專利名稱：濾波器、雙工器以及電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及濾波器、雙工器以及電子裝置，特別是涉及梯形濾波器、雙工器以及電
子裝置。
背景技術(shù)：
在便攜電話通信等的無線通信中，使用將諧振器連接成梯形的梯形濾波器。梯形濾波器實現(xiàn)了使期望頻率的信號通過的帶通濾波器。在帶通濾波器中，要求抑制通帶(即期望頻率)的二次諧波、三次諧波等高次諧波分量等的遠離通帶的頻率的信號。作為抑制通帶的高次諧波分量等的方法，公知有使用集中常數(shù)的LC諧振電路或分布常數(shù)的傳輸線路的方法(專利文獻1)。專利文獻1 日本特開2003-198325號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題但是，根據(jù)專利文獻1的方法，很難使濾波器小型化。另外，當為了小型化而使傳輸線路之間接近時，生成寄生電容或寄生電感，濾波器特性惡化。本發(fā)明正是鑒于上述課題而完成的，其目的是提供一種既能夠?qū)崿F(xiàn)小型化又能夠抑制遠離帶通的頻率的信號的濾波器、雙工器以及電子裝置。用于解決課題的手段本梯形濾波器具有串聯(lián)諧振器，其串聯(lián)連接在輸入端子和輸出端子之間；并聯(lián)諧振器，其并聯(lián)連接在所述輸入端子和輸出端子之間；諧振器，其與所述串聯(lián)諧振器串聯(lián)連接在所述輸入端子和輸出端子之間，諧振頻率比所述串聯(lián)諧振器小；以及電感器，其與所述諧振器并聯(lián)連接。本雙工器和電子裝置具有上述梯形濾波器。本雙工器具有公共端子；發(fā)送濾波器和接收濾波器，其并聯(lián)連接在所述公共端子上，所述發(fā)送濾波器和所述接收濾波器的至少一方具有串聯(lián)諧振器，其串聯(lián)連接在所述公共端子與輸入輸出端子之間；以及并聯(lián)諧振器，其并聯(lián)連接在所述公共端子與所述輸入輸出端子之間；諧振器，其串聯(lián)連接在所述公共端子與連接所述發(fā)送濾波器和所述接收濾波器的節(jié)點之間，諧振頻率比所述串聯(lián)諧振器?。灰约半姼衅?，其與所述諧振器并聯(lián)連接。發(fā)明的效果能夠通過由電感器形成的衰減極，抑制遠離通帶的頻率的信號。并且，能夠抑制由諧振器造成的通帶的插入損失。


圖1是梯形濾波器的電路圖。圖2的(a)是表示串聯(lián)諧振器的通過特性的圖，圖2的(b)是表示并聯(lián)諧振器的通過特性的圖，圖2的(c)是表示梯形濾波器的通信特性的圖。圖3的(a)是表示諧振器的等價電路的圖，圖3的(b)是表示通過特性的圖。

圖4的(a)是表示并聯(lián)連接了電感器的諧振器的等價電路的圖，圖4的(b)是表示通過特性的圖。圖5的(a)是實施例1的濾波器的電路圖，圖5的(b)是表示通過特性的圖。圖6的(a)是壓電薄膜諧振器的剖面圖，圖6的(b)是俯視圖。圖7的(a)是彈性表面波諧振器的剖面圖，圖7的(b)是俯視圖。
圖8是表示實施例1和比較例1的通過特性的圖。圖9是表示使電感器Lp的電感變化后的通過特性的圖。圖10是濾波器的電路圖。圖11的(a)、圖11的(b)以及圖11的(c)分別是表示fr = fs、fs > fr > fρ以及fr = fp時的通過特性的圖。圖12的(a)是濾波器的俯視圖，圖12的(b)是剖面圖。圖13是實施例1的其他例子。圖14的(a) 14的(c)是實施例1的其他例子。圖15的(a) 15的(c)是實施例2的雙工器的框圖。圖16的(a)和圖16的(b)是表示實施例3的濾波器的圖。圖17的(a)和圖17的(b)是表示實施例4的濾波器的圖。圖18的(a) 圖18的(d)是表示實施例5的雙工器的圖。圖19是濾波器芯片的俯視圖。圖20的(a) 圖20的(c)是表示實施例6的雙工器的圖。圖21是表示實施例7的雙工器的圖。圖22是表示實施例8的電子裝置的圖。
