專利名稱：：表面聲波器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明總體上涉及表面聲波器件，更具體地，涉及對表面聲波器件的溫度特性的改進(jìn)。此外，本發(fā)明涉及上述表面聲波器件的制造方法。
背景技術(shù)：
：本申請基于2008年2月8日提交的日本專利申請No.2008-028269并要求其優(yōu)先權(quán)，在此以引證的方式將其全部內(nèi)容并入本文中。表面聲波器件(SAW器件)能夠通過將功率施加到形成在壓電基板上的叉指式換能器(IDT)的梳狀電極來激勵聲波。SAW器件被廣泛地用于對例如45MHz到2GHz的頻帶內(nèi)的無線電信號進(jìn)行處理的各種電路。這些電路的例子有用于發(fā)送的帶通濾波器、用于接收的帶通濾波器、本地振蕩濾波器、天線雙工器、中頻濾波器、以及FM調(diào)制器。SAW器件需要位于由梳狀電極組成的SAW元件的功能部件(IDT的電極指)上方的空腔以確保SAW元件的性能。常規(guī)的SAW器件釆用具有其中安裝有SAW元件的凹槽的陶瓷封裝。金屬蓋覆蓋所述凹槽，從而能夠在SAW元件的功能部件的上方限定空腔。使用引線接合以在SAW元件與設(shè)置在陶瓷封裝上的互連線之間構(gòu)成電連接。然而，引線接合使用導(dǎo)線，這妨礙了SAW器件尺寸的減小。為了減小SAW器件的尺寸，開發(fā)了倒裝式接合(flip-chipbonding)。由于倒裝式接合不使用導(dǎo)線進(jìn)行安裝，因而實現(xiàn)了SAW器件尺寸的減小。近來，已經(jīng)對減小SAW器件尺寸有了更嚴(yán)格的要求。在某些情況下，甚至倒裝式接合也不能實現(xiàn)所需的尺寸減小。于是提出了進(jìn)一步減小尺寸的提議。日本專利申請公開No.2000-261284描述了設(shè)置在壓電基板表面上的SAW元件。在壓電基板的表面上設(shè)置有蓋，以在SAW元件的功能部件的上方限定空腔。所述蓋被用作封裝。該類型的封裝被稱為晶片級封裝(WLP:waferlevelpackage)。這實現(xiàn)了進(jìn)一步的小型化。使用壓電基板的SAW器件存在的問題是由于壓電基板的膨脹和收縮而使頻率特性受到影響。壓電基板的膨脹和收縮量越大，則SAW器件的頻率特性所受到的影響越大。壓電基板由于溫度變化而以取決于線膨脹系數(shù)的膨脹和收縮量來膨脹和收縮。壓電基板通常由具有大的機(jī)電耦合系數(shù)的鉭酸鋰(LiTa03)或鈮酸鋰(LiNb03)制成。然而，這些基板具有大的線膨脹系數(shù)，由于溫度變化而極大地膨脹和收縮。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種表面聲波器件，該表面聲波器件包括壓電基板；設(shè)置在所述壓電基板的第一表面上的梳狀電極；以及設(shè)置在所述壓電基板的所述第一表面和所述壓電基板的與所述第一表面相對的第二表面中的至少一個上的絕緣膜，所述絕緣膜的厚度比所述壓電基板的厚度大，并且在表面聲波的傳播方向上所述絕緣膜的線膨脹系數(shù)比所述壓電基板的線膨脹系數(shù)小。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造表面聲波器件的方法，該方法包括在壓電基板的第一表面上形成梳狀電極；在形成所述梳狀電極后使所述壓電基板變?。灰约霸谒鰤弘娀宓乃龅谝槐砻嬉约八鰤弘娀宓呐c所述第一表面相對的第二表面中的至少一個上形成絕緣膜，所述絕緣膜的厚度比所述壓電基板的厚度大，并且在表面聲波的傳播方向上所述絕緣膜的線膨脹系數(shù)比所述壓電基板的線膨脹系數(shù)小。通過在權(quán)利要求書中具體指出的要素以及組合能夠?qū)崿F(xiàn)并獲得本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)當(dāng)理解的是，前面的一般描述和下面的詳細(xì)描述是示例性和說明性的，并不是對所要求保護(hù)的發(fā)明加以限制。圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的SAW器件的截面圖2A到2D是例示制造根據(jù)第一實施方式的SAW器件的方法的第一部分的截面圖3A到3C是例示第一部分之后的該方法的第二部分的截面圖；圖4是描述根據(jù)第一實施方式的SAW器件的頻率的溫度相關(guān)性的圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的SAW器件的截面圖；圖6A到6C是例示制造根據(jù)第二實施方式的SAW器件的方法的第一部分的截面圖7A到7C是例示第一部分之后的該方法的第二部分的截面圖；圖8是根據(jù)第三實施方式的SAW器件的截面圖；以及圖9是根據(jù)第四實施方式的SAW器件的截面圖。具體實施例方式現(xiàn)在將參照附圖對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行說明。[第一實施方式〗圖1是沿著一條線截取從而呈現(xiàn)出梳狀電極和列電極的截面的根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的SAW器件的截面圖。參照圖l，SAW器件10具有壓電基板12，該壓電基板12具有其上具有梳狀電極14和反射電極(為簡化起見未示出)的主表面。壓電基板12可以由鉭酸鋰(LiTa03)或鈮酸鋰(LiNb03)制成。梳狀電極14和反射電極可以是鋁(Al)或其中加入了銅(Cu)的Al合金。互連電極16設(shè)置在壓電基板12的主表面上并且電連接到梳狀電極14?；ミB電極16可以由Al或其中加入了銅的Al合金制成。樹脂部20設(shè)置在壓電基板12的主表面上以限定設(shè)置在梳狀電極14上方的空腔18。樹脂部20可以由環(huán)氧樹脂制成。列電極22設(shè)置在互連電極16上并且貫通樹脂部20。列電極22可以由銅、鎳(Ni)或金(Au)制成。焊凸24設(shè)置在列電極22上。列電極22與焊凸24的組合在SAW器件的倒裝式接合安裝中充當(dāng)與外部部件進(jìn)行電連接的端子。絕緣膜26設(shè)置在壓電基板的后表面上。絕緣膜26的厚度大于壓電基板12的厚度。絕緣膜26由在SAW傳播方向上熱膨脹系數(shù)小于壓電基板12的熱膨脹系數(shù)的物質(zhì)制成。例如，絕緣膜26可以由氧化鋁(A1203)制成?，F(xiàn)在將參照圖2A到3C對制造根據(jù)第一實施方式的SAW器件的方法進(jìn)行說明。在圖2A到3C中，壓電基板12是晶片的形式，在晶片上有用于得到多個SAW器件10的區(qū)域。為了簡化起見，在圖2A到3C中僅示出了多個SAW器件中的一個。在圖3C中，晶片沿切割區(qū)(dicingregion)劃分為多個部分，使得晶片上的SAW器件能夠彼此分離。參照圖2A，梳狀電極14、反射電極(未示出)以及互連電極16形成在壓電基板12的主表面上。梳狀電極14、反射電極以及互連電極16可由Al或其中加入了Cu的Al合金制成，并且它們的厚度可以是例如0.1-0.5pm。參照圖2B，從壓電基板12的后表面開始執(zhí)行硏磨處理或噴砂處理以使壓電基板12變薄。在變薄處理之后，壓電基板12的厚度可以是例如30nm-40^m。參照圖2C，在壓電基板12的主表面得到保護(hù)以防止梳狀電極14、反射電極以及互連電極16的功能被損壞的情況下，在壓電基板12的后表面上形成絕緣膜26。絕緣膜26可以由例如氧化鋁(A1203)的陶瓷制成，并且其厚度可以是例如200-350^im?？梢酝ㄟ^等離子體噴涂法或氣溶膠沉積法來形成絕緣膜26。參照圖2D,將負(fù)型光敏環(huán)氧樹脂20a涂在壓電基板12的主表面上并進(jìn)行烘烤?？梢酝ㄟ^旋涂(spincoating)法來涂布環(huán)氧樹脂20a。使用掩模對環(huán)氧樹脂20a施加紫外線。在本申請中，對應(yīng)當(dāng)在梳狀電極14上方形成空腔18的區(qū)域以及應(yīng)當(dāng)在互連電極16上方形成列電極22的區(qū)域未施加紫外線。隨后，將環(huán)氧樹脂20a顯影以去除未施加紫外線的區(qū)域中的環(huán)氧樹脂20a。