi)的真空度，該制造方法包括頻率測量工序，測量所述壓電振動(dòng)片的頻率；以及吸氣工序，在所測量的所述頻率高于容許范圍時(shí)使對應(yīng)于所述振動(dòng)腕部的前端側(cè)的位置的調(diào)整膜的一部分蒸發(fā)，在所測量的所述頻率低于所述容許范圍時(shí)使對應(yīng)于所述振動(dòng)腕部的基部側(cè)的位置的調(diào)整膜的一部分蒸發(fā)。
文檔編號H03H9/215GK102197587SQ20088013183
公開日2011年9月21日 申請日期2008年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月27日
發(fā)明者山口由美, 須釜一義 申請人:精工電子有限公司