具體實施例方式首先，對梯形濾波器進行說明。圖1是梯形濾波器的電路圖。如圖1所示，在輸入端子h和輸出端子Out之間串聯(lián)連接一個或多個串聯(lián)諧振器Sl S4。在輸入端子h和輸出端子Out之間并聯(lián)連接一個或多個并聯(lián)諧振器Pl P3。即，并聯(lián)諧振器Pl P3分別連接在串聯(lián)諧振器S1、S2之間的節(jié)點、串聯(lián)諧振器S2、S3之間的節(jié)點、串聯(lián)諧振器S3、S4 之間的節(jié)點與接地之間。如上所述，串聯(lián)諧振器Sl S4和并聯(lián)諧振器Pl P3連接成梯子狀。接著，說明梯形濾波器的動作。圖2的(a)是表示串聯(lián)諧振器S的通過特性的圖。 如圖2的(a)所示，在諧振點上衰減量極小，在諧振點的高頻側(cè)的反諧振點上衰減量極大。 圖2的(b)是表示并聯(lián)諧振器P的通過特性的圖。如圖2的(b)所示，在諧振點上衰減量極大，在諧振點的高頻側(cè)的反諧振點上衰減量極小。圖2的(c)是表示由串聯(lián)諧振器S和并聯(lián)諧振器P構(gòu)成的梯形濾波器的通過特性的圖。如圖2的(c)所示，使并聯(lián)諧振器P的反諧振點位于串聯(lián)諧振器S的諧振點的低頻側(cè)。由此，由并聯(lián)諧振器P的反諧振點和串聯(lián)諧振器S的諧振點形成通帶。在靠近通帶的區(qū)域上衰減量大。但是，當將梯形濾波器的通帶的中心頻率設(shè)為f0時，在二次諧波的頻率2f0、三次諧波的頻率3f0中衰減量變小。
例如，在便攜電話終端的發(fā)送信號中，除了發(fā)送頻率的信號以外，還包含二次諧波、三次諧波等的高次諧波分量。從而，作為發(fā)送用濾波器，要求抑制發(fā)送頻率的高次諧波分量(即，通帶的高次諧波)。接著，對抑制通帶的高次諧波分量的原理進行說明。圖3的(a)是表示諧振器S 的等價電路的圖，圖3的(b)是表示諧振器S的通過特性的圖。如圖3的(a)所示，在諧振器S的等價電路中，串聯(lián)連接有電感器Lm、電容器Cm以及電阻Rm，且串聯(lián)連接有電容器CO 和電阻Ra。電感器Lm、電容器Cm以及電阻Rm與電容器CO和電阻Ra并聯(lián)連接。如圖3的 (b)所示，諧振器S的通過特性與圖2的(a)相同。圖4的(a)是在諧振器S上并聯(lián)連接了電感器Lp后的等價電路。圖4的(b)是并聯(lián)連接了電感器Lp后的諧振器S的通過特性。在由諧振器S引起的衰減量的極大點的高頻帶側(cè)，形成由電感器Lp的電感引起的衰減量的極大點(衰減極)。通過選擇電感器Lp 的電感，能夠?qū)⑺p極設(shè)定為任意的頻率。以下，根據(jù)以上的原理說明實施例。實施例1圖5的(a)是實施例1的濾波器的電路圖，圖5的(b)表示實施例1的濾波器的通過特性。如圖5的(a)所示，諧振器RP與串聯(lián)諧振器Sl S4串聯(lián)連接在輸入端子h 和輸出端子Out之間。諧振器RP的諧振頻率比串聯(lián)諧振器Sl S4小。在諧振器RP上并聯(lián)連接有電感器Lp。其他的結(jié)構(gòu)與圖1相同，因此省略說明。參照圖5的(b)，使由電感器Lp引起的衰減極的頻率成為通帶的中心頻率f0的 2倍。由此，能夠抑制通帶的二次諧波的信號。衰減極的頻率可以是希望抑制的任意的頻率。電感器Lp具有在梯形濾波器的通帶的高次諧波側(cè)形成衰減極的電感，從而能夠提高通帶的高次諧波側(cè)的特定頻率的衰減量。進而，電感器Lp具有在通帶的整數(shù)倍的頻率上形成衰減極的電感，從而能夠抑制通過通帶的信號的高次諧波。圖6的(a)和圖6的(b)是作為諧振器Sl S4、Pl P3以及RP的例子表示壓電薄膜諧振器(FBAR:Film Bulk Acoustic Resonator)的圖。圖 6 的(a)是 6 的(b)的 A-A’剖面圖。在基板10上形成有下部電極12，在下部電極12上形成有例如包含AlN的壓電膜14，在壓電膜14上形成有上部電極16。在下部電極12與基板10之間形成有空隙18。 如上所述，作為諧振器能夠使用FBAR。