這使得在應(yīng)當(dāng)形成空腔18的區(qū)域中以及應(yīng)當(dāng)形成列電極22的區(qū)域中形成了開口28。隨后，在氮?dú)夥罩幸?0(TC的溫度對環(huán)氧樹脂20a進(jìn)行一小時的熱處理，由此使環(huán)氧樹脂20a固化。參照圖3A,負(fù)型光敏環(huán)氧樹脂20b形成在環(huán)氧樹脂20a上以覆蓋開口28?？梢酝ㄟ^諸如層壓機(jī)(laminator)的壓力軋制來形成環(huán)氧樹脂20b。使用掩模對環(huán)氧樹脂20b施加紫外線。在本申請中，對應(yīng)當(dāng)形成位于互連電極16上方的列電極22的區(qū)域未施加紫外線。隨后，將環(huán)氧樹脂20b顯影以去除未施加紫外線的區(qū)域中的環(huán)氧樹脂20b。然后，在氮?dú)夥罩幸?0(TC的溫度對環(huán)氧樹脂20b進(jìn)行熱處理一小時，由此使環(huán)氧樹脂20b固化。這就產(chǎn)生了樹脂部20，其由環(huán)氧樹脂20a與環(huán)氧樹脂20b形成并具有位于梳狀電極14上方的空腔18和位于互連電極16上方的開口。參照圖3B，開口30填充有例如Cu、Ni或Au之類的金屬以形成列電極22。該工序可以采用電鍍或無電鍍?？梢栽跇渲?0上進(jìn)行刮印(squeegeeprinting)以在開口30中形成列電極22。參照圖3C，在列電極22上形成焊凸24。焊凸24可以是SnAg焊球(solderball)。隨后，通過在切割區(qū)中進(jìn)行切割將晶片切成多個片，從而能夠獲得具有WLP結(jié)構(gòu)的單個SAW器件10。圖4是使用通過第一實施方式構(gòu)造的SAW器件的濾波器的頻率的溫度相關(guān)性圖。圖4還示出了使用常規(guī)SAW器件的濾波器的頻率的溫度相關(guān)性的比較例。表1描述了在測量中所使用的第一實施方式的SAW器件與常規(guī)SAW器件的細(xì)節(jié)。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>參照表1,第一實施方式的SAW器件使用40nm厚的、由LiTa03制成的壓電基板12以及310pm厚的、由氧化鋁(A1203)制成的絕緣膜26。氧化鋁制成的絕緣膜26是通過等離子體噴涂形成。其它的規(guī)格與已經(jīng)參照圖1描述的規(guī)格相同。比較例的SAW器件使用厚度為180nm的、由LiTa03制成的壓電基板12，但是其不具有絕緣膜26。其它的規(guī)格與測量中所使用的第一實施方式的規(guī)格相似。圖4中的圖的水平軸表示溫度('C)，而垂直軸表示頻率變化(ppm)。圖4中的實線是第一實施方式的SAW器件的測量結(jié)果，而虛線是常規(guī)SAW器件的測量結(jié)果。在濾波器的通帶(大致等于1GHz)的中心頻率處進(jìn)行測量。從圖4可以看出，由于溫度變化，使用第一實施方式的SAW器件的濾波器的頻率變化小于使用常規(guī)SAW器件的濾波器的頻率變化。根據(jù)第一實施方式，如圖1所示，梳狀電極14形成在壓電基板12的主表面上，而厚度大于壓電基板12的絕緣膜26設(shè)置在壓電基板12的后表面上。絕緣膜26是由在SAW傳播方向上膨脹系數(shù)小于壓電基板12的熱膨脹系數(shù)的物質(zhì)制成。例如，用于壓電基板12的LiTa03的熱膨脹系數(shù)約為16ppm/'C，而用于絕緣膜26的氧化鋁的熱膨脹系數(shù)約為7ppm/'C。當(dāng)單獨(dú)使用壓電基板12時，其膨脹與收縮量取決于壓電基板12的熱膨脹系數(shù)。相反，其后表面上增加了絕緣膜26的壓電基板12由于絕緣膜26的存在從而膨脹和收縮受到限制。因此，如圖4所示，能夠減少由溫度變化導(dǎo)致的頻率變化并且能夠制造具有改善的溫度特性的SAW器件。根據(jù)第一實施方式的制造方法，如圖2A所示，在壓電基板12的主表面上形成梳狀電極14。此后，如圖2B所示，使壓電基板12變薄。