圖7的(a)和圖7的(b)是作為諧振器Sl S4、Pl P3以及RP的例子表示彈性表面波(SAW :Surface Acoustic Wave)諧振器的圖。圖7的(a)是圖7的(b)的A-A’ 剖面圖。在壓電基板20上形成有梳狀電極IDT、反射器R。如上所述，作為諧振器能夠使用 SAW諧振器。圖8是表示實施例1的濾波器的通過特性的圖。實線是圖5的(a)的濾波器(實施例1)的仿真結(jié)果，虛線是沒有連接諧振器RP、電感Lp的圖1的濾波器(比較例)的仿真結(jié)果。假設(shè)實施例 1 和比較例都是 W-CDMA (Wide band Code Division MultipleAccess)， 設(shè)通帶約為2GHz。設(shè)串聯(lián)諧振器Sl S4的諧振頻率為1969MHz，并聯(lián)諧振器Pl P3的諧振頻率為1889MHz，諧振器RP的諧振頻率為1595MHz，電感器Lp的電感為0. 9nH。如圖8 所示，在實施例1中，在約4GHz上形成衰減極。圖9是設(shè)實施例1的電感器Lp的電感為0. 7nH、0. 9nH以及1. InH時的通過特性。如圖9所示，根據(jù)電感器Lp的電感，能夠任意地設(shè)定衰減極的頻率。接著，研究諧振器RP的優(yōu)選諧振頻率。參照圖10，設(shè)圖5的(a)的串聯(lián)諧振器 Sl S4的諧振頻率為fs，并聯(lián)諧振器Pl P3的諧振頻率為fp，諧振器RP的諧振頻率為 fr。串聯(lián)諧振器Sl S4的諧振頻率fs大致相等，并聯(lián)諧振器Pl P3的諧振頻率fp大致相等。圖11的(a)是在圖10中fr = fp時的通過特性的仿真結(jié)果。實線是濾波器整體的通過特性，虛線是連接了電感器Lp后的諧振器RP的通過特性。由諧振器RP的諧振點引起的衰減極Pr在濾波器的通帶I^ss內(nèi)產(chǎn)生。圖11的(b)是在圖10中fs > fr > fp時的通過特性的仿真結(jié)果。由諧振器RP 的諧振點引起的衰減極ft·在濾波器的通帶I^ass的低頻側(cè)產(chǎn)生。圖11的(C)是在圖10中 fr = fp時的通過特性的仿真結(jié)果。衰減極ft·在濾波器的通帶I^ss的更低頻側(cè)產(chǎn)生。如圖11的(b)所示，衰減極ft"要求形成在通帶I^ss的外側(cè)。進而，由諧振器RP 引起的衰減量，其衰減極ft·的高頻側(cè)比低頻側(cè)小。因此，為了抑制濾波器的通帶I^ass中的插入損失，優(yōu)選衰減極ft·形成在通帶I^ass的低頻帶側(cè)。由此，優(yōu)選諧振器RP的諧振頻率 fr比串聯(lián)諧振器Sl S4的諧振頻率fs小。另夕卜，當衰減極ft·遠離通帶I^ss形成時，由通帶I^ss中的諧振器RP引起的衰減量變大。因此，優(yōu)選諧振器RP的諧振頻率fr比串聯(lián)諧振器Sl S4小而接近并聯(lián)諧振器 Pl P3。例如，優(yōu)選fs > fr彡fp。圖12的(a)和圖12的(b)是表示使用了 FBAR的濾波器的fr = fp時的濾波器芯片的圖。圖12的(a)是俯視圖，圖12的(b)是圖12的(a)的Α_0_Α’剖面圖。串聯(lián)諧振器Sl S4的構(gòu)造與圖6的(a)和圖6的(b)相同。并聯(lián)諧振器Pl P3以及諧振器RP 在上部電極16上形成有調(diào)整膜17。通過形成調(diào)整膜17，能夠使并聯(lián)諧振器Pl P3和諧振器RP的諧振頻率fp、fr比串聯(lián)諧振器Sl S4的諧振頻率fs小。如上所述，優(yōu)選諧振器RP的諧振頻率fr與并聯(lián)諧振器Pl P3的諧振頻率fp —致。從而，濾波器內(nèi)的諧振頻率可以有兩個，調(diào)整膜17的膜厚可以只有一種，能夠簡化濾波器的制造工序。圖13是表示實施例1的濾波器的其他例子的電路圖。如圖13所示，并聯(lián)連接了電感器Lp后的諧振器RP形成在串聯(lián)諧振器Sl S4的輸出端子Out側(cè)。圖14的(a) 圖14的(c)是實施例1的濾波器的另一些例子。在圖14的(a) 的例子中，諧振器RP串聯(lián)連接在串聯(lián)諧振器Sl與并聯(lián)諧振器Pl之間。在圖14的(b)的例子中，諧振器RP串聯(lián)連接在并聯(lián)諧振器Pl與串聯(lián)諧振器S2之間。在圖14的(c)的例子中，諧振器RP串聯(lián)連接在串聯(lián)諧振器S2與并聯(lián)諧振器P2之間。如圖5的(a)、圖13、圖14的(a) 圖14的(b)所示，只要諧振器RP串聯(lián)連接在輸入端子^!與輸出端子Out之間，則連接的位置可以是任意的。但是，為了容易連接電感器Lp，優(yōu)選諧振器RP連接在與全部的串聯(lián)諧振器Sl S4相比最靠近輸入端子h或輸出端子Out的一側(cè)。實施例2實施例2是雙工器的例子。圖15的(a) 圖15的(c)是實施例2的雙工器的電路圖。參照圖15的(a)，雙工器連接有公共端子Ant、并聯(lián)連接在公共端子Ant上的發(fā)送濾波器30 (第1濾波器)以及接收濾波器32 (第2濾波器)。發(fā)送濾波器30與接收濾波器 32由節(jié)點N連接。發(fā)送濾波器30連接在節(jié)點N與發(fā)送端子Tx之間。接收濾波器32連接CN 102232270 A
說明書
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在節(jié)點N與接收端子Rx之間。發(fā)送濾波器30具有使發(fā)送信號的頻率通過的通帶。從發(fā)送端子Tx輸入的發(fā)送信號通過發(fā)送濾波器30從公共端子Ant輸出。另一方面，發(fā)送濾波器30不使接收信號的頻率通過。因此，輸入到公共端子Ant的接收信號不會輸出到發(fā)送端子Tx。接收濾波器32具有使接收信號的頻率通過的通帶。從公共端子Ant輸入的接收信號通過接收濾波器32從接收端子Rx輸出。另一方面，接收濾波器32不使發(fā)送信號的頻率通過。因此，發(fā)送信號不會輸出到接收端子Rx。在圖15的(a)中，在公共端子Ant與節(jié)點N之間連接有諧振器RP。在此，發(fā)送濾波器30和接收濾波器32的至少一方為圖1所示的梯形濾波器，使諧振器RP的諧振頻率比發(fā)送濾波器30和接收濾波器32的至少一方的串聯(lián)諧振器Sl S4的諧振頻率小。由此， 如實施例1所示，能夠在發(fā)送濾波器30和接收濾波器32的至少一方的通帶的高頻側(cè)設(shè)定由電感器Lp引起的衰減極。因此，能夠抑制發(fā)送信號或接收信號的例如二次諧波、三次諧波。 通過在公共端子Ant與節(jié)點N之間連接諧振器RP，能夠?qū)⒂呻姼衅鱈p引起的衰減極，用于抑制發(fā)送信號和接收信號雙方的二次諧波、三次諧波。由于二次諧波、三次諧波多在作為發(fā)送信號的情況下成為問題，因此發(fā)送濾波器 30為梯形濾波器，優(yōu)選諧振器RP的諧振頻率比發(fā)送濾波器30的串聯(lián)諧振器Sl S4的諧振頻率小。如圖15的(b)所示，諧振器RP也可以連接在匹配電路34(例如移相器)與節(jié)點N 之間。另外，如圖15的(c)所示，諧振器RP也可以連接在匹配電路34與公共端子Ant之間。在實施例2中，對在公共端子Ant與節(jié)點N之間連接諧振器RP的例子進行了說明， 但是諧振器RP也可以設(shè)置在發(fā)送濾波器30和接收濾波器32中。即，只要雙工器包括實施例1的濾波器即可。實施例3實施例3是將并聯(lián)連接了電感器的諧振器分割成串聯(lián)或并聯(lián)連接的多個諧振器后的例子。圖16的(a)和圖16的(b)是實施例3的電路圖。在圖16的(a)的例子中，將連接了電感器Lp的諧振器分割成兩個諧振器RPl。兩個諧振器RPl串聯(lián)連接。在圖16的 (b)的例子中，將連接了電感器Lp的諧振器分割成兩個諧振器RP2。兩個諧振器RP2并聯(lián)連接。