隨后，如圖2C所示，以噴涂法或氣溶膠沉積法在壓電基板12的后表面上形成絕緣膜26。例如，當(dāng)以接合方式在壓電基板12的后表面上形成絕緣膜26的情況下，在接合之后在壓電基板12的主表面上形成梳狀電極14。在壓電基板12上存在絕緣膜26可能增大壓電基板12的翹曲(warpage)。然而，根據(jù)第一實施方式，在形成絕緣膜26之前在壓電基板12的主表面上形成梳狀電極14。因此能夠很容易地在尚未嚴(yán)重翹曲的壓電基板12上形成梳狀電極14的圖案。噴涂法或氣溶膠沉積法能夠在不影響已經(jīng)變薄的壓電基板12的表面上的梳狀電極14的情況下在壓電基板12的后表面上可靠地形成絕緣膜26。此外，壓電基板12變薄使得壓電基板12更多地受到絕緣膜26的影響并且更大地限制由溫度變化導(dǎo)致的膨脹和收縮。此外，如圖2A和3A所示，由光敏環(huán)氧樹脂制成的樹脂部20限定了設(shè)置在梳狀電極14上方的空腔18。因此能夠容易地形成空腔18。[第二實施方式]第二實施方式具有在壓電基板12的主表面上形成有絕緣膜26的示例性結(jié)構(gòu)。圖5是沿一條線截取從而呈現(xiàn)出梳狀電極14和列電極的截面的根據(jù)第二實施方式的SAW器件的截面圖。參照圖5，SAW器件10具有壓電基板12，該壓電基板12具有其上形成有梳狀電極14、反射電極(未示出)以及互連電極16的主表面。梳狀電極14與互連電極16電連接。樹脂部20位于壓電基板12的表面上以便能夠在梳狀電極14上方限定空腔18。絕緣膜26比壓電基板12厚，并且在SAW傳播方向上絕緣膜26的線膨脹系數(shù)比壓電基板12的線膨脹系數(shù)小。列電極22設(shè)置在互連電極16上從而貫穿絕緣膜26。焊凸24設(shè)置在列電極22上?，F(xiàn)在將參照圖6A到7C對制造第二實施方式的SAW器件的方法進(jìn)行說明。在圖6A到7C中，壓電基板12是以晶片的形式，在晶片上有用于得到多個SAW器件10的區(qū)域。為了簡化起見，在圖6A到7C中僅示出了多個SAW器件中的一個。在圖7C中，晶片沿切割區(qū)劃分為多個部分，使得晶片上的SAW能夠彼此分離。首先，執(zhí)行涉及第一實施方式的圖2A和2B的制造步驟。接下來，參照圖6A，在壓電基板12的主表面上形成樹脂部20，從而限定梳狀電極14上方的空腔18?？梢杂梢呀?jīng)參照圖2D和3A描述的方法來形成樹脂部20。參照圖6B,在壓電基板12的表面上涂光刻膠，并隨后對其進(jìn)行烘烤。然后，執(zhí)行曝光、顯影以及烘烤以在應(yīng)當(dāng)在互連電極16上方形成列電極22的區(qū)域中限定開口38。參照圖6C，將列電極22形成為埋在開口38中。參照圖7A，去除光刻膠36并且在壓電基板12的主表面上形成絕緣膜26以覆蓋開口38和列電極22?？梢酝ㄟ^等離子體噴涂法或氣溶膠沉積法來形成絕緣膜26。參照圖7B，通過研磨或噴砂來使絕緣膜26變薄，直到露出列電極22的表面。參照圖7C，在列電極22上形成焊凸24。隨后，通過切割來將晶片形式的壓電基板12劃分為多個，從而能夠完成根據(jù)第二實施方式的具有WLP結(jié)構(gòu)的SAW器件。根據(jù)第二實施方式，如圖5所示，SAW器件10具有設(shè)置在壓電基板12上的絕緣膜26，其中絕緣膜26的厚度大于壓電基板12的厚度，并且在SAW傳播方向上絕緣膜26的熱膨脹系數(shù)小于壓電基板12的熱膨脹系數(shù)。因此能夠限制由溫度變化導(dǎo)致的壓電基板12的膨脹和收縮，并且10改善溫度特性。如圖5中所示，絕緣膜26被形成為覆蓋位于壓電基板12的表面上的樹脂部20。梳狀電極14上方的空腔18由樹脂部20限定。如果絕緣膜26被形成為不覆蓋樹脂部20，則樹脂部20可能由于外部壓力而凹陷并且空腔18可能發(fā)生破壞。相反，第二實施方式采用絕緣膜26來覆蓋樹脂部26，從而能夠加強(qiáng)樹脂部20以防止空腔18發(fā)生破壞。第三實施方式具有在壓電基板12的前表面和后表面兩者上具有絕緣膜26的示例性結(jié)構(gòu)。圖8是沿一條線截取從而呈現(xiàn)出梳狀電極14和列電極22的截面的根據(jù)第三實施方式的SAW器件的截面圖。參照圖8，SAW器件10具有其上形成有梳狀電極14、反射電極(未示出)以及互連電極16的壓電基板12。梳狀電極14與互連電極16電連接。樹脂部20形成在壓電基板12的主表面上，使得能夠在梳狀電極14上方限定空腔18。在壓電基板12的主表面上形成有絕緣膜26以覆蓋樹脂部20。列電極22設(shè)置在互連電極16上以貫穿壓電基板12的主表面上的絕緣膜26。焊凸24形成在列電極22上。在壓電基板12的后表面上設(shè)置有絕緣膜26。設(shè)置在壓電基板12的前表面與后表面上的絕緣膜26的厚度都大于壓電基板12的厚度，并且在SAW傳播方向上絕緣膜26的線膨脹系數(shù)比壓電基板12的線膨脹系數(shù)小?，F(xiàn)在將對制造第三實施方式的SAW器件的方法進(jìn)行說明。首先，執(zhí)行結(jié)合第一實施方式描述的圖2A到2C的制造步驟。接下來，執(zhí)行結(jié)合第二實施方式描述的圖6A到7C的制造步驟。因此，完成了具有WLP結(jié)構(gòu)的SAW器件IO。根據(jù)第三實施方式，如圖8所示，在壓電基板12的前表面與后表面上均形成絕緣膜26。因此，與第一實施方式以及第二實施方式相比，能夠極大地抑制由溫度變化導(dǎo)致的壓電基板12的膨脹和收縮，并且獲得具有進(jìn)一步改善的溫度特性的SAW器件。如圖8所示，形成在壓電基板12的主表面上的絕緣膜26覆蓋了整個樹脂部20。因此能夠加強(qiáng)樹脂部20并防止空腔18發(fā)生破壞。形成在壓電基板12的前表面與后表面上的絕緣膜26可以由相同的材料或不同的材料制成。[第四實施方式]第四實施方式具有在壓電基板12的后表面上形成有由包含玻璃的陶瓷制成的絕緣膜26a的示例性結(jié)構(gòu)。圖9是根據(jù)第四實施方式的SAW器件的截面圖。壓電基板12是以晶片的形式，在晶片上具有用于得到多個SAW器件10的區(qū)域。為了簡化起見，在圖9中僅示出了多個SAW器件中的一個。首先，執(zhí)行了圖2A到2C的制造步驟。接下來，參照圖9，在壓電基板12的后表面上形成由包含玻璃的陶瓷制成的絕緣膜26a。通過旋涂法來將玻璃包含到陶瓷中，其中在陶瓷上涂布硅垸醇化合物液體溶液(silanolcompoundliquidsolution),并且隨后對其進(jìn)行烘烤。硅醇化合物液體溶液滲入陶瓷中，從而能夠獲得由包含玻璃的陶瓷制成的絕緣膜26a。隨后，執(zhí)行圖2D到3C中例示的制造步驟，從而能夠完成根據(jù)第四實施方式的具有WLP結(jié)構(gòu)的SAW器件10。根據(jù)第四實施方式，如圖9所示，在壓電基板12的后表面上形成由包含玻璃的陶瓷制成的絕緣膜26a。絕緣膜26a的楊氏模量比不包含玻璃的絕緣膜的楊氏模量大。隨著楊氏模量的增大，絕緣膜變得更加堅硬和更加不易變形。因此，通過在壓電基板12的后表面上采用具有大楊氏模量的絕緣膜26a，能夠進(jìn)一步抑制由溫度變化導(dǎo)致的壓電基板12的膨脹和收縮，并且實現(xiàn)具有進(jìn)一步改善的溫度特性的SAW器件。第四實施方式可以有各種變型。由包含玻璃的陶瓷制成的絕緣膜26a可以形成在壓電基板12的主表面上，而不是形成在壓電基板12的后表面上。還可以在壓電基板12的前表面和后表面上均形成絕緣膜26a。這些變型能夠進(jìn)一步抑制由溫度變化導(dǎo)致的壓電基板12的膨脹和收縮，并且提供具有進(jìn)一步改善的溫度特性的SAW器件。在第一實施方式到第四實施方式中，變薄了的壓電基板12的前表面與后表面中的至少一個具有絕緣膜26?？梢圆皇箟弘娀?2變薄。即使當(dāng)使用沒有變薄的壓電基板12時，也能夠限制壓電基板的膨脹和收縮，12并實現(xiàn)具有改善的溫度特性的SAW器件。此處敘述的全部示例和條件性語言旨在出于教示目的而幫助讀者理解本發(fā)明以及發(fā)明人對現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的原理，并且應(yīng)當(dāng)被解釋為不限于如此具體敘述的示例和條件，并且說明書中對這種示例的組織也與展示本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)無關(guān)。