根據(jù)實施例3，通過用串聯(lián)或并聯(lián)連接的多個諧振器構(gòu)成并聯(lián)連接了電感器Lp的諧振器，能夠使每一個諧振器的功率密度下降，提高由非線性失真引起的無用波的輸出和耐功率性。為了使每一個諧振器的功率密度均勻，優(yōu)選多個諧振器具有相同的電容值。實施例4實施例4是設(shè)置多個并聯(lián)連接了電感器Lp的諧振器的例子。圖17的(a)和圖17 的(b)是實施例4的電路圖。在圖17的(a)的例子中，在輸入端子h與串聯(lián)諧振器Sl之間連接有并聯(lián)連接了電感器Ll的諧振器RP。另外，在輸出端子Out與串聯(lián)諧振器S4之間連接有并聯(lián)連接了電感器L2的諧振器RP。在圖17的(b)的例子中，在輸入端子h與串聯(lián)諧振器Sl之間連接有并聯(lián)連接了電感器Ll的諧振器RP和并聯(lián)連接了電感器L2的諧振器RP。根據(jù)實施例4，串聯(lián)連接多個諧振器RP，每個諧振器RP并聯(lián)連接了電感器。通過使各電感器的電感不同，能夠形成多個衰減極。例如，能夠以電感器Ll在通帶的二次諧波的頻率上形成衰減極，電感器L2在通帶的三次諧波的頻率上形成衰減極的方式(即，以在不同的高次諧波的頻率上形成衰減極的方式)規(guī)定電感。只要多個諧振器RP串聯(lián)連接在輸入端子h與輸出端子Out之間，則能夠連接在任意的地方。實施例5實施例5是具有積層封裝的雙工器的例子。圖18的(a)是積層封裝的剖面圖， 圖18的(b)是透過濾波器芯片觀察芯片粘接(die attach)層的表面而得到的圖，圖18的 (c)是基底(foot pat)層的表面的圖(用虛線表示濾波器芯片的位置)，圖18的(d)是從表面?zhèn)韧敢暬讓拥谋趁娑玫降膱D。如圖18的(a)所示，積層封裝40具有第1層41、第 2層42、芯片粘接層43以及基底層44這四個陶瓷層。第1層41和第2層42形成密封濾波器芯片31、33的腔46。通過在第1層41上固定安裝隆起物48，密封濾波器芯片31、33。 在芯片粘接層43的表面上通過凸塊50倒裝安裝有濾波器芯片31、33。在基底層44的背面形成有基底56。在濾波器芯片31上形成有實施例2的發(fā)送濾波器30，在濾波器芯片33上形成有實施例2的接收濾波器32。圖19是表示發(fā)送濾波器芯片31的俯視圖。在濾波器芯片31上形成有公共焊盤 Antp、電感器抽出焊盤Lxp、發(fā)送焊盤Txp以及接地焊盤&idp。其他結(jié)構(gòu)與圖12的(a)相同，省略其說明。如圖18的(b)所示，在芯片粘接層43的表面上倒裝安裝有發(fā)送濾波器芯片31和接收濾波器芯片33。在芯片粘接層43表面上形成有金屬配線52。在芯片粘接層43上形成有埋入了金屬的通孔M，該通孔M貫通芯片粘接層43。如圖18的(c)所示，在基底層 44的表面上形成有金屬配線52。在基底層44上形成有埋入了金屬的通孔M，該通孔M貫通基底層44。如圖18的(d)所示，在基底層44的背面上形成有將電信號取出到外部的基底56。Ant、TX、RX以及&id分別是與公共端子、發(fā)送端子、接收端子以及接地端子對應(yīng)的基底56。在圖18的(b) 圖18的(d)中，圖示了發(fā)送濾波器側(cè)的金屬配線52和通孔54， 省略了接收濾波器側(cè)的金屬配線和通孔。濾波器芯片31的發(fā)送焊盤Txp通過配線Lt和通孔M與發(fā)送端子Tx的基底連接。濾波器芯片31的公共焊盤Antp通過配線La和通孔M 與公共端子Ant的基底連接。濾波器芯片31的接地焊盤&idp通過配線Lg和通孔M與接地端子&id的基底連接。由金屬配線52形成的電感器Lp并聯(lián)連接在諧振器RP兩側(cè)的公共焊盤Antp與電感器抽出焊盤Lxp之間。根據(jù)實施例5，電感器Lp由導體線路形成，該導體線路形成在安裝了濾波器芯片 31、33的封裝內(nèi)。由此，能夠使雙工器或濾波器小型化。