盡管已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明的實施方式，但應(yīng)當(dāng)理解的是在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可對其做出各種變化、替換和修改。權(quán)利要求1、一種表面聲波器件，其包括壓電基板；設(shè)置在所述壓電基板的第一表面上的梳狀電極；以及設(shè)置在所述壓電基板的所述第一表面和所述壓電基板的與所述第一表面相對的第二表面中的至少一個上的絕緣膜，所述絕緣膜的厚度比所述壓電基板的厚度大，并且在表面聲波的傳播方向上所述絕緣膜的線膨脹系數(shù)比所述壓電基板的線膨脹系數(shù)小。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面聲波器件，該表面聲波器件進(jìn)一步包括限定了位于所述梳狀電極上方的空腔的樹脂部，其中所述絕緣膜被設(shè)置為覆蓋所述樹脂部。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面聲波器件，其中所述絕緣膜設(shè)置在所述壓電基板的所述第一表面和所述第二表面兩者上。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面聲波器件，其中所述絕緣膜包括陶瓷。5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面聲波器件，其中所述絕緣膜包括含有玻璃的陶瓷。6、一種制造表面聲波器件的方法，該方法包括以下步驟在壓電基板的第一表面上形成梳狀電極；在形成所述梳狀電極后使所述壓電基板變??；以及在所述壓電基板的第一表面以及所述壓電基板的與所述第一表面相對的第二表面中的至少一個上形成絕緣膜，所述絕緣膜的厚度比所述壓電基板的厚度大，并且在表面聲波的傳播方向上所述絕緣膜的線膨脹系數(shù)比所述壓電基板的線膨脹系數(shù)小。7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，該方法進(jìn)一步包括以下步驟形成限定了位于所述梳狀電極上方的空腔的樹脂部，其中所述絕緣膜被設(shè)置為覆蓋所述樹脂部。8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中形成絕緣膜的步驟包括以下步9、根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中形成絕緣膜的步驟包括以下步驟在所述壓電基板的所述第一表面和所述第二表面兩者上形成所述絕緣膜。10、根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中形成絕緣膜的步驟包括以下步驟以噴涂法或氣溶膠沉積法中的一種形成所述絕緣膜。11、根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述絕緣膜包括陶瓷。12、根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述絕緣膜包括含有玻璃的陶瓷。全文摘要本發(fā)明涉及表面聲波器件及其制造方法。一種表面聲波器件包括壓電基板；設(shè)置在所述壓電基板的第一表面上的梳狀電極；以及設(shè)置在所述壓電基板的所述第一表面和所述壓電基板的與所述第一表面相對的第二表面中的至少一個上的絕緣膜，所述絕緣膜的厚度比所述壓電基板的厚度大，并且在表面聲波的傳播方向上所述絕緣膜的線膨脹系數(shù)比所述壓電基板的線膨脹系數(shù)小。文檔編號H03H9/145GK101505143SQ200910004328公開日2009年8月12日申請日期2009年2月6日優(yōu)先權(quán)日2008年2月8日發(fā)明者川內(nèi)治,森谷亮申請人:富士通媒體部品株式會社