另外，實施例5說明了電感器Lp由陶瓷層上的導體線路形成的例子，但是，只要電感器Lp由陶瓷基板或印刷基板等的絕緣體層上的導體線路形成即可。實施例6實施例6是用芯片電感器形成電感器的例子。圖20的(a)是從表面透視實施例 6的芯片粘接層的表面而得到的圖，圖20的(b)是從表面透視基底層的表面而得到的圖，圖20的(c)是從表面透視基底層的背面而得到的圖。如圖20的(a)和圖20的(b)所示， 代替圖18的(c)的金屬配線52，用芯片電感器60形成電感器Lp。其他結(jié)構(gòu)與實施例5相同，省略其說明。根據(jù)實施例6，由于用芯片電感器60形成電感器Lp，因此電感器Lp的Q值變高， 能夠提高抑制特性。另外，芯片電感器60也可以設(shè)置在基底層44的表面等的封裝40內(nèi)。實施例7實施例7是用集中常數(shù)的線圈形成電感器的例子。圖21是實施例7的芯片粘接層的表面圖。如圖21所示，代替圖20的(a)的芯片電感器，用集中常數(shù)線圈62形成電感器Lp。其他結(jié)構(gòu)與實施例6相同，省略其說明。根據(jù)實施例7，由于用集中常數(shù)線圈62形成電感器Lp，因此電感器Lp的Q值變高，能夠提高抑制特性。另外，集中常數(shù)線圈62也可以設(shè)置在基底層44的表面等的封裝40 內(nèi)。實施例8實施例8是將便攜電話終端作為使用了實施例1 7的濾波器或雙工器的電子裝置的例子。圖22是實施例8的便攜電話終端90的主要是RF(Radic) Frequency)部的框圖。便攜電話終端90與GSM(Global System for Mobile Communication)通信方式和 W-CDMA(Wideband Code Division Multiple Access)通信方式對應(yīng)。在 GSM 方式中，與 850MHz 帶(GSM850)、900MHz 帶(GSM900)、1800MHz 帶(GSM1800)、1900MHz 帶(GSM1900)對應(yīng)。天線71能夠發(fā)送接收GSM方式和W-CDMA方式中的任意一個方式的發(fā)送接收信號。天線開關(guān)72在發(fā)送接收W-CDMA方式的信號時，選擇W-CDMA部92，連接W-CDMA部92和天線 71。在發(fā)送接收GSM方式的信號時，選擇GSM部94，連接GSM部94和天線71。W-CDMA部92具有雙工器73、低噪音放大器74、功率放大器75以及信號處理部76。 信號處理部76生成W-CDMA發(fā)送信號。功率放大器75對發(fā)送信號進行放大。雙工器73的接收濾波器73a使發(fā)送信號通過并輸出到天線開關(guān)72。接收濾波器73a使天線開關(guān)72輸出的W-CDMA接收信號通過而連接到低噪音放大器74。低噪音放大器74對接收信號進行放大。信號處理部76對接收信號進行降頻，輸出到之后的處理部。GSM部94具有濾波器77 80、功率放大器81、82以及信號處理部83。信號處理部83生成GSM發(fā)送信號。在GSM850、GSM900的信號的情況下，功率放大器81放大發(fā)送信號。在GSM1800、GSM1900的信號的情況下，功率放大器82放大發(fā)送信號。天線開關(guān)72根據(jù)GSM信號的種類選擇功率放大器81或82。天線開關(guān)72根據(jù)從天線71接收到的GSM信號的種類選擇濾波器77 80。濾波器77 80過濾接收信號并輸出到信號處理部83。信號處理部83對接收信號進行降頻，并輸出到之后的處理部。在實施例8中，能夠?qū)V波器73a、73b、77 80中的至少一個濾波器作為實施例 1、3或4的濾波器?；蛘?，能夠?qū)㈦p工器73作為實施例2、5 7的雙工器。從而，能夠提供提高了濾波器特性的電子裝置。由于發(fā)送信號包含有多個高次諧波分量，因此優(yōu)選將濾波器7 作為實施例1、3或4的濾波器。以上，詳細說明了本發(fā)明的實施例，但是本發(fā)明并不限定于上述特定的實施例，在記載于權(quán)利要求書的本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)，能夠進行各種變形/變更。
權(quán)利要求
1.一種梯形濾波器，其特征在于，該梯形濾波器具有串聯(lián)諧振器，其串聯(lián)連接在輸入端子和輸出端子之間；并聯(lián)諧振器，其并聯(lián)連接在所述輸入端子和輸出端子之間；諧振器，其與所述串聯(lián)諧振器串聯(lián)連接在所述輸入端子和輸出端子之間，諧振頻率比所述串聯(lián)諧振器??；以及電感器，其與所述諧振器并聯(lián)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的梯形濾波器，其特征在于，所述諧振器的諧振頻率比所述串聯(lián)諧振器小且接近所述并聯(lián)諧振器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的梯形濾波器，其特征在于，所述諧振器的諧振頻率與所述并聯(lián)諧振器的諧振頻率一致。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中的任意一項所述的梯形濾波器，其特征在于，所述諧振器具有使得在所述梯形濾波器的通帶的低諧波側(cè)形成衰減極的諧振頻率。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中的任意一項所述的梯形濾波器，其特征在于，所述電感器具有使得在所述梯形濾波器的通帶的高諧波側(cè)形成衰減極的電感。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 4中的任意一項所述的梯形濾波器，其特征在于，所述電感器具有使得在所述梯形濾波器的通帶的整數(shù)倍的頻率處形成衰減極的電感。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中的任意一項所述的梯形濾波器，其特征在于，所述諧振器連接在與全部的串聯(lián)諧振器相比最靠近所述輸入端子或輸出端子的一側(cè)。
8.—種雙工器，該雙工器具有權(quán)利要求1 7中的任意一項所述的梯形濾波器。
9.一種雙工器，其特征在于，該雙工器具有公共端子；發(fā)送濾波器和接收濾波器，其并聯(lián)連接在所述公共端子上，所述發(fā)送濾波器和所述接收濾波器的至少一方具有串聯(lián)諧振器，其串聯(lián)連接在所述公共端子與輸入輸出端子之間； 以及并聯(lián)諧振器，其并聯(lián)連接在所述公共端子與所述輸入輸出端子之間；諧振器，其串聯(lián)連接在所述公共端子與連接所述發(fā)送濾波器和所述接收濾波器的節(jié)點之間，諧振頻率比所述串聯(lián)諧振器低；以及電感器，其與所述諧振器并聯(lián)連接。
10.一種電子裝置，該電子裝置具有權(quán)利要求1 7中的任意一項所述的梯形濾波器。
全文摘要
本梯形濾波器具有串聯(lián)諧振器(S1～S4)，其串聯(lián)連接在輸入端子(In)和輸出端子(Out)之間；并聯(lián)諧振器(P1～P3)，其并聯(lián)連接在輸入端子(In)和輸出端子(Out)之間；諧振器(RP)，其與串聯(lián)諧振器(S1～S4)串聯(lián)連接在輸入端子(In)和輸出端子(Out)之間，諧振頻率比串聯(lián)諧振器(S1～S4)小；以及電感器(Lp)，其與諧振器(RP)并聯(lián)連接。根據(jù)本梯形濾波器，能夠通過由電感器形成的衰減極，抑制遠離通帶的頻率的信號。并且，能夠抑制由諧振器造成的通帶的插入損失。
文檔編號H03H9/70GK102232270SQ20088013213
公開日2011年11月2日 申請日期2008年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月28日
發(fā)明者上田政則, 巖城匡郁, 西原時弘 申請人:太陽誘電株式會社